本發(fā)明涉及通過對電阻體照射激光來形成修整槽從而調(diào)整電阻值的電阻體的修整方法。

背景技術：

貼片電阻器主要由如下等部分構(gòu)成，即：長方體形狀的絕緣基板；一對表電極，該一對表電極在絕緣基板的表面具有規(guī)定間隔，并相對地配置在絕緣基板的表面；一對背電極，該一對背電極在絕緣基板的背面具有規(guī)定間隔，并相對地配置在絕緣基板的背面；端面電極，該端面電極橋接表電極與背電極；電阻體，該電阻體使成對的表電極彼此橋接；以及保護層，該保護層覆蓋電阻體。

一般情況下，在制造這樣的貼片電阻器時，在大尺寸的集合基板上一并形成多個電極、電阻體、保護層等，之后沿柵格狀的分割線(例如分割槽)分割該集合基板來獲取多個貼片電阻器。在上述貼片電阻器的制造過程中，在集合基板的單面上通過對電阻糊料進行印刷·燒成從而形成多個電阻體，然而受到印刷時的位置偏移、滲漏、或燒成爐內(nèi)的溫度不均勻等影響，很難避免各電阻體的大小或膜厚產(chǎn)生若干偏差這一情況，因此，進行如下電阻值調(diào)整操作：即，在集合基板的狀態(tài)下，在各電阻體上形成修整槽來設定為所希望的電阻值。修整槽是利用激光的照射而形成的狹縫，作為其狹縫形狀，被稱為“l(fā)切割”或“直線切割”的形狀成為主流，然而為了得到超高精度的電阻值，也提出了采用了被稱為“掃描切割”的修整方法的電阻器(例如，參照專利文獻1)。

圖5是上述專利文獻1所公開的貼片電阻器10的俯視圖，該貼片電阻器10包括：在絕緣基板11上具有規(guī)定間隔，并相對地配置在絕緣基板11上的一對表電極12；以及在該表電極12之間進行橋接的長方形的電阻體13等，在電阻體13上形成有倒u字形的修整槽14。貼片電阻器10的電阻值由形成了修整槽14后的電阻體13來進行規(guī)定，電阻體13被該修整槽14分割為主體部13a與分離部13b這兩部分。以下，基于圖6對形成這種形狀的修整槽14的步驟進行說明。

首先，如圖6(a)所示，使一對表電極12與測量端子(探針)相接觸來測量電阻體13的電阻值，并對遠離絕緣基板11上的電阻體13的部位(起始點)s1照射激光。此時，為了防止因位置偏移而引起的對電阻體13的計劃外的損傷，將起始點s1設定在稍微遠離電阻體13的位置，例如，設定在相鄰的電阻體13的中間部分(圖6中的分割線上)。如圖6(b)所示，使該激光的照射位置從起始點s1朝著電阻體13的一個側(cè)面，即朝著圖中的正上方進行掃描，之后，如圖6(c)所示，直接沿電阻體13的內(nèi)部延伸，形成與電流方向正交的直線狀的狹縫15。通過該狹縫15，電阻體13的電阻值逐漸上升，使電阻值上升到測量電阻值在某種程度上低于目標電阻值為止，之后，如圖6(d)所示，通過在第1轉(zhuǎn)向點t1對狹縫15進行90°方向轉(zhuǎn)換來使狹縫15沿著與電流方向平行的方向延伸，從而使電阻值進一步上升。然后，如圖6(e)所示，通過在第2轉(zhuǎn)彎點t2對狹縫15進行朝著下方90°的方向轉(zhuǎn)換來形成倒u字形的修整槽14，從而將電阻體13分割為主體部13a與分離部13b這兩部分。在該時刻電阻體13的電阻值被調(diào)整為稍低于目標電阻值的值(低1％～低5％左右)，接著，如圖6(f)所示，通過對修整槽14的主體部13a側(cè)照射激光來緩慢地切割(掃描切割)主體部13a，從而相對于目標電阻值以極高精度來調(diào)整電阻體13的電阻值。

根據(jù)上述修整方法，通過在電阻體13的一部分設置修整為倒u字形后的分離部13b來對電阻值進行粗調(diào)，因此電阻值的粗調(diào)所需的時間能變短，并通過緩慢地線狀掃描切割、擴大倒u字形的狹縫來對粗調(diào)后的電阻值進行微調(diào)，因此能迅速且精密地對電阻體13的電阻值進行調(diào)整。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開平4-168702號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術問題

專利文獻1中所公開的現(xiàn)有修整方法中，進行如下調(diào)整，即，通過在電阻體上形成倒u字形的狹縫來將電阻值粗調(diào)為比目標電阻值稍低的值(低1％～低5％左右)，之后，通過掃描切割并擴大該狹縫來進行微調(diào)，從而使得電阻值與目標電阻值一致。因此，對從電阻體的一個側(cè)面向著與電流方向正交的方向延伸的狹縫進行修整時，根據(jù)因第1轉(zhuǎn)彎點t1后的狹縫所引起的電阻值變化量(上升量)，在進行修整直到成為比目標電阻值低10％左右的值之后，需要在第1轉(zhuǎn)彎點t1進行方向轉(zhuǎn)換。因此，若形成修整槽前的電阻值(初始電阻值)比目標電阻低了10％后的值更低(例如低20％)，則在該電阻體上修整出倒u字形的狹縫來將電阻值粗調(diào)至低1％～低5％左右，之后，能掃描切割該狹縫來對電阻值進行超高精度的調(diào)整。

然而，在大尺寸的集合基板上一并形成多個電阻體的關系上，并不限于所有電阻體的初始電阻值比目標電阻值低了10％后的值更低，因電阻體的印刷條件或燒成條件等偏差，有時存在如下情況：即，集合基板中的一部分電阻體的初始電阻值變得比目標電阻值低了10％后的值要高。在進行這樣的電阻體的電阻值調(diào)整時成為t1＝s1，如圖7(a)所示，在電阻體中并未形成倒u字形的狹縫而突然從起始點s1開始進行掃描切割，因此如圖7(b)所示，成為對不存在電阻體的基板部分進行掃描，對電阻體進行修整所需的掃描切割的時間也變得非常長。因此，只要在集合基板中存在一個這樣的電阻體，即使能對除此以外的電阻體迅速地進行修整，也存在如下問題：即，從集合基板的整體來看，進入下一工序為止的待機時間變長，生產(chǎn)效率下降。

本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術的實際情況而完成，其目的在于提供一種能夠進行超高精度的電阻值調(diào)整且生產(chǎn)效率良好的電阻體的修整方法。

解決技術問題的技術方案

為了達到上述目的，本發(fā)明中，包括：絕緣基板；一對表電極，該一對表電極設置于該絕緣基板的表面；以及電阻體，該電阻體與該一對表電極相連接，在該電阻體的修整方法中，以對所述電阻體照射激光來形成修整槽從而調(diào)整電阻值，從未與所述電阻體的所述表面電極相連接的一個側(cè)面向另一個側(cè)面直線狀地照射所述激光來形成第1修整槽，之后，以從該第1修整槽的結(jié)束點返回規(guī)定量后的位置作為開始點，通過向與所述第1修整槽交叉的方向照射所述激光并掃描，從而形成至少包含所述第1修整槽的結(jié)束點且寬度較寬的第2修整槽。

這樣的電阻體修整方法中，從第1修整槽的結(jié)束點返回規(guī)定量后的位置起開始掃描切割，該位置是電極間方向上電阻值變化量較少的部分，因此作為規(guī)定了第1修整槽的結(jié)束點的轉(zhuǎn)向點上的測量電阻值，能減少轉(zhuǎn)彎點之后的電阻值的上升量，轉(zhuǎn)彎點能接近掃描切割開始點上的電阻值(例如為比目標電阻值低1％～5％左右)。因此，即使在開始修正前的初始電阻值較高的情況下(例如為比目標電阻值低7％左右)，突然開始掃描切割這一情況會變少，能通過掃描切割實現(xiàn)超高精度的電阻值調(diào)整并提高生產(chǎn)效率。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的電阻體的調(diào)整方法，能通過掃描切割電阻體來進行超高精度的電阻值調(diào)整，并能防止掃描切割所需的加工時間變長，能提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1是適用本發(fā)明實施方式1所涉及的修整方法的貼片電阻器的俯視圖。

圖2是示出實施方式1所涉及的修整方法的說明圖。

圖3是示出本發(fā)明實施方式2所涉及的修整方法的說明圖。

圖4是示出本發(fā)明實施方式3所涉及的修整方法的說明圖。

圖5是適用現(xiàn)有例所涉及的修整方法的貼片電阻器的俯視圖。

圖6是示出現(xiàn)有例所涉及的修整方法的說明圖。

圖7是示出現(xiàn)有例的問題點的說明圖。

具體實施方式

參照附圖對發(fā)明的實施方式進行說明，如圖1所示，適用本發(fā)明實施方式1所涉及的修整方法的貼片電阻器1主要由如下部分組成：即，長方體形狀的絕緣基板2；一對表電極3，該一對表電極3設置于絕緣基板2表面的長邊方向的兩個端部；長方形的電阻體4，該長方形的電阻體4與上述一對表電極3相連接；以及未圖示的保護層等，該保護層覆蓋該電阻體4。電阻體4上形成有t字形的修整槽7，該修整槽7由第1修整槽5與第2修整槽6構(gòu)成，利用該修整槽7來調(diào)整電阻體4的電阻值。另外，雖然省略了圖示，但在絕緣基板2的背面以與表電極3相對應的方式設置有一對背電極，在絕緣基板2的長邊方向的兩個端面設置有將對應的表電極與背電極進行橋接的端面電極。

絕緣基板2例如由陶瓷等構(gòu)成，該絕緣基板2通過沿著縱橫延伸的初級分割槽與次級分割槽分割后述的大尺寸集合基板來獲取多個。一對表電極3通過對ag糊料進行絲網(wǎng)印刷并進行干燥·燒成來形成，電阻體4通過對氧化釕等電阻體糊料進行絲網(wǎng)印刷并行干燥·燒成來形成。

第1修整槽5是從電阻體4的一個側(cè)面(圖的下邊)向上方呈直線狀延伸的寬度較窄的狹縫，第1修整槽5的延伸方向與流過電阻體4的電流方向正交。第2修整槽6是沿著與電流方向平行的方向延伸的寬度較寬的狹縫，第1修整槽5的結(jié)束點位于第2修整槽6的內(nèi)部。詳細情況將在后文闡述，第1修整槽5是掃描切割電阻體4來形成的，第2修整槽6是掃描切割包含第1修整槽5的前端部的區(qū)域來形成的。

接著，參照圖2對如上述那樣構(gòu)成的貼片電阻1中的修整方法進行說明。另外，圖2中僅示出了相當于1個貼片的絕緣基板2，然而實際上，由于一并制造多個貼片電阻器1，因此在多個獲取用的集合基板上設置有多個貼片形成區(qū)域。此外，在圖2中，箭頭x1－x2示出了流過電阻體4的電流方向(即電極間方向)，箭頭y1－y2示出了與電流方向正交的方向。

首先，如圖2(a)所示，使一對表電極3與測量端子(探針)相接觸來測量電阻體4的電阻值，并對絕緣基板2上的遠離電阻體4的部位(起始點)s1照射激光。如圖2(b)所示，使該激光的照射位置從起始點s1朝著電阻體4的一個側(cè)面，即朝著圖中的正上方(y1方向)掃描，之后，如圖2(c)所示，直接沿電阻體4的內(nèi)部延伸，形成與電流方向正交的直線狀的第1修整槽5。另外，雖然省略了圖示，但電阻體4被底涂層(保護層)覆蓋，通過在該底涂層上照射激光來形成第1修整槽5。

通過使該第1修整槽5沿y1方向延伸，電阻體4的電阻值逐漸上升，使電阻值上升到在某種程度上低于目標電阻值的值(例如低7％左右)為止，之后，以第1修整槽5的結(jié)束點(前端)為第1轉(zhuǎn)向點t1，將激光的照射位置從第1轉(zhuǎn)向點t1朝著起始點s1的方向(y2方向)返回規(guī)定量。

如圖2(d)所示，將該返回后的位置作為第2轉(zhuǎn)向點t2來對激光的掃描方向進行90°方向轉(zhuǎn)換，從而形成沿與第1修整槽5正交的方向(x1－x2方向)延伸的第2修整槽6，之后，進行掃描切割，使得該第2修整槽6的狹縫寬度朝著y1方向擴大。由此，如圖2(e)所示，形成有覆蓋第1修整槽5的結(jié)束點(第1轉(zhuǎn)向點t1)的寬度較寬的第2修整槽6，若在使電阻值上升到與目標電阻值一致的時刻停止激光的照射，則在電阻體4上形成了t字形的修整槽7，修整工序結(jié)束。

此處，第2轉(zhuǎn)彎點t2是從第1修整槽5的結(jié)束點(第1轉(zhuǎn)彎點t1)朝著開始點s1方向返回了規(guī)定量后的位置，該位置是電極間方向上電阻值變化量較少的部分，因此可以不像以往那樣將第1修整槽5的結(jié)束點設定為比目標電阻值低10％左右，在測量電阻值上升到比目標電阻值低了10％要高的值，例如上升到比目標電阻值低了7％左右后的值的時刻，能夠結(jié)束第1修整槽5的修整并轉(zhuǎn)移至第2修整槽6的掃描切割。因此，即使在開始修正前的初始電阻值較高的情況下，突然開始掃描切割這一情況也會變少，能通過掃描切割實現(xiàn)超高精度的電阻值調(diào)整并提高生產(chǎn)效率。

另外，對于集合基板上的所有電阻體4進行這樣的修整工序(電阻值調(diào)整作業(yè))之后，通過以覆蓋上述的底涂層、電阻體4以及修整槽7等的方式對環(huán)氧類等樹脂糊料進行絲網(wǎng)印刷并進行加熱固化，從而形成外涂層，并構(gòu)成為具有2層結(jié)構(gòu)的保護層。接著，對集合基板進行初次分割來得到長條形基板，之后，在該長條形基板的分割面上形成端面電極來橋接表電極3與背電極，然后，對長條形基板進行二次分割來獲取多個如圖1所示的貼片電阻器1。

如上所述，本發(fā)明第1實施例所涉及的電阻體的修整方法中，從由第1修整槽5的結(jié)束點(第1轉(zhuǎn)彎點t1)返回了規(guī)定量后的位置(第2轉(zhuǎn)彎點t2)起開始第2修整槽6的掃描切割，該位置是電極間方向上電阻值變化量較少的部分，因此，作為規(guī)定了第1修整槽5的結(jié)束點的轉(zhuǎn)向點t1上的測量電阻值，能減少轉(zhuǎn)彎點之后的電阻值的上升量，因此，轉(zhuǎn)彎點能接近掃描切割充的開始點上的電阻值(例如為比目標電阻值低1％～5％左右)。因此，即使在開始修正前的初始電阻值較高的情況下(例如為比目標電阻值低7％左右)，突然開始掃描切割這一情況也會變少，能通過掃描切割實現(xiàn)超高精度的電阻值調(diào)整并提高生產(chǎn)效率。而且，從第1修整槽5的直線切割到第2修整槽6的掃描切割能連續(xù)地進行激光照射，因此通過這一點，也能夠縮短修整槽7的形成所需要的加工時間。

另外，上述第1實施例中，對如下修整方法進行了說明：即，以從第1修整槽5的結(jié)束點返回規(guī)定量后的位置作為開始點，通過使第2修整槽6沿與第1修整槽5正交的方向延伸來進行掃描切割，從而在整體上形成t字形的修整槽7，然而構(gòu)成修整槽7的第1修整槽5與第2修整槽6的整體形狀不是t字形也行。

例如，如圖3所示的第2實施例那樣，也可以將從第1修整槽5的結(jié)束點返回規(guī)定量后的位置作為開始點，通過在第1修整槽5圖示的右側(cè)區(qū)域掃描切割第2修整槽6，從而形成整體呈l字形的修整槽7?；蛘撸鐖D4所示的第3實施例那樣，也可以將從第1修整槽5的結(jié)束點返回規(guī)定量后的位置作為開始點，圓弧形地掃描切割第2修整槽6來形成修整槽7。

標號說明

1貼片電阻器

2絕緣基板

3表電極

4電阻體

5第1修整槽

6第2修整槽

7修整槽

s1開始點

t1第1轉(zhuǎn)彎點

t2第2轉(zhuǎn)彎點