退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法、掃描裝置以及激光處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種處理方法，其中，在一邊掃描一邊向半導(dǎo)體照射線光束時，為了在不使半導(dǎo)體基板移動的掃描裝置的機(jī)構(gòu)變得復(fù)雜的情況下即可施行精度良好的動作，并且適用于大型的半導(dǎo)體基板，對于被支持部支承的半導(dǎo)體基板，通過與支持部一同移動半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對地掃描線光束，同時多路徑地并列照射線光束進(jìn)行處理，該處理方法包括：基板旋轉(zhuǎn)工序，在一個照射路徑工序和之后的照射路徑工序之間，該基板旋轉(zhuǎn)工序旋轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體基板，以使所述半導(dǎo)體基板的前后位置變化，變更所述半導(dǎo)體基板相對于所述線光束的照射位置的位置；以及基板傾斜調(diào)整工序，在所述一個照射路徑工序前，和之后的照射路徑工序前以及所述基板旋轉(zhuǎn)工序后，該基板傾斜調(diào)整工序?qū)λ霭雽?dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整。
【專利說明】退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法、掃描裝置以及激光處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種通過在半導(dǎo)體基板上照射線光束進(jìn)行退火處理來制造半導(dǎo)體基板的制造方法、掃描裝置以及激光處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對于用在液晶顯示器或有機(jī)EL顯示器上的半導(dǎo)體基板，采用激光線光束進(jìn)行激光處理。寬幅的激光線光束沿短軸方向掃描，同時在半導(dǎo)體基板上照射，從而能夠一次性地高效進(jìn)行處理(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
具體結(jié)構(gòu)為，設(shè)置有半導(dǎo)體基板的基座沿著導(dǎo)軌等在激光線光束的短軸方向上移動，從而進(jìn)行激光線光束的相對掃描(例如專利文獻(xiàn)2的圖1)。
[0003]再有，為提高生產(chǎn)性，半導(dǎo)體基板正在逐漸大型化，通過與此相適應(yīng)地增大激光線光束的長軸長度，從而對生產(chǎn)性進(jìn)行改善。
然而，對于激光線光束，要在有限的能量中對光束的斷面形狀進(jìn)行整形，因此長軸長度的擴(kuò)大也存在極限。因此，一種并非以單路徑在半導(dǎo)體基板上照射激光線光束，而是以多路徑并列照射，對大型化半導(dǎo)體基板的整個面進(jìn)行處理的方法已經(jīng)被實用化。該多路徑照射方法中，需要在不同于進(jìn)行激光退火處理的掃描方向的、與掃描方向交叉的方向上設(shè)置可使基座移動的另一個移動軸來移動半導(dǎo)體基板。與照射位置在多路徑之間的變更相對應(yīng)地，該移動軸的行程可達(dá)到線光束的長軸長度以上。
[0004]S卩，多路徑的照射中，如圖10 (a)所示，需要具有XY軸的基座S。這時，XY基座被構(gòu)成為其X軸和Y軸位于上下方向，即為所謂的堆疊型基座。
采用該堆疊型基座以兩條路徑在半導(dǎo)體基板上進(jìn)行照射的情況下，如圖10(b)所示在半導(dǎo)體基板100的Y方向的半個面(圖示區(qū)域A)上照射線光束L的第一路徑。這時基座S沿X軸移動，從而能夠相對地掃描線光束L。區(qū)域A上照射線光束L后，如圖10(c)所示，在Y軸方向移動半導(dǎo)體基板100，進(jìn)一步在半導(dǎo)體基板100的Y方向上剩下的半個面(圖示區(qū)域B)上照射線光束L的第二路徑。這時基座S能沿X軸移動，從而能夠相對地掃描線光束L。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平11-251261號公報專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2004-64066號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]這里，作為處理對象的半導(dǎo)體基板更進(jìn)一步大型化，也希望處理G8型基板。由于半導(dǎo)體基板變大，光學(xué)系統(tǒng)特性中，像場曲率(field curvature:像面彎曲)容易變大,有效DOF(D印th of focus:焦深)容易變窄。并且設(shè)置半導(dǎo)體基板的基座為需要與基板尺寸相匹配地一并大型化，為平坦地支承半導(dǎo)體基板，對于基座的表面平坦度要求提高。進(jìn)而，由于基座的行程量也增大，對移動精度的要求也增大，例如使基座能穩(wěn)定地移動。
[0007]然而，前述那樣的堆疊型基座由于如下理由I?3其構(gòu)成難以同時滿足大型化和高精度，為液晶顯示器或有機(jī)EL顯示器采用G6基板(1500X 1800mm)被認(rèn)為是極限。
1.堆疊型中例如Y軸在X軸上的情況下，Y軸支承機(jī)構(gòu)上的平衡較差。
2.基板在Y方向上傾斜，則在線光束兩端部產(chǎn)生離焦。
3.重量平衡較差則X偏轉(zhuǎn)特性變差。
[0008]如上文所述，對于以往的堆疊型基座，由于G6型基板成為極限，像G7 (1900 X 2200mm)、G8 (2200 X 2500mm)這樣的大型基板上，難以使激光線光束恰當(dāng)?shù)卣丈湓诎雽?dǎo)體基板上并同時高精度地移動基座，若想達(dá)成這一目的，則基座涉及的裝置成本降大幅上升。
[0009]為解決上述問題，也考慮了移動光學(xué)系統(tǒng)部分而進(jìn)行半導(dǎo)體基板的激光處理的方法，但該方法中為使光學(xué)系統(tǒng)的性能不受影響，也必須準(zhǔn)備高精度的光學(xué)系統(tǒng)移動用的基座，光學(xué)系統(tǒng)大型化的同時質(zhì)量也增大。因此，在光學(xué)系統(tǒng)需要多余的驅(qū)動部、基座精度要求高等方面產(chǎn)生問題，產(chǎn)生與上述同樣的問題。
[0010]本發(fā)明以上述情況為背景而完成，其目的在于提供一種退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法、掃描裝置和激光處理裝置，能夠在激光線光束照射時，減輕使半導(dǎo)體基板移動的機(jī)構(gòu)的負(fù)擔(dān)，同時能高精度地定位半導(dǎo)體基板。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0011]即，本發(fā)明的退火半導(dǎo)體基板的制造方法中的第I本發(fā)明為半導(dǎo)體基板的處理方法，對于被支持部支承的半導(dǎo)體基板，與所述支持部一起移動所述半導(dǎo)體基板，在短軸方向相對掃描并以多路徑并列照射線光束，進(jìn)行處理，
其特征在于包括:基板旋轉(zhuǎn)工序，該工序在一個照射路徑工序和其之后的照射路徑工序之間，以使所述半導(dǎo)體基板的前后位置變化的方式而使所述半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)，變更所述半導(dǎo)體基板相對于所述線光束的照射位置的位置，
基板傾斜調(diào)整工序，在所述一個照射路徑工序前和之后的照射路徑工序前，在所述基板旋轉(zhuǎn)工序后，該基板傾斜調(diào)整工序?qū)λ霭雽?dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整。
[0012]通過上述本發(fā)明，在一個照射路徑工序前半導(dǎo)體基板的傾斜通過基板傾斜調(diào)整工序被調(diào)整，傾斜的影響消失，可使半導(dǎo)體基板一邊移動一邊照射線光束。線光束照射時，以半導(dǎo)體基板的表面為基準(zhǔn)設(shè)定線光束的照射面形狀、能量密度、功率密度、焦點等。因此半導(dǎo)體基板傾斜的狀態(tài)下一邊掃描一邊照射線光束，根據(jù)半導(dǎo)體基板的傾斜，線光束相對于半導(dǎo)體基板的照射距離發(fā)生變化，高精度的退火處理難以施行。本發(fā)明中，如上所述，在一個照射路徑工序前對半導(dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，從而可在一個照射路徑工序中進(jìn)行高精度的退火處理。之后。通過基板旋轉(zhuǎn)工序使基板的前后方向交換?；逍D(zhuǎn)工序后，在之后的照射路徑工序前，再對半導(dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，可在之后的照射路徑工序中進(jìn)行高精度的退火處理。通過反復(fù)進(jìn)行這些工序，基板的傾斜始終處于適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)，可進(jìn)行高精度的退火處理。
[0013]第2本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于在所述第I本發(fā)明中預(yù)先設(shè)定所述基板調(diào)整工序的調(diào)整量，進(jìn)行所述基板調(diào)整工序時，基于設(shè)定的調(diào)整量調(diào)整所述半導(dǎo)體基板的傾斜。
[0014]通過上述本發(fā)明，通過預(yù)先設(shè)定傾斜調(diào)整量，不需要在每次進(jìn)行旋轉(zhuǎn)移動等時，檢測必要的調(diào)整量等工序，使操作更有效率。
[0015]第3本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:所述第2本發(fā)明中，包括基板傾斜調(diào)整量取得工序，該取得工序?qū)︻A(yù)先決定的所述一個照射路徑的半導(dǎo)體基板位置進(jìn)行推測，并取得被所述支持部支承的半導(dǎo)體基板的基板傾斜調(diào)整量，推測所述基板旋轉(zhuǎn)工序的所述旋轉(zhuǎn)后，對預(yù)先決定的所述之后的照射路徑的半導(dǎo)體基板位置進(jìn)行推測，并取得被所述支持部支承的半導(dǎo)體基板的基板傾斜調(diào)整量。
通過上述本發(fā)明，能預(yù)先取得在契合實際工序的狀態(tài)下所需要的傾斜調(diào)整量，在實際的工序中進(jìn)行適當(dāng)?shù)幕鍍A斜調(diào)整，能施行高精度的退火處理。
[0017]第4本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于在所述第I?第3本發(fā)明的任一項中，所述旋轉(zhuǎn)通過旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行，所述旋轉(zhuǎn)軸位于一個所述照射路徑中掃描方向中心線和之后的所述照射路徑的掃描方向中心線之間。
[0018]通過上述本發(fā)明，能在基板旋轉(zhuǎn)工序中同時相對于掃描方向和交叉方向移動半導(dǎo)體基板。特別是所述旋轉(zhuǎn)軸如果在一個照射路徑中掃描方向中心線和之后的照射路徑的掃描方向中心線之間的中心線位置上，則能夠相對于與掃描方向交叉的方向交換半導(dǎo)體基板的兩側(cè)位置，不需要保持原樣地在與掃描方向交叉的方向上移動，也可進(jìn)行線光束照射。
[0019]第5本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述第I?第4本發(fā)明的任一項中，所述旋轉(zhuǎn)工序通過使所述支持部的全部或部分旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行。
[0020]通過上述本發(fā)明，在基板旋轉(zhuǎn)工序中通過旋轉(zhuǎn)支承半導(dǎo)體基板的支持部而使半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)，以備用于之后的照射路徑工序。
[0021]第6本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述第I?第5本發(fā)明的任一項中，所述照射路徑工序間，包括交叉方向移動工序，該交叉方向移動工序使所述半導(dǎo)體基板在與所述掃描方向交叉的方向上移動。
[0022]通過上述本發(fā)明，一個照射路徑工序后，通過交叉方向移動工序可將半導(dǎo)體基板移動至照射線光束的特定位置，以備用于之后的照射路徑工序。交叉方向移動工序可在基板旋轉(zhuǎn)工序之前或者之后施行，在基板旋轉(zhuǎn)工序之后被施行的情況下，優(yōu)選在基板傾斜調(diào)整工序后施行。另外，優(yōu)選在交叉方向移動工序后、下個照射路徑工序前施行基板傾斜調(diào)整工序。
[0023]第7本發(fā)明的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述第6本發(fā)明中，所述交叉方向移動工序通過使所述支持部移動而施行，或者通過使所述半導(dǎo)體基板從所述支持部的部分或全部脫離，與剩下的所述支持部相對獨立地使所述半導(dǎo)體基板移動，移動后再次由剩下的所述支持部支承所述半導(dǎo)體基板而施行。
[0024]通過上述本發(fā)明，能使半導(dǎo)體基板脫離向掃描方向的交叉方向移動，因而不需要支持部全體的移動，能減輕或消除支持部移動的負(fù)擔(dān)。
[0025]第8本發(fā)明的掃描裝置，被包括在處理裝置中，該處理裝置相對于半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對掃描并以多路徑并列照射線光束，進(jìn)行所述半導(dǎo)體基板的處理，其特征在于，包括: 支持部，該支持部支承所述半導(dǎo)體基板，
掃描方向移動部，該掃描方向移動部使所述支持部在所述掃描方向上移動，
旋轉(zhuǎn)移動部，該旋轉(zhuǎn)移動部旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體基板，使前后位置改變，
基板傾斜調(diào)整部，該基板傾斜調(diào)整部能調(diào)整所述基板的傾斜。
[0026]通過上述本發(fā)明，可通過基板傾斜調(diào)整部調(diào)整半導(dǎo)體基板的傾斜，調(diào)整傾斜后的半導(dǎo)體基板由支持部支承，通過掃描方向移動部被移動。掃描后的半導(dǎo)體基板通過旋轉(zhuǎn)移動部旋轉(zhuǎn)，能使前后位置交換，旋轉(zhuǎn)后的半導(dǎo)體基板通過基板傾斜調(diào)整部能再進(jìn)行傾斜調(diào)整。進(jìn)行了基板傾斜調(diào)整后的半導(dǎo)體基板在之后的照射路徑工序中可被高精度的處理。通過反復(fù)進(jìn)行這些工序，基板的傾斜始終處于適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)，可進(jìn)行高精度的線光束照射處理。
[0027]第9本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，所述第8本發(fā)明中，所述旋轉(zhuǎn)移動部具有使支承所述半導(dǎo)體基板的所述支持部旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)。
[0028]上述本發(fā)明中，可伴隨著支持部的旋轉(zhuǎn)使半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)。
[0029]第10本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，所述第8或第9本發(fā)明中，所述旋轉(zhuǎn)移動部設(shè)置在所述掃描方向移動部上。
[0030]通過上述本發(fā)明，完成掃描方向移動后的半導(dǎo)體基板可通過旋轉(zhuǎn)移動部旋轉(zhuǎn)。
[0031]第11本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，所述第8或第9本發(fā)明中，包括脫離工作部，該脫離工作部使所述基板從所述支持部的部分或全部脫離，
所述旋轉(zhuǎn)移動部具有使利用所述脫離工作部脫離后的半導(dǎo)體基板相對于剩下的所述支持部獨立旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)。
[0032]通過上述本發(fā)明，可在脫離狀態(tài)下通過旋轉(zhuǎn)移動部旋轉(zhuǎn)從支持部的部分或全部脫離的半導(dǎo)體基板。
[0033]第12本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，在所述第8?第11本發(fā)明的任一項中，所述旋轉(zhuǎn)移動部具有旋轉(zhuǎn)軸并能夠進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，該旋轉(zhuǎn)軸位于相對于通過被線光束照射的長邊方向中心的掃描方向偏移后的位置上。
[0034]通過上述本發(fā)明，半導(dǎo)體基板沿所述旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，從而能夠變更半導(dǎo)體基板在掃描交叉方向上相對于線光束的照射位置的位置。
[0035]第13本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，在所述第8?第12本發(fā)明的任一項中，包括交叉方向移動部，該交叉方向移動部使所述半導(dǎo)體基板在與所述掃描方向交叉的方向上移動。
[0036]通過上述本發(fā)明，能夠在對半導(dǎo)體基板照射線光束之前或之后在與掃描方向交叉的方向上移動半導(dǎo)體基板。
[0037]第14本發(fā)明的掃描方向，其特征在于，所述第8?第13本發(fā)明的任一項中，包括控制部，該控制部控制所述掃描方向移動部，所述旋轉(zhuǎn)移動部，所述基板傾斜調(diào)整部，
所述控制部，在采用所述線光束進(jìn)行一個照射路徑前，控制所述基板傾斜調(diào)整部對所述基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，所述一個照射路徑與之后的照射路徑之間，控制所述旋轉(zhuǎn)移動部以使所述半導(dǎo)體基板的前后位置改變的方式而使該半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)，控制所述基板傾斜調(diào)整部對所述基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，之后，照射線光束并且控制所述掃描方向移動部使所述支持部施行在所述掃描方向上移動的動作。
[0038]通過上述本發(fā)明，線光束照射前或線光束照射前且半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)后，可對半導(dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，能進(jìn)行高精度的退火處理。
[0039]第15本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，所述第8?第14本發(fā)明的任一項中，所述基板傾斜調(diào)整部具有調(diào)整機(jī)構(gòu)，該調(diào)整機(jī)構(gòu)可對支承所述支持部的萬向接軸的接軸角度進(jìn)行調(diào)整。
[0040]通過上述本發(fā)明，對支承所述支持部的萬向接軸的接軸角度進(jìn)行調(diào)整，從而可對半導(dǎo)體基板的傾斜角度進(jìn)行調(diào)整。
[0041]第16本發(fā)明的掃描裝置，其特征在于，所述第8?第14本發(fā)明的任一項中，所述基板傾斜調(diào)整部具有多個調(diào)整部件，多個該調(diào)整部件在不同的位置上對所述支持部的支持面高度進(jìn)行變更。
[0042]同過上述本發(fā)明，通過多個調(diào)整部件調(diào)整支持部的傾斜，從而可對半導(dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整。
[0043]第17本發(fā)明的激光處理裝置，對于半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對掃描并以多路徑并列照射激光線光束，進(jìn)行所述半導(dǎo)體基板的處理，其特征在于，包括:
第8?第16本發(fā)明的任一項中記載的掃描裝置，
激光振蕩器，該激光振蕩器輸出所述激光，
光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué)系統(tǒng)將所述激光修整為線光束形狀并將其引導(dǎo)至作為處理對象的半導(dǎo)體基板。
[0044]通過上述本發(fā)明，可使半導(dǎo)體基板的傾斜被適當(dāng)修正，照射激光線光束，進(jìn)行精度良好的線光束照射處理。
發(fā)明效果
[0045]如上所述，通過本發(fā)明，即便對于半導(dǎo)體基板的大型化，也能夠在以多路徑照射線光束時減輕使半導(dǎo)體基板移動的裝置的負(fù)擔(dān)，可進(jìn)行高精度的掃描，并在激光照射時以高位置精度在半導(dǎo)體基板上照射激光，可進(jìn)行良好的線光束照射處理。另外，掃描裝置可實現(xiàn)小型化，外部振動對照射結(jié)果的影響也可變小。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0046]圖1是示出了本發(fā)明的一個實施方式的掃描裝置和包括該掃描裝置的一個實施方式的激光處理裝置的簡要圖。
圖2是類似地示出了進(jìn)行基板傾斜調(diào)整的部分調(diào)整部的細(xì)節(jié)的剖面圖。
圖3是類似地示出了退火處理半導(dǎo)體基板的制造工序的圖。
圖4是類似地示出了退火處理半導(dǎo)體基板的制造工序中的步驟的流程圖。
圖5是類似地示出了基板傾斜調(diào)整中調(diào)整量的取得步驟的流程圖。
圖6是示出了本發(fā)明的另一實施方式的掃描裝置的簡要圖。
圖7是類似地示出了退火處理半導(dǎo)體基板的制造工序的圖。
圖8是類似地示出了退火處理半導(dǎo)體基板的制造工序的步驟的流程圖。
圖9是說明激光的合成例的圖。
圖10是說明以往的掃描裝置和動作的圖。
【具體實施方式】
[0047]以下，基于圖1對本發(fā)明的一個實施方式涉及的掃描裝置和包括該掃描裝置的激光處理裝置進(jìn)行說明。
激光處理裝置I包括處理室2，處理室2內(nèi)設(shè)置掃描裝置3。掃描裝置3包括:掃描方向移動部30,該掃描方向移動部30可在X方向(掃描方向)上移動；旋轉(zhuǎn)移動部32,該旋轉(zhuǎn)移動部32設(shè)置在該掃描方向移動部30上,與掃描方向移動部30共同移動,可使設(shè)置在上部的平面矩形的基座4旋轉(zhuǎn)?；?相當(dāng)于本發(fā)明的支持部。旋轉(zhuǎn)移動部32和基座4之間有多個部分調(diào)整部5，在基座4的四個角上該多個部分調(diào)整部5將基座4支承在旋轉(zhuǎn)移動部32上。部分調(diào)整部5相當(dāng)于本發(fā)明的調(diào)整部件，多個部分調(diào)整部5構(gòu)成本發(fā)明的基板傾斜調(diào)整部。
[0048]掃描方向移動部30被設(shè)置在處理室2的基盤上，向X方向延伸，可沿導(dǎo)軌31移動，通過圖中未示出的電動機(jī)等進(jìn)行驅(qū)動，旋轉(zhuǎn)移動部32和基座4可在掃描方向上移動。
旋轉(zhuǎn)移動部32具有與基座4中心同軸的旋轉(zhuǎn)軸，以相對于掃描方向使基座4的前后方向交換的方式而使基座4旋轉(zhuǎn)。
另外，處理室2中，設(shè)置有導(dǎo)入窗6將線光束從外部導(dǎo)入。從導(dǎo)入窗6向處理室2內(nèi)導(dǎo)入的線光束，相對于基座4被定位在向與X方向正交的Y方向偏離的位置上，使得線光束長軸方向一端部位于基座4的中心附近。能通過改變下述光學(xué)系統(tǒng)12的配置等來調(diào)整線光束的長軸方向位置。
[0049]激光處理時，作為半導(dǎo)體基板，基座4的中央設(shè)置有在玻璃基板10a等上形成非晶質(zhì)娃I吳10b等后得到的半導(dǎo)體基板100。
另外，本實施方式的處理裝置中，對通過激光處理使非晶質(zhì)膜結(jié)晶化的激光退火處理的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行了說明，但本發(fā)明中激光處理的內(nèi)容并不限定于此，例如，也可以是讓非單晶的半導(dǎo)體膜單晶化，進(jìn)行結(jié)晶半導(dǎo)體膜的改質(zhì)。另外，也可以是涉及其它處理的內(nèi)容，被處理物并未被限定為特定物。
[0050]處理室2的外部設(shè)置有激光光源10。激光光源10為脈沖振蕩激光、連續(xù)振蕩激光的其中之一即可，本發(fā)明并不限定為其中一種。
根據(jù)需要，該激光光源10中輸出的激光15通過衰減器11調(diào)整能量密度，在包括反射鏡12a、12b等的光學(xué)系統(tǒng)12中進(jìn)行線光束形狀的修整或者偏轉(zhuǎn)，使其形狀的長軸長度為半導(dǎo)體基板100在Y方向上的寬度的1/2以上。另外，構(gòu)成光學(xué)系統(tǒng)12的光學(xué)部件并不限定于上述內(nèi)容，可包括各種透鏡、反射鏡、波導(dǎo)部等。
[0051]另外，激光處理裝置I中，包括控制部7，該控制部7控制掃描裝置3、激光光源10?？刂撇?由CPU、使其工作的程序、記憶部等構(gòu)成。
[0052]接著，基于圖2(a)對部分調(diào)整部5的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。
部分調(diào)整部5具有存在于旋轉(zhuǎn)移動部32和基座4之間的部分支持部50，該部分支持部50可支承基座4。部分支持部50具有楔形縱剖面，其下表面為沿著旋轉(zhuǎn)移動部32上表面的平面，上表面為從內(nèi)側(cè)向外側(cè)上升的傾斜面，通過設(shè)置在旋轉(zhuǎn)移動部32的外側(cè)面上的調(diào)整部驅(qū)動部51，可在內(nèi)外方向上移動。另外，基座4的四個角下表面具有錐面40，該錐面40沿著部分支持部50的上表面，部分支持部50可相對于旋轉(zhuǎn)移動部32的上表面和錐面40進(jìn)行滑動。
[0053]接著，基于圖3的簡要工序圖和圖4的流程圖針對上述激光處理裝置I的動作進(jìn)行說明。另外，以下的步驟通過控制部7施行。
首先，收納在圖中未示出的板匣中的半導(dǎo)體基板100被放入處理室2內(nèi)，設(shè)置在基座4的中央(步驟si)。
接著，如圖3(a)所示，通過多個部分調(diào)整部5的動作用預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量對基座4的傾斜進(jìn)行調(diào)整。由此基座4上的半導(dǎo)體基板100的傾斜被調(diào)整(步驟s2)。
[0054]具體為，部分支持部50通過向內(nèi)側(cè)前進(jìn)或向外側(cè)后退使與其接觸的基座4的部分改變上下位置，結(jié)果使得基座4的傾斜被調(diào)整。通過適當(dāng)確定各部分調(diào)整部5各自的調(diào)整量，可更精密地變更基座4的傾斜。另外，圖2(b)中部分支持部50通過調(diào)整部驅(qū)動部51的動作向內(nèi)側(cè)前進(jìn)，與其接觸的基座4的部分呈上升狀態(tài)，圖2(c)示出了通過調(diào)整部驅(qū)動部51的動作部分支持部50向外側(cè)后退，與其接觸的基座4的部分呈下降狀態(tài)。
[0055]基板調(diào)整工序后，進(jìn)行激光處理(步驟S3)。激光處理中激光光源10中輸出的激光15，通過衰減器11對其脈沖能量密度進(jìn)行調(diào)整。衰減器11被設(shè)定為特定的衰減率，以在半導(dǎo)體膜的照射面上得到特定的能量密度或功率密度的方式對衰減率進(jìn)行調(diào)整。
[0056]透過衰減器11的激光15，通過光學(xué)系統(tǒng)12被修整為線光束形狀，被導(dǎo)入到設(shè)置在處理室2上的導(dǎo)入窗6。線光束150透過導(dǎo)入窗6被導(dǎo)入處理室2內(nèi)部,如圖3 (b)所不,線光束150的照射位置為覆蓋半導(dǎo)體基板100的Y方向上的一側(cè)的半個面的范圍。由于掃描裝置3的掃描方向移動部30沿導(dǎo)軌31移動，半導(dǎo)體基板100與基座4 一同在X方向上移動。通過該移動，在第一路徑中，線光束150在半導(dǎo)體基板100的X方向上的一端部和另一端部之間進(jìn)行相對掃描，同時，被照射到半導(dǎo)體基板100，從而對半導(dǎo)體基板100在Y方向上的半個面進(jìn)行處理(圖3 (c)、步驟s3)，半導(dǎo)體基板100在Y方向上的半個面成為照射區(qū)域101，剩下的半個面成為未照射區(qū)域102。
[0057]接著，對是否完成向半導(dǎo)體基板100整個面照射激光進(jìn)行判定(步驟s4)，若未完成向半導(dǎo)體基板100整個面照射激光(步驟s4、否)，掃描方向移動部30停止，在該位置驅(qū)動旋轉(zhuǎn)移動部32，被旋轉(zhuǎn)移動部32支承的基座4和半導(dǎo)體基板100 —同被旋轉(zhuǎn)180度，使半導(dǎo)體基板100的前后位置交換(圖3(d)、步驟s5)。通過該旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基板100的照射區(qū)域101和未照射區(qū)域102在Y方向上交換，未照射區(qū)域102就位在線光束150的照射位置一側(cè)。
[0058]激光照射前，如圖3(e)所示，通過多個部分調(diào)整部5的動作用預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量對基座4的傾斜進(jìn)行調(diào)整。由此基座4上的半導(dǎo)體基板100的傾斜被調(diào)整(步驟s6)。這時的調(diào)整量，可與圖3(a)所示不同，使用其它調(diào)整量。
傾斜調(diào)整后，通過掃描方向移動部30，使基座4與旋轉(zhuǎn)移動部32 —起沿導(dǎo)軌31向-X方向移動(圖3(f))。這時半導(dǎo)體基板100上線光束150以第二路徑進(jìn)行相對掃描并同時進(jìn)行照射，相當(dāng)于半導(dǎo)體基板100的Y方向上半個面的未照射區(qū)域102被處理，整個面成為照射區(qū)域101 (圖3(g)、步驟S3)。
通過上述步驟半導(dǎo)體基板100的整個面由第二路徑處理完成，基于處理完成的判定結(jié)果(步驟s4、是)，將半導(dǎo)體基板100返回板匣(步驟s7)，處理結(jié)束。
[0059]另外，基于圖5的流程圖，針對預(yù)先取得調(diào)整量的步驟、即基板傾斜調(diào)整量取得工序進(jìn)行說明。
首先，將半導(dǎo)體基板試樣放入處理室2內(nèi)，設(shè)置在基座4的中央(步驟slO)，通過多個光學(xué)傳感器等檢測半導(dǎo)體基板試樣的傾斜量(步驟sll)。接著，將傾斜量與預(yù)先設(shè)定的容許閾值進(jìn)行比較，對傾斜量是否超過容許閾值進(jìn)行判定(步驟sl2)。容許閾值可預(yù)先決定，或者也可由操作者設(shè)定。另外，由于作為處理對象的半導(dǎo)體基板的種類或尺寸等不同，也可準(zhǔn)備不同的容許閾值。
傾斜量未超過容許閾值的情況下(步驟sl2、否)，進(jìn)行調(diào)整量設(shè)定，將調(diào)整量設(shè)為0(步驟sl4)，處理結(jié)束。傾斜量超過容許閾值的情況下(步驟sl2、是)，計算各部分調(diào)整部中的調(diào)整量(步驟sl3)，基于計算結(jié)果進(jìn)行調(diào)整量設(shè)定(步驟sl4)，處理結(jié)束。
[0060]上述實施方式中，通過基座4的旋轉(zhuǎn)可使基座4和半導(dǎo)體基板100的重心位置不發(fā)生改變而完成處理，在調(diào)整好半導(dǎo)體基板100的傾斜的狀態(tài)下進(jìn)行線光束照射，因而能夠高精度地把線光束照射到半導(dǎo)體基板，進(jìn)行退火處理。而且，由于沒有Y方向移動軸，不需要復(fù)雜的移動機(jī)構(gòu)，掃描裝置可被緊湊地構(gòu)成，同時保證基座的移動精度較高。
另外，通過旋轉(zhuǎn)移動部32進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)，并不限定基座4在X方向上所處的位置，也可在第一路徑照射完成后，基座4通過掃描方向移動部30回到X方向的初始位置后，旋轉(zhuǎn)移動部32使基座4旋轉(zhuǎn)180度，接著，使基座4向X方向移動，相對掃描線光束150，同時進(jìn)行第二路徑照射。
[0061](實施方式2)
上述實施方式中，對于以兩個路徑向半導(dǎo)體基板并列照射線光束進(jìn)行了說明，本發(fā)明中也可進(jìn)行三個路徑以上的并列照射。
以下基于圖6對以三個路徑并列照射線光束的裝置結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，說明中與所述各實施方式的相同結(jié)構(gòu)標(biāo)注同一符號。
[0062]該實施方式的掃描裝置3a中，掃描方向移動部30在導(dǎo)軌31上可在X方向上移動，在掃描方向移動部30上,在掃描方向移動部30上方沿著與掃描方向交叉的方向(該方式中為Y方向)設(shè)置有導(dǎo)軌33a，沿著該導(dǎo)軌33a設(shè)置有可在Y方向上移動的交叉方向移動部33b。交叉方向移動部33b上設(shè)置有旋轉(zhuǎn)移動部32a，以可旋轉(zhuǎn)的方式經(jīng)由多個部分調(diào)整部5將基座4設(shè)置在旋轉(zhuǎn)移動部32上。
該實施方式2中，在旋轉(zhuǎn)移動部32a旋轉(zhuǎn)量為O、交叉方向移動部33b位于Y方向中心處的狀態(tài)下，線光束150被定為在可照射到設(shè)置在基座4上的半導(dǎo)體基板100的Y方向上1/3寬度端部上。
[0063]接著，基于圖7的簡要工序圖和圖8的流程圖針對實施方式2的動作進(jìn)行說明。以下的步驟由控制部控制。
被收藏在圖中未出的板匣等中的半導(dǎo)體基板100被放入處理室2內(nèi)，設(shè)置在位于初始位置的基座4上(圖7(a)、步驟s30)。這時，通過交叉方向移動部33b預(yù)先將基座4移動成從X方向中心線偏移半導(dǎo)體基板4在Y方向上1/3的寬度。線光束150的照射位置被設(shè)定為在掃描方向移動部33b的中央。半導(dǎo)體基板100被放入處理室2的狀態(tài)下，通過使基座4位置偏移，從而使線光束15照射到半導(dǎo)體基板100的Y方向上三個1/3寬度帶中端部的1/3寬度帶。
[0064]接著，通過部分調(diào)整部5的動作用預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量對半導(dǎo)體100的傾斜進(jìn)行調(diào)整(圖7(b)、步驟s31)。圖中的斜箭頭表示了其上下方向的移動。
接著，基座4向X方向移動，同時線光束150向半導(dǎo)體基板100照射(步驟s32)。線光束150照射到半導(dǎo)體基板100的Y方向上端部的1/3寬度帶，通過讓基座4向X方向移動，半導(dǎo)體基板100的Y方向的1/3面上線光束150進(jìn)行相對掃描并同時被照射，半導(dǎo)體基板100的1/3面以第一路徑被處理，成為照射區(qū)域101，其它為未照射區(qū)域102(圖7(c))。
[0065]接著，基座4通過掃描方向移動部30回到X方向初始位置(圖7(d))，判定是否完成向半導(dǎo)體基板100的整個面照射激光(步驟S33)。所述判定中，向半導(dǎo)體基板100整個面的激光照射未完成的情況下(步驟s33、否)，判定完成了第幾路徑(步驟s34)，第一路徑完成的情況下(步驟s34、第一路徑完成)，準(zhǔn)備第二路徑，通過交叉方向移動部33b將半導(dǎo)體基板100向Y方向移動1/3寬度大小，使半導(dǎo)體基板100的中央的1/3寬度帶就位在線光束150的照射位置上。
[0066]接著，通過部分調(diào)整部5的動作用預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量對半導(dǎo)體基板100的傾斜進(jìn)行調(diào)整(圖7(f)、步驟s31)，之后，基座4向X方向移動，同時線光束150進(jìn)行照射(步驟s32)。通過在半導(dǎo)體基板100的中央的1/3寬度帶上照射線光束150，并讓基座4向X方向移動，從而在半導(dǎo)體基板100的Y方向的1/3面上相對掃描并照射線光束150，半導(dǎo)體基板100的中央的1/3面以第二路徑被處理，成為照射區(qū)域101 (圖7(g))。
[0067]接著，基座4通過掃描方向移動部30回到X方向初始位置，判定是否完成向半導(dǎo)體基板100的整個面照射激光(步驟S33)，向半導(dǎo)體基板100整個面的激光照射未完成的情況下(步驟s33、否)，判定完成了第幾路徑(步驟s34)，第二路徑完成的情況下(步驟s34、第二路徑完成)，準(zhǔn)備第三路徑，通過旋轉(zhuǎn)移動部32將基座4旋轉(zhuǎn)180度，使半導(dǎo)體基板100的前后位置改變(圖7(h)、步驟s36)。這時的旋轉(zhuǎn)中心，與基座4的中心同軸。
[0068]之后，通過交叉方向移動部33b將基座4向-Y方向移動半導(dǎo)體基板的1/3寬度大小(圖7(i)、步驟s37)。
接著，通過部分調(diào)整部5的動作用預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量對半導(dǎo)體基板100的傾斜進(jìn)行調(diào)整(圖7 (j)、步驟s31)，將基座4向X方向移動，同時線光束150進(jìn)行照射(圖7(k)、步驟s32)。線光束150照射在基座4的Y方向端部的1/3寬度帶上，在半導(dǎo)體基板100的Y方向上剩下的1/3面上相對掃描并同時照射線光束150，半導(dǎo)體基板100的1/3面以第三路徑被處理，成為照射區(qū)域101 (圖7(L))。由此半導(dǎo)體基板100的整個面通過三個路徑的線光束照射被處理。
之后，在處理是否完成的判定中(步驟s33)判定為處理完成(步驟s33、是)，將半導(dǎo)體基板100返回圖中未示出的板匣(步驟s38)，處理結(jié)束。
[0069]上述實施方式中，是在朝與掃描方向交叉的方向移動后或旋轉(zhuǎn)移動后進(jìn)行基板傾斜調(diào)整，該基板傾斜調(diào)整中使用與各基板位置相對應(yīng)而設(shè)定的調(diào)整量。這是因為，不僅是旋轉(zhuǎn)移動，交叉方向移動中基板的傾斜也會發(fā)生變動。
另外，上述實施方式中針對具有三路徑的照射工序的方案進(jìn)行了說明，但本發(fā)明中照射工序的數(shù)量并未被特別限定。
[0070]另外，該實施方式中，具有使基座在Y方向上移動的機(jī)構(gòu)，該情況下也可通過組合旋轉(zhuǎn)移動來使Y方向上的移動量減小，掃描裝置不需要復(fù)雜化，即可進(jìn)行精度良好的基座移動。
另外，基座的旋轉(zhuǎn)和水平時期不限定在特定的時期，在照射路徑之間適當(dāng)?shù)氖┬谢男D(zhuǎn)和水平時期，可使Y軸方向的移動距離減少，進(jìn)行多路徑激光處理。
[0071]還有，所述各實施方式中，對基于預(yù)先設(shè)定的調(diào)整量施行基板的傾斜調(diào)整進(jìn)行了說明，但也可每次或在期望時檢測傾斜狀態(tài)，對應(yīng)于該傾斜狀態(tài)進(jìn)行傾斜調(diào)整。
[0072]上述各實施方式中，對將從一個激光光源輸出的激光所產(chǎn)生的線光束照射到半導(dǎo)體基板進(jìn)行了說明，但也可將從多個激光光源輸出的激光進(jìn)行合成，從而得到線光束。
圖9示出了將兩個激光合成為一個線光束的例子。
例如光學(xué)系統(tǒng)中由支架122、123支承且并列設(shè)置了兩個光學(xué)部件120、121，將激光分別弓I導(dǎo)至光學(xué)部件120、121，輸出的線光束151、152進(jìn)一步合成，可得到長軸長度變長的線光束150。該情況下，對于線光束151、152的強度而言，在與平坦的平坦部相連的長軸方向端部，具有強度向外側(cè)逐漸變小的傾斜部，通過讓傾斜部相互重合，在平坦部150a之間形成聯(lián)接部。圖9(a)中，通過對傾斜部的傾斜和線光束151、152的長軸方向端部的距離進(jìn)行設(shè)定，形成使聯(lián)接部的強度和平坦部150a的強度相同的平坦形狀。但是，聯(lián)接部的強度并不限定于此，也可以如圖9(b)所示形成上突部150b或如圖9(c)所示形成下突部150c。聯(lián)接部只要設(shè)置在半導(dǎo)體基板上不構(gòu)成器件的部分上，則不會成為障礙。另外，只要上突部150b或下突部150c相對于平坦部150a的強度變化較小，則不會成為障礙。由此聯(lián)接部的強度變化部分優(yōu)選長軸方向?qū)挾然驈姸茸兓枯^小。
[0073]另外，上述各實施方式中，說明了基板的傾斜調(diào)整由部分調(diào)整部施行，但本發(fā)明并不限定傾斜調(diào)整的機(jī)構(gòu)，只要能達(dá)到期望的調(diào)整，則對于機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)或種類不作特別限定。
[0074]另外，上述各實施方式中，對照射激光線光束的激光處理裝置，以及該激光處理裝置所包括的掃描裝置進(jìn)行了說明，但本發(fā)明中線光束并不限定為由激光產(chǎn)生，其它的量子線光束也可同樣適用。作為處理裝置，可列舉出用于非單晶半導(dǎo)體的結(jié)晶化或單晶化、雜質(zhì)的活性化等處理的裝置。
[0075]以上基于上述實施方式針對本發(fā)明進(jìn)行了說明，本發(fā)明不限定于上述實施方式的內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下可做適當(dāng)?shù)淖兏?br>
標(biāo)號說明
[0076]I激光處理裝置 2處理室
3掃描裝置 4基座
5部分調(diào)整部 10激光光源 11衰減器 15激光
30掃描方向移動部 31導(dǎo)軌 32旋轉(zhuǎn)移動部 32a旋轉(zhuǎn)移動部 33a導(dǎo)軌
33b交叉方向移動部 100半導(dǎo)體基板
150線光束
【權(quán)利要求】
1.一種退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，相對于被支持部支承的半導(dǎo)體基板，通過與所述支持部一起移動所述半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對掃描并以多路徑并列照射線光束，進(jìn)行處理，其特征在于，所述制造方法包括: 基板旋轉(zhuǎn)工序，該工序在一個照射路徑工序和其之后的照射路徑工序之間，以使所述半導(dǎo)體基板的前后位置變化的方式使所述半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)，變更所述半導(dǎo)體基板相對于所述線光束的照射位置的位置， 基板傾斜調(diào)整工序，在所述一個照射路徑工序前和之后的照射路徑工序前，在所述基板旋轉(zhuǎn)工序后，該基板傾斜調(diào)整工序?qū)λ霭雽?dǎo)體基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整。
2.如權(quán)利要求1所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:預(yù)先設(shè)定所述基板調(diào)整工序的調(diào)整量，進(jìn)行所述基板調(diào)整工序時，基于設(shè)定的調(diào)整量調(diào)整所述半導(dǎo)體基板的傾斜。
3.如權(quán)利要求2所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:包括基板傾斜調(diào)整量取得工序，該取得工序?qū)︻A(yù)先決定的所述一個照射路徑的半導(dǎo)體基板位置進(jìn)行推測，并取得被所述支持部支承的半導(dǎo)體基板的基板傾斜調(diào)整量，推測所述基板旋轉(zhuǎn)工序的所述旋轉(zhuǎn)后，對預(yù)先決定的所述之后的照射路徑的半導(dǎo)體基板位置進(jìn)行推測，并取得被所述支持部支承的半導(dǎo)體基板的基板傾斜調(diào)整量。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)通過旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行，該旋轉(zhuǎn)軸位于一個所述照射路徑中的掃描方向中心線和之后的所述照射路徑的掃描方向中心線之間。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)工序通過使所述支持部的全部或部分旋轉(zhuǎn)而施行。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:包括交叉方向移動工序，在所述照射路徑工序之間，該交叉方向移動工序使所述半導(dǎo)體基板向與所述掃描方向交叉的方向移動。
7.如權(quán)利要求6所述的退火處理半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于:所述交叉方向移動工序通過使所述支持部移動而施行，或者通過使所述半導(dǎo)體基板從所述支持部的部分或全部脫離，與剩下的所述支持部相對獨立地使所述半導(dǎo)體基板移動，移動后再次由剩下的所述支持部支承所述半導(dǎo)體基板而施行。
8.一種掃描裝置，被包括在處理裝置中，該處理裝置相對于半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對掃描并以多路徑并列照射線光束，進(jìn)行所述半導(dǎo)體基板的處理，其特征在于，所述掃描裝置包括: 支持部，該支持部支承所述半導(dǎo)體基板， 掃描方向移動部，該掃描方向移動部使所述支持部在所述掃描方向上移動， 旋轉(zhuǎn)移動部，該旋轉(zhuǎn)移動部旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體基板，使前后位置改變， 基板傾斜調(diào)整部，該基板傾斜調(diào)整部能調(diào)整所述基板的傾斜。
9.如權(quán)利要求8所述的掃描裝置，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)移動部包括使支承所述半導(dǎo)體基板的所述支持部旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求8或9所述的掃描裝置，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)移動部被設(shè)置在所述掃描方向移動部上。
11.權(quán)利要求8或9所述的掃描裝置，其特征在于:包括脫離工作部，該脫離工作部使所述基板從所述支持部的部分或全部脫離， 所述旋轉(zhuǎn)移動部具有使利用所述脫離工作部脫離后的半導(dǎo)體基板相對于剩下的所述支持部獨立旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求8?11中任一項所述的掃描裝置，其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)移動部具有旋轉(zhuǎn)軸并能夠旋轉(zhuǎn)，該旋轉(zhuǎn)軸位于相對于通過照射的所述線光束的長邊方向中心的掃描方向偏移后的位置上。
13.如權(quán)利要求8?12中任一項所述的掃描裝置，其特征在于:包括交叉方向移動部，該交叉方向移動部使所述半導(dǎo)體基板在與所述掃描方向交叉的方向上移動。
14.如權(quán)利要求8?13中任一項所述的掃描裝置，其特征在于:包括控制部，該控制部控制所述掃描方向移動部、所述旋轉(zhuǎn)移動部、所述基板傾斜調(diào)整部， 所述控制部，在采用所述線光束進(jìn)行一個照射路徑前，控制所述基板傾斜調(diào)整部對所述基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，在所述一個照射路徑與之后的照射路徑之間，控制所述旋轉(zhuǎn)移動部以使所述半導(dǎo)體基板的前后位置改變的方式而使該半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)，控制所述基板傾斜調(diào)整部對所述基板的傾斜進(jìn)行調(diào)整，之后，照射線光束并且控制所述掃描方向移動部使所述支持部施行在所述掃描方向上移動的動作。
15.如權(quán)利要求8?14中任一項所述的掃描裝置，其特征在于:所述基板傾斜調(diào)整部具有調(diào)整機(jī)構(gòu)，該調(diào)整機(jī)構(gòu)對支承所述支持部的萬向接軸的接軸角度進(jìn)行調(diào)整。
16.如權(quán)利要求8?14中任一項所述的掃描裝置，其特征在于:所述基板傾斜調(diào)整部具有多個調(diào)整部件，多個該調(diào)整部件在不同的位置上對所述支持部的支持面高度進(jìn)行變更。
17.—種激光處理裝置，該處理裝置相對于半導(dǎo)體基板，在短軸方向上相對掃描并以多路徑并列照射激光線光束，進(jìn)行所述半導(dǎo)體基板的處理，其特征在于，所述激光處理裝置包括: 如權(quán)利要求8?16中任一項所述的掃描裝置， 激光振蕩器，該激光振蕩器輸出所述激光， 光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué)系統(tǒng)將所述激光修整為線光束形狀并將其引導(dǎo)至作為處理對象的半導(dǎo)體基板。
【文檔編號】H01L21/20GK104508797SQ201480002018
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】鄭石煥, 澤井美喜, 次田純一 申請人:株式會社日本制鋼所