本發(fā)明涉及液晶顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅層制造方法、陣列基板制造方法及陣列基板。

背景技術(shù)：

目前高解析度的顯示面板一般采用低溫多晶硅作為TFT的有源層，生產(chǎn)中常用的低溫多晶硅層的制作方法是在玻璃基板上沉積緩沖層，在緩沖層上沉積非晶硅層，通過準(zhǔn)分子激光退火將非晶硅層轉(zhuǎn)化成多晶硅層。準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶是一種非晶硅融化再結(jié)晶形成多晶硅的過程，由于固液兩相硅的密度不同，在結(jié)晶過層中，液態(tài)硅會被結(jié)晶的固相硅推動，最終在晶界處形成凸起，通常采用這種方法制作的多晶硅層具有較大的晶界突起，導(dǎo)致表面粗糙度較大(表面粗糙度大于10nm)。針對上述問題，在現(xiàn)有技術(shù)中，采用圖案化處理方式對緩沖層進(jìn)行粗糙度處理，需要經(jīng)過涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等工序，工序復(fù)雜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅層制造方法，減小多晶硅層表面的粗糙度。

本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法及陣列基板。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施方式提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法，包括在基板上形成緩沖層；

對所述緩沖層表面進(jìn)行等離子處理，形成粗糙表面；

在所述粗糙表面上沉積非晶硅層；

對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。

其中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOx形成。

其中，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

其中，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理，形成粗糙表面的步驟包括對所述緩沖層表面進(jìn)行轟擊處理，形成粗糙表面。

其中，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。

本發(fā)明所述的陣列基板制造方法，包括在基板上形成緩沖層；

對所述緩沖層表面進(jìn)行等離子處理，形成粗糙表面；

在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層；

對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層；

對所述多晶硅層進(jìn)行處理形成多晶硅半導(dǎo)體層；

在所述多晶硅半導(dǎo)體層上依次形成絕緣層、源極及漏極，其中所述源極及漏極與所述多晶硅半導(dǎo)體層連接。

其中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOx形成。

其中，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

其中，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括基板，形成于所述基板的緩沖層、形成于所述緩沖層的多晶硅半導(dǎo)體層、位于多晶硅半導(dǎo)體層及緩沖層上的絕緣層及源極與漏極，所述緩沖層具有粗糙表面，所述多晶硅半導(dǎo)體層形成于所述粗糙表面上；其中，所述緩沖層上的粗糙表面是通過對緩沖層表面進(jìn)行等離子處理形成。

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法采用等離子處理緩沖層，在沉積非晶硅層之前，先在緩沖層的表面通過等離子處理實現(xiàn)粗糙表面，不僅工藝簡單而且能有效阻礙融化的硅在緩沖層上的遷移，能有效降低通過準(zhǔn)分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明低溫多晶硅層制造方法的示意圖；

圖2是本發(fā)明陣列基板制造方法的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種低溫多晶硅層制造方法，其包括以下步驟：

步驟S1，在基板上形成緩沖層。所述基板為透明基板，優(yōu)選的，所述基板為玻璃基板。

步驟S2，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理，形成粗糙表面。

本實施例中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOx形成。優(yōu)選為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

進(jìn)一步的，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理包括對所述緩沖層表面進(jìn)行轟擊處理。

步驟S3，在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層。

步驟S4，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。所述非晶硅層吸收激光束的能量后溫度升高直至熔融狀態(tài)并進(jìn)行重結(jié)晶。由于所述粗糙表面上凸起部分處較厚，保溫效果較好，位于凸起部分的非晶硅層熔化較完全；位于粗糙表面上凹陷部分的非晶硅層溫度相對較低，熔化相對不完全，所述粗糙表面形成溫度梯度。由于非晶硅重結(jié)晶過程中會按照低能量向高能量方向、低溫向高溫方向結(jié)晶，位于溫度相對較低的凹陷的非晶硅先進(jìn)行結(jié)晶，之后沿著溫度由低到高的方向結(jié)晶，即沿著由凹陷向凸起的方向結(jié)晶，最終晶格在溝道長度方向的中部相遇，從而對所述非晶硅層重結(jié)晶形成多晶硅層時的結(jié)晶位置和結(jié)晶方向進(jìn)行了有效控制，使結(jié)晶狀況在整個基板上的分布較均勻。

本發(fā)明所述的低溫多晶硅層制造方法采用等離子處理緩沖層，在沉積非晶硅層之前，先在緩沖層的表面通過等離子處理實現(xiàn)粗糙表面，不僅工藝簡單而且能有效阻礙融化的硅在緩沖層上的遷移，能有效降低通過準(zhǔn)分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能。

請參閱圖2，本發(fā)明提供的陣列基板制造方法，包括

步驟S1，在基板上形成緩沖層。所述基板為透明基板，優(yōu)選的，所述基板為玻璃基板。

步驟S2，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理，形成粗糙表面。

本實施例中，所述緩沖層為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOx形成。優(yōu)選為SiNx與SiOx形成的疊層結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。

進(jìn)一步的，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理包括對所述緩沖層表面進(jìn)行轟擊處理。

步驟S3，在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層。

步驟S4，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。

步驟S5，對所述多晶硅層進(jìn)行處理形成多晶硅半導(dǎo)體層；

步驟S6，在所述多晶硅半導(dǎo)體層上依次形成絕緣層、源極及漏極，其中所述源極及漏極與所述多晶硅半導(dǎo)體層連接。

本發(fā)明所述的陣列基板，包括基板，形成于所述基板的緩沖層、形成于所述緩沖層的多晶硅半導(dǎo)體層、位于多晶硅半導(dǎo)體層及緩沖層上的絕緣層及源極、漏極，所述緩沖層具有粗糙表面，所述多晶硅半導(dǎo)體層形成于所述粗糙表面上；其中，所述緩沖層上的粗糙表面是通過對緩沖層表面進(jìn)行等離子處理形成。

本發(fā)明的低溫多晶硅的制作方法及陣列基板的制作方法，通過對緩沖層進(jìn)行等離子處理，形成具有不同厚度的凸起與凹陷的粗糙表面，使得在多晶硅層激光準(zhǔn)分子退火過程中，能有效降低通過準(zhǔn)分子激光退火形成的多晶硅層的表面粗糙度，提升多晶硅薄膜晶體管的器件工作性能；從而具有較高的電子遷移率，能夠提高陣列基板的性能，改善顯示效果。

以上所述的實施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。