本實(shí)用新型涉及一種電子產(chǎn)品的測(cè)試裝置，特別是涉及一種應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

參閱圖1，為一堆疊式封裝測(cè)試裝置1，用于測(cè)試一待測(cè)晶片21，并包含一測(cè)試平臺(tái)10、一上插座11，及一電連接于該測(cè)試平臺(tái)10，并能配合該上插座11的下插座12。其中，該上插座11配合連接一良品晶片22，并包括一上本體111、一設(shè)置于該上本體111中的真空流道112、一連接于該真空流道112朝向該下插座12的一端的吸嘴113，及多個(gè)嵌設(shè)于該上本體111中，并各自具有一顯露于該上本體111外的測(cè)試接點(diǎn)101的測(cè)試探針114；該下插座12用于供該測(cè)試晶片21插設(shè)，并包括一下本體121，及多個(gè)嵌設(shè)于該下本體121中，并各自具有一顯露于該下本體121外的信號(hào)接點(diǎn)102的電連接件122。

通過(guò)該堆疊式封裝測(cè)試裝置1對(duì)該待測(cè)晶片21進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，該真空流道112連通于一真空泵浦(圖中未繪示)，即能通過(guò)該吸嘴113直接吸附擺放于特定位置的該待測(cè)晶片21，并且移動(dòng)該待測(cè)晶片21。當(dāng)該上插座11吸附該待測(cè)晶片21而移動(dòng)至對(duì)應(yīng)該下插座12的正確位置時(shí)，接著只要朝向該下插座12移動(dòng)，即能如圖2所示地，使該待測(cè)晶片21插設(shè)于該下插座12，并讓所述的電連接件122的信號(hào)接點(diǎn)102電連接于該待測(cè)晶片21。而當(dāng)該上插座11自相反于該下插座12的一側(cè)同樣連接于該待測(cè)晶片21，并使得所述測(cè)試探針114的測(cè)試接點(diǎn)101電連接于該待測(cè)晶片21，則該待測(cè)晶片21、該下插座12、該上插座11、該良品晶片22，以及該測(cè)試平臺(tái)10確實(shí)電連接，即能通過(guò)該測(cè)試平臺(tái)10的驅(qū)動(dòng)，使電訊號(hào)在該良品晶片22及該待測(cè)晶片21中傳遞，通過(guò)確認(rèn)傳出的測(cè)試訊號(hào)，即能檢測(cè)該待測(cè)晶片21是否為良品。

由于該堆疊式封裝測(cè)試裝置1進(jìn)行測(cè)試時(shí)，是通過(guò)電訊號(hào)的傳遞而產(chǎn)生測(cè)試結(jié)果，故所述的電訊號(hào)若受到干擾，則有可能因而誤判測(cè)試結(jié)果，進(jìn)而影響檢測(cè)的準(zhǔn)確性。然而，通常為了降低制造成本，該上插座11是采用價(jià)格較為低廉且易于塑型的塑料材質(zhì)，但是，可能干擾測(cè)試結(jié)果的電磁波卻會(huì)輕易通過(guò)所述的塑料材質(zhì)，使得所述的測(cè)試探針114間產(chǎn)生交互干擾(crosstalk)，該堆疊式封裝測(cè)試裝置1的檢測(cè)性能因而受到莫大影響，就提高檢測(cè)性能的角度而言，勢(shì)必需要一個(gè)有力的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種進(jìn)行測(cè)試時(shí)得以避免干擾而提高準(zhǔn)確性的應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置。

本實(shí)用新型應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置，適用于通過(guò)一測(cè)試平臺(tái)，配合一第一晶片而檢測(cè)一第二晶片。該應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置包含：一下插座單元；

該下插座單元包括一個(gè)下主體，及多個(gè)顯露于該下主體外的測(cè)試接點(diǎn)。該下插座單元是電連接于該測(cè)試平臺(tái)，該下主體則是供承載該第二晶片，而所述的測(cè)試接點(diǎn)與該測(cè)試平臺(tái)電性導(dǎo)通。該應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置還包含一個(gè)上插座單元，以一第一方向與該下插座單元彼此間隔。該上插座單元包括一個(gè)圍繞出多個(gè)呈貫穿狀的穿孔的上主體，及多個(gè)分別容置于所述穿孔中，且沿該第一方向延伸的探針。所述的探針的一端是電連接于該第一晶片，該上主體有至少一部分是以金屬材質(zhì)制成，所述的金屬材質(zhì)至少一部分位于其中兩個(gè)探針間。

進(jìn)行測(cè)試時(shí)，該上插座單元以該第一方向相對(duì)于該下插座單元移動(dòng)，以配合該下插座單元，使該第二晶片電連接于該上插座單元的探針的另一端與該下插座單元的測(cè)試接點(diǎn)間。該測(cè)試平臺(tái)、該上插座單元、該下插座單元、該第一晶片，與該第二晶片形成訊號(hào)連接，使該第一晶片通過(guò)所述的探針而與該第二晶片彼此傳輸電訊號(hào)。所述的金屬材質(zhì)在至少兩個(gè)探針間產(chǎn)生屏蔽作用，避免所述電訊號(hào)受到交互干擾。

較佳地，前述應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置，其中，該上插座單元的上主體具有一個(gè)以與該第一方向垂直的方向延伸的金屬層，及至少一個(gè)以該第一方向連接于該金屬層，并與該金屬層同向延伸的非金屬層，所述的穿孔至少貫穿該金屬層。

較佳地，前述應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置，其中，該上插座單元的上主體是采用金屬材質(zhì)所制成。

較佳地，前述應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置，其中，該上插座單元還包括一個(gè)貫通該上主體且一端用于連通一個(gè)真空抽吸設(shè)備的真空流道，及一個(gè)連接于該真空流道相反于該真空抽吸設(shè)備的一端的吸嘴。

本實(shí)用新型的有益的效果在于：該上插座單元的上主體的至少一部分是采用金屬材質(zhì)制成，故在該上插座單元與該下插座單元彼此配合而對(duì)該第二晶片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，由于金屬材質(zhì)得以對(duì)電磁波產(chǎn)生良好的屏蔽效果，故該上插座單元得以通過(guò)所述金屬材質(zhì)，在至少兩個(gè)探針間產(chǎn)生屏蔽作用，避免所傳遞的電訊號(hào)受到所產(chǎn)生的電磁波的交互干擾，有效提高檢測(cè)的性能以及精準(zhǔn)度。

附圖說(shuō)明

圖1是一示意圖，說(shuō)明一現(xiàn)有的堆疊式封裝測(cè)試裝置；

圖2是一示意圖，說(shuō)明該堆疊式封裝測(cè)試裝置吸附一待測(cè)晶片并進(jìn)行檢測(cè)的情況；

圖3是一示意圖；說(shuō)明本實(shí)用新型應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置的一第一實(shí)施例；

圖4是一示意圖，說(shuō)明采用該第一實(shí)施例對(duì)一待測(cè)晶片進(jìn)行測(cè)試的情況；

圖5是一示意圖，說(shuō)明本實(shí)用新型應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置的一第二實(shí)施例；及

圖6是一示意圖，說(shuō)明采用該第二實(shí)施例對(duì)該待測(cè)晶片進(jìn)行測(cè)試的情況。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

參閱圖3，本實(shí)用新型應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置的一第一實(shí)施例，適用于通過(guò)一測(cè)試平臺(tái)90，配合一第一晶片91而檢測(cè)一第二晶片92，其中該第一晶片91通常為一儲(chǔ)存有資訊的記憶體晶片，并且為經(jīng)檢測(cè)確認(rèn)過(guò)的良品，配合進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，只要確認(rèn)該第二晶片92連接于該第一晶片91時(shí)傳出的測(cè)試訊號(hào)是否正確，即能檢測(cè)該第二晶片92是否為良品。該第一實(shí)施例包含：一下插座單元3，及一以一第一方向D1與該下插座單元3彼此間隔的上插座單元4。

該下插座單元3包括一個(gè)下主體31，及多個(gè)顯露于該下主體31外的測(cè)試接點(diǎn)32。該下插座單元3是電連接于該測(cè)試平臺(tái)90，而該下主體31是設(shè)置于該測(cè)試平臺(tái)90上，并供承載該第二晶片92。所述的測(cè)試接點(diǎn)32是與該測(cè)試平臺(tái)90彼此是電性導(dǎo)通，并得以供其他電子元件連接，以與該測(cè)試平臺(tái)90一同運(yùn)作。而該上插座單元4包括一個(gè)圍繞出多個(gè)呈貫穿狀的穿孔410的上主體41，及多個(gè)分別容置于所述穿孔410中，且沿該第一方向D1延伸的探針42。所述探針42的一端是電連接于該第一晶片91，該上主體41具有一以與該第一方向D1垂直的方向延伸的金屬層411，及兩個(gè)于相反兩側(cè)以該第一方向D1分別連接于該金屬層411，并與該金屬層411同向延伸的非金屬層412、413。要特別說(shuō)明的是，所述穿孔410是貫穿該金屬層411，使得所述探針42得以由該金屬層411所圍繞。

參閱圖4，進(jìn)行測(cè)試時(shí)，該上插座單元4以該第一方向D1朝向該下插座單元3移動(dòng)，以配合該下插座單元3，使該第二晶片92電連接于該上插座單元4的探針42的另一端與該下插座單元3的測(cè)試接點(diǎn)32間。該測(cè)試平臺(tái)90、該上插座單元4、該下插座單元3、該第一晶片91，及該第二晶片92形成訊號(hào)連接，使該第一晶片91通過(guò)所述探針42而與該第二晶片92傳遞電訊號(hào)。進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，電訊號(hào)會(huì)在所述探針42間傳遞，只要通過(guò)該金屬層411對(duì)電磁波產(chǎn)生屏蔽的特性，在每?jī)蓚€(gè)探針42間即能產(chǎn)生良好的屏蔽作用，避免所傳遞的電訊號(hào)受到所產(chǎn)生的電磁波的交互干擾，故能借此提高檢測(cè)的性能以及精準(zhǔn)度。

參閱圖5，為本實(shí)用新型應(yīng)用于堆疊式封裝測(cè)試的測(cè)試裝置的一第二實(shí)施例，該第二實(shí)施例與該第一實(shí)施例的差別在于：該上插座單元4的上主體41是采用金屬材質(zhì)所制成，且該上插座單元4還包括一貫通該上主體41且一端用于連通一真空抽吸設(shè)備(圖中未繪示)的真空流道43，及一連接于該真空流道43相反于該真空抽吸設(shè)備的一端的吸嘴44。

由于該第二實(shí)施例的上插座單元4的上主體41是以金屬材質(zhì)所制成，故進(jìn)行檢測(cè)時(shí)同樣能通過(guò)金屬的屏蔽效果而達(dá)到與該第一實(shí)施例相同的效果。另外，由于以金屬材質(zhì)制成的該上主體41相較于例如塑膠的非金屬而言，具有相對(duì)較佳的剛性，除了在頻繁組裝又脫離的過(guò)程當(dāng)中，得以因而產(chǎn)生增加該上插座單元4的使用壽命外，亦有利于進(jìn)行貫通該上主體41的加工而制成該真空流道43。而該上主體41以金屬材質(zhì)制成而增強(qiáng)剛性時(shí)，在同等程度的剛性考量下，該上主體41的體積得以相對(duì)縮小，借此能縮小該上插座單元4的整體體積，并得以制成薄型化的外觀。

參閱圖5與圖6，要特別說(shuō)明的是，以該第二實(shí)施例進(jìn)行測(cè)試時(shí)，該真空流道43相反于該吸嘴44的一端得以連通一真空抽吸設(shè)備，以提供抽吸該真空流道43中空氣的動(dòng)力，使該吸嘴44得以用來(lái)吸附物品。接著，只要直接移動(dòng)該上插座單元4而以該吸嘴44吸附該第二晶片92，即能達(dá)成移動(dòng)該第二晶片92的功效，能以移動(dòng)該上插座單元4的方式，輕易移動(dòng)該第二晶片92并使該上插座單元4與該下插座單元3組接，以系統(tǒng)化、自動(dòng)化的方式完成檢測(cè)，使得檢測(cè)的過(guò)程能更加有效率。