一種像素結(jié)構(gòu)及采用該像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器本申請是申請?zhí)枮?01310747572.1，申請日為2013年12月31日，名稱為“一種像素結(jié)構(gòu)及采用該像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器”的發(fā)明專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，是一種像素結(jié)構(gòu)及采用該像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：
OLED（OrganicLight-EmittingDiode，有機(jī)發(fā)光二極管）是主動發(fā)光器件。與傳統(tǒng)的LCD（LiquidCrystalDisplay，液晶顯示器）顯示方式相比，OLED顯示技術(shù)無需背光燈，具有自發(fā)光的特性。OLED采用非常薄的有機(jī)材料膜層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，有機(jī)材料就會發(fā)光。因此OLED顯示屏能夠顯著節(jié)省電能，可以做得更輕更薄，比LCD顯示屏耐受更寬范圍的溫度變化，而且可視角度更大。OLED顯示器有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。OLED屏體的彩色化方法有許多種，現(xiàn)在較為成熟并已經(jīng)成功量產(chǎn)的OLED彩色化技術(shù)是OLED蒸鍍技術(shù)，其采用傳統(tǒng)的RGBStripe（RGB條狀）排列方式進(jìn)行蒸鍍。其中畫面效果最好的是side-by-side（并置）的方式。side-by-side方式是在一個像素（Pixel）范圍內(nèi)有紅、綠、藍(lán)（R、G、B）三個子像素（sub-pixel），每個子像素均呈四邊形，且各自具有獨(dú)立的有機(jī)發(fā)光元器件，它是利用蒸鍍成膜技術(shù)透過高精細(xì)金屬掩膜板（FineMetalMask，F(xiàn)MM）在array（陣列）基板上相應(yīng)的像素位置形成有機(jī)發(fā)光元器件。制作高PPI（PixelPerInch，點每英寸）OLED屏體的技術(shù)重點在于精細(xì)及機(jī)械穩(wěn)定性好的高精細(xì)金屬掩膜板，而高精細(xì)金屬掩膜板的關(guān)鍵在于像素及子像素的排布方式。目前業(yè)界已經(jīng)有縫（slit）、槽（slot）、Pentile和IGNIS等排布方式，但由于掩模板（Mask）開口面積有規(guī)格下限，以及為了避免制作過程受公差（tolerance）的影響，相鄰像素的開口之間需要預(yù)留間隙（gap）而導(dǎo)致像素密度，如PPI無法得到大幅提升，以及像素排列不是真實意義上的真彩顯示等原因，使得以上方案還不能很好的解決像素密度提升的問題。傳統(tǒng)的像素排布方式，每個像素分別由R、G、B三色組成。如圖1所示的像素排布方式，在一個像素內(nèi)分成R、G、B三個相互平行的子像素，每個子像素均呈四邊形，根據(jù)對應(yīng)RGB器件性能的不同來調(diào)節(jié)R、G、B子像素對應(yīng)四邊形的大小。如圖1所示，像素區(qū)域100包括R子像素區(qū)域101、R發(fā)光區(qū)102、G子像素區(qū)域103、G發(fā)光區(qū)104、B子像素區(qū)域105及B發(fā)光區(qū)106，圖中所示R、G、B子像素的區(qū)域和發(fā)光區(qū)面積分別相等，實施時根據(jù)需要面積可作調(diào)整。圖1A和圖1B分別為對應(yīng)于圖1的兩種蒸鍍Mask。其中，圖1A、圖1B中的107、109為Mask遮擋區(qū)，蒸鍍區(qū)開口108、110的開口可以是縫（slit）或槽（slot）兩種。圖1A為slit式蒸鍍Mask，其相對應(yīng)的金屬掩膜板開口大小與子像素的大小相對應(yīng)。該金屬掩膜板的開口方式主要特點是在屏體內(nèi)同一列的所有子像素共用同一個開口，金屬掩膜板開口在長度方向上較長，隨著顯示屏尺寸的增大，金屬掩膜板的開口長度也需要隨之增長，相鄰開口之間的非開口部分形成金屬長條（stripe）。Slit開口方式對于低PPI的OLED屏體來說，金屬掩膜板上相鄰開口的間距較大，金屬長條較寬，金屬掩膜板的制作及使用管理較容易。但是此種開口方式在高PPI的OLED屏體應(yīng)用時，高精細(xì)金屬掩膜板上相鄰開口的間距變小，金屬長條較細(xì)，金屬掩膜板在使用過程中金屬長條容易受磁鐵板磁力線方向的影響而變形，造成子像素間不同顏色材料相互污染而混色，產(chǎn)品的生產(chǎn)良率較低。此外，此種金屬掩膜板在使用、清洗和保管過程中也容易受損變形，重復(fù)利用率不高，因為金屬掩膜板的成本高，所以此種方式制作的屏體成本也較高。圖1B為slot式蒸鍍Mask，該種金屬掩膜板的開口方式主要特點是在slit開口中位于像素間的位置增加了bridge（連接橋），連接相鄰的金屬長條，將原來的一個長條開口改變成多個開口單元。此方法使得金屬掩膜板的金屬長條較為穩(wěn)固，解決了上述slit開口方式金屬長條容易受磁力線及外力影響而變形的問題。但是在考慮金屬掩膜板長尺寸精度，為了避免蒸鍍時對子像素產(chǎn)生遮蔽效應(yīng)，子像素與bridge間必須保持足夠的距離，子像素的上下的長度縮小，而影響了每一個子像素的開口率。上述各方式中，Mask上的每個開口只能對應(yīng)一個或一條相同顏色的子像素，其排布密度不能提高，因而分辨率就無法提高。而且受Mask工藝水平的影響，此Mask上的開口不能過小，由于蒸鍍會產(chǎn)生“陰影效應(yīng)”，兩個發(fā)光區(qū)之間還需要預(yù)留一定的余量，防止因“陰影效應(yīng)”而產(chǎn)生混色，因此Mask開口也不能做得很小，否則還會影響到開口率。加拿大IGNIS公司在其申請的公開號為US20110128262的美國專利中，提出了一種像素陣列的排布方式，但是其子像素仍然各自呈四邊形，只是子像素相對位置關(guān)系和slit和slot排布方式不同，三種子像素呈“品”字型排列。如圖2所示，像素區(qū)域200包括R子像素區(qū)域201，R發(fā)光區(qū)202，G子像素區(qū)域203，G發(fā)光區(qū)204，B子像素區(qū)域205，B發(fā)光區(qū)206。圖2A和圖2B分別為對應(yīng)于圖2的B子像素的兩種蒸鍍Mask，圖2C為對應(yīng)于圖2的R子像素或G子像素的蒸鍍Mask，Mask開口相當(dāng)于將一個像素分為兩個子像素，圖中所示的陰影區(qū)域207、209、211分別為蒸鍍遮擋區(qū)，蒸鍍B子像素的蒸鍍開口208、210可以是slit或slot，蒸鍍開口212為R或G子像素的Mask開口，仍對應(yīng)一個子像素，即其長寬尺寸相當(dāng)于一個子像素的長寬尺寸。該種方式中，像素做周期性水平及垂直的平移形成了行與列的像素陣列。紅色和綠色子像素相對應(yīng)金屬掩膜板的開口間距相對較大，可以在一定程度上實現(xiàn)高PPI顯示。像素周期性排布的結(jié)果，是像素陣列中的藍(lán)色子像素形成直線排布，使得相對應(yīng)的金屬掩膜板必須使用前述slit或者前述slot的開口方式，但是如上所述slit和slot開口方式均存在缺陷，導(dǎo)致IGNIS的像素陣列排布方式中藍(lán)色金屬掩膜板的開口方式嚴(yán)重影響了子像素開口率和PPI的進(jìn)一步提升。此外，有機(jī)發(fā)光顯示器件，通常會隨著分辨率的提升而子像素的開口率降低，最終結(jié)果是導(dǎo)致單色器件的工作亮度提升和顯示屏的壽命縮短。因此亟需一種新的像素設(shè)計技術(shù)，來保證R、G、B子像素開口率和提高屏體的分辨率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可以有效提高OLED顯示器分辨率，并可降低制造成本、提高產(chǎn)品良率的像素結(jié)構(gòu)，以及采用這種像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括有多個像素，每個像素由多個子像素構(gòu)成，至少一個像素構(gòu)成一個像素單元，縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布，或橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，或縱向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，或?qū)⑵渲腥我幌袼貑卧D(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與橫向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同，或?qū)⑵渲腥我幌袼貑卧D(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與縱向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同，或任一像素單元與其對角線方向上的相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步地，每個像素單元由縱向相鄰的奇數(shù)個像素或橫向相鄰的奇數(shù)個像素構(gòu)成，縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布，且將其中任一像素單元以像素單元的中心點旋轉(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與橫向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同，且將其中任一像素單元以像素單元的中心點旋轉(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與縱向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同，且任一像素單元與其對角線方向上的相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步地，每個像素單元由橫向相鄰的偶數(shù)個像素構(gòu)成，縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布，且橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，且將其中任一像素單元旋轉(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與橫向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步地，每個像素單元由縱向相鄰的偶數(shù)個像素構(gòu)成，縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布，且縱向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，且將其中任一像素單元旋轉(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與縱向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步地，每個像素單元由縱向相鄰偶數(shù)行、橫向相鄰偶數(shù)列的偶數(shù)個像素構(gòu)成，縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布，且橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，且縱向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同，且任一像素單元與其對角線方向上的相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。進(jìn)一步地，每個像素被像素的對角線分成四個區(qū)域，分別為上區(qū)、下區(qū)、左區(qū)、右區(qū)，每個區(qū)為一個子像素，每個子像素均呈三角形。進(jìn)一步地，四個區(qū)域的子像素中，有兩個B子像素、一個R子像素和一個G子像素。進(jìn)一步地，四個區(qū)域的子像素中，有一個B子像素、一個R子像素和一個G子像素和一個W子像素。進(jìn)一步地，相鄰像素的同顏色子像素排布在一起。本發(fā)明還提供了一種包含有上述像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器。本發(fā)明通過合理的像素排布結(jié)構(gòu)，通過將相鄰像素的子像素共用Mask上的一個開口蒸鍍，可增加蒸鍍時Mask的開口面積，降低Mask工藝制作的難度，也降低了蒸鍍工藝的難度。蒸鍍Mask相鄰像素的子像素時不需預(yù)留gap，在保持開口率的要求同時，可實現(xiàn)真正的高PPI。另外，本發(fā)明還可增加Mask的強(qiáng)度，使其在使用過程中不易變形，提高產(chǎn)品良率，增加Mask的壽命，降低成本。附圖說明圖1為傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器的像素排布示意圖。圖1A為對應(yīng)圖1的一種Mask開口示意圖。圖1B為對應(yīng)圖1的另一種Mask開口示意圖。圖2為IGNIS像素排布結(jié)構(gòu)圖。圖2A為對應(yīng)圖2的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖2B為對應(yīng)圖2的B子像素的另一種Mask開口示意圖。圖2C為對應(yīng)圖2的R或G子像素的Mask開口示意圖。圖3為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第一實施例的示意圖。圖3A為對應(yīng)圖3所示實施例的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖3B為對應(yīng)圖3所示實施例的B子像素的另一種Mask開口示意圖。圖3C為對應(yīng)圖3所示實施例的R或G子像素的Mask開口示意圖。圖4為對應(yīng)圖3所示實施例的再一種B子像素Mask的示意圖。圖5為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第二實施例的示意圖。圖5A為對應(yīng)圖5所示實施例的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖5B為對應(yīng)圖5所示實施例的B子像素的另一種Mask開口示意圖。圖5C為對應(yīng)圖5所示實施例的R子像素的一種Mask開口示意圖。圖5D為對應(yīng)圖5所示實施例的G子像素的一種Mask開口示意圖。圖6為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第三實施例的示意圖。圖7為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第四實施例的示意圖。圖7A為對應(yīng)圖7所示實施例的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖7B為對應(yīng)圖7所示實施例的R子像素的一種Mask開口示意圖。圖7C為對應(yīng)圖7所示實施例的G子像素的一種Mask開口示意圖。圖7D為圖7A至圖7C所示的Mask的相鄰開口連接處的局部放大圖。圖8為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第五實施例的示意圖。圖8A為對應(yīng)圖8所示實施例的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖8B為對應(yīng)圖8所示實施例的R子像素的一種Mask開口示意圖。圖8C為對應(yīng)圖8所示實施例的G子像素的一種Mask開口示意圖。圖9為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第六實施例的示意圖。圖9A為對應(yīng)圖9所示實施例的B子像素的一種Mask開口示意圖。圖9B為對應(yīng)圖9所示實施例的R子像素的一種Mask開口示意圖。圖9C為對應(yīng)圖9所示實施例的G子像素的一種Mask開口示意圖。圖9D為蒸鍍圖9所示實施例的B子像素的方法中第一步驟的示意圖。圖9E為蒸鍍圖9所示實施例的B子像素的方法中第二步驟的示意圖。圖10為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第七實施例的示意圖。圖10A為對應(yīng)圖10所示實施例的R或G子像素的一種Mask開口示意圖。圖10B為對應(yīng)圖10所示實施例的R或G子像素的另一種Mask開口示意圖。圖10C為利用圖10B的Mask蒸鍍出的像素結(jié)構(gòu)圖。圖11為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第八實施例的示意圖。圖12為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第九實施例的示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。本發(fā)明是通過合理的像素排布結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)多個像素的子像素可以共用同一Mask開口，可增加蒸鍍時Mask的開口面積，降低Mask工藝制作的難度，也降低了蒸鍍工藝的難度。而在Mask開口一定的情況下，可以通過像素排布的改變，來提高顯示器的分辨率。實施例1：圖3為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第一實施例的示意圖。如圖3所示，顯示器包括有多個像素300，每個像素300由多個子像素構(gòu)成。每個像素300包括R子像素區(qū)域301、R發(fā)光區(qū)302、G子像素區(qū)域303、G發(fā)光區(qū)304、B子像素區(qū)域305及B發(fā)光區(qū)306。每個像素的大小為H×H。本實施例中，每個像素的R、G、B子像素均為四邊形，子像素之間呈“品”字形或者倒“品”字形排布。其中，R、G子像素的長和寬均為1/2H，而B子像素的寬為H，高為1/2H，即B子像素的面積為G子像素或R子像素的2倍。其中，本實施例中的每個像素單元可以由縱向相鄰的奇數(shù)個（例如一個）像素或橫向相鄰的奇數(shù)個（例如一個）像素構(gòu)成，這時其具備以下特征：（a1）橫向相鄰的像素單元呈水平鏡像排布；（a2）縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布。當(dāng)縱向相鄰的三個、五個等奇數(shù)個像素或橫向相鄰的三個、五個等奇數(shù)個像素構(gòu)成一個像素單元時，也具備上述特征（a1）和（a2）。每個像素單元也可以由橫向相鄰的偶數(shù)個（例如兩個）像素構(gòu)成，這時其具備以下特征：（a1）橫向相鄰的像素單元呈水平鏡像排布；（a2）縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布；（a3）橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同。當(dāng)橫向相鄰的四個、六個等偶數(shù)個像素構(gòu)成一個像素單元時，也具備上述特征（a1）、（a2）和（a3）。每個像素單元也可以由縱向相鄰的偶數(shù)個（例如兩個）像素構(gòu)成，這時其具備以下特征：（a1）橫向相鄰的像素單元呈水平鏡像排布；（a2）縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布；（a4）縱向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同。當(dāng)縱向相鄰的四個、六個等偶數(shù)個像素構(gòu)成一個像素單元時，也具備上述特征（a1）、（a2）和（a4）。每個像素單元還可以由同時位于縱向相鄰偶數(shù)行、橫向相鄰偶數(shù)列的偶數(shù)個像素（例如縱向相鄰兩行、橫向相鄰兩列的四個像素）構(gòu)成，這時其具備以下特征：（a1）橫向相鄰的像素單元呈水平鏡像排布；（a2）縱向相鄰的像素單元呈垂直鏡像排布；（a3）橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同；（a4）縱向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同；（a5）像素單元中的像素以像素單元的中心點呈中心對稱排布，即像素單元以其中心點旋轉(zhuǎn)180度后，結(jié)構(gòu)不變。當(dāng)同時位于縱向相鄰四行、六行等、橫向相鄰四列、六列等偶數(shù)個像素構(gòu)成一個像素單元時，同樣具有上述特征（a1）、（a2）、（a3）、（a4）和（a5）。具體如圖3所示，該圖只示出了有機(jī)發(fā)光顯示器的一部分，實際產(chǎn)品中像素數(shù)量不限于此。本發(fā)明中所述第一行、第二行、第一列、第二列等均是為說明本發(fā)明而以圖中所示為參考標(biāo)準(zhǔn)的，并非指實際產(chǎn)品中的行和列。圖3中，第一行第一列的像素記為像素（1，1），第一行第二列的像素記為（1，2），第二行第一列的像素記為（2，1），第二行第二列的像素記為（2，2），其它類推。從圖3中可以看出，像素（1，1）的B子像素位于該像素的下半部，而其G子像素和R子像素并列位于該像素的上半部，且G子像素位于左側(cè)，而R子像素位于右側(cè)。與像素（1，1）橫向相鄰的像素（1，2）的B子像素位于該像素的下半部，而其G子像素和R子像素并列位于該像素的上半部，且R子像素位于左側(cè)，而G子像素位于右側(cè)?？梢?，像素（1，2）與像素（1，1）的像素結(jié)構(gòu)是水平鏡像的。與像素（1，1）縱向相鄰的像素（2，1）的B子像素位于該像素的上半部，而其G子像素和R子像素并列位于該像素的下半部，且G子像素位于左側(cè)，而R子像素位于右側(cè)?？梢?，像素（2，1）與像素（1，1）的像素結(jié)構(gòu)是垂直鏡像的。圖3中像素（2，2）的B子像素位于該像素的上半部，而其G子像素和R子像素并列位于該像素的下半部，且R子像素位于左側(cè)，而G子像素位于右側(cè)。從圖3中還可以看出，屬于同一行的各奇數(shù)列像素結(jié)構(gòu)和偶數(shù)列像素結(jié)構(gòu)分別相同，而屬于同一列的各奇數(shù)行像素結(jié)構(gòu)和偶數(shù)行像素結(jié)構(gòu)分別相同。同時可以得出，像素（1，1）和像素（2，2）中心對稱，像素（1，2）和像素（2，1）中心對稱。如此，相鄰行和/或相鄰列的同顏色的子像素排布在一起，從而可以在蒸鍍時共用一個掩膜板開口，也即一個掩膜板開口可以蒸鍍多個像素，從而在開口大小一定的情況下，可以蒸鍍更多的像素，增加了像素密度，即提高了有機(jī)發(fā)光顯示器的分辨率。另，本實施例中，所述每個像素中子像素的色彩排布不限于圖3所示，其中的R、G、B三種色彩可以互換，其排布方式符合該圖示中揭示的特征即可。圖3A、圖3B、圖3C分別為對應(yīng)圖3所示像素結(jié)構(gòu)的蒸鍍Mask實施例示意圖。其中，圖3A、圖3B為蒸鍍B子像素的兩種蒸鍍Mask實施例。如圖3A所示實施例，在該實施例中，蒸鍍Mask包括蒸鍍遮擋區(qū)307和蒸鍍區(qū)開口308，其中開口308為slot式，其長度為H，而其寬度H’為H減去一縫隙寬度m。在蒸鍍時，該開口308可以同時蒸鍍圖3所示實施例中屬于同一列的縱向相鄰兩行像素的B子像素。而在圖3B所示實施例中，蒸鍍Mask包括蒸鍍遮擋區(qū)309和蒸鍍區(qū)開口310，其中開口310為slit式，其寬度為H，相鄰開口310之間的距離也為H。在蒸鍍時，該開口309可以同時蒸鍍圖3所示實施例中縱向相鄰兩行的所有列的B子像素。圖3C為蒸鍍R子像素和G子像素的一種蒸鍍Mask實施例。在該實施例中，蒸鍍Mask包括蒸鍍遮擋區(qū)311和蒸鍍區(qū)開口312，其中開口312為slot式，其長、寬度均為H，而相鄰開口312之間的距離也為H。在蒸鍍時，該開口312可以同時蒸鍍圖3所示實施例中相鄰的四個像素的R子像素或G子像素，該四個像素分別屬于相鄰的兩行和相鄰的兩列?？梢?，本發(fā)明中同一開口可以同時蒸鍍四個相同的子像素，解決了蒸鍍掩模板（Mask）對提高分辨率的限制，從而大大提高了分辨率。這樣的排列方式，可以使Mask開口加大，從而降低Mask制備工藝的難度。也可適用于大尺寸Mask的制作。R、G子像素的Mask開口的水平和垂直間距也相應(yīng)加大，B子像素的Mask垂直間距加大，可增加使用過程中的Mask強(qiáng)度。具體來說，依現(xiàn)有技術(shù)可以做到的Mask最小開口為40um計算，采用圖1所示現(xiàn)有技術(shù)的像素排布方式，每個像素的尺寸至少為3*40um=120um，用1英寸（25400um）除以每個像素的尺寸，即25400um/120um，可得分辨率最多為212PPI。采用IGNIS排布方式，每個像素的尺寸至少為2*40um=80um，則其PPI為25400um/80um=317PPI。而采用圖3所示的本發(fā)明的像素排布方式，每個像素的尺寸為40um，因此其分辨率可達(dá)25400um/40um=635PPI。當(dāng)然，上述實施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選方案。實際應(yīng)用時，根據(jù)需要也可以采用其它蒸鍍Mask。例如，利用slit式蒸鍍Mask的同一開口同時蒸鍍屬于同一行的所有像素的B子像素，或者例用slot式蒸鍍Mask的同一開口同時蒸鍍屬于橫向相鄰偶數(shù)個（例如兩個）像素的R子像素（或G子像素）或縱向相鄰偶數(shù)個（例如兩個）像素的R子像素（或G子像素）。另外，為了防止混色，也可以用兩張Mask來分別蒸鍍R子像素和G子像素。另外，還可以采用圖4所示的用于蒸鍍B子像素的蒸鍍Mask。該蒸鍍Mask包括蒸鍍遮擋區(qū)401和B子像素的蒸鍍區(qū)開口402。其中，蒸鍍區(qū)開口402只有一個，其大小可覆蓋顯示器的所有顯示區(qū)域，也即在整個顯示區(qū)域均蒸鍍B子像素，然后再在R、G子像素對應(yīng)的區(qū)域分別蒸鍍R、G子像素。目前OLED器件中B子像素的亮度是最低的，相應(yīng)地所需要的發(fā)光面積就要更大，即B子像素的開口率在單個像素中所占的面積也最大。因此，可以采用共用藍(lán)色（CommonBlue）的方式，即在整個像素上都蒸鍍B子像素，這樣B子像素不會因為對位誤差和“陰影效應(yīng)”而犧牲開口率，同時也可降低對對位機(jī)構(gòu)的精度要求。R和G子像素的蒸鍍Mask則與圖3C一樣，在此不再贅述。實施例2：如圖5所示的本發(fā)明的第二實施例。在本實施例中，顯示器包括有多個像素500，每個像素由多個子像素構(gòu)成。而每個子像素的形狀為三角形。優(yōu)選地，如圖5所示，每個子像素均為等腰直角三角形，且每四個子像素的直角相對排布在一起構(gòu)成一個像素。構(gòu)成一個像素的四個子像素中，包括一個R子像素501、一個G子像素503和兩個B子像素502，其中兩個B子像素502相對設(shè)置。如此，B子像素502的面積同樣是R子像素501或G子像素503的兩倍，從而保證了顯示器的顯示效果。如圖5所示，該圖只示出了有機(jī)發(fā)光顯示器的一部分，實際產(chǎn)品中像素數(shù)量不限于此。本發(fā)明中所述第一行、第二行、...