具有提供多層壓縮力的防分層結(jié)構(gòu)的塑封器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種塑封的多層半導(dǎo)體器件，包括：第一基板、第二基板和抗分層結(jié)構(gòu)(ADS)。該ADS包括連接部和延展結(jié)構(gòu)，并且被絕緣材料填充。通過(guò)ADS的機(jī)械鎖住，減小了由于硅芯片和基板之間的熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。本發(fā)明能夠提供具有更高可靠性和更長(zhǎng)壽命的塑封半導(dǎo)體器件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有提供多層壓縮力的防分層結(jié)構(gòu)的塑封器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體地涉及塑封的多層半導(dǎo)體器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，功率半導(dǎo)體已經(jīng)被廣泛地用于汽車(chē)電子、電源管理和自動(dòng)化技術(shù)。通常組 合這些功率半導(dǎo)體形成適應(yīng)客戶(hù)具體要求的模塊。
[0003] 在這樣的功率半導(dǎo)體模塊中，一般將各個(gè)電子部件安裝在基板上?；逋ǔＪ且?夾層的形式制造，陶瓷板層夾在兩個(gè)外金屬板之間。這些金屬板通常是由銅制成的，因?yàn)殂~ 在導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性方面具有非常好的特性。具有銅/陶瓷/銅夾層結(jié)構(gòu)的基板被稱(chēng)為直接 覆銅（DBC)基板。DBC基板具有接合到陶瓷基底上的兩層銅，承載大電流并提供高電壓隔 離。
[0004] 高功率IGBT模塊通常用于工業(yè)中。期望該模塊提供高達(dá)兆瓦（MW)的超高功率、長(zhǎng) 達(dá)15年的使用壽命以及高達(dá)200°C的工作溫度。陶瓷基直接覆銅板常被用作電介質(zhì)載體， 硅樹(shù)脂和塑料外殼則提供相應(yīng)的密封。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)IGBT模塊的示意圖。
[0005] 與微電子相比，功率電子必須滿足一系列苛刻的要求，如長(zhǎng)的功率循環(huán)測(cè)試、具有 高碰撞的振動(dòng)測(cè)試和較長(zhǎng)的使用壽命。因此，有很多關(guān)于該領(lǐng)域的發(fā)明。
[0006] US6715203提供了一種用于具有通鍍焊料的功率半導(dǎo)體模塊的基板，包括兩個(gè)金 屬板和陶瓷板，其中陶瓷板固定為金屬板之間的層并且具有形成在其中的通孔。該基板是 通過(guò)使金屬板之一中的通孔與陶瓷板中的通孔對(duì)準(zhǔn)并且將糊狀焊料涂敷到基板的一面上 來(lái)被通鍍的。接著使基板經(jīng)歷爐步驟，以使糊狀焊料流入通孔并且焊料使得兩個(gè)金屬板之 間永久接觸。然而，具有焊料的通孔提供了陶瓷層兩個(gè)表面的電連接。
[0007] US6703707提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括介于一對(duì)輻射元件之間的并且熱和電 連接到輻射元件的兩個(gè)半導(dǎo)體芯片。輻射元件中的一個(gè)具有兩個(gè)突出部并且突出部的前端 連接到半導(dǎo)體芯片的主電極。輻射元件由含有Cu或A1為主要成分的金屬材料制成。半導(dǎo) 體芯片和輻射元件由樹(shù)脂密封，具有外部暴露的輻射表面。然而，介于兩個(gè)金屬塊之間的芯 片不提供電壓隔離。
[0008] US5465898公開(kāi)了提供的一種工藝，其中陶瓷金屬基板是通過(guò)如下步驟制造的： 在陶瓷層的任一側(cè)上粘附金屬箔以形成金屬層并且通過(guò)在開(kāi)口中放置金屬制造貫通連接 以形成橋，使得金屬層通過(guò)直接接合而電連接在一起，并將金屬體插入開(kāi)口中以幾乎填滿 它，同時(shí)金屬體的表面提供有具有金屬和反應(yīng)氣體的化學(xué)化合物的層。然而，金屬橋形成了 陶瓷層的兩個(gè)表面的電連接。
[0009] 然而，模塊的保護(hù)不足可能會(huì)導(dǎo)致其在嚴(yán)格的可靠性測(cè)試中失效。圖2是根據(jù)現(xiàn) 有技術(shù)的直接覆銅（DBC)基板在經(jīng)過(guò)大約100次溫度循環(huán)之后失效的照片。銅層與陶瓷層 剝離，并且這種故障是由于陶瓷和接合銅之間的熱膨脹系數(shù)（CTE)不匹配造成的。
[0010] 因此，存在對(duì)于提供高可靠性和長(zhǎng)壽命的電子模塊的未滿足的需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 相應(yīng)地，本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明是為了提供一種塑封的多層半導(dǎo)體器件。
[0012] 根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式，一種塑封的多層半導(dǎo)體器件包括：第一基 板，其包括至少一個(gè)第一復(fù)合層和至少一個(gè)第一通孔；第二基板，其包括至少一個(gè)第二復(fù)合 層和至少一個(gè)第二通孔；和，至少一個(gè)抗分層結(jié)構(gòu)（ADS)，其由塑封在半導(dǎo)體器件的至少一 側(cè)上且填充在第一基板和第二基板之間的絕緣材料制成。
[0013] 該ADS還包括連接部、第一延展結(jié)構(gòu)和第二延展結(jié)構(gòu)，第一延展結(jié)構(gòu)和第二延展 結(jié)構(gòu)分別位于連接部的兩側(cè)，且具有比連接部大的橫截面積；其中連接部穿過(guò)第一通孔和 第二通孔，用于提供壓縮力以防止多層半導(dǎo)體器件的分層。優(yōu)選地，第一延展結(jié)構(gòu)在第一基 板的外表面上水平延展，第二延展結(jié)構(gòu)在第二基板的外表面上水平延展，用于提供壓縮力 以防止多層半導(dǎo)體器件的分層。
[0014] 優(yōu)選地，第一通孔的橫截面積與第二通孔的不同。
[0015] 優(yōu)選地，第一通孔的橫截面積與第二通孔的相同。
[0016] 優(yōu)選地，為了優(yōu)化內(nèi)部應(yīng)力分布以減小應(yīng)力集中的強(qiáng)度，第一通孔在不同的第一 復(fù)合層中具有不同的橫截面積，和/或第二通孔在不同的第二復(fù)合層中具有不同的橫截面 積。
[0017] 優(yōu)選地，第一通孔在不同的第一復(fù)合層中具有相同的橫截面積，和/或第二通孔 在不同的第二復(fù)合層中具有相同的橫截面積。
[0018] 優(yōu)選地，第一復(fù)合層和/或第二復(fù)合層包含陶瓷層和至少一個(gè)金屬層。第一通孔 和/或第二通孔在陶瓷層中具有比在金屬層中小的橫截面積。在金屬層中第一通孔和/或 第二通孔包括臺(tái)階形狀。
[0019] 優(yōu)選地，絕緣材料是通過(guò)一次注塑成形的環(huán)氧樹(shù)脂注塑化合物。
[0020] 本發(fā)明能夠提供一種具有更高可靠性和更長(zhǎng)壽命的塑封的多層半導(dǎo)體器件，通過(guò) ADS的機(jī)械鎖住，減小了由于硅芯片和基板之間的熱膨脹系數(shù)不匹配產(chǎn)生的剪切應(yīng)力。此 夕卜，可以進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的重量和尺寸。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021] 在下文中參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式，其中：
[0022] 圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)IGBT模塊的示意圖；
[0023] 圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的直接覆銅（DBC)基板在經(jīng)過(guò)大約100次溫度循環(huán)之后失效 的照片；
[0024] 圖3A是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的沒(méi)有過(guò)模塑的塑封的多層半導(dǎo)體 器件的示意圖；
[0025] 圖3B是圖3A的器件的第一 DBC基板的放大圖；
[0026] 圖4A-D是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的第一、第二、第三和第四實(shí)施方式的沒(méi)有過(guò) 模塑的塑封的四個(gè)多層半導(dǎo)體器件的示意圖；
[0027] 圖5A-B是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式的過(guò)模塑的兩個(gè)塑封 的多層半導(dǎo)體器件的示意圖；
[0028] 圖6是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的制造塑封多層半導(dǎo)體器件的流程 圖；
[0029] 圖7A-C示出了根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的分別是不具有ADS、具有在 陶瓷和銅層上有不同直徑孔的ADS和具有在陶瓷和銅層上有相同直徑的孔的ADS的三個(gè)塑 封多層半導(dǎo)體器件的剪切應(yīng)力模擬結(jié)果；
[0030] 圖8A-B示出了根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的分別是不具有ADS和具有 ADS的兩個(gè)塑封多層半導(dǎo)體器件的剪切應(yīng)力模擬結(jié)果。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 在以下描述中，提出塑封的多層半導(dǎo)體器件作為優(yōu)選的例子。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯 而易見(jiàn)的是，包括添加和/或替換的修改可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的前提下進(jìn) 行?？梢允÷跃唧w細(xì)節(jié)以免混淆本發(fā)明；然而，書(shū)面公開(kāi)使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本文的 教導(dǎo)，而不需要過(guò)多的實(shí)驗(yàn)。
[0032] 圖3A是根據(jù)本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的一實(shí)施方式的塑封的多層半導(dǎo)體器件的 示意圖。完全塑封的器件300包括第一 DBC基板301a、第二DBC基板301b、抗分層結(jié)構(gòu) (ADS) 302和電子部件303。
[0033] 第一 DBC基板301a包括上部第一銅層303a、第一陶瓷層304a和下部第一銅層 303b。第一 DBC基板301a還包括由上部第一銅層303a中的上部第一銅孔306a形成的第 一通孔305a、第一陶瓷層304a中的第一陶瓷孔307a和下部第一銅層303b中的下部第一銅 孔306b。上部第一銅孔306a的直徑比第一陶瓷孔307a的直徑大，并且下部第一銅孔306b 的直徑比第一陶瓷孔307a的直徑大。上部第一銅孔306a和下部第一銅孔306b為臺(tái)階形 狀，用于優(yōu)化內(nèi)部應(yīng)力分布以減小應(yīng)力集中的強(qiáng)度。
[0034] 類(lèi)似地，第二DBC基板301b包括上部第二銅層303c、第二陶瓷層304b和下部第二 銅層303d。第二DBC基板301b還包括由上部第二銅層303c中的上部第二銅孔306c形成 的第二通孔305b、第二陶瓷層304b中的第二陶瓷孔307b和下部第二銅層303d中的下部第 二銅孔306d。上部第二銅孔306c的直徑比第二陶瓷孔307b的直徑大，并且下部第二銅孔 306d的直徑也比第二陶瓷孔307b的直徑大。上部第二銅孔306c和下部第二銅孔306d也 為臺(tái)階形狀以?xún)?yōu)化內(nèi)部應(yīng)力分布以減小應(yīng)力集中的強(qiáng)度。
[0035] ADS 302包括在第一通孔305a內(nèi)和第二通孔305B內(nèi)，填充在第一 DBC基板301a 和第二DBC基板301b之間的環(huán)氧注塑化合物（EMC)。ADS 302包括連接部，其穿過(guò)第一 DBC 基板301a的第一通孔305a和第二DBC基板301b的第二通孔305b。與連接部連接的ADS 302的兩個(gè)端部，在第一 DBC基板301a和第二DBC基板301b的外表面上水平地延展，以分 別形成上部延展結(jié)構(gòu)和下部延展結(jié)構(gòu)。壓縮力由ADS 302同時(shí)提供以防止多層半導(dǎo)體器件 300的分層。
[0036] EMC保護(hù)電子部件303,如互連結(jié)構(gòu)和硅芯片。通過(guò)機(jī)械地將這些不同類(lèi)的材料鎖 在一起，面內(nèi)運(yùn)動(dòng)減少，使得由于硅片和基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE)不匹配所產(chǎn)生的熱 機(jī)械應(yīng)力重新分布。
[0037] 圖3B是圖3A的器件的第一 DBC基板的放大圖。圖3B示出了作用于第一 DBC基 板301a的力。大箭頭表示EMC自身內(nèi)在的收縮力311，而較小的箭頭表示由EMC的收縮力 311引起的作用于多層第一 DBC基板301a上的壓縮力312。由于固化期間EMC的收縮，ADS 302內(nèi)的EMC產(chǎn)生了收縮力311。壓縮力312作用于各個(gè)基板的所有層面，防止了銅-陶瓷 界面和EMC-銅界面的分層。
[0038] 相應(yīng)地，在DBC基板的不同復(fù)合層處通孔的直徑是不同的，使得多層器件中的內(nèi) 部應(yīng)力分布通過(guò)通孔的水平表面面積的增加而得到優(yōu)化。
[0039] 相應(yīng)地，通孔的直徑在銅層處比在陶瓷層處大，以增加ADS中的水平表面面積。通 孔的直徑在底部基板處比在頂部基板處大，從而通過(guò)增加在底部基板處的通孔上的絕緣材 料的體積而加強(qiáng)了施加到多層半導(dǎo)體器件上的壓縮力。
[0040] 圖4A-D分別是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的第一、第二、第三和第四實(shí)施方式的四 個(gè)沒(méi)有過(guò)模塑的塑封多層半導(dǎo)體器件的示意圖。器件沒(méi)有過(guò)模塑指的是塑封體沒(méi)有超過(guò)第 一和第二DBC基板的水平表面。
[0041] 在如圖4A所示的實(shí)施方式中，第一 DBC基板401a的第一通孔402a與第二DBC基 板401b的第二通孔402b是相同的。第一通孔402a和第二通孔402b兩個(gè)都是直通孔。上 部和下部延展結(jié)構(gòu)403a和403b分別在上部第一銅層404a和下部第二銅層404b內(nèi)水平延 展。這樣的結(jié)構(gòu)可以減少蝕刻出下部第一銅層406a和上部第二銅層406b上的銅的步驟， 從而簡(jiǎn)化了制造工藝。
[0042] 圖4B的實(shí)施方式與圖4A的實(shí)施方式類(lèi)似，但第一 DBC基板401a和第二DBC基板 401b在第一通孔402a和第二通孔402b的端部分別被半蝕刻，用于填入EMC。進(jìn)一步擴(kuò)大 ADS的上部和下部延展結(jié)構(gòu)403a和403b以與塑封體405連接，這可以增加ADS的端部和基 板表面之間的接觸面積。下部第一銅層406a中的第一通孔402a和上部第二銅層406b中 的第二通孔402b被蝕刻成臺(tái)階形狀。
[0043] 圖4C的實(shí)施方式與圖4A的實(shí)施方式類(lèi)似，但兩個(gè)直通孔分別形成在上部第一銅 層404a和下部第二銅層404b上，并且上部和下部延展結(jié)構(gòu)403a和403b水平地延展并分 別完全地在上部第一銅層404a和下部第二銅層404b內(nèi)。這樣的結(jié)構(gòu)可以減弱蝕刻出在上 部第一銅層404a和下部第二銅層404b上的銅的復(fù)雜性，從而簡(jiǎn)化了制造工藝。
[0044] 圖4D的實(shí)施方式與圖4A的實(shí)施方式類(lèi)似，但第一 DBC基板401a和第二DBC基板 401b在上部第一銅層404a中的第一通孔402a和下部第二銅層404b中的第二通孔402b的 端部處分別被半蝕刻成臺(tái)階形狀，以用于填入EMC。進(jìn)一步擴(kuò)大ADS的上部和下部延展結(jié)構(gòu) 403a和403b以與塑封體405連接，這可以增加ADS的端部和基板表面之間的接觸面積。
[0045] 圖5A-B是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式的兩個(gè)具有過(guò)模塑的 塑封多層半導(dǎo)體器件的示意圖。器件具有過(guò)模塑指的是塑封體的一部分超出第一和第二 DBC基板的水平面的一部分。
[0046] 在圖5A的實(shí)施方式中，第一 DBC基板501a的第一通孔502a是直通孔，并且與第二 DBC基板501b的第二通孔502b相同，并且ADS的兩個(gè)端部都在第一和第二DBC基板501a 和501b的表面上方水平延展，使得上部和下部延展結(jié)構(gòu)503a和503b與塑封體505連接。 這樣的結(jié)構(gòu)可以減少蝕刻第一和第二通孔的步驟，從而簡(jiǎn)化了制造工藝，同時(shí)由于ADS的 端部的水平延展仍保持了高壓縮力。
[0047] 圖5B的實(shí)施方式與圖5A的實(shí)施方式類(lèi)似，但第一通孔502a比第二通孔502b小。 此外，上部第一銅層504a和下部第一銅層506a中的第一通孔502a為臺(tái)階形狀。類(lèi)似地， 上部第二銅層506b和下部第二銅層504b中的第二通孔502b為臺(tái)階形狀，其進(jìn)一步優(yōu)化了 ADS的內(nèi)部應(yīng)力分布并減小了應(yīng)力集中的強(qiáng)度。
[0048] 圖6是根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的制造塑封的多層半導(dǎo)體器件的流 程圖。在步驟601中，在頂部基板上施加球貼附材料。在步驟602中，在頂部基板上貼附焊 料球。在步驟603中，在底部基板上施加芯片和球貼附材料。在步驟604中，在底部基板上 貼附芯片。在步驟605中，在芯片表面上施加球貼附材料。在步驟606中，將頂部基板和底 部基板組裝在一起。在步驟607中，頂部基板和底部基板的組裝件經(jīng)注塑以形成塑封的多 層半導(dǎo)體器件。
[0049] 圖7A-C示出了根據(jù)本文請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明的實(shí)施方式的分別是不具有ADS、具有在 陶瓷層和銅層上有不同的直徑的通孔的ADS和具有在陶瓷層和銅層上有相同直徑的通孔 的ADS的三個(gè)塑封多層半導(dǎo)體器件的剪切應(yīng)力模擬結(jié)果。在剪切應(yīng)力模擬結(jié)果中，顏色越 深代表剪切應(yīng)力越高。如圖7A所示，對(duì)于沒(méi)有ADS的器件，在陶瓷和銅層之間的邊界處發(fā) 現(xiàn)了高剪切應(yīng)力。如圖7B所示，對(duì)于具有在陶瓷層和銅層上有不同的直徑的通孔的ADS的 器件，僅在陶瓷和銅層之間的邊界處發(fā)現(xiàn)了輕微的剪切應(yīng)力。如圖7C所示，具有在陶瓷層 和銅層上有相同直徑通孔的ADS的器件，與具有不同直徑的相比，在陶瓷和銅層之間的邊 界處具有較高的剪切應(yīng)力，但是與沒(méi)有ADS的器件相比，剪切應(yīng)力要低得多。
[0050] 模擬的數(shù)值結(jié)果示于表1。
[0051] 表 1
[0052]

【權(quán)利要求】
1. 一種塑封的多層半導(dǎo)體器件，包括： 第一基板，其包含至少一個(gè)第一復(fù)合層和至少一個(gè)第一通孔； 第二基板，其包含至少一個(gè)第二復(fù)合層和至少一個(gè)第二通孔；和 至少一個(gè)抗分層結(jié)構(gòu)（ADS)，其由填充在第一基板和第二基板之間的絕緣材料制成； 其中ADS包含通過(guò)第一通孔和第二通孔的連接部、第一延展結(jié)構(gòu)和第二延展結(jié)構(gòu)； 其中第一延展結(jié)構(gòu)和第二延展結(jié)構(gòu)分別位于連接部的兩側(cè)，且具有比連接部的橫截面 積更大的橫截面積，提供壓縮力以防止多層半導(dǎo)體器件的分層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一延展結(jié)構(gòu)在第一基板的外 表面上水平延展，第二延展結(jié)構(gòu)在第二基板的外表面上水平延展。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一通孔的橫截面積與第二通 孔的橫截面積不同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一通孔的橫截面積與第二通 孔的橫截面積相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一通孔在不同的第一復(fù)合層 中具有不同的橫截面積，并且/或第二通孔在不同的第二復(fù)合層中具有不同的橫截面積， 以?xún)?yōu)化內(nèi)部應(yīng)力分布，從而減小應(yīng)力集中的強(qiáng)度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一通孔在不同的第一復(fù)合層 中具有相同的橫截面積，并且/或第二通孔在不同的第二復(fù)合層中具有相同的橫截面積。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一復(fù)合層和/或第二復(fù)合層 包含陶瓷層和至少一個(gè)金屬層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一通孔和/或第二通孔在陶 瓷層中具有比在金屬層中小的橫截面積。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中在金屬層中第一通孔和/或第 二通孔包括臺(tái)階形狀。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一基板和/或第二基板是直 接覆銅（DBC)基板，直接覆銅基板包含位于兩個(gè)銅層之間的陶瓷層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中絕緣材料是環(huán)氧樹(shù)脂注塑化 合物，其塑封在半導(dǎo)體器件的至少一側(cè)上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中絕緣材料是通過(guò)一次注塑成 形的。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中至少一個(gè)電子部件嵌在第一 基板和第二基板之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，還包括位于第一基板和第二基板 側(cè)面的塑封體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一延展結(jié)構(gòu)和/或第二延 展結(jié)構(gòu)與第一基板和/或第二基板的外表面上的塑封體連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中第一基板和第二基板在第一 通孔和第二通孔的一個(gè)端部處被半蝕刻，用于填充絕緣材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，其中填充在第一基板和第二基板 之間的絕緣材料用于保護(hù)互連結(jié)構(gòu)和貼附在第一基板或第二基板上的芯片，并且再分布由 于芯片和第一基板或第二基板之間的熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生的熱機(jī)械應(yīng)力。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件，第一通孔的直徑在第一基板的不 同復(fù)合層處比在第二基板的不同復(fù)合層處大，使得第一通孔上的絕緣材料的體積增加從而 加強(qiáng)了施加到多層半導(dǎo)體器件上的壓縮力。
19. 一種高功率電子模塊，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件。
20. -種高功率電子模塊，其包括根據(jù)權(quán)利要求2所述的塑封的多層半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L23/10GK104409423SQ201410543393
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】L·奧勒雷斯, 葉月萍, 張文楷 申請(qǐng)人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司