電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備，在電光裝置中，形成于元件基板上的鏡由框狀的隔離片和連續(xù)在隔離片上的板狀的透光罩而密封。在隔離片的外表面和透光罩的側(cè)面上形成有無機阻擋層，由該無機阻擋層覆蓋隔離片與透光罩的邊界。
【專利說明】
電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種具備鏡的電光裝置、電光裝置的制造方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，已知有投影型顯示裝置等，所述投影型顯示裝置例如將從光源所發(fā)射出的光由被稱為DMD(數(shù)字微鏡器件)的電光裝置的多個鏡(微鏡)調(diào)制之后將調(diào)制光由投影光學(xué)系統(tǒng)放大投影，從而將圖像顯示在屏幕上。如圖16所示，使用所涉及的投影型顯示裝置等的電光裝置具有在一個面Is側(cè)具備多個鏡50的元件基板I，鏡50由以包圍鏡50的方式粘接于元件基板I的一個面Is側(cè)的隔離片61和粘接于隔離片61的與元件基板I相反側(cè)的端部的板狀的透光罩71而被密封。
[0003]作為制造該電光裝置的方法，提出了對在一個面1s側(cè)具備鏡50的第一晶圓粘接了使形成有貫穿孔的隔離片用晶圓和透光性晶圓重疊粘接的第二晶圓之后來分割第一晶圓和第二晶圓的方法(參照專利文獻I)。根據(jù)該方法，由分割后的隔離片用晶圓形成隔離片61，由分割后的透光性晶圓形成透光罩71。
[0004]但是，根據(jù)專利文獻I記載的制造方法，由于是隔離片61與透光罩71被粘接的構(gòu)造，因此存在無法避免水分從隔離片61與透光罩71的邊界67滲透這種問題。該水分的滲透是在驅(qū)動鏡50時鏡50在保持傾斜的狀態(tài)下經(jīng)由水滴被周圍的構(gòu)件所吸附的原因。該吸附由于是導(dǎo)致鏡50變得無法移動等原因，因此并非優(yōu)選。
[0005]鑒于以上的問題點，本發(fā)明的技術(shù)問題在于提供一種能夠抑制水分經(jīng)由隔離片與透光罩的邊界向配置有鏡的空間滲透的電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設(shè)備。
[0006]在先專利文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:美國專利US 685,6014 BI
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的一個方式的特征在于具有:元件基板；鏡，設(shè)于所述元件基板的第一面?zhèn)?驅(qū)動元件，設(shè)于所述元件基板的所述第一面?zhèn)?，用于?qū)動所述鏡;框狀的隔離片，在俯視觀察中包圍在所述鏡和所述驅(qū)動元件的周圍，且第一端部固定于所述元件基板;透光罩，以所述鏡位于所述元件基板與所述透光罩之間的方式設(shè)于所述第一面?zhèn)?，其中，所述透光罩固定于所述隔離片的與所述第一端部相反側(cè)的第二端部，并具有透光性；以及無機物層，覆蓋所述隔離片與所述透光罩的邊界。
[0010]在本發(fā)明中，設(shè)置有鏡和驅(qū)動元件的元件基板的第一面?zhèn)扔筛綦x片和透光罩密封，同時形成有覆蓋隔離片與透光罩的邊界的無機物層。因此，由無機物層能夠抑制水分從隔離片與透光罩的邊界滲透。因此，在驅(qū)動了鏡時，難以發(fā)生鏡在傾斜的狀態(tài)下水滴被周圍的構(gòu)件吸附而變得無法移動等的不良情況。
[0011 ]在本發(fā)明中，所述無機物層能夠采用從所述隔離片的與所述鏡相反側(cè)的外表面連續(xù)至所述透光罩的側(cè)面的方式。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠準(zhǔn)確地覆蓋隔離片與透光罩的邊界。
[0012]在本發(fā)明中，所述隔離片能夠采用具備由所述透光罩的所述側(cè)面朝向與所述鏡相反側(cè)突出的突出部，所述無機物層從所述隔離片的所述外表面經(jīng)由所述突出部的與所述元件基板相對的面的相反側(cè)的面連續(xù)至所述透光罩的所述側(cè)面的方式。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠準(zhǔn)確地覆蓋隔離片與透光罩的邊界。
[0013]在本發(fā)明中，所述透光罩也可以采用具備由所述隔離片的與所述鏡相反側(cè)的外表面朝向與所述鏡相反側(cè)突出的突出部，所述無機物層從所述隔離片的所述外表面連續(xù)至所述突出部的與所述元件基板相對的面的方式。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠準(zhǔn)確地覆蓋隔離片與透光罩的邊界。
[0014]在本發(fā)明中，能夠采用所述無機物層包含氧化鋁層、氧化硅層和氮化硅層中的至少一層的方式。
[0015]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，該電光裝置的制造方法的特征在于具有:第一晶圓準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備在第一面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域設(shè)置有第一鏡和驅(qū)動所述第一鏡的第一驅(qū)動元件、并在所述第一面?zhèn)鹊牡诙^(qū)域設(shè)置有第二鏡和驅(qū)動所述第二鏡的第二驅(qū)動元件的第一晶圓；第二晶圓形成工序，使透光性晶圓與隔離片用晶圓重疊并粘接，形成第二晶圓，所述第二晶圓具備設(shè)有貫穿所述隔離片用晶圓的第一凹部和第二凹部的第二面;粘接工序，以在俯視觀察中所述第一凹部與所述第一鏡重疊、在俯視觀察中所述第二凹部與所述第二鏡重疊的方式，使所述第一晶圓的所述第一面與所述第二晶圓的所述第二面重疊并粘接；以及分割工序，在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間分割所述第一晶圓與所述第二晶圓的層疊體，在進行所述分割工序之前，在槽內(nèi)進行形成覆蓋所述透光性晶圓和所述隔離片用晶圓的邊界的無機物層的無機物層形成工序。
[0016]在本發(fā)明中，在分割第一晶圓和第二晶圓的層疊體并得到電光裝置時，在對層疊體的分割工序之前，在槽內(nèi)進行形成覆蓋透光性晶圓與隔離片用晶圓的邊界的無機物層的無機物層形成工序。因此，能夠制造在隔離片的與鏡相反側(cè)的外表面和透光罩的側(cè)面形成有覆蓋隔離片與透光罩的邊界的無機物層的電光裝置。在該電光裝置中，由無機物層能夠抑制水分從罩部與隔離片的邊界滲透。因此，在驅(qū)動了鏡時，難以發(fā)生鏡在保持傾斜的狀態(tài)下水滴被周圍的構(gòu)件吸附而變得無法移動等的不良情況。
[0017]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，在所述第二晶圓形成工序中，能夠采用形成在所述第一凹部與所述第二凹部之間設(shè)置有槽的所述第二晶圓的方式。
[0018]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，在所述第二晶圓形成工序中，優(yōu)選在重疊并粘接所述透光性晶圓與所述隔離片用晶圓之前，以貫穿所述隔離片用晶圓的方式預(yù)先形成所述槽。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在透光性晶圓與隔離片用晶圓之間不存在粘接層，因此能夠利用普通的蝕刻進行后面詳述的貫穿工序。
[0019]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，能夠采用在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序，在所述貫穿工序之后、且在所述分割工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序的方式。
[0020]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，也可以采用在所述第二晶圓形成工序之后、且在所述粘接工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序，在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序的方式。
[0021]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，也可以采用在所述粘接工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序，在所述貫穿工序之后、且在所述粘接工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序的方式。
[0022]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選在所述第二晶圓形成工序中，以貫穿所述隔離片用晶圓的方式形成所述槽，在所述貫穿工序中，以寬度寬于所述槽的寬度除去所述透光性晶圓。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在隔離片用晶圓與透光性晶圓的邊界，在槽內(nèi)透光性晶圓為由隔離片用晶圓向槽側(cè)突出的形狀，因此在無機物層形成工序中從第三面?zhèn)刃纬捎袩o機物層時，無機物層準(zhǔn)確地覆蓋隔離片用晶圓與透光性晶圓的邊界。
[0023]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選在所述無機物層形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，對所述第二晶圓的所述第三面進行磨削或研磨，從所述第三面除去所述無機物層。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠容易地回避無機物層殘留在透光罩的表面。
[0024]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選在所述無機物層形成工序中，在所述第一晶圓的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的所述第一面?zhèn)刃纬伤鰺o機物層的第一部分，在所述無機物層形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，在形成有蝕刻掩模的狀態(tài)下除去所述無機物層的所述第一部分。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在第一晶圓中在俯視觀察下即使與槽重疊的位置形成有端子時，也能夠從端子的表面除去無機物層。
[0025]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，能夠采用在所述貫穿工序中，通過切割刀片而除去所述槽的底部的方式。
[0026]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，也可以采用在所述貫穿工序中，通過蝕刻而除去所述槽的底部的方式。
[0027]本發(fā)明的電光裝置的制造方法中，也可以采用在所述粘接工序之后、且在進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至由與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面所構(gòu)成的第三面的貫穿工序之前，對所述槽的內(nèi)部進行所述無機物層形成工序的方式。
[0028]在該情況下，優(yōu)選在所述無機物層形成工序中，在所述第一晶圓的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的所述第一面?zhèn)刃纬伤鰺o機物層的第一部分，在所述貫穿工序中，由切割刀片從所述第二晶圓的所述第三面除去所述槽的底部，在所述貫穿工序之后、且在所述分割工序之前，進行對所述無機物層進行蝕刻而除去形成于所述第一晶圓的所述無機物層的所述第一部分的蝕刻工序。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在第一晶圓中在俯視觀察下即使在與槽重疊的位置形成有端子時，也能夠從端子的表面除去無機物層。
[0029]在本發(fā)明中，優(yōu)選所述切割刀片的厚度比由形成于所述槽的相對的內(nèi)壁上的所述無機物層所夾的間隙的間隔窄，在所述蝕刻工序中，將所述透光性晶圓作為掩模進行蝕刻并除去所述無機物層的所述第一部分。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，透光性晶圓為向槽內(nèi)突出的構(gòu)造，因此即使不另外設(shè)置蝕刻掩模也能夠選擇性地對形成于第一晶圓上的無機物層進行蝕刻。
[0030]在本發(fā)明中，優(yōu)選在所述第一晶圓上與所述槽重疊的區(qū)域形成有端子，所述切割刀片的厚度比形成有所述端子的區(qū)域的寬度厚。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在第一晶圓中能夠準(zhǔn)確地除去形成于端子的表面的無機物層。
[0031]應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置能夠用于各種電子設(shè)備，在該情況下，在電子設(shè)備上設(shè)置向所述鏡照射光源光的光源部。另外，將投影型顯示裝置作為電子設(shè)備而構(gòu)成的情況下，在電子設(shè)備上進一步地設(shè)置投影由所述鏡調(diào)制了的光的投影光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說明】
[0032]圖1是示出作為應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的投影型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
[0033]圖2的(a)和(b)是示意性地示出應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0034]圖3的(a)和(b)是示意性地示出應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置的主要部分的A-A’截面的說明圖。
[0035]圖4的(a)和(b)是示出本發(fā)明的實施方式一的電光裝置的詳細結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0036]圖5的(a)至(C)是示出使用于本發(fā)明的實施方式一的電光裝置的第一晶圓等的制造方法的工序圖。
[0037]圖6的(a)至(e)是示出本發(fā)明的實施方式一的電光裝置的制造方法的工序圖。
[0038]圖7的(a)至(e)是示出在制造本發(fā)明的實施方式一的電光裝置時除去多余的無機物層的方法的工序截面圖。
[0039]圖8的(a)至(C)是示出在制造本發(fā)明的實施方式一的電光裝置時通過安裝基板與密封樹脂而密封元件基板的方法的工序截面圖。
[0040]圖9是本發(fā)明的實施方式二的電光裝置的截面圖。
[0041]圖10的(a)至(d)是示出本發(fā)明的實施方式二的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0042]圖11的(a)至(e)是示出本發(fā)明的實施方式三的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0043]圖12的(a)至(d)是示出本發(fā)明的實施方式四的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0044]圖13是本發(fā)明的實施方式五的電光裝置的截面圖。
[0045]圖14的(a)至(e)是示出本發(fā)明的實施方式五的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0046]圖15的(a)和(b)是在制造本發(fā)明的實施方式五的電光裝置時所進行的貫穿工序等的說明圖。
[0047]圖16是示出本發(fā)明的參考例的電光裝置的制造方法的工序截面圖。
[0048]符號說明:
[0049]I元件基板;Is—個面(第一面)；10第一晶圓；1s—個面(第一面)；17端子;20第二晶圓；20s第二面;20t第三面;21凹部；22槽;30驅(qū)動元件;32、33高架尋址電極;35樞紐;41第一晶圓用切割刀片;42第二晶圓用切割刀片；50鏡;60隔離片用晶圓；61隔離片；61w隔離片的外表面;64突出部;67邊界;70透光性晶圓；71透光罩;71w透光罩的側(cè)面;74突出部;77、78臺階部;81無機阻擋層(無機物層)；100電光裝置；111研磨機；130層疊體；1000投影型顯示裝置(電子設(shè)備)；1002光源部；1004投影光學(xué)系統(tǒng)；1030彩色濾色片
【具體實施方式】
[0050]參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在以下的說明中，作為應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備對投影型顯示裝置進行說明。另外，在以下的說明中所參照的附圖中，使各層、各構(gòu)件不同地縮小尺寸，以使各層、各構(gòu)件在附圖上為能夠識別的程度的大小。另外，附圖示出的鏡等的數(shù)量以能夠在附圖上識別的程度的大小進行了設(shè)定，但是也可以設(shè)置比該附圖中所示的數(shù)量多的鏡等。另外，在以下的方式中，可以是包含例如記載為“配置于第一面?zhèn)搔５那闆r；以與第一面接觸的方式而配置的情況;或者經(jīng)由其他結(jié)構(gòu)物而配置于第一面的情況;或者以一部分與第一面接觸的方式而配置于第一面、一部分經(jīng)由其他結(jié)構(gòu)物配置于第一面的情況。
[0051 ]實施方式一
[0052]作為電子設(shè)備的投影型顯示裝置
[0053]圖1是示出作為應(yīng)用于本發(fā)明的電子設(shè)備的投影型顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖1所示的投影型顯示裝置1000具有光源部1002、對應(yīng)于圖像信息對從光源部1002射出的光進行調(diào)制的電光裝置100、和將被電光裝置100調(diào)制了的光作為投影圖像投影到屏幕等的被投影物1100上的投影光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具備光源1020和彩色濾色片(colorfilter)1030。光源1020射出白色光，彩色濾色片1030隨著旋轉(zhuǎn)發(fā)射各色的光，電光裝置100在與彩色濾色片1030的旋轉(zhuǎn)同步的定時(timing)調(diào)制所入射的光。另外，也可以取代彩色濾色片1030而使用將從光源1020射出的光轉(zhuǎn)換為各色的光的熒光體基板。另外，也可以對每種各色的光設(shè)置光源部1002與電光裝置100。
[0054]電光裝置100的基本結(jié)構(gòu)
[0055]圖2是示意性地示出應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置100的基本結(jié)構(gòu)的說明圖，圖2的(a)、(b)分別是示出電光裝置100的主要部分的說明圖以及電光裝置100的主要部分的分解透視圖。圖3是示意性地示出應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置100的主要部分的A-A’截面的說明圖，圖3的
(a)、(b)分別是示意性地示出鏡向一方側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖以及示意性地示出鏡向另一方側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖。
[0056]如圖2以及圖3所示，電光裝置100在元件基板I的一個面Is(第一面)側(cè)呈矩陣狀配置有多個鏡50，鏡50離開元件基板I。元件基板I例如是硅基板。鏡50例如是一邊的長度具有例如是ΙΟμπι?30μπι的平面尺寸的微鏡。鏡50例如具有從800 X 600到1028 X 1024的排列而被配置，一個鏡50與圖像的一像素對應(yīng)。
[0057]鏡50的表面為由鋁等的反射金屬膜構(gòu)成的反射面。電光裝置100具備一階部分100a、二階部分100b、和三階部分100c，該一階部分10a包含形成于元件基板I的一個面Is上的基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)尋址電極(address electrode) 12、13等，該二階部分10b包含高架尋址電極32、33以及樞紐(hinge)35，該三階部分10c包含鏡50。在一階部分10a中，元件基板I上形成有尋址指定電路14。尋址指定電路14具備用于選擇性地控制各鏡50的動作的存儲器單元、字線、位線的布線15等，具有與具備CMOS電路16的RAM(RandomAccess Memory:隨機存儲器)類似的電路結(jié)構(gòu)。
[0058]二階部分10b包含高架尋址電極32、33、樞紐(hinge)35以及鏡柱51。高架尋址電極32、33經(jīng)由電極柱321、331與基板側(cè)尋址電極12、13導(dǎo)通，同時支承于基板側(cè)尋址電極12、
13。樞紐臂36、37從樞紐35的兩端延伸。樞紐臂36、37經(jīng)由臂柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，同時支承于基板側(cè)偏壓電極11。鏡50經(jīng)由鏡柱51與樞紐35導(dǎo)通，同時支承于樞紐35。因此，鏡50經(jīng)由鏡柱51、樞紐35、樞紐臂36、37、臂柱39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，并從基板側(cè)偏壓電極11被施加偏置電壓。另外，在樞紐臂36、37的前端形成有擋板(stopper)361、362、371、372，當(dāng)鏡50傾斜時相抵接而防止鏡50與高架尋址電極32、33的接觸。
[0059]高架尋址電極32、33構(gòu)成為與鏡50之間產(chǎn)生靜電力并以使鏡50傾斜的方式進行驅(qū)動的驅(qū)動元件30。另外，基板側(cè)尋址電極12、13也存在構(gòu)成為與鏡50之間產(chǎn)生靜電力并以使鏡50傾斜的方式進行驅(qū)動的情況，該情況下，驅(qū)動元件30為由高架尋址電極32、33以及基板側(cè)尋址電極12、13構(gòu)成。如圖3所示，對高架尋址電極32、33施加驅(qū)動電壓，當(dāng)鏡50以被吸引到高架尋址電極32或高架尋址電極33的方式傾斜時，樞紐35扭轉(zhuǎn)而停止對高架尋址電極32、33的驅(qū)動電壓的施加并使對鏡50的吸引力消失時發(fā)揮使鏡50恢復(fù)到與元件基板I平行的姿勢的力。
[0060]例如圖3的(a)所示，在電光裝置100中，鏡50向一方側(cè)的高架尋址電極32側(cè)傾斜時，從光源部1002射出的光成為通過鏡50朝向投影光學(xué)系統(tǒng)1004反射的開狀態(tài)。與此相對，如圖3的(b)所示，鏡50向另一方側(cè)的高架尋址電極33側(cè)傾斜時，從光源部1002射出的光成為由鏡50朝向光吸收裝置1005反射的關(guān)狀態(tài)，在該關(guān)狀態(tài)下，不會朝向透射光學(xué)系統(tǒng)1004發(fā)射光。該驅(qū)動利用多個鏡50分別進行的結(jié)果，從光源部1002射出的光利用多個鏡50被調(diào)制為圖像光并從投影光學(xué)系統(tǒng)1004被投影，從而顯示圖像。
[0061 ]另外，與基板側(cè)尋址電極12、13相對的平板狀的軛(yoke)和樞紐35—體設(shè)置，除了高架尋址電極32、33與鏡50之間產(chǎn)生的靜電力之外，有時也利用作用于基板側(cè)尋址電極12、13與軛之間的靜電力驅(qū)動鏡50。
[0062]電光裝置100以及無機阻擋層81的構(gòu)造
[0063]圖4是示出本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100的詳細結(jié)構(gòu)的說明圖，圖4的(a)、(b)是電光裝置100的俯視觀察中以及沿Α1-ΑΓ截面圖。
[0064]圖4是應(yīng)用于本發(fā)明的電光裝置100整體的截面圖。另外，在圖4的(b)中，減少鏡50的數(shù)量并使五個鏡50形成在一塊元件基板I上予以示出。
[0065]如圖4所示，在本實施方式的電光裝置100中，形成有參照圖2以及圖3所說明的多個鏡50的元件基板I的一個面Is由框狀的隔離片61以及平板狀的透光罩71密封，透光罩71在相對鏡50隔開預(yù)定的距離的位置上與鏡50的表面相對。在此，隔離片61在元件基板I側(cè)的端部61e連續(xù)于元件基板I。另外，透光罩71連續(xù)于隔離片61的與元件基板I側(cè)的端部61e(第一端部)相反側(cè)的端部61f(第二端部)，相對鏡50的表面在與元件基板I相反側(cè)相對。在此，透光罩71具有透光性，鏡50以位于元件基板I與透光罩71的一部分之間的方式被設(shè)于一個面Is側(cè)。在該狀態(tài)下，透光罩71與元件基板I以及隔離片61包圍配置有鏡50的空間。光透過透光罩71入射到鏡50之后，由鏡50反射的光透過透光罩71而被發(fā)射。在本實施方式中，透光罩71是玻璃制。隔離片61可以是玻璃制、硅制、金屬制、樹脂制中任一種，在本實施方式中使用了玻璃基板、硅基板作為隔離片61。在本實施方式中，配置有鏡50的空間采用存在空氣的結(jié)構(gòu)、取代空氣而填充有惰性氣體等的結(jié)構(gòu)、或者為真空的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，配置有鏡50的空間為真空。
[0066]隔離片61以及透光罩71都是平面形狀是四邊形，且尺寸相等。因此，構(gòu)成了隔離片61的位于與鏡50相反側(cè)的外表面61w和透光罩71的側(cè)面71w連續(xù)的平面。
[0067]在這樣構(gòu)成的電光裝置100中，隔離片61與透光罩71是分體設(shè)置，因此在隔離片61與透光罩71之間存在邊界67。在此，隔離片61的外表面61w與透光罩71的側(cè)面71w上形成有無機阻擋層81(無機物層)，由該無機阻擋層81將隔離片61與透光罩71之間的邊界67從與鏡50相反側(cè)(外側(cè))覆蓋。在此，隔離片61的外表面61w可以是連續(xù)隔離片61在元件基板I側(cè)的端部61e與其相反側(cè)的端部61f的面，指與鏡50相反側(cè)的面、透光罩71的側(cè)面可以是指連續(xù)透光罩71的與鏡50相對的面和其相反側(cè)的面的面。在本實施方式中，無機阻擋層81可以形成于隔離片61的外表面61w的整面以及透光罩71的側(cè)面71w的整面，從隔離片61的外表面61w連續(xù)至透光罩71的側(cè)面71w。
[0068]無機阻擋層由氧化鋁層、氧化硅層以及氮化硅層的單層膜或多個層疊膜構(gòu)成，包含氧化鋁層、氧化硅層以及氮化硅層中的至少一層。
[0069]安裝基板90等的密封構(gòu)造
[°07°] 在本實施方式的電光裝置100中，配置有鏡50的空間由隔離片61和透光罩71密封，同時也由安裝基板90、密封樹脂98密封。更具體地，元件基板I固定于由陶瓷基板等構(gòu)成的安裝基板90的基板安裝部93，此后，由環(huán)氧類等的密封樹脂98密封。在安裝基板90中，基板安裝部93為被側(cè)板部92包圍的有底的凹部，元件基板I由粘接劑97固定于安裝基板90的底板部91。
[0071]在元件基板I的一個面Is中，俯視觀察中(例如從一個面Is側(cè)觀察元件基板I時的俯視觀察中)與鏡50不重疊的端部上形成有多個端子17。在本實施方式中，端子17以夾著鏡50的方式被配置成兩列。多個端子17的一部分經(jīng)由參照圖2以及圖3所說明的尋址指定電路14和基板側(cè)尋址電極12、13電連接于高架尋址電極32、33(驅(qū)動元件30)。多個端子17的另一部分經(jīng)由參照圖2以及圖3所說明的尋址指定電路14、基板側(cè)偏壓電極11以及樞紐35電連接于鏡50。多個端子17的再一部分與設(shè)于參照圖2以及圖3所說明的尋址指定電路14的前段的驅(qū)動電路等電連接。
[0072]在此，端子17由引線鍵合(wire bonding)用的引線99與形成于安裝基板90的底板部91在元件基板I側(cè)的內(nèi)面91s上的內(nèi)部電極94電連接。安裝基板90的底板部91為多層布線基板，內(nèi)部電極94經(jīng)由形成于底板部91的通孔和布線所構(gòu)成的多層布線部95而與形成于底板部91的與元件基板I相反側(cè)的外表面91t上的外部電極96導(dǎo)通。
[0073]在該安裝基板90的側(cè)板部92的內(nèi)側(cè)(凹部)設(shè)置有密封樹脂98。密封樹脂98覆蓋元件基板I的周圍以及隔離片61的周圍，同時覆蓋透光罩71的側(cè)面至厚度方向的中途。
[0074]電光裝置100的制造方法
[0075]參照圖5、圖6、圖7以及圖8說明本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100的制造方法。圖5是示出使用于本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100的第一晶圓10等的制造方法的工序圖，圖5的(b)?(f)示出各工序中晶圓的俯視觀察中，同時在俯視觀察中的下段中示出了切割端面圖。圖6是示出本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100的制造方法的工序圖。圖7是示出在制造本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100時除去多余的無機阻擋層81的方法的工序截面圖。圖8是示出在制造本發(fā)明的實施方式一的電光裝置100時由安裝基板90以及密封樹脂98密封元件基板I的方法的工序截面圖。另外，在圖5的(c)中省略鏡50等的圖示僅示出端子17，在圖6?圖8中，相比于圖4減少鏡50的數(shù)量并使三個鏡50形成在一塊元件基板I上予以示出。
[0076]本實施方式中，從晶圓能夠批量獲取多個元件基板I等。因此，在以下的說明中，批量獲取的多個元件基板I之中，對形成于所得到的一個基板的區(qū)域中的鏡50以及端子17分別作為第一鏡50a以及第一端子17a進行說明等，在各符號的后面標(biāo)注a來說明。另外，多個元件基板I之中，對形成于與形成有第一鏡50a以及第一端子17a的區(qū)域相鄰的區(qū)域中的鏡50以及端子17分別作為第二鏡50b以及第二端子17b進行說明等，在各符號的后面標(biāo)注b來說明。但是，在沒有必要特定是哪一個元件基板I的情況下，不標(biāo)注上述a、b來說明。
[0077]如圖5的(a)、(c)所示，為了制造本實施方式的電光裝置100，在第一晶圓準(zhǔn)備工序中對能夠批量獲取元件基板I的大型的第一晶圓10的一個面10s(第一面)，在元件基板I被分割的每個區(qū)域形成鏡50，同時對俯視觀察中(例如從一個面1s側(cè)觀察第一晶圓10時的俯視觀察中)與鏡50相鄰的位置上形成有電連接于驅(qū)動鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2以及圖3)的端子17的第一晶圓10進行準(zhǔn)備。例如圖5的(a)、(b)、(c)所示，對能夠批量獲取元件基板I的大型的第一晶圓10的一個面10s，在元件基板I被分割的每個區(qū)域形成鏡50，同時俯視觀察中與鏡50相鄰的位置上形成與驅(qū)動鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2以及圖3)電連接的端子17，從而可以準(zhǔn)備第一晶圓10。其結(jié)果，在第一晶圓10的一個面1s上，在第一區(qū)域1a形成第一鏡50a以及驅(qū)動第一鏡50a的驅(qū)動元件30(第一驅(qū)動元件)，同時俯視觀察中與第一鏡50a相鄰的位置形成第一端子17a。另外，在第一晶圓10的一個面1s上，相對第一端子17a在與第一鏡50a相反側(cè)形成第二鏡50b，同時在第一端子17a與第二鏡50b之間形成第二端子17b。另外，第二鏡50b以及驅(qū)動第二鏡50b的驅(qū)動元件30(第二驅(qū)動元件)形成于一個面1s的第二區(qū)域10b。
[0078]另外，如圖5的(a)所示，在第二晶圓形成工序中準(zhǔn)備能夠批量獲取隔離片61以及具有透光性的透光罩71的大型的第二晶圓20。在由第二晶圓20的一個面所構(gòu)成的第二面20s中，在隔離片61以及透光罩71被分割的每個區(qū)域形成有底部是透光性的凹部21，同時形成有在彼此直角交叉的兩方向上延伸并分別包圍多個凹部21的有底的槽22。多個凹部21中的一個是第一凹部21a，與第一凹部21a相鄰的凹部21是第二凹部21b。因此，在第二晶圓20的第二面20s上形成底部是透光性的第一凹部21a、底部是透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a與第二凹部21b之間延伸的有底的槽22。
[0079]在形成該第二晶圓20時，在第二晶圓形成工序中，例如進行圖5的(d)?(f)中所示的工序。首先，如圖5的(d)所示，準(zhǔn)備能夠批量獲取透光罩71的透光性晶圓70。另外，如圖5的(e)所示，準(zhǔn)備能夠批量獲取隔離片61的隔離片用晶圓60之后，在第一工序中，由蝕刻(etching)等的處理在隔離片用晶圓60上形成用于構(gòu)成凹部21的貫穿孔66。多個貫穿孔66的一個是用于構(gòu)成第一凹部2 Ia的第一貫穿孔66a，與第一貫穿孔66a相鄰的貫穿孔66是用于構(gòu)成第二凹部21b的第二貫穿孔66b。另外，在隔離片用晶圓60的一個面60s上，由蝕刻等的處理形成在彼此直角交叉的兩方向上延伸并分別包圍多個凹部21的有底的槽22。
[0080]本實施方式中，由蝕刻同時形成貫穿孔66以及槽22。因此，槽22與貫穿孔66同樣地貫穿隔離片用晶圓60。因此，以由槽22所包圍的區(qū)域不分離的方式，被貫穿孔66和槽22所夾著的框部65相對隔離片用晶圓60的環(huán)狀的外框部69由連結(jié)部98等連續(xù)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在透光性晶圓70與隔離片用晶圓60之間不存在粘接層，因此能夠利用普通的蝕刻進行后面詳述的貫穿工序。但是，根據(jù)后面詳述的制造方法，由半蝕刻(half etching)也可以使有底的槽22形成在隔離片用晶圓60。
[0081]接下來，如圖5的(f)所示，在第二工序中，使透光性晶圓70重疊粘接于與隔離片用晶圓60的一個面60s相反側(cè)的另一個面60t。其結(jié)果，形成層疊有隔離片用晶圓60和透光性晶圓70的第二晶圓20，在該第二晶圓20中，由隔離片用晶圓60構(gòu)成第二晶圓20的第二面20s，由透光性晶圓70構(gòu)成第二晶圓20的第三面20t。另外，貫穿孔66的一方的開口部由透光性晶圓70封住，成為底部是透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。另外，槽22也成為具有底部221。本實施方式中使用了圓形形狀的晶圓，但是對于其平面形狀，也可以使用矩形等。
[0082]接下來，圖6的(a)所示的粘接工序中，俯視觀察中(例如從一個面1s側(cè)觀察第一晶圓10時的俯視觀察中)以凹部21與鏡50重疊、槽22與端子17重疊的方式使第一晶圓10的一個面1s與第二晶圓20的第二面20s粘接。其結(jié)果，俯視觀察中第一凹部21a與第一鏡50a重疊，俯視觀察中第二凹部21b與第二鏡50b重疊，俯視觀察中共用的槽22與第一端子17a、第二端子17b以及被第一端子17a和第二端子17b所夾著的區(qū)域重疊。該狀態(tài)下，在第二晶圓20中被第一凹部21a和槽22所夾著的框部65被粘接于第一鏡50a與第一端子17a之間，在第二晶圓20中被第二凹部21b和槽22所夾著的框部65被粘接于第二鏡50b與第二端子17b之間。因此，第一端子17a以及第二端子17b未與第二晶圓20粘接。
[0083]接下來，在圖6的(b)所示的貫穿工序中，除去第二晶圓20的槽22的底部221并使槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t。其結(jié)果，在第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間，第二晶圓20被分割。本實施方式中，由于槽22的底部221上僅存在透光性晶圓70，因此除去位于底部221的透光性晶圓70。本實施方式中，使第二晶圓用切割刀片(dicing blade)42從第二晶圓20的第三面20t朝向槽22進入，分割透光性晶圓70。其結(jié)果，第二晶圓20之中，由從透光性晶圓70被分割的平板部分構(gòu)成透光罩71，由從隔離片用晶圓60被分割的框部分構(gòu)成隔離片61。本實施方式中，第二晶圓用切割刀片42的厚度與槽22的寬度相等。
[0084]接下來，在圖6的(C)所示的無機阻擋層形成工序中，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)朝向所貫穿的槽22的內(nèi)部將無機阻擋層81成膜。本實施方式中，在第二晶圓20的第三面20t側(cè)的整體上形成無機阻擋層81。其結(jié)果，在隔離片61的外表面61w以及透光罩71的側(cè)面71w上形成無機阻擋層81，邊界67由無機阻擋層81覆蓋。無機阻擋層81的形成能夠采用CVD法、蒸鍍法、濺射法等，但是考慮到向槽22的內(nèi)部的布散性，優(yōu)選CVD法。
[0085]在此，如圖6的(C)以及圖7的(a)所示，無機阻擋層81也形成于透光罩71的表面，同時在元件基板I中也形成于設(shè)于與槽22重疊的位置的端子17的表面。其結(jié)果，在一個面1s的第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間形成無機阻擋層81的一部分81a(第一部分)。因此，本實施方式中，由圖7的(b)?(e)所示的工序從透光罩71的表面以及元件基板I的與槽22重疊的位置除去無機阻擋層81。
[0086]首先，如圖7的(b)所示，在使抗蝕劑掩模(resist mask) 101形成在透光罩71的表面的狀態(tài)下，如圖7的(c)所示，進行各向異性蝕刻(干式蝕刻)，如圖7的⑷所示，在元件基板I中從與槽22重疊的區(qū)域除去無機阻擋層81而使端子17露出。其結(jié)果，除去形成于一個面1s的第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間的無機阻擋層81的一部分81a。接下來，如圖7的(d)所示，除去抗蝕劑掩模101之后，如圖7的(e)所示，由磨削、研磨除去形成于透光罩71的表面的無機阻擋層81。本實施方式中，由研磨機111的磨削，通過磨削、研磨除去形成于透光罩71的表面的無機阻擋層81。其結(jié)果，如圖6的(d)所示，僅在隔離片61的外表面61w以及透光罩71的側(cè)面71w上殘留無機阻擋層81。
[0087]接下來，在分割工序中，如圖6的(e)所示，由第一晶圓用切割刀片41在第一晶圓10中沿槽22切割第一晶圓10。其結(jié)果，在第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間，第一晶圓10被分害J。本實施方式中，使第一晶圓用切割刀片41相對第一晶圓10從第二晶圓20側(cè)進入第二晶圓20的切斷位置(相鄰的透光罩71之間以及相鄰的隔離片61之間)而切割第一晶圓10。其結(jié)果，第一晶圓10與第二晶圓20的層疊體130被分割，制造出多個電光裝置100。進一步地如圖4所示，對該電光裝置100由安裝基板90以及密封樹脂98密封的情況下，進行圖8所示的工序。
[0088]首先，如圖8的(a)所示，準(zhǔn)備基板安裝部93為被側(cè)板部92包圍的凹部的安裝基板90之后，如圖8的(b)所示，由粘接劑97將元件基板I固定于基板安裝部93的底部。接下來，如圖8的(c)所示，元件基板I的端子17與安裝基板90的內(nèi)部電極94由引線鍵合用的引線99電連接。接下來，如圖4所示，在向安裝基板90的側(cè)板部92的內(nèi)側(cè)注入密封樹脂98之后使密封樹脂98固化，由密封樹脂98密封元件基板I。其結(jié)果，能夠得到由隔離片61、透光罩71、安裝基板90以及密封樹脂98密封的元件基板I的電光裝置100。
[0089]本實施方式的主要效果
[0090]如以上說明的那樣，本實施方式中，設(shè)置有鏡50以及驅(qū)動元件30的元件基板I的一個面Is側(cè)由隔離片61和透光罩71密封，在隔離片61的與鏡50相反側(cè)的外表面61w以及透光罩71的側(cè)面71w上形成有覆蓋隔離片61與透光罩71的邊界67的無機阻擋層81。因此，由無機阻擋層81能夠抑制水分從隔離片61與透光罩71的邊界67滲透。因此，在驅(qū)動了鏡50時，難以發(fā)生由水滴使鏡50在保持傾斜的狀態(tài)下被周圍的構(gòu)件吸附而變得無法移動等的不良情況。
[0091]實施方式二
[0092]圖9是本發(fā)明的實施方式二的電光裝置100的截面圖。圖10是示出本發(fā)明的實施方式二的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。另外，本實施方式以及后面詳述的各實施方式的基本的結(jié)構(gòu)與實施方式一相同，因此對共用的部分標(biāo)注相同符號并省略它們的說明。
[0093]如圖9所示，本實施方式的電光裝置100中也與實施方式一相同，在隔離片61的外表面61w以及透光罩71的側(cè)面71w上形成有無機阻擋層81，由該無機阻擋層81覆蓋了隔離片61與透光罩71的邊界67。
[0094]在此，隔離片61具備由透光罩71的側(cè)面71w朝向與鏡50相反側(cè)突出的突出部64，隔離片61與透光罩71的邊界67位于朝向與元件基板I相反側(cè)的臺階部77。另外，無機阻擋層81從隔離片61的外表面61w經(jīng)過與隔離片61的突出部64的與元件基板I相對的面相反側(cè)的面連續(xù)至透光罩71的側(cè)面71w。因此，由無機阻擋層81能夠準(zhǔn)確地覆蓋邊界67，從而水分從邊界67難以滲透配置有鏡50的空間。
[0095]該結(jié)構(gòu)的電光裝置100，在參照圖6的(b)所說明的貫穿工序中，在使貫穿槽22的底部221時，如圖10的(b)所示，能夠由以比形成于隔離片用晶圓60的槽22的寬度寬的寬度除去透光性晶圓70而構(gòu)成。
[0096]本實施方式中，由蝕刻進行貫穿工序。因此，本實施方式中，首先，如圖10的(a)所示，在第二晶圓20的第三面20t上形成抗蝕劑掩模102。此時，以抗蝕劑掩模102的端部102e與用于形成隔離片61的框部65的寬度方向的中途位置重疊的方式形成抗蝕劑掩模102。
[0097]在該狀態(tài)下進行蝕刻時，如圖10的(b)所示，隔離片61成為具有由透光罩71的側(cè)面71w朝向與鏡50相反側(cè)突出的突出部64的形狀，隔離片61與透光罩71的邊界67位于朝向與元件基板I相反側(cè)(第二晶圓20的第三面20t)的臺階部77。接下來，如圖10的(C)所示，除去抗蝕劑掩模102之后，進行圖10的(d)所示的無機阻擋層形成工序，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)在槽22的內(nèi)側(cè)形成無機阻擋層81。這之后的工序與實施方式一相同，因此省略說明。
[0098]另外，本實施方式中，槽22與貫穿孔66同樣地貫穿隔離片用晶圓60。因此，在貫穿工序中進行蝕刻時，在槽22的底部221上透光性晶圓70與隔離片用晶圓60之間不存在粘接層。由此，在貫穿工序中，只要僅對透光性晶圓70進行蝕刻即可，因此能夠順暢地進行蝕刻。
[0099]實施方式三
[0100]圖11是示出本發(fā)明的實施方式三的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。本實施方式中，由參照圖11說明的方法制造參照圖9所說明的電光裝置100。本實施方式中，在參照圖5所說明的第二晶圓形成工序之后，在參照圖6的(a)所說明的粘接工序之前，進行除去槽22的底部221并使槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t的貫穿工序。另外，在粘接工序之后，在分割工序之前，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)對槽22的內(nèi)部進行無機阻擋層形成工序。
[0101]更具體地，如圖11的(a)所示，形成第二晶圓20之后，在貫穿工序中，在第三面20t上形成抗蝕劑掩模103。此時，以抗蝕劑掩模103的端部103e與用于形成隔離片61的框部65的寬度方向的中途位置重疊的方式形成抗蝕劑掩模103。在該狀態(tài)下進行蝕刻時，如圖11的(b)所示，槽22的底部221被除去，槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t。其結(jié)果，在第二晶圓20之中，由從透光性晶圓70被分割的平板部分構(gòu)成透光罩71，由從隔離片用晶圓60被分割的框部分構(gòu)成隔離片61。另外，由于以比隔離片用晶圓60寬的寬度除去透光性晶圓70側(cè)，因此隔離片61成為由透光罩71的側(cè)面71w朝向與鏡50相反側(cè)突出的形狀。另外，本實施方式中，以透光性晶圓70以及隔離片用晶圓60不被完全分割的方式，預(yù)留有圖5的(e)所示的連結(jié)部68。
[0102]接下來，如圖11的(c)所示，除去抗蝕劑掩模103之后，在圖11的(d)所示的粘接工序中，使第二晶圓20的第二面20s與第一晶圓10的一個面1s粘接。接下來，進行圖11的(e)所示的無機阻擋層形成工序，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)在槽22的內(nèi)側(cè)形成無機阻擋層81。這之后的工序與實施方式一相同，因此省略說明。
[0103]另外，本實施方式中，槽22與貫穿孔66同樣地貫穿隔離片用晶圓60。因此，在貫穿工序中進行蝕刻時，在槽22的底部221上透光性晶圓70與隔離片用晶圓60之間不存在粘接層。由此，在貫穿工序中，只要僅對透光性晶圓70進行蝕刻即可，因此能夠順暢地進行蝕刻。
[0104]實施方式四
[0105]圖12是示出本發(fā)明的實施方式四的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。本實施方式中，由參照圖12說明的方法制造參照圖9所說明的電光裝置100。本實施方式中，在參照圖6的(a)所說明的粘接工序之前，進行除去槽22的底部221并使槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t的貫穿工序。另外，在貫穿工序之后，在粘接工序之前，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)對槽22的內(nèi)部進行無機阻擋層形成工序。
[0106]更具體地，如圖12的(a)所示，形成第二晶圓20之后，在貫穿工序中，在第三面20t上形成抗蝕劑掩模103。此時，以抗蝕劑掩模103的端部103e與用于形成隔離片61的框部65的寬度方向的中途位置重疊的方式形成抗蝕劑掩模103。在該狀態(tài)下進行蝕刻時，如圖12的
(b)所示，槽22的底部221被除去，槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t。其結(jié)果，在第二晶圓20之中，由從透光性晶圓70被分割的平板部分構(gòu)成透光罩71，由從隔離片用晶圓60被分割的框部分構(gòu)成隔離片61。另外，由于以比隔離片用晶圓60寬的寬度除去透光性晶圓70側(cè)，因此隔離片61成為由透光罩71的側(cè)面71w朝向與鏡50相反側(cè)突出的形狀。另外，本實施方式中，以透光性晶圓70以及隔離片用晶圓60不被完全分割的方式，預(yù)留有圖5的(e)所示的連結(jié)部68。以上工序與實施方式三相同。
[0107]接下來，如圖12的(C)所示，除去抗蝕劑掩模103之后，進行圖12的(C)所示的無機阻擋層形成工序，從第二晶圓20的第三面20t側(cè)在槽22的內(nèi)側(cè)形成無機阻擋層81。
[0108]接下來，在圖12的(d)所示的粘接工序中，使第二晶圓20的第二面20s與第一晶圓10的一個面1s粘接。這之后的工序與實施方式一相同，因此省略說明。
[0109]另外，本實施方式中，槽22與貫穿孔66同樣地貫穿隔離片用晶圓60。因此，在貫穿工序中進行蝕刻時，在槽22的底部221上透光性晶圓70與隔離片用晶圓60之間不存在粘接層。由此，在貫穿工序中，只要僅對透光性晶圓70進行蝕刻即可，因此能夠順暢地進行蝕刻。
[0110]實施方式五
[0111]圖13是本發(fā)明的實施方式五的電光裝置100的截面圖。圖14是示出本發(fā)明的實施方式五的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。圖15是在制造本發(fā)明的實施方式五的電光裝置100時所進行的貫穿工序等的說明圖。
[0112]如圖13所示，本實施方式的電光裝置100中也與實施方式一相同，在隔離片61的外表面61w以及透光罩71上形成有無機阻擋層81，由該無機阻擋層81覆蓋了隔離片61與透光罩71的邊界67。
[0113]在此，透光罩71具備由隔離片61的外表面61w朝向與鏡50相反側(cè)突出的突出部74，隔離片61與透光罩71的邊界67位于朝向元件基板I側(cè)的臺階部78。另外，無機阻擋層81從隔離片61的外表面61w連續(xù)至透光罩71的突出部74的與元件基板I相對的面。因此，由無機阻擋層81能夠準(zhǔn)確地覆蓋邊界67，從而水分從邊界67難以滲透配置有鏡50的空間。
[0114]在制造該結(jié)構(gòu)的電光裝置100時，本實施方式中，在參照圖6的(a)所說明的粘接工序之后，在進行貫穿工序、分割工序之前，對槽22的內(nèi)部進行無機阻擋層形成工序。
[0115]更具體地，在圖14的(a)所示的粘接工序中，與參照圖6的(a)所說明的粘接工序相同，以俯視觀察中(例如從一個面I Os側(cè)觀察第一晶圓10時的俯視觀察中)凹部21與鏡50重疊、槽22與端子17重疊的方式使第一晶圓10的一個面1s與第二晶圓20的第二面20s粘接。
[0116]接下來，在圖14的(b)所示的無機阻擋層形成工序中，在槽22的內(nèi)部選擇性地將無機阻擋層81成膜。因此，在第二晶圓20的第三面20t上未被形成無機阻擋層81。無機阻擋層81的形成能夠采用ALD(Atimc Layer Deposit1n:原子層沉積)法、CVD法、蒸鍍法等，但是在本實施方式中利用ALD法。此時，以不使無機阻擋層81形成于第一晶圓10的外表面和第二晶圓20的第三面20t上的方式而預(yù)先覆蓋工具等。
[0117]接下來，在圖14的(C)所示的貫穿工序中，除去第二晶圓20的槽22的底部221并使槽22貫穿至第二晶圓20的第三面20t。本實施方式中，使第二晶圓用切割刀片42從第二晶圓
20的第三面20t朝向槽22進入，分割透光性晶圓70。其結(jié)果，在第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間，第二晶圓20被分割。另外，第二晶圓20之中，由從透光性晶圓70被分割的平板部分構(gòu)成透光罩71，由從隔離片用晶圓60被分割的框部分構(gòu)成隔離片61。
[0118]接下來，如圖14的(d)所示，由圖15的(a)、(b)所示的工序從元件基板I的與槽22重疊的位置除去無機阻擋層81。其結(jié)果，形成于一個面1s的第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間的無機阻擋層81的一部分81a被除去。
[0119]首先，如圖15的(a)所示，貫穿工序中所使用的第二晶圓用切割刀片42的厚度Wl比由形成于槽22的相相對的內(nèi)壁上的無機阻擋層81所夾著的間隙的間隔W2窄。因此，透光罩71(透光性晶圓70)成為具備向槽22突出的突出部74的構(gòu)造。因此，在該狀態(tài)下只要進行各向異性蝕刻(干式蝕刻)則透光性晶圓70的突出部74(換言之，透光性晶圓70)會作為掩模發(fā)揮作用，因此即使不使用抗蝕劑掩模，也能夠選擇性地對形成于第一晶圓10的一個面1s上的無機阻擋層81進行蝕刻。此時，使第二晶圓用切割刀片42的厚度比形成有端子17的區(qū)域的寬度W3厚。因此，在第一晶圓10中，能夠準(zhǔn)確地除去形成于端子的表面上的無機阻擋層
81ο
[0120]接下來，在分割工序中，如圖14的(e)所示，由第一晶圓用切割刀片41在第一晶圓1中沿槽22切割第一晶圓10。本實施方式中，使第一晶圓用切割刀片41相對第一晶圓10從第二晶圓20側(cè)進入第二晶圓20的切斷位置(相鄰的透光罩71之間以及相鄰的隔離片61之間)而切割第一晶圓10。其結(jié)果，在第一區(qū)域1a與第二區(qū)域1b之間，第二晶圓20被分割。另夕卜，第一晶圓10與第二晶圓20的層疊體130被分割，制造出多個電光裝置100。進一步地如圖13所示，對該電光裝置100由安裝基板90以及密封樹脂98密封的情況下，進行參照圖8所說明的工序。
【主權(quán)項】
1.一種電光裝置，其特征在于， 具有: 元件基板； 鏡，設(shè)于所述元件基板的第一面?zhèn)龋?驅(qū)動元件，設(shè)于所述元件基板的所述第一面?zhèn)?，用于?qū)動所述鏡； 框狀的隔離片，在俯視觀察中包圍在所述鏡和所述驅(qū)動元件的周圍，且第一端部固定于所述元件基板； 透光罩，以所述鏡位于所述元件基板與所述透光罩之間的方式設(shè)于所述第一面?zhèn)?，其中，所述透光罩固定于所述隔離片的與所述第一端部相反側(cè)的第二端部，并具有透光性；以及 無機物層，覆蓋所述隔離片與所述透光罩的邊界。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述無機物層從所述隔離片的與所述鏡相反側(cè)的外表面連續(xù)至所述透光罩的側(cè)面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于， 所述隔離片具備由所述透光罩的所述側(cè)面朝向與所述鏡相反側(cè)突出的突出部， 所述無機物層從所述隔離片的所述外表面經(jīng)由所述突出部的與所述元件基板相對的面的相反側(cè)的面連續(xù)至所述透光罩的所述側(cè)面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述透光罩具備由所述隔離片的與所述鏡相反側(cè)的外表面朝向與所述鏡相反側(cè)突出的突出部， 所述無機物層從所述隔離片的所述外表面連續(xù)至所述突出部的與所述元件基板相對的面。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的電光裝置，其特征在于， 所述無機物層包含氧化鋁層、氧化硅層和氮化硅層中的至少一層。6.一種電光裝置的制造方法，其特征在于， 具有: 第一晶圓準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備在第一面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域設(shè)置有第一鏡和驅(qū)動所述第一鏡的第一驅(qū)動元件、并在所述第一面?zhèn)鹊牡诙^(qū)域設(shè)置有第二鏡和驅(qū)動所述第二鏡的第二驅(qū)動元件的第一晶圓； 第二晶圓形成工序，使透光性晶圓與隔離片用晶圓重疊并粘接，形成第二晶圓，所述第二晶圓具備設(shè)有貫穿所述隔離片用晶圓的第一凹部和第二凹部的第二面； 粘接工序，以在俯視觀察中所述第一凹部與所述第一鏡重疊、在俯視觀察中所述第二凹部與所述第二鏡重疊的方式，使所述第一晶圓的所述第一面與所述第二晶圓的所述第二面重疊并粘接；以及 分割工序，在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間分割所述第一晶圓與所述第二晶圓的層疊體， 在進行所述分割工序之前，在槽內(nèi)進行形成覆蓋所述透光性晶圓和所述隔離片用晶圓的邊界的無機物層的無機物層形成工序。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序中，形成在所述第一凹部與所述第二凹部之間設(shè)置有槽的所述第二晶圓。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序中，在重疊并粘接所述透光性晶圓與所述隔離片用晶圓之前，以貫穿所述隔離片用晶圓的方式預(yù)先形成所述槽。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序， 在所述貫穿工序之后、且在所述分割工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序之后、且在所述粘接工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序，在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序。11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述粘接工序之前，進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的所述第二晶圓的第三面的貫穿工序， 在所述貫穿工序之后、且在所述粘接工序之前，從所述第三面?zhèn)葘λ霾鄣膬?nèi)部進行所述無機物層形成工序。12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序中，以貫穿所述隔離片用晶圓的方式形成所述槽， 在所述貫穿工序中，以寬度寬于所述槽的寬度除去所述透光性晶圓。13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述無機物層形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，對所述第二晶圓的所述第三面進行磨削或研磨，從所述第三面除去所述無機物層。14.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述無機物層形成工序中，在所述第一晶圓的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的所述第一面?zhèn)刃纬伤鰺o機物層的第一部分， 在所述無機物層形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前，在形成有蝕刻掩模的狀態(tài)下除去所述無機物層的所述第一部分。15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述貫穿工序中，通過切割刀片而除去所述槽的底部。16.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述貫穿工序中，通過蝕刻而除去所述槽的底部。17.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述粘接工序之后、且在進行除去所述槽的底部并使所述槽貫穿至由與所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面所構(gòu)成的第三面的貫穿工序之前，對所述槽的內(nèi)部進行所述無機物層形成工序。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述無機物層形成工序中，在所述第一晶圓的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的所述第一面?zhèn)刃纬伤鰺o機物層的第一部分， 在所述貫穿工序中，由切割刀片從所述第二晶圓的所述第三面除去所述槽的底部，在所述貫穿工序之后、且在所述分割工序之前，進行對所述無機物層進行蝕刻而除去形成于所述第一晶圓的所述無機物層的所述第一部分的蝕刻工序。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述切割刀片的厚度比由形成于所述槽的相對的內(nèi)壁上的所述無機物層所夾的間隙的間隔窄， 在所述蝕刻工序中，將所述透光性晶圓作為掩模進行蝕刻并除去所述無機物層的所述第一部分。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第一晶圓上與所述槽重疊的區(qū)域形成有端子， 所述切割刀片的厚度比形成有所述端子的區(qū)域的寬度厚。21.—種電子設(shè)備，其特征在于， 該電子設(shè)備具備權(quán)利要求1至5中任一項所述的電光裝置，并且， 該電子設(shè)備具有向所述鏡照射光源光的光源部。
【文檔編號】G02B26/08GK106019787SQ201610165190
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月22日
【發(fā)明人】花岡輝直, 山田周平
【申請人】精工愛普生株式會社