1.一種具有電容結構的LED芯片，所述LED芯片包括：N型半導體層、多量子阱發(fā)光層、P型半導體層、以及N電極和P電極，所述N電極與N型半導體層電性連接，P電極與P型半導體層電性連接，其特征在于，所述LED芯片電性連接有電容結構，所述電容結構包括平行且間隔設置的第一導電層和第二導電層、以及位于第一導電層和第二導電層之間的介電材料層，所述第一導電層與P電極電性連接，所述第二導電層與N電極電性連接，電容結構中的第一導電層和第二導電層與LED芯片的P電極和N電極并聯(lián)設置。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述電容結構集成于LED芯片上方，且電容結構位于LED芯片發(fā)光區(qū)的外圈。
3.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半導體層上形成有絕緣介質層，所述第一導電層形成于絕緣介電層上，且第一導電層與N型半導體層絕緣設置。
4.根據權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層上設有電流阻擋層及透明導電層，所述電流阻擋層位于透明導電層下方，所述P電極位于透明導電層上且通過透明導電層與P型半導體層電性連接，所述第一導電層通過透明導電層與P電極電性連接。
5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括位于透明導電層上方且未覆蓋P電極的鈍化層。
6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的N型半導體層上刻蝕形成有N臺階，所述N電極和/或所述電容結構形成于所述N臺階上。
7.一種具有電容結構的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底，并在襯底上外延生長N型半導體層、多量子阱發(fā)光層、P型半導體層；
刻蝕部分外延層至N型半導體層形成N臺階；
在N臺階沉積絕緣介電層，以及在P型半導體層上沉積電流阻擋層；
在絕緣介電層上生長第一導電層，以及在P型半導體層及電流阻擋層上生長透明導電層；
在第一導電層上沉積介電材料層，以及在透明導電層上方及兩側生長鈍化層；
在介電材料層上生長第二導電層；
在透明導電層上未被鈍化層覆蓋處生長P電極，以及在N臺階上生長N電極。
8.根據權利要求7所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述絕緣介電層與電流阻擋層的材料相同，絕緣介電層與電流阻擋層采用一步工藝沉積形成。
9.根據權利要求7所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述第一導電層與透明導電層的材料相同，第一導電層與透明導電層采用一步工藝生長形成。
10.根據權利要求7所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述介電材料層與鈍化層的材料相同，介電材料層與鈍化層采用一步工藝沉積形成。