有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于像素限定層上的間隔物。像素限定層包括對應(yīng)于像素的開口。裝置還包括發(fā)射具有不同顏色的光的第一像素到第三像素。第一像素和第二像素在行方向上被交替地布置，以及第三像素在行方向上被連續(xù)地布置。交替地布置有第一像素和第二像素的行和連續(xù)地布置有第三像素的行在列方向上彼此相鄰。間隔物布置在兩個(gè)第三像素之間。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]2013年7月5日提交的、題為“有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法”的第10-2013-0078984號韓國專利申請通過弓I用的方式整體地并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本文中描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]已經(jīng)開發(fā)出各種類型的平板顯示器。實(shí)例包括液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示裝置和電泳顯示裝置。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，每個(gè)像素均響應(yīng)于施加至有機(jī)發(fā)光二極管的陽極和陰極的信號而從有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射光。每個(gè)二極管均包括有機(jī)發(fā)光層，該有機(jī)發(fā)光層發(fā)射具有與有機(jī)發(fā)光層中流動(dòng)的電流相對應(yīng)的亮度的光。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:襯底；位于襯底之上的像素限定層，該像素限定層包含對應(yīng)于多個(gè)像素的多個(gè)開口 ；以及位于像素限定層上的間隔物，其中多個(gè)像素包含發(fā)射不同顏色光的多個(gè)第一像素、多個(gè)第二像素、和多個(gè)第三像素，其中第一像素和第二像素在行方向上被交替地布置以及第三像素在行方向上被連續(xù)地布置，其中交替地布置有第一像素和第二像素的行和連續(xù)地布置有第三像素的行在列方向上彼此相鄰，間隔物布置在第三像素中的兩個(gè)之間。
[0006]另外，交替地布置有第一像素和第二像素的行和連續(xù)地布置有第三像素的行被交替地布置。
[0007]另外，裝置還包括包含位于襯底上的第一到第三陽極的多個(gè)陽極；位于多個(gè)陽極上的有機(jī)發(fā)光層；以及位于有機(jī)發(fā)光層上的陰極，其中，第一陽極位于第一像素中，第二陽極位于第二像素中，第三陽極位于第三像素中，并且多個(gè)陽極的部分區(qū)域位于像素限定層的下面，其中間隔物與第三陽極重疊。
[0008]另外，有機(jī)發(fā)光層包含:位于第一像素中并發(fā)射第一顏色的光的第一有機(jī)發(fā)光層；位于第二像素中并發(fā)射第二顏色的光的第二有機(jī)發(fā)光層；以及位于第一到第三像素中并發(fā)射第三顏色的光的第三有機(jī)發(fā)光層。
[0009]第三有機(jī)發(fā)光層可位于第一有機(jī)發(fā)光層和第二有機(jī)發(fā)光層之上。此外，或者可選地，第三有機(jī)發(fā)光層可位于第一有機(jī)發(fā)光層和第二有機(jī)發(fā)光層之下。
[0010]另外，像素限定層的高度大體上為從2000到5000埃，間隔物的高度大體上為3000到7000埃。間隔物和第一像素之間的距離與間隔物和第二像素之間的距離為大約8 μ m或更大。間隔物和第三像素之間的距離為大約3μπι或更小。像素限定層和間隔物可單獨(dú)形成或者形成為一體。
[0011]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括:準(zhǔn)備襯底；形成包含位于襯底上的多個(gè)第一陽極、多個(gè)第二陽極和多個(gè)第三陽極的多個(gè)陽極；在多個(gè)陽極和襯底上形成像素限定層，像素限定層包含暴露多個(gè)陽極的相應(yīng)區(qū)域的多個(gè)開口 ；在像素限定層上形成間隔物；在第一陽極上形成第一有機(jī)發(fā)光層以及在第二陽極上形成第二有機(jī)發(fā)光層；在第三陽極、第一有機(jī)發(fā)光層和第二有機(jī)發(fā)光層上形成第三有機(jī)發(fā)光層；以及在第三有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。第一陽極和第二陽極在行方向上交替地布置并且第三陽極在行方向上連續(xù)地布置。交替地布置有第一陽極和第二陽極的行和連續(xù)地布置有第三陽極的行在列方向上彼此相鄰。間隔物布置在使在行方向上相鄰的兩個(gè)第三陽極暴露的開口之間。
[0012]另外，第一有機(jī)發(fā)光層和第二有機(jī)發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)印方式形成。間隔物可通過沉積形成在像素限定層上。間隔物通過選擇性地移除像素限定層而形成。間隔物可被形成以重疊第三陽極。
[0013]另外，像素限定層的高度大體上可為2000到5000埃。間隔物的高度大體上可為3000到7000埃。間隔物和第一陽極之間的距離與間隔物和第二陽極之間的距離為大約8 μ m或更大。間隔物和第三陽極之間的距離為大約3 μ m或更小。
[0014]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括:準(zhǔn)備襯底，該襯底包含基底、布置在基底上的多個(gè)薄膜晶體管、以及位于薄膜晶體管上并具有多個(gè)通孔的絕緣層，該通孔暴露所述多個(gè)薄膜晶體管的相應(yīng)區(qū)域；在襯底上形成多個(gè)陽極，多個(gè)陽極通過多個(gè)通孔連接至多個(gè)薄膜晶體管，多個(gè)陽極包含多個(gè)第一陽極、多個(gè)第二陽極、和多個(gè)第三陽極；在多個(gè)陽極上形成像素限定層，像素限定層包含暴露多個(gè)陽極各自的區(qū)域的多個(gè)開口 ；在像素限定層上形成間隔物；在第一到第三陽極上形成第三有機(jī)發(fā)光層；在第一陽極和第三有機(jī)發(fā)光層上形成第一有機(jī)發(fā)光層以及在第二陽極和第三有機(jī)發(fā)光層上形成第二有機(jī)發(fā)光層；以及在第一到第三有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。
[0015]第一陽極和第二陽極在行方向上交替地布置并且第三陽極在行方向上連續(xù)地布置。交替地布置有第一陽極和第二陽極的行和連續(xù)地布置有第三陽極的行在列方向上彼此相鄰。間隔物布置在使在行方向上相鄰的兩個(gè)第三陽極暴露的開口之間。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言特征將變得顯而易見，其中:
[0017]圖1示出有機(jī)發(fā)光顯示裝置的實(shí)施方式；
[0018]圖2示出沿著圖1中截面線11-11’的視圖；
[0019]圖3示出制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的實(shí)施方式；
[0020]圖4到10示出與制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法相對應(yīng)的實(shí)施方式的不同階段的剖面圖；
[0021]圖11示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖；
[0022]圖12示出制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的另一個(gè)實(shí)施方式；
[0023]圖13示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
[0024]圖14示出制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的另一個(gè)實(shí)施方式。

【具體實(shí)施方式】
[0025]示例性實(shí)施方式在下文中參考附圖更全面地描述。但是，這些實(shí)施方式可體現(xiàn)為不同的形式并且不應(yīng)被解釋為限制本文所述的實(shí)施方式。更確切地，提供這些實(shí)施方式以使本發(fā)明變得透徹和完整，并且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方式。
[0026]在附圖中，層和區(qū)域的尺寸可能被放大以清楚地說明。還應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)層或元件被稱作“在另一個(gè)層或襯底之上”，該層或元件可直接在其它層或襯底之上，或者中間層也可以存在。而且，應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)層被稱作“在另一個(gè)層之下”，該層可直接在另一個(gè)層之下，以及一個(gè)或一個(gè)以上的中間層也可以存在。此外，還應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)一個(gè)層被稱作“在兩個(gè)層之間”，該層可以是兩個(gè)層之間僅有的層，或者一個(gè)或一個(gè)以上的中間層也可以存在。全文中，同樣的附圖標(biāo)記指的是相同的元件。
[0027]圖1示出有機(jī)發(fā)光顯示裝置的實(shí)施方式的平面圖。圖2示出沿著圖1的線11-11’的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
[0028]參考圖1至圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I包括襯底10、像素限定層30、和間隔物SP。襯底10可包括基底11、緩沖層12、柵極絕緣層13、層間絕緣層14、多個(gè)薄膜晶體管和平面化層15，其中多個(gè)薄膜晶體管中的每一個(gè)均包括半導(dǎo)體層SM、柵電極G、源電極S、和漏電極D0
[0029]基底11可以由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等絕緣材料制成。在一個(gè)實(shí)施方式中，基底11可具有平板形狀。并且，根據(jù)一些實(shí)施方式，基底11可由通過外力容易變形的材料制成?；?1可支撐其他布置在基底11上的組成元件。
[0030]緩沖層12可布置在基底11上。緩沖層12阻止雜質(zhì)元素滲入基底11的上表面并用于平面化基底11的上表面。緩沖層可由各種能夠完成這種功能的材料制成。例如氮化硅(SiNx)層、二氧化硅(S12)層、氮氧化硅(S1xNy)層之一可用作緩沖層12。根據(jù)一些實(shí)施方式，緩沖層12可省略。
[0031]半導(dǎo)體層SM可布置在緩沖層11上。半導(dǎo)體層SM可形成為非晶硅層或者多晶硅層。根據(jù)一些實(shí)施方式，半導(dǎo)體層SM可由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體層SM可包括未摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)域。源區(qū)域和漏區(qū)域分別布置在溝道區(qū)的兩側(cè)并分別與源電極S和漏電極D接觸。
[0032]柵極絕緣層13可布置在半導(dǎo)體層SM上。柵極絕緣層13可使柵電極G和半導(dǎo)體層SM彼此絕緣。例如，柵極絕緣層13可由氮化硅(SiNx)或二氧化硅(S12)形成。
[0033]柵電極G可布置在柵極絕緣層13上。柵電極G可布置為與半導(dǎo)體層SM的至少一部分重疊。依據(jù)電壓是否被施加到柵電極G上，半導(dǎo)體層SM可能或者不能成為導(dǎo)通狀態(tài)。例如，當(dāng)相對高的電壓被施加到柵電極G上時(shí)，半導(dǎo)體層SM處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此漏電極D和源電極S可彼此電連接。當(dāng)相對低的電壓被施加到柵電極G上時(shí)，半導(dǎo)體層SM處于非導(dǎo)通狀態(tài)，因此漏電極D和源電極S可彼此絕緣。
[0034]層間絕緣層14可布置在柵電極G上。層間絕緣層14可覆蓋柵電極G以使柵電極G從源電極S和漏電極D絕緣。層間絕緣層14可由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(S12)等制成。
[0035]源電極S和漏電極D可布置在層間絕緣層14上。源電極S和漏電極D可通過穿過層間絕緣層14和柵極絕緣層13的通孔分別與半導(dǎo)體層SM連接。
[0036]源電極S、漏電極D、柵電極G和半導(dǎo)體層SM可形成薄膜晶體管。薄膜晶體管可根據(jù)施加于柵電極G上的電壓決定是否將傳遞給源電極S的信號傳遞給漏電極D。
[0037]平面化層15可布置在層間絕緣層14、源電極S和漏電極D上。為了提高布置在平面化層15上的有機(jī)發(fā)光層41、42和43的發(fā)光效率，平面化層15移除在源電極S和漏電極D上的臺(tái)階以形成平整的表面，這將在下面更詳細(xì)的說明。
[0038]平面化層15可由聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹月旨、不飽和聚酯樹脂、聚亞苯基醚樹脂、聚亞苯基硫醚樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)中的一種或多種材料制成。通孔V可形成在平面化層15中，并且下面描述的陽極21、22和23通過通孔V接觸漏電極D以彼此電連接。
[0039]像素限定層30可布置在襯底10上。多個(gè)開口可形成在像素限定層30中，并且多個(gè)像素P1、P2和P3可通過多個(gè)開口各自的內(nèi)部區(qū)域限定。為了降低有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的厚度，需要降低像素限定層30的高度hi。然而，當(dāng)像素限定層30的高度hi過于小時(shí)，布置在一個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光層滲入到其它相鄰像素中，從而降低了有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的顯示質(zhì)量。因此，像素限定層30的高度hi可具有最小界限。例如，像素限定層30的高度hi大體上可為2000到5000埃。
[0040]多個(gè)像素可包括第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。第一到第三像素P1、P2和P3可以為具有不同顏色的像素。例如，第一像素Pl可以為紅色像素，第二像素P2可以為綠色像素，以及第三像素P3可以為藍(lán)色像素。第一像素Pl和第二像素P2可沿行方向交替地布置。第三像素P3可沿行方向連續(xù)地布置。交替地布置有第一像素Pl和第二像素P2的行、以及連續(xù)地布置有第三像素P3的行，可以在列方向上彼此相鄰。交替地布置有第一像素Pl和第二像素P2的行、以及連續(xù)地布置有第三像素P3的行，可以沿列方向交替地布置。
[0041]間隔物SP可由大體上與像素限定層30相同的或者不同的材料制成。間隔物SP可布置在像素限定層30上。間隔物SP可布置在兩個(gè)相鄰的第三像素P3之間。當(dāng)?shù)谝挥袡C(jī)層41或第二有機(jī)層42通過激光轉(zhuǎn)印方式形成時(shí)，布置有間隔物SP的區(qū)域與沒有布置間隔物SP的區(qū)域相比更向上突出。因此，距間隔物SP相對較近的第三像素P3中的區(qū)域與供體膜之間的距離大于距間隔物SP相對較遠(yuǎn)的第一像素P1、第二像素P2中的區(qū)域與供體膜之間的距離。
[0042]因此，當(dāng)?shù)谝挥袡C(jī)層41形成在第一像素Pl中時(shí)，或者當(dāng)?shù)诙袡C(jī)層42形成在第二像素P2中時(shí)，間隔物所導(dǎo)致的結(jié)果是，第一有機(jī)層41或者第二有機(jī)層42滲入第三像素P3的可能性可被降低。間隔物SP還允許第三像素P3與第一像素Pl之間的距離以及第三像素P3與第二像素P2之間的距離被減小。這可轉(zhuǎn)化為有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的孔徑比和分辨率的改善或提高。這將在下面參考圖8詳細(xì)描述。
[0043]當(dāng)間隔物SP的高度過大時(shí)，供體膜與第一像素Pl和第二像素P2之間的距離過大。因此，第一有機(jī)層41不能平滑地轉(zhuǎn)印到第一像素P1，或者第二有機(jī)層42不能平滑地轉(zhuǎn)印到第二像素P2。相反地，當(dāng)間隔物SP的高度過小時(shí)，第一有機(jī)層41或第二有機(jī)層42可滲入第三像素P3中。為了使第一有機(jī)層41和/或第二有機(jī)層42平滑地轉(zhuǎn)印到第一像素Pl和/或第二像素P2，并阻止第一有機(jī)層41和/或第二有機(jī)層42滲入第三像素P3中，從像素限定層30的上部測量的間隔物SP的高度h2大體上可為3000到7000埃。
[0044]當(dāng)間隔物SP和第三像素P3之間的距離dl過大時(shí)，間隔物SP可能不能有效地完成阻止第一有機(jī)層41和/或第二有機(jī)層42滲入第三像素P3的功能。為了阻止第一有機(jī)層41和/或第二有機(jī)層42滲入第三像素P3，間隔物SP與第三像素P3之間的距離dl可為大約3μπι或更小。
[0045]當(dāng)間隔物SP和第一像素Pl之間的距離d3過小時(shí)，第一有機(jī)層41不能正確地轉(zhuǎn)印到鄰近間隔物SP的第一像素Pl的區(qū)域。因此，為了使第一有機(jī)層41轉(zhuǎn)印到第一像素Pl中，間隔物SP和第一像素Pl之間的距離d3可為大約8 μ為或更大。類似地，間隔物SP和第二像素Ρ2之間的距離d2可為大約8 μ為或更大。
[0046]間隔物SP可與第三陽極23重疊。也就是說，間隔物SP的至少一部分區(qū)域可布置在第三陽極23上。例如，當(dāng)像素限定層30的厚度小時(shí)，根據(jù)像素限定層30的下部形狀，像素限定層30的上表面的形狀可以是彎曲的。間隔物SP的與第三陽極23重疊的區(qū)域可布置在像素限定層30的上表面的最高部分。因此，當(dāng)間隔物SP與第三陽極23重疊時(shí)，即使少量的材料被用于形成間隔物SP，間隔物SP也可形成為具有足夠的高度。
[0047]有機(jī)發(fā)光顯示裝置I還包括多個(gè)陽極21、22和23、有機(jī)發(fā)光層41、42和43、以及陰極50。
[0048]多個(gè)陽極21、22和23可布置在襯底上。多個(gè)陽極21、22和23可由反射性導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電材料或半透明導(dǎo)電材料制成。例如，反射性導(dǎo)電材料可使用鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)，透明導(dǎo)電材料可使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3),半透明導(dǎo)電材料可使用包括鎂(Mg)和銀(Ag)中的一種或多種的共沉積材料，或者鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)、鋰(Li)、和鋁(Al)中的一種或多種材料。
[0049]多個(gè)陽極21、22和23中的每一個(gè)可通過通孔V與薄膜晶體管連接。多個(gè)陽極21、22和23彼此隔開以分別布置在多個(gè)像素P1、P2和P3中的一個(gè)像素中。多個(gè)陽極可包括第一陽極21、第二陽極22和第三陽極23。第一陽極21可布置在第一像素Pl中，第二陽極22可布置在第二像素P2中，第三陽極23可布置在第三像素P3中。多個(gè)陽極21、22和23中的每一個(gè)的邊緣區(qū)域可布置在像素限定層30的下面，但是不必限制于此。
[0050]有機(jī)發(fā)光層41、42和43可布置在多個(gè)陽極21、22和23上。當(dāng)電流流入有機(jī)發(fā)光層41、42和43中時(shí)，可發(fā)射光。更具體地說，當(dāng)空穴和電子被提供至有機(jī)層41、42和43且激子(由空穴和電子的復(fù)合而形成)的能量水平從激發(fā)態(tài)變化為基態(tài)時(shí)，可發(fā)射出具有與變化能量水平相對應(yīng)的顏色的光。根據(jù)一些實(shí)施方式，由有機(jī)發(fā)光層41、42和43發(fā)射的光的顏色可以是紅色、藍(lán)色和綠色中的一個(gè)。由有機(jī)發(fā)光層41、42和43發(fā)射的光的亮度可響應(yīng)于有機(jī)層中流動(dòng)電流的大小而發(fā)生變化。
[0051]有機(jī)發(fā)光層41、42和43可包括發(fā)射具有不同顏色的光的第一有機(jī)發(fā)光層41、第二有機(jī)發(fā)光層42和第三有機(jī)發(fā)光層43?；蛘撸l(fā)光層可通過不同顏色的濾光片發(fā)射白光。
[0052]例如，第一有機(jī)發(fā)光層41可發(fā)射紅光，第二有機(jī)發(fā)光層42可發(fā)射綠光，第三有機(jī)發(fā)光層可發(fā)射藍(lán)光，但是不必限制于此。第一有機(jī)發(fā)光層41布置在第一陽極21上以布置在第一像素Pl中。第二有機(jī)發(fā)光層42布置在第二陽極22上以布置在第二像素P2中。第三有機(jī)發(fā)光層43可布置在第一到第三陽極21、22和23上，并布置在第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42上。第三有機(jī)發(fā)光層43可布置在有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的前側(cè)。布置在第一像素Pl或第二像素P2中的第三有機(jī)發(fā)光層43不發(fā)光，因此不影響第一像素Pl和第二像素P2的顏色。也就是說，第三有機(jī)發(fā)光層43主要在第三像素P3中發(fā)光，但可在第一像素Pl和第二像素P2中將電子傳輸?shù)降谝挥袡C(jī)發(fā)光層41和第二有機(jī)發(fā)光層42。
[0053]陰極50可布置在有機(jī)發(fā)光層41、42和43上。陰極50可朝向多個(gè)陽極21、22和23布置。陰極50可整體地布置在有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的前側(cè)，但是不必限制于此。陰極50可由與陽極21、22和23相同的材料制成，但是不必限制于此。例如，在陽極21、22和23是反射電極的情況中，陰極50可以是透明或半透明電極。在陽極21、22和23是透明或半透明電極的情況中，陰極50可以是反射電極。
[0054]圖3到10描述用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的方法的實(shí)施方式。具體地，圖3示出包括在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法中的工序的流程圖。圖4到圖10示出處于方法的不同階段的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。詳細(xì)地，圖4到圖10參照與圖1的11-11’相同的區(qū)域示出有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
[0055]參考圖3，方法可包括:步驟S10，準(zhǔn)備襯底10 ;步驟S20，形成陽極21、22和23 ;步驟S30，形成像素限定層30 ;步驟S40，形成間隔物SP ;步驟S50，形成第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42 ;步驟S60，形成第三有機(jī)發(fā)光層43 ；以及步驟S70，形成陰極50。
[0056]例如，襯底10可如圖4所示準(zhǔn)備。襯底10基本上可與圖2所示襯底10相同。
[0057]在形成陽極21、22和23的步驟S20中，多個(gè)陽極21、22和23可形成在襯底10上，如圖5所示。陽極21、22和23可通過使用掩膜的沉積形成，但是不必限制于此。多個(gè)陽極21,22和23中的每一個(gè)可通過通孔V與薄膜晶體管連接。
[0058]在形成像素限定層30的步驟S30中，如圖6所示，像素限定層30形成在襯底10上。像素限定層30可通過使用掩膜的沉積形成，但是不必限制于此。例如，通過在整個(gè)表面上覆蓋用于形成像素限定層30的材料然后移除開口，可形成具有如圖6所示形狀的像素限定層30?？尚纬上袼叵薅▽?0以使至少一部分區(qū)域與陽極21、22和23重疊。像素限定層30可形成為具有大體上2000到5000埃的高度。
[0059]在形成間隔物SP的步驟S40中，如圖7所示，間隔物SP可形成在像素限定層30上。間隔物SP可通過使用單獨(dú)掩膜的涂覆或者沉積形成。間隔物SP可形成在沿行方向彼此相鄰的兩個(gè)第三像素P3之間?？尚纬砷g隔物SP以使其與第三陽極23重疊?？尚纬砷g隔物SP以使從像素限定層30的上表面起的高度h2基本為2000到5000埃?？尚纬砷g隔物SP以使其與第一像素Pl之間的距離以及其與第二像素P2之間的距離為大約8 μ間或更大?？尚纬砷g隔物SP以使其與第三像素Ρ3之間的距離大約為3 μ距或更小。
[0060]在形成第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42的步驟S50中，第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42可通過使用激光轉(zhuǎn)印方式形成。參考圖8，當(dāng)形成第一有機(jī)發(fā)光層41時(shí)，可布置供體膜DF以接觸間隔物SP，間隔物SP形成在事先形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的結(jié)構(gòu)中的較高位置處。因?yàn)楣w膜DF可受重力而彎曲，所以距間隔物SP相對較近的第三像素Ρ3中的區(qū)域與供體膜DF之間的距離大于距間隔物SP相對較遠(yuǎn)的第一像素Pl和第二像素Ρ2中的區(qū)域與供體膜DF之間的距離。
[0061]光掩模LM可布置在供體膜DF上。開口可形成在光掩模LM中。形成在光掩模LM中的開口可布置在第一像素Pl上。激光L可通過光掩模LM的開口輻射至供體膜DF。通過輻射至供體膜DF的激光L，有機(jī)材料從供體膜DF形成液滴以向下方釋放。有機(jī)材料的液滴接觸第一陽極21。結(jié)果是，第一有機(jī)發(fā)光層41的轉(zhuǎn)印可被執(zhí)行。
[0062]第二有機(jī)發(fā)光層42可由與形成第一有機(jī)層21的方法基本相同的方法形成。通過這種方法，第一和第二有機(jī)層21和22可如圖9所示形成。因?yàn)楫?dāng)?shù)谝挥袡C(jī)層41或第二有機(jī)層42被轉(zhuǎn)印時(shí)，因?yàn)榭拷g隔物SP的第三像素P3中的區(qū)域與供體膜DF之間的距離大于第一和第二像素Pl和P2中的區(qū)域與供體膜DF之間的距離，所以第一有機(jī)層41和第二有機(jī)層42滲入第三像素P3的可能性可降低。因此，即使像素之間的距離減小了，也可阻止第一有機(jī)層41和第二有機(jī)層42滲入第三像素P3。結(jié)果是，能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的孔徑比和分辨率。
[0063]如圖10所示，在形成第三有機(jī)發(fā)光層43的步驟S60中，第三有機(jī)發(fā)光層43可形成在有機(jī)發(fā)光顯不裝置I的前側(cè)。第三有機(jī)發(fā)光層43可形成在第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42上。第三有機(jī)發(fā)光層43可不使用單獨(dú)的掩模而形成。
[0064]在形成陰極50的步驟S70中，陰極50可形成在第三有機(jī)發(fā)光層43上。通過陰極50的形成，可形成如圖2所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0065]圖11示出另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的剖面圖。圖12示出制造圖11中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的實(shí)施方式。
[0066]參考圖11和12,在有機(jī)發(fā)光顯不裝置2中，第三有機(jī)發(fā)光層43可布置在第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42的下面。即使第三有機(jī)發(fā)光層43布置在第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42的下面，有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的工序與圖1和2中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I也基本上相同。并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的平面圖與圖1基本相同。
[0067]制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的方法可包括:步驟S10，準(zhǔn)備襯底10 ;步驟S20，形成陽極21、22、和23 ;步驟S30，形成像素限定層30 ;步驟S40，形成間隔物SP步驟S51，形成第三有機(jī)發(fā)光層43 ;步驟S61，形成第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42 ;以及步驟S70，形成陰極50。為了制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置2，形成第三有機(jī)發(fā)光層43的步驟S51可以先于形成第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42的步驟S61。用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置2的方法的其它說明與參考圖3到圖10描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造方法的說明基本上相同，因此省略。
[0068]圖13示出另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的剖面圖。圖14示出制造圖13所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的方法的流程圖。
[0069]參考圖13，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置3中，間隔物SP和像素限定層30可形成為一體。從而，在間隔物SP和像素限定層30之間可以不存在邊界。并且，與其它區(qū)域相比，像素限定層30的從上表面相對突出的區(qū)域可被限定為間隔物SP。有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的其它描述與用于圖1和2中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的描述基本上相同，因此省略。
[0070]參考圖14，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的方法可包括:步驟S10，準(zhǔn)備襯底10 ;步驟S20，形成陽極21、22和23 ;步驟S31，形成像素限定層30和間隔物SP ;步驟S50，形成第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42 ;步驟S60，形成第三有機(jī)發(fā)光層43 ;以及步驟S70，形成陰極50。在形成像素限定層30和間隔物SP的步驟S31中，用于形成像素限定層30的材料被涂覆在事先形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的結(jié)構(gòu)上。然后涂覆的材料被選擇性地移除，使得在形成有間隔物SP的區(qū)域中的移除量小于在像素限定層30的其他區(qū)域中的移除量。結(jié)果是，間隔物SP和像素限定層30可形成為一體。用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置3的方法的其它說明與參考圖3到圖10描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造方法的說明基本上相同，因此省略。
[0071]根據(jù)一些實(shí)施方式，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，間隔物SP和像素限定層30可形成為一體。同時(shí)，第三有機(jī)發(fā)光層43可布置在第一和第二有機(jī)發(fā)光層41和42的下面。
[0072]通過總結(jié)和回顧，為了改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的孔徑比和分辨率，像素之間的距離可減小。當(dāng)像素之間的距離減小時(shí)，有效發(fā)光區(qū)域增加，因此孔徑比和分辨率可增加。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，布置在一個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光層被阻止?jié)B入相鄰像素(例如具有不同顏色)中。
[0073]如果這個(gè)滲入沒有被阻止，則可能發(fā)生像素顏色失真。并且，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示質(zhì)量可能降低。具體地，當(dāng)用于發(fā)射綠光或紅光的有機(jī)發(fā)光層滲入藍(lán)色像素中時(shí)，藍(lán)色像素的顏色可能失真。
[0074]在此已經(jīng)公開了舉例的實(shí)施方式，并且盡管采用了特定術(shù)語，使用這些術(shù)語并以通用的和敘述的意義來解釋而不是限制的目的。在一些情況下，對于遞交本申請的領(lǐng)域的技術(shù)人員而言以下內(nèi)容是顯而易見的，與【具體實(shí)施方式】有關(guān)的所描述的特征、特點(diǎn)和/或元件可以被單獨(dú)使用，或者可以與【具體實(shí)施方式】有關(guān)的所描述的特征、特點(diǎn)、和/或元件結(jié)合起來使用，除非另有特別說明。因此，那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可使用在形式上和細(xì)節(jié)上的各種變化而不脫離如權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括: 襯底； 像素限定層，位于所述襯底之上，所述像素限定層包含對應(yīng)于多個(gè)像素的多個(gè)開口 ；以及 間隔物，位于所述像素限定層之上， 其中所述多個(gè)像素包含發(fā)射不同顏色光的多個(gè)第一像素、多個(gè)第二像素和多個(gè)第三像素， 其中所述第一像素和所述第二像素在行方向上被交替地布置并且所述第三像素在行方向上被連續(xù)地布置，以及 其中交替地布置有所述第一像素和所述第二像素的行和連續(xù)地布置有所述第三像素的行在列方向上彼此相鄰，并且所述間隔物布置在所述第三像素中的兩個(gè)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 交替地布置有所述第一像素和所述第二像素的行和連續(xù)地布置有所述第三像素的行被交替地布置。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括: 多個(gè)陽極，包含位于所述襯底上的第一陽極、第二陽極和第三陽極； 有機(jī)發(fā)光層，位于所述多個(gè)陽極上；以及 陰極，位于所述有機(jī)發(fā)光層上，其中， 所述第一陽極位于所述第一像素中，所述第二陽極位于所述第二像素中，所述第三陽極位于所述第三像素中，并且所述多個(gè)陽極的部分區(qū)域位于所述像素限定層的下面，并且其中所述間隔物與所述第三陽極重疊。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述有機(jī)發(fā)光層包含: 第一有機(jī)發(fā)光層，位于所述第一像素中并發(fā)射第一顏色的光； 第二有機(jī)發(fā)光層，位于所述第二像素中并發(fā)射第二顏色的光；以及第三有機(jī)發(fā)光層，位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中并發(fā)射第三顏色的光。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第三有機(jī)發(fā)光層位于所述第一有機(jī)發(fā)光層和所述第二有機(jī)發(fā)光層之上。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第三有機(jī)發(fā)光層位于所述第一有機(jī)發(fā)光層和所述第二有機(jī)發(fā)光層之下。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定層的高度為2000到5000埃，以及 所述間隔物的高度為3000到7000埃。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述間隔物與所述第一像素之間的距離和所述間隔物與所述第二像素之間的距離為8μπι或更大。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述間隔物與所述第三像素之間的距離為3 μ m或更小。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定層和所述間隔物形成為一體。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其特征在于，包括: 形成多個(gè)陽極，所述多個(gè)陽極包含位于襯底上的多個(gè)第一陽極、多個(gè)第二陽極和多個(gè)第三陽極； 在所述多個(gè)陽極和所述襯底上形成像素限定層，所述像素限定層包含暴露所述多個(gè)陽極的相應(yīng)區(qū)域的多個(gè)開口； 在所述像素限定層上形成間隔物； 在所述第一陽極上形成第一有機(jī)發(fā)光層以及在所述第二陽極上形成第二有機(jī)發(fā)光層； 在所述第三陽極、所述第一有機(jī)發(fā)光層和所述第二有機(jī)發(fā)光層上形成第三有機(jī)發(fā)光層；以及 在所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成陰極， 其中所述第一陽極和所述第二陽極在行方向上交替地布置以及所述第三陽極在行方向上連續(xù)地布置， 其中交替地布置有所述第一陽極和所述第二陽極的行和連續(xù)地布置有所述第三陽極的行在列方向上彼此相鄰，并且 其中所述間隔物布置在使在所述行方向上相鄰的兩個(gè)第三陽極暴露的所述開口之間。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 所述第一有機(jī)發(fā)光層和所述第二有機(jī)發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)印方式形成。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 形成所述間隔物以與所述第三陽極重疊。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 所述像素限定層的高度為2000到5000埃。
15.如權(quán)利要求14述的方法，其中， 所述間隔物的高度為3000到7000埃。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中， 所述間隔物與所述第一陽極之間的距離和所述間隔物與所述第二陽極之間的距離為8μπι或更大。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中， 所述間隔物與所述第三陽極之間的距離為3 μ m或更小。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 所述間隔物通過沉積形成在所述像素限定層上。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中， 所述間隔物通過選擇性地移除所述像素限定層而形成。
20.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 準(zhǔn)備襯底，所述襯底包含基底、布置在所述基底上的多個(gè)薄膜晶體管、以及位于所述薄膜晶體管上并具有多個(gè)通孔的絕緣層，所述通孔暴露所述多個(gè)薄膜晶體管的相應(yīng)區(qū)域；在所述襯底上形成多個(gè)陽極，所述多個(gè)陽極通過所述多個(gè)通孔連接至所述多個(gè)薄膜晶體管，所述多個(gè)陽極包含多個(gè)第一陽極、多個(gè)第二陽極和多個(gè)第三陽極； 在所述多個(gè)陽極上形成像素限定層，所述像素限定層包含使所述多個(gè)陽極的相應(yīng)區(qū)域暴露的多個(gè)開口； 在所述像素限定層上形成間隔物； 在所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極上形成第三有機(jī)發(fā)光層； 在所述第一陽極和所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成第一有機(jī)發(fā)光層以及在所述第二陽極和所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成第二有機(jī)發(fā)光層；以及 在所述第一有機(jī)發(fā)光層、所述第二有機(jī)發(fā)光層和所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成陰極，其中所述第一陽極和所述第二陽極在行方向上交替地布置并且所述第三陽極在行方向上連續(xù)地布置，其中交替地布置有所述第一陽極和所述第二陽極的行和連續(xù)地布置有所述第三陽極的行在列方向上彼此相鄰，并且其中所述間隔物布置在使在所述行方向上相鄰的兩個(gè)第三陽極暴露的所述開口之間。
【文檔編號】H01L51/52GK104282717SQ201410294754
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月5日
【發(fā)明者】李相奉 申請人:三星顯示有限公司