1.一種發(fā)光效率高的LED芯片，包括：襯底，所述襯底上自下而上依次形成的外延層、電流阻擋層、透明導(dǎo)電膜以及P電極，所述外延層包括緩沖層、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層邊緣刻蝕至露出所述N型半導(dǎo)體層，N電極形成在露出的N型半導(dǎo)體層上，其特征在于：所述電流阻擋層中有通孔，所述通孔中填充電導(dǎo)率低于透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電介質(zhì)夾層，所述電流阻擋層與P型半導(dǎo)體層之間形成電導(dǎo)率大于P型半導(dǎo)體層的電流擴(kuò)散薄層，所述電流擴(kuò)散薄層被所述電流阻擋層以及所述導(dǎo)電介質(zhì)夾層覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光效率高的LED芯片，其特征在于：所述通孔形成在電流阻擋層的中央。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光效率高的LED芯片，其特征在于：所述電流擴(kuò)散薄層材料具有高的反射率。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光效率高的LED芯片，其特征在于：所述電流擴(kuò)散薄層材料為鋁或銀。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光效率高的LED芯片，其特征在于：所述電流擴(kuò)散薄層與所述P電極投影重合。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光效率高的LED芯片，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體層為N型GaN，所述發(fā)光層為In摻雜的GaN，所述P型半導(dǎo)體層為P型GaN。
7.一種發(fā)光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在襯底上自下而上依次外延生長(zhǎng)緩沖層、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層以獲得外延片；
(2)蝕刻所述P型半導(dǎo)體層邊緣至露出所述N型半導(dǎo)體層；
(3)在所述P型半導(dǎo)體層表面形成電流擴(kuò)散薄層以及電流阻擋層，所述電流阻擋層中有通孔，所述通孔中填充電導(dǎo)率低于透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電介質(zhì)夾層；
(4)在所述電流阻擋層以及未被電流阻擋層覆蓋的P型半導(dǎo)體層表面形成透明導(dǎo)電膜；
(5)在最透明導(dǎo)電膜上形成P電極，在露出的N型半導(dǎo)體層上形成N電極。
8.如權(quán)利要求7所述的LED芯片制作方法，其特征在于：步驟(3)具體過(guò)程為首先沉積一層電流擴(kuò)散薄層，然后沉積一層電流阻擋層，刻蝕所述電流阻擋層形成通孔，在所述通孔中沉積導(dǎo)電介質(zhì)夾層。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于：步驟(3)具體過(guò)程為首先沉積一層電流擴(kuò)散薄層，然后沉積一層導(dǎo)電介質(zhì)夾層，刻蝕所述導(dǎo)電介質(zhì)夾層，沉積電流阻擋層覆蓋電流擴(kuò)散薄層，并且包圍導(dǎo)電介質(zhì)夾層。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光效率高的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述電流擴(kuò)展薄層與所述導(dǎo)電介質(zhì)夾層材料相同，步驟(3)電流擴(kuò)散薄層與導(dǎo)電介質(zhì)夾層同一步沉積，然后刻蝕并沉積電流阻擋層。