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有機光電裝置和顯示裝置的制作方法

文檔序號:11237231閱讀:664來源:國知局
有機光電裝置和顯示裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】

公開了一種有機光電裝置和顯示裝置。



背景技術(shù):

有機光電裝置(有機光電二極管)是將電能轉(zhuǎn)換為光能的裝置,且反之亦然。

根據(jù)其驅(qū)動原理,有機光電裝置可分類如下。一種是光電裝置,其中通過光能產(chǎn)生激子,分離成電子和空穴,并傳輸至不同的電極以產(chǎn)生電能,且另一種是發(fā)光裝置,其中將電壓或電流提供給電極以由電能產(chǎn)生光能。

有機光電裝置的實例可以是有機光電子裝置、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池和有機感光鼓。

其中,近來由于對平板顯示器的需求增加,有機發(fā)光二極管(oled)引起關(guān)注。有機發(fā)光二極管通過向有機發(fā)光材料施加電流而將電能轉(zhuǎn)換為光,并且具有其中有機層插入在陽極和陰極之間的結(jié)構(gòu)。

具有長壽命的藍色有機發(fā)光二極管被認為是實現(xiàn)長壽命的全彩色顯示器的關(guān)鍵因素之一。因此,正在積極研究具有長壽命的藍色有機發(fā)光二極管的開發(fā)。為了解決該問題,在本發(fā)明中提供了具有長壽命的藍色有機發(fā)光二極管。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

【技術(shù)問題】

一種實施方式提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)高效率特性的有機光電裝置。

另一實施方式提供了一種包括有機光電裝置的顯示裝置。

【技術(shù)方案】

根據(jù)一種實施方式,有機光電裝置包括彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層、位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的輔助空穴傳輸層、位于陰極和發(fā)光層之間的電子傳輸層以及位于電子傳輸層和發(fā)光層之間的輔助電子傳輸層,其中輔助電子傳輸層包含至少一種由化學(xué)式1表示的第一化合物且輔助空穴傳輸層包含至少一種由化學(xué)式2表示的部分、由化學(xué)式3表示的部分和由化學(xué)式4表示的部分的組合表示的第二化合物。

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中,

z獨立地為n、c或cra,

z中的至少一個是n,

r1至r6和ra獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合,

l1至l6獨立地為單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基、取代或未取代的雜亞芳基或它們的組合,且

n1至n6獨立地為0至5的整數(shù),

其中,在化學(xué)式2至4中,

x1和x2獨立地為o、s或crcrd,

r30至r35、rc和rd獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合,或與化學(xué)式5的c*的連接點,

ar1和ar2獨立地為取代或未取代的c6至c30芳基基團或取代或未取代的c2至c30雜芳基基團,

l7至l9獨立地為單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團、取代或未取代的雜亞芳基基團或它們的組合,

化學(xué)式3相鄰的兩個*與化學(xué)式4的兩個*連接形成稠環(huán),

上述化學(xué)式3或4的a*、b*和r30至r35中的一個通過σ鍵與化學(xué)式5的c*連接,

未與化學(xué)式5的c*連接的a*、b*和r30至r35獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團,或它們的組合。

(其中“取代的”是指至少一個氫被氘、鹵素、羥基基團、氨基基團、取代或未取代的c1至c30胺基團、硝基基團、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基基團、c1至c30烷基基團、c3至c30環(huán)烷基基團、c2至c30雜環(huán)烷基基團、c6至c30芳基基團、c2至c30雜芳基基團、c1至c20烷氧基基團、氟基團、c1至c10三氟烷基基團或氰基基團替代)。

根據(jù)另一實施方式,提供了包括有機光電裝置的顯示裝置。

【有益效果】

可以實現(xiàn)具有高效率的有機光電裝置。

【附圖說明】

圖1和圖2是根據(jù)一種實施方式的有機光電裝置的示意性截面圖。

【具體實施方式】

在下文,詳細描述本發(fā)明的實施方式。然而,這些實施方式是示例性的,本發(fā)明不限于此,并且本發(fā)明由權(quán)利要求的范圍限定。

在本說明書中,當(dāng)沒有另外提供定義時,“取代的”是指取代基或化合物的至少一個氫被氘、鹵素、羥基基團、氨基基團、取代或未取代的c1至c30胺基團、硝基基團、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基基團、c1至c30烷基基團、c1至c10烷基甲硅烷基基團、c3至c30環(huán)烷基基團、c2至c30雜環(huán)烷基基團、c6至c30芳基基團、c2至c30雜芳基基團、c1至c20烷氧基基團、氟基團、c1至c10三氟烷基基團如三氟甲基基團,或氰基基團替代。

此外,取代的鹵素、羥基基團、氨基基團、取代或未取代的c1至c20胺基團、硝基基團、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基團、c1至c30烷基基團、c1至c10烷基甲硅烷基基團、c3至c30環(huán)烷基基團、c2至c30雜環(huán)烷基基團、c6至c30芳基基團、c2至c30雜芳基基團、c1至c20烷氧基基團、氟基團、c1至c10三氟烷基基團如三氟甲基基團,或氰基基團的兩個相鄰的取代基可以彼此稠合以形成環(huán)。例如,取代的c6至c30芳基基團可以與另一個相鄰的取代的c6至c30芳基基團稠合以形成取代或未取代的芴環(huán)。

在本說明書中,當(dāng)沒有另外提供具體定義時,“雜”是指在一個官能團中包含一個至三個選自由n、o、s、p和si組成的組的雜原子以及剩余的碳。

在本說明書中,當(dāng)沒有另外提供定義時,“烷基基團”是指脂肪族烴基團。烷基基團可以是沒有任何雙鍵或三鍵的“飽和烷基基團”。

烷基基團可以是c1至c30烷基基團。更具體地,烷基基團可以是c1至c20烷基基團或c1至c10烷基基團。例如,c1至c4烷基基團在烷基鏈中可以具有1至4個碳原子,其可以選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基和叔丁基。

烷基基團的具體實例可以是甲基基團、乙基基團、丙基基團、異丙基基團、丁基基團、異丁基基團、叔丁基基團、戊基基團、己基基團、環(huán)丙基基團、環(huán)丁基基團、環(huán)戊基基團、環(huán)己基基團等。

在本說明書中,“芳基基團”是指包含具有形成共軛的p軌道的環(huán)的所有元素的取代基,并且可以是單環(huán)、多環(huán)或稠環(huán)多環(huán)(即,共享相鄰的碳原子對的環(huán))官能團。

在本說明書中,“雜芳基基團”可以是指包含一個至三個選自n、o、s、p和si的雜原子和剩余碳的芳基基團。當(dāng)雜芳基基團是稠環(huán)時,各個環(huán)可以包含一個或三個雜原子。

更具體地,取代或未取代的c6至c30芳基基團和/或取代或未取代的c2至c30雜芳基基團可以是取代或未取代的苯基基團,取代或未取代的萘基基團、取代或未取代的蒽基基團、取代或未取代的菲基基團、取代或未取代的并四苯基基團、取代或未取代的芘基基團、取代或未取代的聯(lián)苯基基團、取代或未取代的對三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的間三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的屈基基團、取代或未取代的三亞苯基基團、取代或未取代的苝基基團、取代或未取代的茚基基團、取代或未取代的呋喃基基團、取代或未取代的苯硫基基團、取代或未取代的吡咯基基團、取代或未取代的吡唑基基團、取代或未取代的咪唑基基團、取代或未取代的三唑基基團、取代或未取代的噁唑基基團、取代或未取代的噻唑基基團、取代或未取代的噁二唑基基團、取代或未取代的噻二唑基基團、取代或未取代的吡啶基基團、取代或未取代的嘧啶基基團、取代或未取代的吡嗪基基團、取代或未取代的三嗪基基團、取代或未取代的苯并呋喃基基團、取代或未取代的苯并苯硫基基團、取代或未取代的苯并咪唑基基團、取代或未取代的吲哚基基團、取代或未取代的喹啉基基團、取代或未取代的異喹啉基基團、取代或未取代的喹唑啉基基團、取代或未取代的喹喔啉基基團、取代或未取代的萘啶基基團、取代或未取代的苯并噁嗪基基團、取代或未取代的苯并噻嗪基基團、取代或未取代的吖啶基基團、取代或未取代的吩嗪基基團、取代或未取代的吩噻嗪基基團、取代或未取代的吩噁嗪基基團、取代或未取代的芴基基團、取代或未取代的二苯并呋喃基基團、取代或未取代的二苯并苯硫基基團、取代或未取代的咔唑基基團或它們的組合,但不限于此。

在本說明書中,空穴特性是指當(dāng)施加電場時供給電子以形成空穴,并且由于根據(jù)最高已占分子軌道(homo)水平的傳導(dǎo)特性,在陽極中形成的空穴可以容易地注入至發(fā)光層中,且在發(fā)光層中形成的空穴可以容易地傳輸至陽極中并在發(fā)光層中傳輸?shù)哪芰Α?/p>

此外,電子特性是指當(dāng)施加電場時接受電子,并且由于根據(jù)最低未占分子軌道(lumo)水平的傳導(dǎo)特性,在陰極中形成的電子可以容易地注入至發(fā)光層中,且在發(fā)光層中形成的電子可以容易地傳輸至陰極中且在發(fā)光層中傳輸?shù)哪芰Α?/p>

在下文中,描述根據(jù)實施方式的有機光電裝置。

有機光電裝置可以是將電能轉(zhuǎn)換為光能并且反之亦然的任何裝置,而沒有特別限制,并且可以是例如有機光電子裝置、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池和有機感光鼓。

在本文中,描述了作為有機光電裝置的一個實例的有機發(fā)光二極管,但是本發(fā)明可以相同的方式應(yīng)用于其他有機光電裝置。

在附圖中,為了清楚起見而將層、膜、面板、區(qū)域等的厚度放大。在整個說明書中,相同的參考標(biāo)號表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”時,其可以直接在其他元件上,或者也可以存在中間元件。相反,當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時,不存在中間元件。

圖1和圖2是根據(jù)一種實施方式的有機光電裝置的示意性截面圖。

參考圖1,根據(jù)一種實施方式的有機光電裝置包括彼此面對的陽極10和陰極20以及陽極10和陰極20之間的有機層30。

陽極10可以由具有較大功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助空穴注入,并且可以是例如金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陽極10可以是例如,金屬如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅和金或它們的合金;金屬氧化物如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等;金屬和氧化物的組合如zno和al或sno2和sb;導(dǎo)電聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亞乙基-1,2-二氧基)噻吩)(pedt)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。

陰極20可以由具有較小功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助電子注入,并且可以是例如金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔铩j帢O20可以是例如,金屬或其合金,如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇等;多層結(jié)構(gòu)材料如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca,但不限于此。

有機層30包括空穴傳輸層31、發(fā)光層32以及空穴傳輸層31和發(fā)光層32之間的輔助空穴傳輸層33。

此外,有機層30包括電子傳輸層34以及電子傳輸層34和發(fā)光層32之間的輔助電子傳輸層35。

參考圖2,有機層30可以進一步包括空穴傳輸層31和陽極10之間的空穴注入層37以及電子傳輸層34和陰極20之間的電子注入層36。

空穴傳輸層31和陽極10之間的空穴注入層37改善了用作空穴傳輸層31的有機材料和用作陽極10的ito的界面特性,并且涂覆在ito上以平滑ito的不平坦上表面。例如,空穴注入層37可以選自具有ito的功函數(shù)和空穴傳輸層31的homo之間的中值的材料,以調(diào)節(jié)ito的功函數(shù)和空穴傳輸層31的homo之間的差,且特別是具有適當(dāng)導(dǎo)電性的材料。形成本發(fā)明的空穴注入層37的材料可以是n4,n4'-二苯基-n4,n4'-雙(9-苯基-9h-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4'-二胺,但不限于此。也可以一起使用空穴注入層37的常規(guī)材料,例如銅酞菁(cupc),芳香族胺如n,n'-二萘基-n,n'-苯基-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(npd)、4,4',4”-三[甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)、4,4',4”-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯胺(1-tnata)、4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-tnata)、1,3,5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯(p-dpa-tdab),化合物如4,4'-雙[n-[4-{n,n-雙(3-甲基苯基)氨基}苯基]-n-苯基氨基]聯(lián)苯(dntpd)、六氮雜三亞苯-六腈(hat-cn)等,導(dǎo)電聚合物如聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)的聚噻吩衍生物(pedot)??梢栽谟米麝枠O的ito上涂覆具有例如10至的厚度的空穴注入層37。

電子注入層36設(shè)置在電子傳輸層上,因此,有助于從陰極注入電子,并最終改善功率效率,并且可以包含例如,在現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)使用的lif、liq、nacl、csf、li2o、bao等。

空穴傳輸層31是使空穴從陽極10傳輸入發(fā)光層32的層,并且可以包含例如胺化合物,但不限于此。

胺化合物可以包含例如,至少一個芳基基團和/或雜芳基基團。胺化合物可以由例如,化學(xué)式a或b表示,但不限于此。

在化學(xué)式a或b中,

ara至arg獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c20烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c2至c30雜芳基基團或它們的組合,

ara至arc中的至少一個以及ard至arg中的至少一個是取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c2至c30雜芳基基團或它們的組合,且

arh是單鍵、取代或未取代的c1至c20亞烷基基團、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團、取代或未取代的c2至c30雜亞芳基基團或它們的組合。

電子傳輸層34是使電子從陰極20輸送入發(fā)光層32的層,并且例如,電子傳輸層的材料可以是三羥基喹啉鋁(alq3)、1,3,4-噁二唑衍生物的2-(4-聯(lián)苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、喹喔啉衍生物的1,3,4-三[(3-苯基-6-三氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(tpq)、三唑衍生物和三嗪衍生物,但不限于此。

發(fā)光層32是發(fā)射光的有機層,并且當(dāng)采用摻雜體系時包含主體和摻雜劑。在本文中,主體主要促進電子和空穴的復(fù)合,并且容納發(fā)光層中的激子,而摻雜劑從獲得自復(fù)合的激子有效地發(fā)射光。

發(fā)光層可以包含已知的主體和摻雜劑。

已知的主體可以為例如,alq3、cbp(4,4'-n,n'-二咔唑-聯(lián)苯)、pvk(聚(n-乙烯基咔唑))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、tcta、tpbi(1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯),tbadn(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、mcp、oxd-7等,但不限于此。

摻雜劑可以是熒光摻雜劑和磷光摻雜劑中的至少一種。磷光摻雜劑可以是包含ir、pt、os、re、ti、zr、hf或兩種或多種的組合的有機金屬絡(luò)合物,但不限于此。

已知的藍色摻雜劑的實例可以是f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)、ir(dfppz)3、三芴(芴)、4,4'-雙(4-二苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(dpavbi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(tbpe)、dpvbi、芘衍生物(kr0525408,lgelectronicsinc.)等,但不限于此。

已知的紅色摻雜劑的實例可以包括ptoep、ir(piq)3、btpir等,但不限于此。

已知的綠色摻雜劑的實例可以是ir(ppy)3(ppy=苯基吡啶)、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3等,但不限于此。

當(dāng)發(fā)光層包含主體和摻雜劑時,基于100wt%的發(fā)光層,摻雜劑的量通??梢詾榧s0.01至約15wt%,沒有限制。

發(fā)光層可以具有約至約的厚度。

輔助電子傳輸層35包含至少一種由化學(xué)式1表示的第一化合物。

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中,

z獨立地為n、c或cra,

z中的至少一個是n,

r1至r6和ra獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合,

l1至l6獨立地為單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團、取代或未取代的雜亞芳基基團或它們的組合,且

n1至n6獨立地為0至5的整數(shù)。

第一化合物可以包含含有至少一個氮的環(huán),因而具有在對其施加電場時容易接收電子的結(jié)構(gòu),并且因此當(dāng)用于制造有機光電裝置時可以增加電子的注入量,并且可以降低驅(qū)動電壓。

在本發(fā)明的一個實例中,n1至n6可以獨立地為0至5的整數(shù),并且n1+n2+n3+n4+n5+n6≥1、n1+n2+n3+n4+n5+n6≥2、n1+n2+n3+n4+n5+n6≥3或n1+n2+n3+n4+n5+n6≥4。此外,n1+n2+n3+n4+n5+n6≤15、n1+n2+n3+n4+n5+n6≤12、n1+n2+n3+n4+n5+n6≤10、n1+n2+n3+n4+n5+n6≤8、n1+n2+n3+n4+n5+n6≤7或n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6。

由化學(xué)式1表示的第一化合物在亞芳基基團和/或雜亞芳基基團的中心具有至少一個彎曲結(jié)構(gòu)。

例如,第一化合物可以由化學(xué)式1-i或1-ii表示。該化學(xué)式是實例,但其不限于以下公開。

在化學(xué)式1-ⅰ和1-ⅱ中,z、r1至r6、l1至l6以及n1至n6的定義與以上描述的相同。

彎曲結(jié)構(gòu)表示亞芳基基團和/或雜亞芳基基團在連接點處不是直線連接的結(jié)構(gòu)。例如,對于亞苯基、鄰亞苯基(o-亞苯基)和間亞苯基(m-亞苯基)具有其中它們的連接點不是直線的彎曲結(jié)構(gòu),而對亞苯基(p-亞苯基)沒有彎曲結(jié)構(gòu)。

第一化合物的l1至l6可以具體地為單鍵、取代或未取代的亞苯基基團、取代或未取代的亞聯(lián)苯基基團、取代或未取代的亞三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的亞四聯(lián)苯基基團、取代或未取代的亞萘基基團等,并且可以為例如以下連接基團中的一種。

第一化合物可以例如,由化學(xué)式1-iii至1-ⅸ中的至少一種表示,但不限于此。

在化學(xué)式1-ⅲ至1-ⅸ中,

z與以上描述的相同,

w獨立地為n、c或crb,

r5a至r5d和rb獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合。

r5a至r5d具體地為氫、氘、取代或未取代的苯基基團、取代或未取代的聯(lián)苯基基團、取代或未取代的三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的四聯(lián)苯基基團、取代或未取代的萘基基團、取代或未取代的吡啶基基團、取代或未取代的嘧啶基基團、取代或未取代的三嗪基基團、取代或未取代的喹啉基基團、取代或未取代的異喹啉基基團、取代或未取代的菲咯啉或取代或未取代的喹唑啉,并且可以為例如選自取代或未取代的組1的基團中的一種。

[組1]

在組1中,*是連接點,

其中,“取代的”是指至少一個氫被氘、鹵素、c1至c20烷基基團、c3至c20環(huán)烷基基團、c1至c20烷氧基基團、c3至c20環(huán)烷氧基基團、c1至c20烷硫基基團、c6至c30芳烷基基團、c6至c30芳基基團、c6至c30芳氧基基團,c6至c30芳硫基基團、c2至c30雜芳基基團、c2至c30氨基基團、c3至c30甲硅烷基基團、氰基基團、硝基基團、羥基基團或羧基基團替代。

例如,第一化合物可以由化學(xué)式1-ⅳ或1-ⅶ表示。

第一化合物可以是例如,組2的化合物,但不限于此。

[組2]

第一化合物可以是一種或多種組2的化合物。

輔助空穴傳輸層33包含具有優(yōu)異的空穴傳輸特性的第二化合物,因此可以降低空穴傳輸層31和發(fā)光層32之間的homo能級差,并調(diào)節(jié)空穴注入特性,并因此降低在輔助空穴傳輸層33和發(fā)光層32的界面上的空穴的累積,因而降低激子由于極化子而在界面上消失的淬滅現(xiàn)象。因此,該裝置可以較少劣化并且穩(wěn)定,因而具有改善的效率和壽命。

第二化合物可以是由化學(xué)式2表示的部分、由化學(xué)式3表示的部分和由化學(xué)式4表示的部分的組合表示的化合物。

在化學(xué)式2至4中,

x1和x2獨立地為o、s或crcrd

r30至r35、rc和rd獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合,或與化學(xué)式5的c*的連接點,

ar1和ar2獨立地為取代或未取代的c6至c30芳基基團或取代或未取代的c2至c30雜芳基基團,

l7至l9獨立地為單鍵、取代或未取代的c6至c30亞芳基基團、取代或未取代的雜亞芳基基團或它們的組合,

化學(xué)式3的兩個相鄰的*與化學(xué)式4的兩個*鍵合形成稠環(huán),

上述化學(xué)式3或4的a*、b*和r30至r35中的一個通過σ鍵與化學(xué)式5的c*連接,并且

未與化學(xué)式5的c*連接的a*、b*和r30至r35獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團,或它們的組合。

第二化合物可以例如,由化學(xué)式2-1至化學(xué)式2-3中的一種表示。

在化學(xué)式2-1至2-3中,x1、x2、ar1、ar2和l7至l9與以上描述的相同,

r36和r37獨立地為氫、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基團、取代或未取代的c6至c30芳基基團、取代或未取代的c3至c30雜芳基基團或它們的組合。

例如,第二化合物可以例如,由化學(xué)式2-4至化學(xué)式2-6中的一種表示。

在化學(xué)式2-4至2-6中,x1、x2、ar1、ar2和l7至l9與以上描述的相同。

ar1和ar2可以具體地為取代或未取代的苯基基團、取代或未取代的聯(lián)苯基基團、取代或未取代的三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的四聯(lián)苯基基團、取代或未取代的萘基基團、取代或未取代的蒽基基團、取代或未取代的菲基基團、取代或未取代的芘基基團、取代或未取代的三亞苯基基團、取代或未取代的芴基基團、取代或未取代的吡啶基基團、取代或未取代的嘧啶基基團、取代或未取代的三嗪基基團、取代或未取代的咔唑基基團、取代或未取代的二苯并呋喃基基團、取代或未取代的二苯并苯硫基基團、化學(xué)式w、化學(xué)式x、化學(xué)式y(tǒng)、化學(xué)式z或它們的組合。

更具體地,它們可以為取代或未取代的苯基基團、取代或未取代的聯(lián)苯基基團、取代或未取代的三聯(lián)苯基基團、取代或未取代的萘基基團、取代或未取代的蒽基基團、取代或未取代的菲基基團、取代或未取代的芘基基團、取代或未取代的三亞苯基基團、取代或未取代的芴基基團、取代或未取代的二苯并呋喃基基團、取代或未取代的二苯并苯硫基基團,或它們的組合。

例如,第二化合物可以由化學(xué)式2-1或2-2表示。

第二化合物可以是例如,選自組3的化合物,但不限于此。

[組3]

根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機光電裝置可以包括包含具有強電子特性的第一化合物的輔助電子傳輸層和包含具有空穴傳輸特性的第二化合物的輔助空穴傳輸層,其能夠通過同時降低空穴傳輸層31和發(fā)光層32之間的homo能級差來調(diào)節(jié)空穴注入特性。

當(dāng)一起使用這些時,可以通過輔助空穴傳輸層的空穴注入-調(diào)節(jié)能力和輔助電子傳輸層的電子注入-調(diào)節(jié)能力,通過調(diào)節(jié)電荷平衡來改善效率,并且還可以通過應(yīng)用輔助空穴傳輸層和輔助電子傳輸層改善壽命,從而防止電荷在有機層的各個界面上累積,因此減少裝置的劣化并使其穩(wěn)定。

具體地,輔助電子傳輸層可以包含由化學(xué)式1-ⅳ或1-ⅶ表示的第一化合物中的至少一種,且輔助空穴輸送層可以包括由化學(xué)式2-1或2-2表示的第二化合物中的至少一種。

在本發(fā)明的一個實例中,輔助電子傳輸層可以包含由化學(xué)式1-ⅳ或1-ⅶ表示的第一化合物中的至少一種,且輔助空穴輸送層可以包含由化學(xué)式y(tǒng)或z表示的第二化合物中的至少一種。

可以通過沉積或噴墨方法將輔助空穴傳輸層33和輔助電子傳輸層35以0.1nm至20.0nm,例如0.2nm至10.0nm,0.3nm至5nm,0.3nm至2nm,或0.4nm至1.0nm的厚度涂覆在空穴傳輸層上。

根據(jù)需要,有機層30可以進一步包括陽極10和空穴傳輸層31之間的空穴注入層37和/或陰極20和電子傳輸層34之間的電子注入層36。

在根據(jù)本發(fā)明的一個實例的有機光電裝置中,輔助空穴傳輸層可以分別接觸空穴傳輸層和發(fā)光層,并且輔助電子傳輸層可以接觸電子傳輸層和發(fā)光層。

在本發(fā)明的一個實例中,發(fā)光層可以進一步包含摻雜劑,例如磷光摻雜劑、熒光摻雜劑等。

在一個實施方式中,有機光電裝置可以選自有機發(fā)光二極管、有機光電子裝置、有機太陽能電池、有機晶體管、有機感光鼓和有機記憶裝置。

可以將有機發(fā)光二極管應(yīng)用于有機發(fā)光顯示裝置。

在下文中,參考實施例更詳細地說明實施方式。然而,這些實施例在任何意義上不被解釋為限制本發(fā)明的范圍。

在下文中,除非特別提及,合成實施例和實施例中使用的起始材料和反應(yīng)物購自sigma-aldrichcorporation或tciinc.。

第一化合物的合成

合成實施例1:中間體i-1的合成

[反應(yīng)方案1]

在氮氣環(huán)境下,將化合物2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(50g,187mmol,tci)溶于thf(1l)中,向其中加入(3-溴苯基)硼酸(45g,224.12mmol,tciinc.)和四(三苯基膦)鈀(2.1g,1.87mmol),并將混合物攪拌。向其中加入在水中飽和的碳酸鉀(64g,467mmol),將所得混合物在80℃下加熱并回流12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將水加入反應(yīng)溶液,并用二氯甲烷(dcm)萃取混合物,在用無水mgso4除去水分后過濾,并在減壓下濃縮。通過柱色譜法分離和純化所得殘余物以得到中間體i-1(69g和95%)。

hrms(70ev,ei+):c21h14brn3的m/z計算值:387.0371,測量值:387

元素分析:c,65%;h,4%

合成實施例2:中間體i-2的合成

[反應(yīng)方案2]

根據(jù)與合成及純化中間體i-1的方法相同的合成方法,通過使用中間體i-1和3-氯苯基硼酸(tciinc.)獲得中間體i-2(51g,95%)。

hrms(70ev,ei+):c27h18cln3的m/z計算值:419.1189,測量值:419

元素分析:c,77%;h,4%

合成實施例3:中間體i-3的合成

[反應(yīng)方案3]

在氮氣環(huán)境下,將中間體i-2(100g,238mmol)溶于二甲基甲酰胺(dmf,1l),向其中加入雙(頻那醇合)二硼(72.5g,285mmol,sigmaaldrichco.,ltd.)、(1,1'-雙(二苯基膦)二茂鐵)二氯化鈀(ii)(2g,2.38mmol)和醋酸鉀(58g,595mmol),表將混合物在150℃下加熱并回流48小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將水加入反應(yīng)溶液,并將混合物過濾并在真空烘箱中干燥。通過柱色譜法分離和純化所得殘余物以得到中間體i-3(107g,88%)。

hrms(70ev,ei+):c33h30bn3o2的m/z計算值:511.2431,測量值:511

元素分析:c,77%;h,6%

合成實施例4:中間體i-4的合成

[反應(yīng)方案4]

在氮氣環(huán)境下,將中間體i-3(50g,98mmol)溶于thf(1l)中,向其中加入1-溴-3-碘苯(33g,117mmol,sigmaaldrichco.,ltd.)和四(三苯基膦)鈀(1g,0.98mmol),并將混合物攪拌。向其中加入在水中飽和的碳酸鉀(34g,245mmol),并將所得混合物在80℃下加熱并回流12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將水加入反應(yīng)溶液,并用二氯甲烷(dcm)萃取混合物,在用無水mgso4除去水分后過濾,并在減壓下濃縮。通過柱色譜法分離和純化該所得殘余物以得到中間體i-4(50g和95%)。

hrms(70ev,ei+):c30h27bo2的m/z計算值:539.0997,測量值:539

元素分析:c,73.34;h,4.10

合成實施例5:中間體i-5的合成

[反應(yīng)方案5]

通過與中間體i-3相同的方法合成和純化,來得到95g(88%)的中間體i-5。

hrms(70ev,ei+):c39h34bn3o2的m/z計算值:587.2744,測量值:587

元素分析:c,80%;h,6%

合成實施例6:中間體i-10的合成

[反應(yīng)方案6]

通過與中間體i-4相同的方法合成和純化,來得到50g(95%)的中間體i-10。

hrms(70ev,ei+):c30h27bo2的m/z計算值:539.0997,測量值:539

元素分析:c,73.34;h,4.10

合成實施例7:中間體i-11的合成

[反應(yīng)方案7]

通過與中間體i-3相同的方法合成和純化,來得到95g(88%)的中間體i-11。

hrms(70ev,ei+):c39h34bn3o2的m/z計算值:587.2744,測量值:587

元素分析:c,80%;h,6%

合成實施例8:中間體i-27的合成

[反應(yīng)方案8]

通過與中間體i-4相同的方法合成和純化,來得到50g(95%)的中間體i-27。

hrms(70ev,ei+):c39h26brn3的m/z計算值:615.1310,測量值616

元素分析:c,76%;h,4%

合成實施例9:中間體i-28的合成

[反應(yīng)方案9]

通過與中間體i-3相同的方法合成和純化,來得到86g(80%)的中間體i-28。

hrms(70ev,ei+):c45h38bn3o2的m/z計算值:663.3057,測量值:663

元素分析:c,81%;h,6%

合成實施例10:中間體i-37的合成

[反應(yīng)方案10]

通過與中間體i-3相同的方法合成和純化,來得到100g(89%)的中間體i-37。

合成實施例11:中間體i-38的合成

[反應(yīng)方案11]

通過與中間體i-4相同的方法合成和純化,來得到54g(73%)的中間體i-38。

合成實施例12至16:具有吡啶中心的中間體的合成

[反應(yīng)方案12]

[反應(yīng)方案13]

[反應(yīng)方案14]

[反應(yīng)方案15]

[反應(yīng)方案16]

除了使用4-氯-2,6-二苯基吡啶(tci)代替2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪外,通過與中間體i-1至中間體i-5、中間體i-10和中間體i-11相同的方法合成和純化,來獲得中間體i-12至中間體i-16。

合成實施例17至21:具有嘧啶中心的中間體的合成

[反應(yīng)方案17]

[反應(yīng)方案18]

[反應(yīng)方案19]

[反應(yīng)方案20]

[反應(yīng)方案21]

除了使用2-氯-4,6-二苯基-1,3-嘧啶(tci)代替2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪外,通過與中間體i-1至中間體i-5、中間體i-10和中間體i-11相同的方法合成和純化,來獲得中間體i-17至中間體i-21。

合成實施例22至26:具有亞苯基中心的中間體的合成

[反應(yīng)方案22]

[反應(yīng)方案23]

[反應(yīng)方案24]

[反應(yīng)方案25]

[反應(yīng)方案26]

除了使用4,4'-(5-溴-1,3-亞苯基)二吡啶(參考jp2008-127326a的實施例1,chemiprokaseikaisha)代替2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪外,通過與中間體i-1至中間體i-5、中間體i-10和中間體i-11相同的方法合成和純化,來獲得中間體i-22至中間體i-26。

合成實施例27:中間體i-39的合成

[反應(yīng)方案27]

通過與中間體i-4相同的方法合成和純化,來得到35g(57%)的中間體i-39。

合成實施例28:中間體i-40的合成

[反應(yīng)方案28]

通過與中間體i-4相同的方法合成和純化,來得到44g(99%)的中間體i-40。

合成實施例29:中間體i-41的合成

[反應(yīng)方案29]

通過與中間體i-3相同的方法合成和純化,來得到42g(72%)的中間體i-41。

合成實施例30:中間體l-1的合成

[反應(yīng)方案30]

在500ml燒瓶中,將2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪(30g,162.68mmol,sigmaaldrichco.,ltd.)溶于四氫呋喃(325ml)的溶劑中。然后,在通過使用冰水冷卻四氫呋喃的溶劑后,在氮氣流下通過滴液漏斗滴加濃度為3m的苯基溴化鎂(54.23ml,162.68mmol)。當(dāng)完全加入苯基溴化鎂時,通過將獲得的混合物攪拌30分鐘完成反應(yīng)。將四氫呋喃與水分離以去除水,然后通過蒸餾器除去四氫呋喃來獲得固體。在100ml的甲醇中攪拌固體,然后過濾。在己烷中再次攪拌固體并過濾以獲得中間體l-1(27g,73%)

計算值c9h5cl2n3:c,47.82;h,2.23;cl,31.37;n,18.59;

測量值:c,47.56;h,2.12;cl,31.42;n,18.43

合成實施例31至32:中間體l-7和l-8的合成

作為本發(fā)明的化合物的具體實例,根據(jù)與合成根據(jù)合成實施例27至29的中間體i-39、i-40和i-41的方法相同的合成方法獲得中間體l-7和l-8。(使用三個基本反應(yīng):鈴木反應(yīng)、br硼化反應(yīng)、cl硼化反應(yīng))

[反應(yīng)方案31]

[反應(yīng)方案32]

合成實施例33:化合物a-1的合成

[反應(yīng)方案33]

在氮氣環(huán)境下,將中間體i-5(20g,34mmol)溶于四氫呋喃(thf,0.2l)中,向其中加入3-溴-1,1'-聯(lián)苯(9.5g,40mmol)和四(三苯基膦)鈀(0.39g,0.34mmol),并將混合物攪拌。向其中加入在水中飽和的碳酸鉀(12g,85mmol),并將所得混合物在80℃下加熱并回流20小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,將水加入反應(yīng)溶液,并用二氯甲烷(dcm)萃取混合物,在用無水mgso4除去水分后過濾,并在減壓下濃縮。通過柱色譜法分離和純化該所得殘余物以得到化合物a-1(24g和70%)。

hrms(70ev,ei+):c45h31n3的m/z計算值:613.2518,測量值:613

元素分析:c,88%;h,5%

合成實施例34至39:化合物的合成

根據(jù)合成實施例33的合成方法,通過分別合成[表1]中的起始材料1和起始材料2,制造[表1]中的產(chǎn)物,且它們的產(chǎn)率和lc-質(zhì)譜示于[表1]。

[表1]

第二化合物的合成

合成實施例40:中間體m-9的合成

[反應(yīng)方案34]

將4-二苯并呋喃硼酸(20g,94.3mmol,acrosorganics)和2-溴苯甲酸甲酯(20.3g,94.3mmol,tciinc.)放入圓底燒瓶中,向其中加入甲苯(313ml)以使它們?nèi)芙?,向其中加入通過將碳酸鉀(19.5g,141.5mmol)溶于水溶液(117ml)而獲得的溶液,并將混合物攪拌。向其中加入四(三苯基膦)鈀(1.09g,0.94mmol),并在氮氣氛下將所得混合物回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,用乙酸乙酯萃取生成物,并用硫酸鎂干燥萃取的溶液并過濾,并在減壓下濃縮過濾的溶液。通過使用正己烷/乙酸乙酯(體積比為9:1)的硅膠柱色譜法純化由此的產(chǎn)物,獲得目標(biāo)化合物中間體m-9(26.5g,93%)。

lc-質(zhì)譜(理論值:302.09g/mol,測量值:m+=302.18g/mol)

合成實施例41:中間體m-10的合成

[反應(yīng)方案35]

將中間體m-9(26g,86mmol)放入在減壓下加熱和干燥的圓底燒瓶中,向其中加入無水乙醚(430ml)使其溶解,并將溶液冷卻至0℃并在氮氣氛下攪拌。隨后,向其中緩慢加入3.0m甲基溴化鎂的乙醚溶液(72ml,215mmol),并在氮氣氛下將混合物在室溫下攪拌12小時。將反應(yīng)溶液冷卻至0℃,向其中加入少量蒸餾水以完成反應(yīng),向其中加入2.0m氯化銨水溶液(108ml),用乙醚萃取混合物,用硫酸鎂干燥萃取的溶液并過濾,并將過濾的溶液在減壓下濃縮。不另外純化由此的產(chǎn)物,得到目標(biāo)化合物中間體m-10(25.7g,99%)。

合成實施例42:中間體m-11的合成

[反應(yīng)方案36]

將中間體m-10(25.7g,85.1mmol)放入在減壓下加熱和干燥的圓底燒瓶中,向其中加入無水二氯甲烷(255ml)使其溶解,并將溶液冷卻至0℃然后在氮氣氛下攪拌。隨后,向其中緩慢加入三氟化硼乙醚(12.1g,85.1mmol),并在氮氣氛下將混合物在室溫下攪拌4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至0℃,向其中加入少量蒸餾水以完成反應(yīng),向其中加入1.0m碳酸氫鈉水溶液(85ml),用二氯甲烷萃取混合物,用硫酸鎂干燥并過濾,并將過濾的溶液在減壓下濃縮。通過使用正己烷/二氯甲烷(體積比為9:1)的硅膠柱色譜法純化由此的產(chǎn)物,獲得目標(biāo)化合物中間體m-11(18.1g,75%)。

lc-質(zhì)譜(理論值:284.12g/mol,測量值:m+=284.18g/mol)

合成實施例43:中間體m-12的合成

[反應(yīng)方案37]

將中間體m-11(18g,63.3mmol)放入在減壓下加熱和干燥的圓底燒瓶中,向其中加入無水四氫呋喃(190ml)使其溶解,并將溶液冷卻至-20℃并在氮氣氛下攪拌。隨后,向其中緩慢加入2.5m正丁基鋰的正己烷溶液(31ml,76mmol),并在氮氣氛下將混合物在室溫下攪拌6小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-20℃,向其中緩慢加入硼酸三異丙酯(14.3g,76mmol),在氮氣氣氛下將混合物在室溫下攪拌6小時。將反應(yīng)溶液冷卻至0℃,向其中加入少量蒸餾水以完成反應(yīng),向其中加入2.0m鹽酸水溶液(114ml),用乙醚萃取混合物,用硫酸鎂干燥萃取的溶液并過濾,并將過濾的溶液在減壓下濃縮。將所得殘余物溶于丙酮中,并通過向其中加入正己烷重結(jié)晶。將其中產(chǎn)生的固體在減壓下過濾以得到目標(biāo)化合物中間體m-12(15.6g,75%)。

lc-質(zhì)譜(理論值:328.13g/mol,測量值:m+=328.21g/mol)

合成實施例44:中間體m-13的合成

[反應(yīng)方案38]

將中間體m-12(30.9g,94.3mmol)、1-溴-4-碘苯(26.7g,94.3mmol)放入圓底燒瓶中,向其中加入甲苯(313ml)使它們?nèi)芙?,向其中加入通過溶解碳酸鉀(19.5g,141.5mmol)得到的水溶液(117ml),并將混合物攪拌。隨后,向其中加入四(三苯基膦)鈀(1.09g,0.94mmol),并在氮氣氛下將混合物回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,用乙酸乙酯萃取生成物,并用硫酸鎂干燥萃取的溶液并過濾,并在減壓下濃縮過濾的溶液。通過使用正己烷/二氯甲烷(體積比為9:1)的硅膠柱色譜法純化由此的產(chǎn)物以獲得目標(biāo)化合物中間體m-13(37g,90%)。

lc-質(zhì)譜(理論值:438.06g/mol,測量值:m+=438.17g/mol,m+2=440.21g/mol)

合成實施例45至49:中間體m-14至中間體m-18的合成

[反應(yīng)方案39]

[反應(yīng)方案40]

[反應(yīng)方案41]

[反應(yīng)方案42]

[反應(yīng)方案43]

通過與中間體m-9至中間體m-13相同的方法合成和純化,來得到中間體m-14至中間體m-18。

合成實施例50:中間體m-19的合成

[反應(yīng)方案44]

通過與中間體m-9相同的方法合成和純化,來得到30g(94%)的中間體m-19。

lc-質(zhì)譜(理論值:336.06g/mol,測量值:m+=336.18g/mol)

合成實施例51:中間體m-20的合成

[反應(yīng)方案45]

通過與中間體m-10相同的方法合成和純化,來得到28.7g(99%)的中間體m-20。

lc-質(zhì)譜(理論值:336.09g/mol,測量值:m+=336.15g/mol)

合成實施例52:中間體m-21的合成

[反應(yīng)方案46]

通過與中間體m-11相同的方法合成和純化,來得到20.1g(74%)的中間體m-21。

lc-質(zhì)譜(理論值:318.08g/mol,測量值:m+=318.15g/mol)

合成實施例53至55:中間體m-22至中間體m-24的合成

[反應(yīng)方案47]

[反應(yīng)方案48]

[反應(yīng)方案49]

通過與中間體m-19至中間體m-21相同的方法合成和純化,來得到中間體m-22至中間體m-24。

合成實施例56至58:中間體m-25至中間體m-27的合成

[反應(yīng)方案50]

[反應(yīng)方案51]

[反應(yīng)方案52]

通過與中間體m-19至中間體m-21相同的方法合成和純化,來得到中間體m-25至中間體m-27。

合成實施例59至61:中間體m-28至中間體m-30的合成

[反應(yīng)方案53]

[反應(yīng)方案54]

[反應(yīng)方案55]

通過與中間體m-19至中間體m-21相同的方法合成和純化,來得到中間體m-28至中間體m-30。

合成實施例62和63:中間體m-33和中間體m-34的合成

[反應(yīng)方案56]

[反應(yīng)方案57]

通過與中間體m-10和中間體m-11相同的方法合成和純化,來得到中間體m-33至中間體m-34。

合成實施例64:中間體k-1至k-3的合成

中間體k-1的合成

[反應(yīng)方案58]

在圓底燒瓶中將作為起始材料的4-溴-1,1'-聯(lián)苯(50.00g,214.49mmol)溶于甲苯,向其中加入[1,1'-聯(lián)苯]-4-胺(72.60g,428.98mmol)、pd2(dba)3(4.59g,5.0mmol)、50%的p(t-bu)3(4.92ml,10.0mmol)和naot-bu(61.84g,643.47mmol),并將混合物在40℃下攪拌。當(dāng)通過使用tlc檢查反應(yīng)完成時,用mgso4干燥用ch2cl2和水萃取的有機層并濃縮,將其中產(chǎn)生的化合物硅膠柱純化并重結(jié)晶,得到化合物k-1(51.71g,160.87mmol,75%)。

hrms(70ev,ei+):c24h19n的m/z計算值:321.15,測量值:321

元素分析:c,90%;h,6%

中間體k-2的合成

除了使用溴苯代替4-溴-1,1'-聯(lián)苯作為起始原料外,在合成實施例64的a)中間體k-1的合成方法中合成化合物k-2。

hrms(70ev,ei+):c18h15n的m/z計算值:245.32,測量值:245

中間體k-3的合成

步驟1:中間體m-1的合成

將4-二苯并噻吩硼酸(21.5g,94.3mmol)和4-溴苯胺(16.2g,94.3mmol)放入圓底燒瓶中,向其中加入甲苯(300ml)使它們?nèi)芙?,向其中加入通過溶解碳酸鉀(19.5g,141.5mmol)得到的水溶液(117ml),并將混合物攪拌。隨后,向其中加入四(三苯基膦)鈀(1.09g,0.94mmol),并在氮氣氛下將混合物回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,用乙酸乙酯萃取生成物,并用硫酸鎂干燥萃取的溶液并過濾,并在減壓下濃縮過濾的溶液。通過使用正己烷/二氯甲烷(體積比為7:3)的硅膠柱色譜法純化由此的產(chǎn)物以獲得目標(biāo)化合物,白色固體的中間體m-1(18.7g,72%)。

hrms(70ev,ei+):c18h13ns的m/z計算值:275.37,測量值:275

步驟2:中間體k-3的合成

在圓底燒瓶中通過加入甲苯(155ml),溶解4-溴聯(lián)苯(30.9mmol)、中間體m-1(10.2g,37.08mmol)和叔丁醇鈉(5.35g,55.6mmol)。隨后,向其中依次加入pd(dba)2(0.178g,0.31mmol)和三叔丁基膦(0.125g,0.62mmol),在氮氣氛下將混合物回流并攪拌4小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,用甲苯和蒸餾水萃取生成物,用硫酸鎂干燥有機層,并過濾,在減壓下濃縮過濾的溶液。通過使用正己烷/二氯甲烷(體積比為7:3)的硅膠柱色譜法純化由此的產(chǎn)物以獲得目標(biāo)化合物,白色固體的中間體k-3(10g,76%)。

hrms(70ev,ei+):c30h21ns的m/z計算值:427.56,測量值:427

合成實施例65:化合物f-1的合成

[反應(yīng)方案59]

在圓底燒瓶中,將中間體m-21(9.9g,30.9mmol)、雙(4-聯(lián)苯基)胺(9.9g,30.9mmol)和叔丁醇鈉(4.5g,46.35mmol)溶于甲苯(155ml)。然后,向其中依次加入pd(dba)2(0.178g,0.31mmol)和三叔丁基膦(0.125g,0.62mmol),并在氮氣氛下將混合物回流并攪拌12小時。當(dāng)反應(yīng)完成時,用甲苯和蒸餾水萃取生成物,用硫酸鎂干燥有機層并過濾,在減壓下濃縮過濾的溶液。通過使用正己烷/二氯甲烷(體積比為8:2)的硅膠柱色譜法純化其中的產(chǎn)物,獲得目標(biāo)化合物f-1(17.0g,91%)。

lc-質(zhì)譜(理論值:603.26g/mol,測量值:m+=603.30g/mol)

合成實施例66至75:化合物的合成

通過合成實施例65的方法合成起始原料1和起始原料2,得到[表2]中的產(chǎn)物,它們的產(chǎn)率和lc-質(zhì)譜示于[表2]中。

[表2]

有機發(fā)光二極管的制造

實施例1

用蒸餾水超聲波清洗涂覆有ito(氧化銦錫)至厚的玻璃基板。隨后,用溶劑如異丙醇、丙酮、甲醇等超聲波清洗玻璃基板,移至等離子體清潔器,通過使用氧等離子體清潔10分鐘,然后移至真空沉積器。將該ito透明電極用作陽極,通過真空沉積n4,n4'-二苯基-n4,n4'-雙(9-苯基-9h-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4'-二胺)(化合物a)在其上形成厚的空穴注入層(hil),并通過沉積1,4,5,8,9,11-六氮雜三亞苯-六腈(hat-cn)(化合物b)至的厚,然后沉積n-(聯(lián)苯-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺)(化合物c)至厚而在空穴注入層(hil)上形成空穴傳輸層。在空穴傳輸層上,通過真空沉積根據(jù)合成實施例74的化合物e-57形成厚的輔助空穴傳輸層。隨后,在輔助空穴傳輸層上,通過沉積作為藍色熒光發(fā)光主體和摻雜劑的可獲得自sfc的bh113和bd370來形成厚的發(fā)光層,其中使用5wt%的bd370。然后,將化合物a-37真空沉積在發(fā)光層上部,以形成厚的輔助電子傳輸層。

然后,將8-(4-(4-(萘-2-基)-6-(萘-3-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉)(化合物e)和liq以1:1的比率同時真空沉積在輔助電子傳輸層上以形成厚的電子傳輸層,并將liq和al依次真空沉積沉積在電子傳輸層上以形成陰極,制造有機發(fā)光二極管。

有機發(fā)光二極管具有六層有機薄膜結(jié)構(gòu),且具體地,

ito/a/b/c/輔助空穴傳輸層[e-57]/eml[bh113:bd370(95:5wt%)]/輔助電子傳輸層[a-37/e:liq=1:1/liq/al

實施例2

除了使用根據(jù)合成實施例67的化合物f-5代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

實施例3

除了使用根據(jù)合成實施例74的化合物f-33代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

實施例4

除了使用根據(jù)合成實施例68的化合物f-13代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

實施例5

除了使用根據(jù)合成實施例68的化合物f-13代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層,并使用根據(jù)合成實施例34的化合物a-7代替化合物a-37形成輔助電子傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

實施例6

除了使用根據(jù)合成實施例68的化合物f-13代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層,并使用根據(jù)合成實施例35的化合物a-24代替化合物a-37形成輔助電子傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

參考實施例1

除了使用化合物c代替化合物e-57形成輔助空穴傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

參考實施例2

除了使用根據(jù)合成實施例35的化合物a-24代替化合物a-37形成輔助電子傳輸層之外,根據(jù)與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

比較實施例1

除了不形成輔助電子傳輸層之外,根據(jù)與實施方式1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。

評估

評估根據(jù)實施例1至6、參考實施例1和2以及比較實施例1的各個有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率和衰減。

具體的測量方法如下,結(jié)果示于表3。

(1)取決于電壓變化的電流密度變化的測量

使用電流-電壓計(keithley2400),在將電壓從0v增加至10v的同時,對獲得的有機發(fā)光二極管測量流過元器件的電流值,并將測量的電流值除以面積以提供結(jié)果。

(2)取決于電壓變化的亮度變化的測量

在將有機發(fā)光二極管的電壓從0v增加到10v的同時,通過使用亮度計(minoltacs-1000a)測量亮度。

(3)發(fā)光效率的測量

通過使用來自項(1)和(2)的亮度、電流密度和電壓(v)計算在相同電流密度(10ma/cm2)下的電流效率(cd/a)。

(4)衰減測量

效率衰減計算為在(3)的測量中的(最大測量-6000cd/m2下的測量/最大測量)的百分比。

[表3]

參考表3,與根據(jù)參考實施例1、參考實施例2和比較實施例1的有機發(fā)光二極管相比,根據(jù)實施例1至6的有機發(fā)光二極管同時顯示顯著改善的發(fā)光效率和衰減特性。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認為是實用的示例性實施方式描述了本發(fā)明,但應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明不限于公開的實施方式,而相反,旨在涵蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。因此,上述實施方式應(yīng)當(dāng)被理解為示例性的,而不以任何方式限制本發(fā)明。

【標(biāo)號說明】

10:陽極20:陰極

30:有機層31:空穴傳輸層

32:發(fā)光層33:輔助空穴傳輸層

34:電子傳輸層35:輔助電子傳輸層

36:電子注入層37:空穴注入層

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