有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括：基板，該基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；形成在顯示區(qū)域中的薄膜晶體管；連接至薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光層；形成為限定有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的堤壩；設(shè)置在非顯示區(qū)域中并且未被堤壩覆蓋的金屬圖案；以及連接至有機(jī)發(fā)光層同時覆蓋金屬圖案并且在金屬圖案上被部分地物理分離的導(dǎo)電圖案。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，更具體地，涉及具有如下結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置:該結(jié)構(gòu)被設(shè)計成克服在簡化有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造工藝期間可能出現(xiàn)的缺陷。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，具有減小的重量和體積(這些是陰極射線管(CTR)的缺點)的各種類型的平板顯示器已得到開發(fā)。這些平板顯示器包括:液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)以及電致發(fā)光裝置(EL)。
[0003]圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的利用薄膜晶體管(TFT)作為有源元件的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(OLED)。圖2是圖1的區(qū)域A的放大圖。圖3是示出了沿圖2的線Ι-Γ所取的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。圖4是示出了堤壩層上的涂布斑點的照片。
[0004]參照圖1至圖3，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括其中在基板100上顯示有圖像的有源區(qū)域10和用于將驅(qū)動信號施加給有源區(qū)域10的驅(qū)動器20。更具體地，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括:驅(qū)動薄膜晶體管(下文中，稱為“驅(qū)動TFT”)40、與驅(qū)動TFT40連接并被驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管60、以及用于密封基板100的密封構(gòu)件(未不出)?；?00包括:開關(guān)薄膜晶體管(下文中，稱為“開關(guān)TFT”)30、驅(qū)動TFT40、連接至驅(qū)動TFT40的電容器50、以及連接至驅(qū)動TFT40的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0005]為制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，在玻璃基板100上形成緩沖層105，并且在柵極線35和數(shù)據(jù)線37的交叉部分處形成開關(guān)TFT30。開關(guān)TFT30包括從柵極線35分支出的柵電極120S、半導(dǎo)體層(未示出)、源電極130S、以及漏電極130D。驅(qū)動TFT40包括:連接至開關(guān)TFT30的漏電極130D的柵電極120D、半導(dǎo)體層110D、連接至驅(qū)動電流線39的源電極132S、以及漏電極132D。驅(qū)動TFT40的漏電極132D連接至有機(jī)發(fā)光二極管60的陽極150。
[0006]驅(qū)動TFT40的半導(dǎo)體層IlOD和電容器下電極IlOC形成在基板100上。在覆蓋在半導(dǎo)體層IlOD和電容器下電極IlOC上的柵極絕緣膜115上，柵電極120D形成為與半導(dǎo)體層I1D的中心交疊，并且電容器中間電極120C形成為與電容器下電極I1C交疊。源電極132S和漏電極132D通過接觸孔連接至半導(dǎo)體層IlOD的兩側(cè)。源電極132S和漏電極132D形成在覆蓋柵電極120D的層間絕緣膜125上，并且源電極132S連接至電容器上電極132C。
[0007]在有源區(qū)域10的外周上形成待連接至有機(jī)發(fā)光二極管60的陰極(未示出)的接地線70。接地線70具有形成在柵極絕緣膜115上的柵極接地線120G、和形成在層間絕緣膜125上并且連接至柵極接地線120G的源極接地線134G。在基板100的顯示區(qū)域上施用有平面化膜140。平面化膜140被圖案化，以形成露出驅(qū)動TFT40的漏電極132D的接觸孔。在平面化膜140上形成通過接觸孔接觸驅(qū)動TFT40的漏電極132D的陽極150。
[0008]在整個基板100的除發(fā)光區(qū)域外的各處形成有堤壩層160。這指的是在制造工藝的這個階段期間，在接地線70的頂部上初始沉積堤壩層160。接著，通過移除初始沉積的堤壩層160的一部分(圖3中未示出)來使堤壩層160圖案化。在堤壩層的圖案化之后，在陽極150上形成發(fā)光層(未示出)，并且接著在發(fā)光層155的頂部上形成覆蓋堤壩層的剩余部分的陰極(未示出)。
[0009]然而，以這種方式沉積然后移除/圖案化堤壩層160產(chǎn)生問題。移除堤壩層160的所有給定部分并不總是完全成功的過程，并且在移除之后通常殘留一定量的堤壩層160。例如，在移除期間，理想地，將任何初始存在于接地線70的頂部上的堤壩層160在堤壩移除/圖案化處理期間移除。然而，在接地線70的表面上通常殘留一定量的堤壩層160。
[0010]通常，用于制造堤壩層160的材料如聚酰亞胺與由鑰鈦(MoTi)或銅(Cu)制成的金屬層(其示例為接地線70)具有差的界面特性。差的界面特性包括無法與相鄰材料形成強(qiáng)的粘合。例如，聚酰胺與MoTi或Cu無法強(qiáng)粘合。因此，當(dāng)初始形成堤壩層160然后從接地線70移除堤壩層160時，無法在移除處理期間移除的殘留的堤壩層將導(dǎo)致接地線70與之后在接地線70上形成的無論哪層之間的差的界面特性。例如，如果之后在接地線70上形成陰極(未示出)，則干擾的殘留堤壩層可導(dǎo)致與陰極的弱的界面。圖4示出了不完整的堤壩層移除的示例。在圖4中，殘留的堤壩層顯示為堤壩層的厚度的不均勻或顯示為斑點。
[0011]因此，在接地線70與陰極之間的殘留的堤壩層可導(dǎo)致這兩個層之間的弱的粘合。從而，這兩個層可隨時間分離，并且產(chǎn)生使水分滲透到裝置的顯示區(qū)域中的路徑。隨時間推移，這可能負(fù)面地影響有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的性能。殘留的堤壩層也可能在顯示區(qū)域中產(chǎn)生極不受歡迎的可視斑點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本文的一個方面是提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其通過防止在顯示區(qū)域中生成斑點并且阻擋來自外部的水分滲透到發(fā)光層中的路徑而提供高的顯示質(zhì)量和高的可靠性。
[0013]為實現(xiàn)上面的優(yōu)點，一個示例性實施方案提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該裝置包括:基板，該基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；形成在顯示區(qū)域中的薄膜晶體管；連接至薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光層；形成為限定有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的堤壩；設(shè)置在非顯示區(qū)域中并且未被堤壩覆蓋的金屬圖案；連接至有機(jī)發(fā)光層的第一導(dǎo)電圖案，第一導(dǎo)電圖案也連接至金屬圖案；以及連接至金屬圖案的第二導(dǎo)電圖案，第二導(dǎo)電圖案物理上分離于第一導(dǎo)電圖案。根據(jù)本方面，由于第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案在堤壩層之前形成，所以有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置解決了在金屬圖案上初始沉積和移除堤壩層造成的粘合力劣化的問題。
[0014]金屬圖案是沿顯示區(qū)域的外周形成在非顯示區(qū)域中的接地線。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置還包括:形成在有機(jī)發(fā)光層下方的陽極和形成在有機(jī)發(fā)光層上方的陰極。金屬圖案包括:第一金屬圖案，第一金屬圖案由薄膜晶體管的柵電極所包含的柵極金屬制成；以及第二金屬圖案，第二金屬圖案由薄膜晶體管的源電極所包含的源極金屬制成。根據(jù)本方面，在沒有另外的掩模處理的情況下，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的接地線的部分可以分別在形成柵極線的過程中和形成數(shù)據(jù)線的過程中形成。
[0015]第一金屬圖案和第二金屬圖案彼此電連接。根據(jù)本方面，接地線可以并聯(lián)連接，使得可以實現(xiàn)每單位面積所形成的接地線的導(dǎo)電率增加和寬度減小，以有助于減小邊框。
[0016]根據(jù)本方面，第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案用于防止水分或氧化物成分滲透到有機(jī)發(fā)光層中。在水分從外部滲透通過第一導(dǎo)電圖案的情況下，第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案之間的分離防止水分進(jìn)一步滲透到第二導(dǎo)電圖案中。
[0017]導(dǎo)電圖案由具有與陽極相同的材料層制成并且具有與陽極相同的堆疊結(jié)構(gòu)。根據(jù)本方面，由于導(dǎo)電圖案可以在同一掩模處理中利用相同的材料與陽極同時形成，所以無需另外的掩模處理。
[0018]第二導(dǎo)電圖案可以包括多個物理上彼此分離的部分。多個部分可以是島形或條形。第二導(dǎo)電圖案可以包括露出金屬圖案的多個開口。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明包括附圖以提供對發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖被引入并構(gòu)成說明書的一部分，附圖示出發(fā)明的實施方案并且與說明書一起用于說明發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的頂部俯視圖；
[0021]圖2是圖1的區(qū)域A的放大圖；
[0022]圖3是沿圖2的線1-1’所取的橫截面圖；
[0023]圖4是示出了堤壩層上的涂布斑點的照片；
[0024]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的頂部俯視圖；
[0025]圖6是沿圖5的線ΙΙ-ΙΓ所取的橫截面圖；
[0026]圖7a和圖7b是示出了導(dǎo)電圖案的APC腐蝕的照片；
[0027]圖8到圖10是根據(jù)幾個不同的實施方案的從頂部觀察的圖6的接地線270的頂部俯視圖。

【具體實施方式】
[0028]現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的實施方案，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，將在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來指示相同部件或類似部件。應(yīng)注意的是，如果確定已知技術(shù)可能誤導(dǎo)本發(fā)明的實施方案，則忽略該已知技術(shù)的詳細(xì)說明。
[0029]下文中，將參照圖5到圖7b來描述根據(jù)一個示例性實施方案的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的利用薄膜晶體管作為有源元件的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)的頂部俯視圖。圖6是沿圖5的線ΙΙ-ΙΓ所取的橫截面圖。圖7a和圖7b是示出了導(dǎo)電圖案的APC腐蝕的照片。
[0030]參照圖5和圖6，根據(jù)示例性實施方案的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:基板300，在基板300處形成有開關(guān)TFT230和驅(qū)動TFT240、以及與驅(qū)動TFT240連接并被驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管260 ;以及附接到基板300上方的阻擋膜397，在基板300與阻擋膜397之間介入有密封材料395?；?00包括:開關(guān)TFT230、連接至電容器250的驅(qū)動TFT240、連接至驅(qū)動TFT240的有機(jī)發(fā)光二極管260。
[0031]開關(guān)TFT230形成在玻璃基板300上的柵極線235和數(shù)據(jù)線237的交叉部分處。開關(guān)TFT230用于選擇像素。開關(guān)TFT230包括從柵極線235分支出的柵電極320S、半導(dǎo)體層(未示出)、源電極330S、以及漏電極330D。驅(qū)動TFT240用于驅(qū)動由開關(guān)TFT230所選擇的像素的陽極350。驅(qū)動TFT240包括:連接至開關(guān)TFT230的漏極330D的柵電極320D、半導(dǎo)體層310D、連接至驅(qū)動電流線239的源電極332S、以及漏電極332D。驅(qū)動TFT240的漏電極332D連接至有機(jī)發(fā)光二極管260的陽極350。
[0032]圖6示出了具有頂部柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管作為一個示例。在這種情況下，驅(qū)動TFT240的半導(dǎo)體層31D和電容器下電極31C形成在基板300上。半導(dǎo)體層31D和電容器下電極310C可以由非晶硅層、通過使非晶硅層晶化獲得的多晶硅層、或由金屬氧化物形成的氧化物半導(dǎo)體制成。
[0033]在半導(dǎo)體層310D和電容器下電極310C上布置有柵極絕緣膜315。柵極絕緣膜315可以由硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)或其堆疊結(jié)構(gòu)形成。在柵極絕緣膜315上，柵電極320D形成為與半導(dǎo)體層310D的中心交疊，并且電容器中間電極320C形成為與電容器下電極31C交疊。柵電極320D和電容器中間電極320C可以由鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)或其合金制成的單層、或鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)制成的多層形成。源電極332S和漏電極332D通過接觸孔連接至半導(dǎo)體層310D的兩側(cè)。
[0034]源電極332S和漏電極332D形成在覆蓋柵電極320D的層間絕緣膜325上，并且源電極332S連接至電容器上電極332C。層間絕緣膜325可以由硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)或其堆疊結(jié)構(gòu)制成。源電極332S、漏電極332D以及電容器上電極332C可以由鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)或其合金制成的單層、或鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)制成的多層形成。
[0035]在非顯示區(qū)域中的有源區(qū)域的外周上形成有待連接至有機(jī)發(fā)光二極管260的陰極370的接地線270。接地線270具有形成在柵極絕緣膜315上的柵極接地線320G、和形成在層間絕緣膜325上并且連接至柵極接地線320G的源極接地線334G。柵極接地線320G由與柵電極320D相同的材料制成，并且源極接地線334G由與源電極332S相同的材料制成。
[0036]在基板300上的顯示區(qū)域施用平面化膜340。平面化膜340用于使基板表面的粗糙結(jié)構(gòu)變平，以在使其光滑和平坦之后施用構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管260的有機(jī)材料。平面化膜340可以由有機(jī)物質(zhì)如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯樹脂、或丙烯酸酯制成。平面化膜340被圖案化以形成露出驅(qū)動TFT240的漏電極332D的接觸孔。平面化膜340也被圖案化以完全露出接地線270。
[0037]在平面化膜340上形成有道過接觸孔接觸驅(qū)動TFT240的漏電極332D的陽極350。在平面化膜340上形成有一端接觸陰極370而另一端接觸接地線334G的第一導(dǎo)電圖案351。在沒有形成平面化膜340的顯示區(qū)域的外周(即，源極接地線334G)上形成有非顯示區(qū)域中的第二導(dǎo)電圖案352。此時，第二導(dǎo)電圖案352覆蓋源極接地線334G的大部分。然而，第二導(dǎo)電圖案352與第一導(dǎo)電圖案351間隔開，而沒有物理接觸上述第一導(dǎo)電圖案351。
[0038]更具體地，第二導(dǎo)電圖案352與第一導(dǎo)電圖案351間隔開。這是因為導(dǎo)電圖案351和352是在與陽極350相同的過程中同時形成的，并且陽極350的上層和下層由ITO (銦錫氧化物)制成，并且其中間層由含98%的銀(Ag)的銀合金層(APC)制成。此處，銀合金層(APC)包括含有具有高反射率的銀(Ag)的反射層，使得陽極350用作反射電極。
[0039]參照圖7a和圖7b，導(dǎo)電圖案中具有IT0/APC/IT0結(jié)構(gòu)的銀合金層APC由于其易受水分而被腐蝕，并且這使導(dǎo)電圖案由于水分滲透而延伸到顯示區(qū)域并且用作水分滲透的路徑，由此導(dǎo)致可靠性劣化。因此，通過對用作水分滲透到第一導(dǎo)電圖案351和第二導(dǎo)電圖案352中的路徑的導(dǎo)電圖案進(jìn)行物理分隔來阻擋水分滲透的路徑。第一導(dǎo)電圖案351在平面化層340上接觸陰極370，并且連接至源極接地線334G。第二導(dǎo)電圖案352與第一導(dǎo)電圖案351分隔開，并且覆蓋源極接地線334G的大部分。因此，即使最外面部分上的第二導(dǎo)電圖案242被部分腐蝕并且水分滲透其中，水分滲透的路徑也會由于第二導(dǎo)電圖案352與第一導(dǎo)電圖案351物理分隔而被阻擋。第一導(dǎo)電圖案351和第二導(dǎo)電圖案352可以在接地線上彼此分離。另一方面，第一導(dǎo)電圖案351和第二導(dǎo)電圖案352可以在有機(jī)發(fā)光層與基板的外部之間的某個區(qū)域中彼此物理分離，以防止來自外部的水分等通過導(dǎo)電圖案滲透到有機(jī)發(fā)光層中。
[0040]另外，第二導(dǎo)電圖案352覆蓋源極接地區(qū)域334G的大部分。在源極接地線334G形成之后和在第一導(dǎo)電圖案351和第二導(dǎo)電圖案352形成之后形成堤壩層360。堤壩層360被移除以露出設(shè)置在基板300的外周上的接地線270。此外，堤壩層360沒有暴露到基板300外部，因此不用作來自外部的水分和氧氣的滲透的路徑。
[0041]堤壩層360的聚酰亞胺PI與由金屬制成的源極接地線334G之間的界面特性差，并且如以上所介紹的對堤壩層的不需要的部分的移除不完整或圖案化可能導(dǎo)致缺陷、間隙和/或斑點。在本發(fā)明中，包括聚酰亞胺和ITO的第二導(dǎo)電圖案352具有良好的界面特性(例如，形成與源極接地線334G的強(qiáng)的粘合)。因此，第二導(dǎo)電圖案352有助于使接觸聚酰亞胺的區(qū)域最小化，并且防止在源極接地線334G上形成缺陷例如間隙或斑點。
[0042]如圖5所不，由于其與第一導(dǎo)電圖案351間隔開,所以第二導(dǎo)電圖案352基本上為單體型條的形狀?，F(xiàn)在將描述第二導(dǎo)電圖案352的各種形狀。
[0043]圖8到圖10是根據(jù)幾個不同實施方案的從頂部觀察的圖6的接地線270的頂部俯視圖。
[0044]參照圖8，第二導(dǎo)電圖案352可以由源極接地線334G上的多個島圖案構(gòu)成。第二導(dǎo)電圖案352的每個島圖案具有其長度在X軸上并且其寬度在y軸上的條形。第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)在源極接地線334G上具有盡可能的最大長度，同時仍然與第一導(dǎo)電圖案351間隔開。另外，第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)具有至少與第二導(dǎo)電圖案352的其他相鄰島圖案間隔開的盡可能的最大寬度。因此，第二導(dǎo)電圖案352減小源極接地線334G與聚酰亞胺之間的接觸面積，從而防止堤壩層中的缺陷。
[0045]參照圖9，第二導(dǎo)電圖案352可以由源極接地線334G上的多個島圖案構(gòu)成。第二導(dǎo)電圖案352的每個島圖案具有其長度在X軸上并且其寬度在y軸上的條形。第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)與接地線334G —樣長，但是本發(fā)明不限于此，并且第二導(dǎo)電圖案352可以在源極接地線334G的長度內(nèi)被分成多個部分。另外，第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)具有至少與第二導(dǎo)電圖案352的其他相鄰島圖案分隔開并且與第一導(dǎo)電圖案351分隔開的盡可能的最大寬度。雖然附圖示出了第二導(dǎo)電圖案352具有三個島圖案，但是第二導(dǎo)電圖案352可以具有數(shù)十個或數(shù)百個島圖案。因此，第二導(dǎo)電圖案352使源極接地線334G與聚酰亞胺之間的接觸面積最小化，從而防止堤壩層中的缺陷。
[0046]參照圖10，第二導(dǎo)電圖案352可以包括源極接地線334G上的多個開口 353。第二導(dǎo)電圖案352具有其寬度在X軸上并且其長度在I軸上的條形狀。第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)與接地線334G —樣長，但本發(fā)明不限于此，并且第二導(dǎo)電圖案352可以在源極接地線334G的長度內(nèi)被分成多個部分。另外，第二導(dǎo)電圖案352應(yīng)具有與第一導(dǎo)電圖案351間隔開的盡可能的最大寬度。雖然附圖示出了第二導(dǎo)電圖案352為單個條的形狀，但是本發(fā)明不限于此，并且第二導(dǎo)電圖案352可以是多個條的形狀，并且包括多個開口 353。此外，多個條353的數(shù)量可以依據(jù)第二導(dǎo)電圖案352的長度或?qū)挾榷兓?br> [0047]再次參照圖5和圖6，堤壩360形成在基板300上的特別是除發(fā)光區(qū)域外的顯示區(qū)域中。堤壩區(qū)域使顯示區(qū)域分離于非顯示區(qū)域。發(fā)光層355設(shè)置在陽極350上。發(fā)光層355可以發(fā)射紅(R)光、綠(G)光和藍(lán)(B)光，并且可以由包括例如磷光材料或熒光材料的有機(jī)材料制成。當(dāng)發(fā)光層355發(fā)紅光時，其包含含有咔唑聯(lián)苯(CBP)或N，N-二咔唑基-3，5-苯(mCP)的基質(zhì)材料。此外，發(fā)光層355可以由含有包含選自PlQIr (乙酰丙酮)(二(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr (乙酰丙酮)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)以及PtOEP (八乙基卟啉鉬)中的至少一種的摻雜劑的磷光材料或含有PBD:Eu (DBM) 3 (Phen)或茈的熒光材料形成。可以使用其他材料。當(dāng)發(fā)光層355發(fā)綠光時，其包含含有CBP或mCP的基質(zhì)材料。此外，發(fā)光層355可以由包含含有Ir (ppy) 3 (fac三(2-苯基吡啶)銥)的摻雜劑的磷光材料或包含Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)的熒光材料形成。可以使用其他材料。當(dāng)發(fā)光層355發(fā)藍(lán)光時，其包含含有CBP或mCP的基質(zhì)材料。此外，發(fā)光層355可以由包含含有(4，6-F2ppy)21rpic的摻雜劑的磷光材料或含有選自spiro-DPVB1、spiro-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳(DSA)、基于PFO的聚合物、基于PPV的聚合物以及其組合中的任意一種的熒光材料形成?？梢允褂闷渌牧稀?br> [0048]在包括發(fā)光層355的堤壩層360上布置有陰極370。陰極370可以是陰極電極，并且可以由具有低的功函數(shù)的鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)或其合金制成。陰極370通過堤壩層360中的通孔連接至第一導(dǎo)電圖案351。
[0049]在基板300的形成有上述有機(jī)發(fā)光二極管260的整個表面上形成第一鈍化膜380，形成有機(jī)膜層383以填充下面的臺階部分，以及形成第二鈍化膜385以覆蓋機(jī)膜層383的頂部。第一鈍化膜380、有機(jī)膜層383、以及第二鈍化膜385用作保護(hù)包括形成在基板300上的有機(jī)發(fā)光二極管260的元件免受外部沖擊并且防止來自外部的水分和氧氣滲透的阻擋。
[0050]第一鈍化膜380的另外的優(yōu)點是其填充分離的第一導(dǎo)電圖案351和第二導(dǎo)電圖案352之間的間隙，從而防止已滲透通過第二導(dǎo)電圖案352的APC的任何水分更進(jìn)一步地滲透到第一導(dǎo)電圖案351中。此外，由于第一鈍化膜380填充圖案351與圖案352之間的剩余的間隙，所以恰好沉積在間隙中的任何殘留的堤壩層是無關(guān)緊要的，從而防止水分滲透。
[0051]此外，在基板300的形成有第二鈍化膜385的上方附接有阻擋膜397，在基板300與阻擋膜397之間介入有密封材料395。更具體地，制備阻擋膜397，接著將密封膜395施用到阻擋膜397的一個表面，并且附接到基板300上方。此處，密封材料395可以是施用到基板300的整個表面并且具有高的透過率和粘合特性的面密封。此外，阻擋膜397可以利用具有高的透過率特性的材料如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚碳酸酯(PC)形成。
[0052]優(yōu)選地，基板300和阻擋膜397借助介于其間的密封材料395而被完全密封和附接。接地線270通過第一鈍化膜380和第二鈍化膜385被密封。如此，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置被制造為開關(guān)TFT230和驅(qū)動TFT240、有機(jī)發(fā)光二極管260、以及使用密封材料395的阻擋膜397的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0053]如上所述，根據(jù)本示例性實施方案的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置通過使用導(dǎo)電圖案覆蓋接地線來防止由后續(xù)施用的有機(jī)物質(zhì)之間的低的接觸力所造成的應(yīng)用缺陷、間隙和/或斑點。此外，可以阻擋水分由于Ag腐蝕而滲透通過含APC的導(dǎo)電圖案的路徑，從而防止顯示區(qū)域中的元件由于水分滲透引起的缺陷。
[0054]盡管已經(jīng)參照實施方案的大量示例性實施方案對實施方案進(jìn)行了描述，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出落入本公開內(nèi)容的原則的范圍內(nèi)的許多其他修改和實施方案。更具體地，各種變型和修改在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的構(gòu)件部分和/或主題組合布置的布置上是可能的。除了在構(gòu)件部分和布置中的變型和修改，替代性用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也將是明顯的。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括: 基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域； 形成在所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管； 連接至所述薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光層； 形成為限定所述有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的堤壩； 設(shè)置在所述非顯示區(qū)域中并且未被所述堤壩覆蓋的金屬圖案； 連接至所述有機(jī)發(fā)光層的第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案也連接至所述金屬圖案；以及 連接至所述金屬圖案的第二導(dǎo)電圖案，所述第二導(dǎo)電圖案物理上分離于所述第一導(dǎo)電圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述金屬圖案是沿所述顯示區(qū)域的外周形成在所述非顯示區(qū)域中的接地線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，還包括: 形成在所述有機(jī)發(fā)光層下方的陽極；以及 形成在所述有機(jī)發(fā)光層上方的陰極，所述陰極連接至所述第一導(dǎo)電圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述金屬圖案包括: 第一金屬圖案，所述第一金屬圖案由所述薄膜晶體管的柵電極所包含的柵極金屬制成；以及 第二金屬圖案，所述第二金屬圖案由所述薄膜晶體管的源電極所包含的源極金屬制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第一金屬圖案和第二金屬圖案彼此電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案由與陽極相同的材料層制成并且具有與所述陽極相同的堆疊結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第二導(dǎo)電圖案包括物理上彼此分離的多個部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述多個部分為島或條的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述第二導(dǎo)電圖案包括露出所述金屬圖案的多個開口，所述開口填充有鈍化膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中在所述堤壩層下方形成有所述第一導(dǎo)電圖案的至少一部分。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置，包括: 基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域； 薄膜晶體管； 設(shè)置在所述顯示區(qū)域中并且連接至所述薄膜晶體管的陽極； 設(shè)置在所述顯示區(qū)域中的所述陽極上的有機(jī)發(fā)光層； 設(shè)置在所述顯示區(qū)域中的所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極； 設(shè)置在所述顯示區(qū)域中并且使所述有機(jī)發(fā)光層分離于所述非顯示區(qū)域的堤壩； 設(shè)置在所述非顯示區(qū)域中的接地線； 第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案連接至所述堤壩、所述陰極、以及所述接地線；以及 第二導(dǎo)電圖案，所述第二導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述非顯示區(qū)域中并且連接至所述接地線，所述第二導(dǎo)電圖案物理上分離于所述第一導(dǎo)電圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案由相同的材料或相同的多種材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的OLED裝置，其中所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案由在兩個銦錫氧化物層之間的銀合金層形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案形成為三層結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述陽極、所述第一導(dǎo)電圖案、以及所述第二導(dǎo)電圖案由相同的材料或相同的多種材料形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案由鈍化膜物理分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述接地線包括: 柵極接地線，所述柵極接地線由與所述薄膜晶體管的柵電極相同的材料制成；以及 源極接地線，所述源極接地線由與所述薄膜晶體管的源電極相同的材料制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED裝置，其中所述第二導(dǎo)電圖案包括多個物理上分離的部分，所述部分中的每一個均連接至所述接地線。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的OLED裝置，其中所述多個部分由鈍化膜分離。
【文檔編號】H01L27/32GK104253145SQ201410295000
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】成基榮, 金相壽, 申相一 申請人:樂金顯示有限公司