本申請(qǐng)要求于2015年7月29日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2015-0107497號(hào)的優(yōu)先權(quán)，如同在本文中完全闡述一樣，出于所有目的將其全部內(nèi)容并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，涉及可以使用設(shè)置在輔助電極上的堤岸圖案(bank pattern)和障壁(barrier rib)而制造成為大尺寸的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著以信息為導(dǎo)向的社會(huì)的進(jìn)步，對(duì)于用于顯示圖像的顯示裝置的各種需求日益增加。近來，已經(jīng)使用了各種類型的顯示裝置，例如液晶顯示器(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置或者有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置。這樣的顯示裝置各自包括對(duì)于其適合的顯示面板。

在顯示面板中，在每個(gè)像素區(qū)域中形成有薄膜晶體管，并且通過薄膜晶體管中的電流來控制顯示面板中的特定像素區(qū)域。薄膜晶體管包括柵電極和源電極/漏電極。

在OLED裝置中，在兩個(gè)不同的電極之間形成有發(fā)光層，并且當(dāng)由電極中的一個(gè)電極生成的電子和由另一個(gè)電極生成的空穴被注入到發(fā)光層中時(shí)，經(jīng)注入的電子和空穴組合成激子。當(dāng)所生成的激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換為基態(tài)時(shí)，發(fā)出光以顯示圖像。

這樣的OLED裝置在被制造成小的尺寸時(shí)不存在問題。然而，當(dāng)被制造成大的尺寸時(shí)，OLED裝置具有亮度不均勻的問題以及具有在周圍區(qū)域與中央?yún)^(qū)域之間的亮度差。更具體地，如果電流從有機(jī)發(fā)光元件的陰極電極流動(dòng)至周圍區(qū)域與中央?yún)^(qū)域之間的空間，則電流可以遠(yuǎn)離電流注入點(diǎn)。在這種情況下，由于有機(jī)發(fā)光元件的陰極電極的電阻而出現(xiàn)電壓降，這造成周圍區(qū)域與中央?yún)^(qū)域之間的亮度差。

即，在具有大尺寸的常規(guī)OLED裝置中，由于有機(jī)發(fā)光元件的上電極的電阻造成的周圍部分與中央部分之間的亮度差，亮度均勻性大幅降低。由此，常規(guī)OLED裝置需要手段來補(bǔ)償亮度差。

因此，已經(jīng)引入了可以與陰極電極接觸的輔助電極(或輔助線)，以解決電壓降的問題。然而，由于在輔助電極上形成有有機(jī)材料，所以陰極電極和輔助電極難以彼此接觸。此外，有機(jī)材料部分地形成為大的厚度，并且由此，可能生成漏電流。

此外，近來，已經(jīng)嘗試通過在輔助電極上提供障壁來解決該問題。然而，額外地需要用于形成障壁的過程。因此，對(duì)于用于在沒有附加過程的情況下抑制漏電流并且使陰極電極接觸輔助電極的方法存在需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例性實(shí)施方式的一個(gè)方面提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其可以抑制當(dāng)被制造為大的尺寸時(shí)由陰極的電阻造成的電壓降，并且還可以抑制漏電流的生成并且簡化了過程。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；第一電極和輔助電極，其設(shè)置在基板上；堤岸圖案，其設(shè)置在第一電極的一部分上和輔助電極的一部分上，并且被劃分成第一區(qū)域和設(shè)置在第一區(qū)域下方的第二區(qū)域；障壁，其設(shè)置在輔助電極的上表面的一部分上，并且被劃分成具有倒錐形形狀的第三區(qū)域以及在第三區(qū)域下方并具有錐形形狀的第四區(qū)域；有機(jī)發(fā)光層，其設(shè)置在除了相鄰于障壁的輔助電極的區(qū)域之外的基板上；以及第二電極，其設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層上，并且與輔助電極接觸。

本文中，障壁的第三區(qū)域的最大寬度可以大于障壁的第四區(qū)域的最大寬度。此外，堤岸圖案的第一區(qū)域具有倒錐形形狀，并且堤岸圖案的第二區(qū)域具有錐形形狀。

此外，有機(jī)發(fā)光層包括第一非設(shè)置區(qū)域至第三非設(shè)置區(qū)域。本文中，有機(jī)發(fā)光層的第一非設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于堤岸圖案的兩個(gè)側(cè)表面的部分區(qū)域。有機(jī)發(fā)光層的第二非設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于障壁的第三區(qū)域的兩個(gè)側(cè)表面。有機(jī)發(fā)光層的第三非設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于障壁的第四區(qū)域的兩個(gè)側(cè)表面以及輔助電極的上表面的通過有機(jī)發(fā)光層露出的部分。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，在具有大尺寸的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，陰極電極和輔助電極可以容易地彼此接觸。由此，可以抑制由陰極電極的電阻造成的電壓降。

此外，根據(jù)示意性實(shí)施方式，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光層包括：第一非設(shè)置區(qū)域，其在堤岸圖案的第三區(qū)域的側(cè)表面的一部分上。由此，可以抑制由有機(jī)發(fā)光層的厚度的變化造成的漏電流，并且可以簡化形成障壁的過程。

附圖說明

將結(jié)合附圖從下面的詳細(xì)描述中更清楚地理解本公開的以上和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1是簡單地示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖；

圖2是簡單地示出根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖；

圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖4是沿根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的線A-A’截取的截面圖；

圖5是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的堤岸圖案和障壁的視圖；

圖6A至圖6C是示出本公開的堤岸圖案和障壁的制造方法的視圖；

圖7是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的堤岸圖案和障壁的視圖；

圖8是根據(jù)本公開的又一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；

圖9是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖；

圖10是示出根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖；以及

圖11是示出根據(jù)又一示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施方式。下文中引入的示例性實(shí)施方式被提供作為示例，以將其精神傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。因此，本公開不限于下面的示例性實(shí)施方式，而是可以以不同的形狀實(shí)施。此外，在附圖中出于便捷的原因，裝置的尺寸和厚度可能被表現(xiàn)為是夸大的。遍及本說明書中，相同的附圖標(biāo)記一般指示相同的元件。

從下面參照附圖描述的示例性實(shí)施方式中將更清楚地理解本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征以及用于實(shí)現(xiàn)該優(yōu)點(diǎn)和特征的方法。然而，本公開不限于下面的示例性實(shí)施方式，而是可以以各種不同的形式實(shí)施。示例性實(shí)施方式僅提供以完成對(duì)本公開的公開，以及向本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員提供本發(fā)明的類別，并且本公開將由所附權(quán)利要求限定。遍及本說明書中，相同的附圖標(biāo)記通常指代相同的元件。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸和相對(duì)尺寸可以夸大。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)由希蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。同時(shí)，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)，不能存在任何中間元件。

為了描述方便，如附圖中所示，空間關(guān)系術(shù)語如“下方”、“以下”、“下”、“上方”以及“上”在本文中可以用來描述一個(gè)元件或多個(gè)部件與其他(一個(gè)或多個(gè))元件或(一個(gè)或多個(gè))部件的關(guān)系。應(yīng)理解的是，除了圖中所描繪的定向之外，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括使用或操作的元件的不同定向。例如，如果附圖中的元件被翻轉(zhuǎn)，則被描述在在其他元件“下方”或“以下”的元件接著會(huì)被定向?yàn)樵谒銎渌吧戏健薄Ｓ纱?，示例性術(shù)語“下方”可以包括上方和下方的方向兩者。

本文中使用的術(shù)語僅提供用于對(duì)示例性實(shí)施方式的說明而不旨在限制本公開。如本文中所使用的，除了上下文另有明確指示，否則單數(shù)術(shù)語包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語“包含”和/或“包括”指定所闡述的部件、步驟、操作和/或元件的存在，但不排除一個(gè)或更多個(gè)其他部件、步驟、操作和/或元件的存在或添加。

圖1是簡單地示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10包括基板100、柵極驅(qū)動(dòng)器GD、多個(gè)柵極線GL、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DD、多個(gè)數(shù)據(jù)線DL、輔助電極130以及多個(gè)子像素SP。

基板100可以是由塑料、玻璃、陶瓷等形成的絕緣基板。如果基板100由塑料形成，則基板100可以是柔性的。然而，基板100的材料不限于此?；?00可以由金屬形成。

此外，柵極驅(qū)動(dòng)器GD向多個(gè)柵極線GL依次供應(yīng)掃描信號(hào)。例如，柵極驅(qū)動(dòng)器GD是控制電路，并且響應(yīng)于從定時(shí)控制器(未示出)供應(yīng)的控制信號(hào)向多個(gè)柵極線GL供應(yīng)掃描信號(hào)。接著，根據(jù)掃描信號(hào)來選擇子像素SP，并且依次向子像素SP供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)。

多個(gè)柵極線GL設(shè)置在基板100上，并且沿第一方向延伸。柵極線GL包括多個(gè)掃描線SL1至SLn。多個(gè)掃描線SL1至SLn連接至柵極驅(qū)動(dòng)器GD，并且被供應(yīng)有來自柵極驅(qū)動(dòng)器GD的掃描信號(hào)。

此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DD響應(yīng)于從外部(如定時(shí)控制器(未示出))供應(yīng)的控制信號(hào)向選自數(shù)據(jù)線DL中的數(shù)據(jù)線DL1至DLm供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)。每當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)至掃描線SL1至SLn時(shí)，供應(yīng)至數(shù)據(jù)線DL1至DLm的數(shù)據(jù)信號(hào)就被供應(yīng)至根據(jù)掃描信號(hào)選擇的子像素SP。由此，子像素SP充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，并且以與其對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。

本文中，數(shù)據(jù)線DL沿第二方向設(shè)置，以與柵極線GL交叉。此外，數(shù)據(jù)線DL包括多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLm，并且包括驅(qū)動(dòng)電源線VDDL。此外，多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLm連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DD，并且被供應(yīng)有來自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器DD的數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，驅(qū)動(dòng)電源線VDDL連接至外部的第一電源VDD，并且被供應(yīng)有來自第一電源VDD的驅(qū)動(dòng)電力。

同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置分為頂部發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示裝置、底部發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及雙發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示裝置。本文中，在任何類型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在具有大尺寸的顯示面板的整個(gè)表面上形成陰極電極時(shí)，可能出現(xiàn)陰極電極的電壓降。由此，為了解決該問題，可以在非發(fā)光區(qū)域中形成輔助電極或輔助線。在下文中，將在下面的示例性實(shí)施方式中描述頂部發(fā)光顯示裝置。然而，本公開的示例性實(shí)施方式不限于頂部發(fā)光顯示裝置，而是可以應(yīng)用于能夠抑制陰極電極的電壓降的任何顯示裝置。

輔助電極130可以設(shè)置在基板100上，以與多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLm平行。即，輔助電極130可以沿第二方向設(shè)置。本文中，雖然在附圖中未示出，但是可以進(jìn)一步設(shè)置更多的與數(shù)據(jù)線DL1至DLm平行的輔助線。

輔助電極130不限于此，而是可以設(shè)置在基板100上以與多個(gè)掃描線SL1至SLn平行。即，輔助電極130可以沿第一方向設(shè)置。由于輔助電極130，有機(jī)發(fā)光顯示裝置10可以響應(yīng)于有機(jī)發(fā)光元件(未示出)的陰極電極(未示出)的電阻以及周圍部分與中央部分之間所產(chǎn)生的亮度差而抑制電壓降。

下文中，將參照?qǐng)D2描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖2是簡單地示出根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖。根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與上述示例性實(shí)施方式的部件相同的部件?？梢允÷云涠嘤嗟拿枋?。此外，相同的部件將被分配相同的附圖標(biāo)記。

參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20包括：多個(gè)掃描線SL1至SLn，其沿第一方向設(shè)置在基板100上；以及數(shù)據(jù)線DL1至DLm，其沿第二方向設(shè)置以與掃描線SL1至SLn交叉。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20包括設(shè)置在基板上的多個(gè)輔助電極230。

具體地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20包括設(shè)置為與多個(gè)掃描線SL1至SLn平行的多個(gè)第一輔助電極231以及設(shè)置為與多個(gè)數(shù)據(jù)線DL1至DLm平行的多個(gè)第二輔助電極232。即，輔助電極230可以以網(wǎng)狀形式設(shè)置在基板100上。因此，輔助電極230可以設(shè)置為各種形狀。此外，雖然在附圖中未示出，但是可以進(jìn)一步設(shè)置與數(shù)據(jù)線DL1至DLm平行的輔助線。由于輔助電極230，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20可以響應(yīng)于有機(jī)發(fā)光元件(未示出)的陰極電極(未示出)的電阻以及周圍部分與中央部分之間所產(chǎn)生的亮度差而抑制電壓降。

下文中，將參照?qǐng)D3至圖7來詳細(xì)描述包括輔助電極和輔助線的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖4是沿根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的線A-A’截取的截面圖。圖5是示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的堤岸圖案和障壁的視圖。圖6A至圖6C是示出本公開的堤岸圖案和障壁的制造方法的視圖。圖7是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的堤岸圖案和障壁的視圖。

參照?qǐng)D3，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：有源層102，其設(shè)置在基板100上；柵電極103；數(shù)據(jù)線DLm-1和DLm；源電極106a，其從數(shù)據(jù)線DLm-1和DLm分支；漏電極106b，其設(shè)置為與源電極106a分隔開；以及輔助線110，其設(shè)置在與連接電極109(其將源電極106a和漏電極106b相連接)的同一層上，并且由與源電極106a和漏電極106b相同的材料形成。

此外，有機(jī)發(fā)光元件的第一電極120通過使漏電極106b露出的第一接觸孔170而與漏電極106b接觸。下文中，第一電極120可以是有機(jī)發(fā)光元件的陽極電極。

此外，輔助電極130形成在與第一電極120同一層上，并且由與第一電極120相同的材料形成。輔助電極130可以沿水平方向和垂直方向設(shè)置，并且由此設(shè)置為網(wǎng)狀形式。然而，輔助電極130的設(shè)置形式不限于此，以及輔助電極130可以沿水平方向和垂直方向中的任一個(gè)方向設(shè)置。

此外，輔助線通過第二接觸孔180與輔助電極130接觸。另外，堤岸圖案150設(shè)置為使輔助電極130的一部分露出。輔助電極130的沒有被堤岸圖案150露出的區(qū)域與有機(jī)發(fā)光顯示元件的第二電極(未示出)接觸，并且由此，第二電極(未示出)的電壓降得到抑制。雖然在附圖中未示出，但是在輔助電極130的被堤岸圖案150露出的部分上設(shè)置有由與堤岸圖案150相同材料形成的障壁(未示出)，以使輔助電極130與第二電極(未示出)接觸。

待與根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示元件的第二電極接觸的輔助電極位于像素區(qū)域之間，并且由與第一電極、源電極/漏電極或者將它們電連接的連接電極M3相同的材料形成。由此，可以在沒有附加的掩模的情況下執(zhí)行形成輔助線的過程。

此外，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的輔助電極和輔助線被沒有區(qū)別地使用。另外，在通過使輔助電極/輔助線與有機(jī)發(fā)光層之間的距離增大而使輔助線連接至有機(jī)發(fā)光元件的第二電極時(shí)，由于有機(jī)發(fā)光層與第二電極材料之間的臺(tái)階覆蓋差，輔助線和第二電極可以被連接，但是在輔助線與第二電極之間不允許引入有機(jī)發(fā)光層。由此，輔助電極與第二電極之間的接觸區(qū)域可以增大。

下面將參照作為沿線A-A’截取的截面圖的圖4來對(duì)其細(xì)節(jié)進(jìn)行描述。參照?qǐng)D4，基板100包括像素區(qū)域和接觸區(qū)域。本文中，在基板100的像素區(qū)域上設(shè)置有薄膜晶體管Tr和有機(jī)發(fā)光元件EL。此外，輔助電極130和第二電極122在基板100的接觸區(qū)域處相連接。

具體地，在基板100上設(shè)置有緩沖層101，并且在緩沖層101上設(shè)置有有源層102。在有源層102的溝道層(未示出)上設(shè)置有柵極絕緣膜105。柵電極103形成在柵極絕緣膜105上。

柵電極103可以通過將Cu、Mo、Al、Ag、Ti或由其組合形成的合金中的至少一種進(jìn)行層疊而形成。然而，柵電極103的材料不限于此，而是可以使用通常用于柵電極和柵極線的材料。此外，雖然在附圖中柵電極103被示為單個(gè)金屬層，但是在一些情況下，柵電極103可以通過將至少兩個(gè)金屬層進(jìn)行層疊來形成。

在柵電極103上設(shè)置有第一層間絕緣膜104。此外，源電極106a和漏電極106b設(shè)置在層間絕緣膜104上以彼此隔開。源電極106a和漏電極106b通過形成在層間絕緣膜104中的第一接觸孔與有源層102接觸。

本文中，源電極106a和漏電極106b可以通過將Cu、Mo、Al、Ag、Ti以及由其組合形成的合金、或者為透明導(dǎo)電材料的ITO、IZO和ITZO中的至少一種進(jìn)行層疊而形成。然而，源電極106a和漏電極106b的材料不限于此，源電極106a和漏電極106b可以由通常用于數(shù)據(jù)線的材料形成。此外，雖然在附圖中源電極106a和漏電極106b中的每一個(gè)示為單個(gè)金屬層，但是在一些情況下源電極106a和漏電極106b中的每一個(gè)可以通過將至少兩個(gè)金屬層進(jìn)行層疊而形成。因此，薄膜晶體管Tr可以設(shè)置在基板100上。

為了保護(hù)源電極106a和漏電極106b，在包括薄膜晶體管Tr的基板100上設(shè)置有第二層間絕緣膜107和第一平坦膜108。在第一平坦膜108上，設(shè)置有連接至薄膜晶體管Tr的漏電極106b的連接電極109，并且輔助線110與連接電極109在同一層上。本文中，輔助線110可以由與連接電極109相同的材料形成，但是不限于此。輔助線110可以由與柵電極103或源電極106a/漏電極106b相同的材料形成。

輔助線110電連接至有機(jī)發(fā)光元件EL的第二電極122，并且可以抑制由第二電極122的電阻造成的電壓降。本文中，輔助線110可以形成為適合于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的寬度和厚度，以改進(jìn)大尺寸顯示裝置的電壓降。此外，可以基于輔助線110的寬度、長度、厚度以及材料的種類來計(jì)算輔助線110的電阻。

如上所述，輔助線110設(shè)置在第一平坦膜108上。由此，輔助線110基本上平坦，這意味著輔助線110形成為不具有臺(tái)階部。然而，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的輔助線110不限于此。如果第一平坦膜108沒有形成為足夠大的厚度，則第一平坦膜108可能由于設(shè)置在其下方的部件而具有臺(tái)階部。因此，輔助線110也可能具有臺(tái)階部。

本文中，由于輔助線110設(shè)置在第一平坦膜108上，所以可以使可能在薄膜晶體管Tr的部件之間生成的寄生電容的影響最小化。因此，第一平坦膜108可以形成為足夠大的厚度，以抑制輔助線110與薄膜晶體管Tr的部件之間的寄生電容。

此外，輔助線110設(shè)置在有機(jī)發(fā)光元件EL的第一電極120下方。由此，輔助線110可以與設(shè)置有第一電極120的面積的大小無關(guān)地形成。因此，可以增加設(shè)置第一電極120的面積的大小，并且由此，可以進(jìn)一步增加發(fā)光區(qū)域。

在包括連接電極109和輔助線110的基板100上設(shè)置有第二平坦膜111。本文中，為了將有機(jī)發(fā)光元件EL的第一電極120連接至薄膜晶體管Tr的漏電極106b，需要在第一平坦膜108和第二平坦膜111中形成接觸孔。在形成接觸孔時(shí)，由于平坦膜形成為雙層，所以難以使接觸孔形成為使漏電極106b露出。因此，連接電極109設(shè)置在第一平坦膜108與第二平坦膜111之間，并且由此，使漏電極106b與第一電極120電連接變得容易。

此外，有機(jī)發(fā)光元件EL的通過接觸孔與連接電極109接觸的第一電極120設(shè)置在第二平坦膜111上。此外，通過接觸孔與輔助線110接觸的輔助電極130設(shè)置在與第一電極120同一層上。輔助電極130能夠解決電壓降的問題。

本文中，第一電極120可以由具有高的功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極120可以由選自ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)以及ZnO的組中的任一種形成。雖然在附圖中第一電極120被示為單層，但是第一電極120可以形成為包括反射層和透明導(dǎo)電層的多層。

輔助電極130可以由與第一電極120相同的材料形成，但不限于此。輔助電極130可以由與柵電極103、源電極106a/漏電極106b、連接電極109或輔助線110相同的材料形成。輔助電極130可以用于將輔助線110與有機(jī)發(fā)光元件EL的第二電極電連接。

堤岸圖案150可以設(shè)置在第一電極120和輔助電極130的兩個(gè)側(cè)表面上。即，堤岸圖案150可以設(shè)置為使輔助電極130和第一電極120的上表面的一部分露出。此外，在輔助電極130的其上表面被堤岸圖案150部分露出的上表面的露出部分上設(shè)置有障壁160。本文中，障壁160可以設(shè)置在與堤岸圖案150同一層上，并且由與堤岸圖案150相同的材料形成。障壁160可以在輔助電極130附近切開有機(jī)發(fā)光層131。那么，輔助電極130可以便于與第二電極接觸。

下文中，將參照?qǐng)D5來詳細(xì)描述堤岸圖案150和障壁160的形狀。參照?qǐng)D5，堤岸圖案150包括：第一區(qū)域151，其具有寬度從基板100逐漸增大的倒錐形形狀；以及第二區(qū)域152，其具有寬度從基板100逐漸減小的錐形形狀，并且設(shè)置在第一區(qū)域151下方。此外，障壁160可以包括具有倒錐形形狀的第三區(qū)域161和在第三區(qū)域161下方的具有錐形形狀的第四區(qū)域162。

本文中，堤岸圖案150可以由熱固性負(fù)性光致抗蝕劑形成。在使用熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a形成堤岸圖案150時(shí)(參照?qǐng)D6A至圖6C)，隨著在曝光過程期間掩模500與熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a之間的距離增加，光510從掩模500的端部散射。由于光510的散射，在熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a的端部與中央部分之間的曝光量不同。由此，熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a可能形成為倒錐形形狀。

在熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a的曝光過程之后，經(jīng)固化的熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150b、150c的下部分可通過施加300℃或更小的熱511的熱處理過程而形成為錐形形狀。具體地，熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a的中央部分被供應(yīng)足夠的曝光量，并且由此被完全引發(fā)。然而，熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a的端部由于光510的散射而被供應(yīng)不足的曝光量，并且由此與中央部分相比沒有被充分引發(fā)。接著，在用于對(duì)熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a進(jìn)行固化的熱處理過程期間，首先對(duì)熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a的已經(jīng)被充分引發(fā)的中央部分進(jìn)行固化。使熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150b、150c顯影。

通過對(duì)熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150a進(jìn)行固化同時(shí)調(diào)節(jié)熱處理的持續(xù)時(shí)間，可以在熱固性負(fù)性光致抗蝕劑150b的下部分處形成突起150c。由此，經(jīng)固化的熱固性負(fù)性光致抗蝕劑的上部分可以形成為倒錐形形狀，并且熱固性負(fù)性光致抗蝕劑的下部分可以形成為錐形形狀。

因此，可以形成包括倒錐形形狀和錐形形狀二者的堤岸圖案150b、150c。此外，可以通過與形成堤岸圖案150b、150c相同的過程在與堤岸圖案150b、150c同一層上形成障壁圖案。

可以通過使用半色調(diào)掩模600的曝光過程來最終確定按照這樣形成的堤岸圖案150b、150c以及障壁圖案的形狀。例如，在堤岸圖案150b、150c以及障壁圖案上形成負(fù)性光致抗蝕劑，并且在其上形成有負(fù)性光致抗蝕劑的基板上設(shè)置包括遮蔽部600a、透射部600d以及半透射部600c的半色調(diào)掩模600。本文中，透射部600d使光透過，而半透射部600c與透射部600d相比使較少的光透過。遮蔽部600a完全遮蔽光。

半色調(diào)掩模600的透射部600d設(shè)置成對(duì)應(yīng)于障壁圖案，并且半透射部600c設(shè)置成對(duì)應(yīng)于堤岸圖案150b、150c。此外，遮蔽部600a設(shè)置成對(duì)應(yīng)于未設(shè)置堤岸圖案150b、150c和障壁的其他區(qū)域。使用半色調(diào)掩模600去除形成在未設(shè)置堤岸圖案150b、150c以及障壁的區(qū)域上的熱固性負(fù)性光致抗蝕劑。接著，對(duì)形成在堤岸圖案150b、150c上的負(fù)性光致抗蝕劑進(jìn)行灰化。在這種情況下，設(shè)置在障壁上的負(fù)性光致抗蝕劑被部分去除。接著，使用在障壁上剩余的負(fù)性光致抗蝕劑作為掩模來蝕刻堤岸圖案150b、150c的上部分的一部分。光致抗蝕劑可以是正性光致抗蝕劑。在這種情況下，半色調(diào)掩模600的圖案可以相反地形成。

在使用半色調(diào)掩模600的曝光過程和顯影過程之后，堤岸圖案150和障壁160中的每一個(gè)可以形成為具有倒錐形形狀和錐形形狀二者。因此，堤岸圖案150和障壁160可以通過相同的過程形成。然而，形成本公開的堤岸圖案150和障壁160的過程不限于此?？梢圆捎媚軌蛐纬删哂械瑰F形形狀和錐形形狀的堤岸圖案150和障壁160的任何過程。

在使用半色調(diào)掩模600的曝光過程和顯影過程之后，堤岸圖案150和障壁160的高度可以不同。本文中，經(jīng)過使用半色調(diào)掩模600的曝光過程和顯影過程的堤岸圖案150和障壁160的高度可以取決于曝光和顯影的曝光量或持續(xù)時(shí)間而被改變。具體地，障壁160的高度可以高于堤岸圖案150的高度。更具體地，障壁160的第三區(qū)域161的高度可以高于堤岸圖案150的第一區(qū)域151的高度。

本文中，在使用半色調(diào)掩模600的曝光過程和顯影過程期間，僅蝕刻堤岸圖案150的第一區(qū)域151的一部分，堤岸圖案150的第二區(qū)域152的高度可以與障壁160的第四區(qū)域162的高度相同。在這種情況下，堤岸圖案150的第二區(qū)域152的高度可以被限定為從有機(jī)發(fā)光元件EL的第一電極120的上表面至堤岸圖案150的第二區(qū)域152與第一區(qū)域151之間的接觸點(diǎn)的長度。此外，障壁160的第四區(qū)域162的高度可以被限定為從有機(jī)發(fā)光元件EL的第一電極120的上表面至障壁160的第四區(qū)域162至第三區(qū)域161之間的接觸點(diǎn)的長度。

即，堤岸圖案150的第二區(qū)域152和障壁160的第四區(qū)域162具有相同的高度，并且堤岸圖案150的第一區(qū)域151的高度低于障壁160的第三區(qū)域161的高度。由此，堤岸圖案150的整體高度可以低于障壁160的整體高度。本文中，由于堤岸圖案150的高度低于障壁160的高度，所以堤岸圖案150與障壁160之間的開放區(qū)域可以形成為大的尺寸。由此，有機(jī)發(fā)光元件EL的第二電極122可以在輔助電極130的露出的上表面上設(shè)置為寬的范圍。

如圖4和圖5中所示，有機(jī)發(fā)光元件EL的有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141設(shè)置在其上設(shè)置有堤岸圖案150和障壁160的基板100上。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以通過線性沉積或涂覆方法形成。例如，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以通過蒸鍍形成。通過上述方法形成的有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以包括在基板100上的第一非設(shè)置區(qū)域151a和151b、第二非設(shè)置區(qū)域161a和161b以及第三非設(shè)置區(qū)域162a和162b。

本文中，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的第一非設(shè)置區(qū)域151a和151b對(duì)應(yīng)于堤岸圖案150的第一區(qū)域151的兩個(gè)側(cè)表面的部分區(qū)域。有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的第二非設(shè)置區(qū)域161a和161b對(duì)應(yīng)于障壁160的第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面。有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的第三非設(shè)置區(qū)域162a和162b對(duì)應(yīng)于障壁160的第四區(qū)域162的兩個(gè)側(cè)表面以及輔助電極130的上表面的通過有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141露出的部分。

具體地，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以設(shè)置在堤岸圖案150的上表面上，堤岸圖案150的兩個(gè)側(cè)表面的多個(gè)部分上，以及障壁160的上表面上。本文中，設(shè)置在堤岸圖案150的兩個(gè)側(cè)表面的多個(gè)部分上的有機(jī)發(fā)光層131b、131c可以設(shè)置為使具有倒錐形形狀的第一區(qū)域151的形成錐角的區(qū)域露出。

更具體地，由于有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141通過線性沉積或涂覆方法形成，所以在具有臺(tái)階部的區(qū)域上或在具有倒錐形結(jié)構(gòu)的區(qū)域(如堤岸圖案150)上不形成有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141。因此，在堤岸圖案150的第一區(qū)域151的兩個(gè)側(cè)表面的形成錐角的部分區(qū)域上沒有沉積或涂覆有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141。

此外，在具有倒錐形結(jié)構(gòu)的障壁160周圍沒有沉積或涂覆有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141。具體地，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141僅形成在障壁160的第三區(qū)域161的上表面上，而不形成在障壁160的第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面上以及第四區(qū)域162周圍。更具體地，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以形成為使第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面以及第四區(qū)域162周圍的輔助電極130的上表面的一部分露出。

有機(jī)發(fā)光元件EL的第二電極122可以設(shè)置在其上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的基板100上。本文中，第二電極122可以通過非定向沉積或涂覆方法形成。例如，第二電極122可以通過濺射形成。這樣的方法具有優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋性，并且由此，可以容易地在具有臺(tái)階部或倒錐形形狀的結(jié)構(gòu)上形成第二電極122。

因此，第二電極122可以容易地設(shè)置在具有倒錐形形狀的堤岸圖案150上以及障壁160周圍。具體地，第二電極122可以設(shè)置在除了障壁160的第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面之外的任何區(qū)域上。本文中，在障壁160的第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面之間無法引入第二電極122。由此，第二電極122沒有形成在第三區(qū)域161的兩個(gè)側(cè)表面上。

即，第二電極122可以設(shè)置為與堤岸圖案150的第一區(qū)域151的兩個(gè)側(cè)表面的沒有設(shè)置有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的部分區(qū)域上的堤岸圖案150接觸。此外，第二電極122可以設(shè)置在其上表面由于沒有設(shè)置有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141而被部分露出的輔助電極130上。即，第二電極122可以設(shè)置為與輔助電極130的上表面的一部分接觸。

本文中，第二電極122在堤岸圖案150的第一區(qū)域151的兩個(gè)側(cè)表面周圍的厚度可以減小，并且在障壁160的第四區(qū)域162周圍的輔助電極130上的厚度可以減小。這是因?yàn)殡m然形成第二電極122，但是第二電極122的材料的路徑被堤岸圖案150的具有倒錐形形狀的第一區(qū)域151和障壁160的第三區(qū)域161阻擋。

然而，由于有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141設(shè)置為使輔助電極130的上表面的一部分露出，所以第二電極122和輔助電極130可以在輔助電極130的上表面的露出區(qū)域處彼此完全接觸。由此，第二電極122的電阻可以減小。

換言之，由于堤岸圖案150的第一區(qū)域151具有小的高度，所以堤岸圖案150的第一區(qū)域151的最大寬度可以小于堤岸圖案150的第二區(qū)域152的最大寬度。此外，由于障壁160的第三區(qū)域161具有大的高度，所以第三區(qū)域161的最大寬度可以大于障壁160的第四區(qū)域162的最大寬度。

同時(shí)，由于有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141是通過線性沉積或涂覆方法形成的，所以隨著具有倒錐形形狀的第一區(qū)域151和第三區(qū)域161的最大寬度增加，用于有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的區(qū)域減少。即，隨著第一區(qū)域151和第三區(qū)域161的高度和最大寬度增加，被第一區(qū)域151和第三區(qū)域161的最寬的部分覆蓋的區(qū)域增加。由此，用于通過線性沉積或涂覆方法形成的有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的區(qū)域減小。

即，由于障壁160的具有倒錐形形狀的第三區(qū)域161的最大寬度大于第四區(qū)域162的最大寬度，所以可以抑制將有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的材料引入到設(shè)置輔助電極130的區(qū)域中。具體地，由于第三區(qū)域161的最大寬度大于第四區(qū)域162的最大寬度，所以第三區(qū)域161可以形成為與堤岸圖案150的第二區(qū)域152以及輔助電極130的上表面的通過障壁160的第四區(qū)域162露出的部分重疊。由此，第三區(qū)域161覆蓋輔助電極130的上表面的一部分。因此，可以抑制有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141在輔助電極130的整個(gè)表面上的沉積或涂覆。

即，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以設(shè)置為使輔助電極130的上表面的一部分露出。因此，可以取決于障壁160的第三區(qū)域161的高度對(duì)其中可以使第二電極122和輔助電極130彼此接觸的區(qū)域進(jìn)行調(diào)節(jié)。因此，可以有效地減小第二電極122的電阻。

此外，常規(guī)有機(jī)發(fā)光層形成為在有機(jī)發(fā)光元件的堤岸圖案與第一電極之間的邊界處形成為大的厚度，并且由此，常規(guī)有機(jī)發(fā)光層具有在堤岸圖案與第一電極之間的邊界處的漏電流的問題。然而，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的堤岸圖案150包括具有倒錐形形狀的第一區(qū)域151。因此，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141包括在第一區(qū)域151的兩個(gè)側(cè)表面的部分區(qū)域上的第一非設(shè)置區(qū)域151a和151b。由此，可以抑制漏電流的生成。即，堤岸圖案150和第二電極122被設(shè)置為在有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的第一非設(shè)置區(qū)域151a和151b中彼此接觸，并且有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的造成漏電流的配置被消除。因此，可以抑制漏電流的生成。

此外，由于堤岸圖案150的第一區(qū)域151的最大寬度小于第二區(qū)域152的最大寬度，所以有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141可以包括在堤岸圖案150與第一電極120之間的邊界處的第一非設(shè)置區(qū)域151a和151b，以不影響發(fā)光區(qū)域。換言之，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，即使有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141包括非設(shè)置區(qū)域，發(fā)光區(qū)域也不會(huì)減少，而漏電流的生成也得到抑制。由此，可以抑制黑點(diǎn)或亮點(diǎn)的生成。

下文中，將參照?qǐng)D7來描述根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的堤岸圖案的形狀。根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與上述示例性實(shí)施方式的部件相同的部件?？梢允÷云涠嘤嗟拿枋觥４送?，相同的部件將被分配相同的附圖標(biāo)記。

參照?qǐng)D7，根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的堤岸圖案250包括第一區(qū)域251和第二區(qū)域252。堤岸圖案250的第一區(qū)域251形成為倒錐形形狀，并且堤岸圖案250的第二區(qū)域252形成為錐形形狀。

在這種情況下，堤岸圖案250的第一區(qū)域251的最大寬度可以大于堤岸圖案250的第二區(qū)域252的最大寬度。由此，有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的第一非設(shè)置區(qū)域251a和251b的尺寸可以增加。因此，可以進(jìn)一步抑制由于有機(jī)發(fā)光層131a、131b、131c、141的大的厚度造成的漏電流的生成。

下文中，將參照?qǐng)D8來描述根據(jù)本公開的又一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖8是根據(jù)本公開的又一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。根據(jù)本公開的又一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與上述示例性實(shí)施方式的部件相同的部件?？梢允÷云涠嘤嗟拿枋觥４送?，相同的部件將被分配相同的附圖標(biāo)記。

圖8是示出以下的平面圖：在圖4的截面圖中示出的第二層間絕緣膜108、連接電極109以及輔助線110不包括在根據(jù)本公開的又一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，并且有機(jī)發(fā)光元件EL的第一電極120直接連接至薄膜晶體管Tr的漏電極106b。本文中，由于不包括第二層間絕緣膜108、連接電極109以及輔助線110，所以可以減少掩模的數(shù)目和過程的數(shù)目。

此外，本公開的輔助電極和障壁可以設(shè)置在各個(gè)位置處。將參照?qǐng)D9至圖11描述其細(xì)節(jié)。圖9是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖。參照?qǐng)D9，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的基板100上設(shè)置有多個(gè)像素區(qū)域P。在像素區(qū)域P上設(shè)置有多個(gè)子像素。

具體地，像素區(qū)域P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4。在附圖中，像素區(qū)域P包括四個(gè)子像素，但不限于此。像素區(qū)域P可以包括三個(gè)子像素。

本文中，第一子像素SP1可以是白色(W)子像素，第二子像素SP2可以是紅色(R)子像素，第三子像素SP3可以是綠色(G)子像素，并且第四子像素SP4可以是藍(lán)色(B)子像素，但不限于此。

本文中，第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4可以通過堤岸圖案350被限定為發(fā)光區(qū)域EA和非發(fā)光區(qū)域NEA。即，通過堤岸圖案350露出的區(qū)域可以是發(fā)光區(qū)域EA，而設(shè)置有堤岸圖案350的區(qū)域可以是非發(fā)光區(qū)域NEA。在這種情況下，非發(fā)光區(qū)域NEA可以包括設(shè)置有輔助電極330的區(qū)域。

此外，輔助電極330可以設(shè)置在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4下方。即，單個(gè)輔助電極330可以包括在每個(gè)子像素中。本文中，輔助電極330可以設(shè)置為與柵極線(未示出)平行，或者可以設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(未示出)平行。

可以在輔助電極330的上表面的一部分上設(shè)置障壁360。本文中，堤岸圖案350和障壁360可以設(shè)置在同一層上，并且由相同的材料形成。此外，堤岸圖案350和障壁360中的每一個(gè)可以形成為具有倒錐形形狀和錐形形狀二者。

此外，雖然在附圖中輔助電極330被示為設(shè)置在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3、SP4下方，但是本公開不限于此。輔助電極330可以設(shè)置在每個(gè)子像素的上部分或側(cè)部分上。即，在本公開的示例性實(shí)施方式中，單個(gè)輔助電極330對(duì)于每個(gè)子像素是足夠的。因此，由于輔助電極330設(shè)置在每個(gè)子像素中，所以可以通過子像素來控制有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電壓差。

圖10是示出根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖。根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與上述示例性實(shí)施方式的部件相同的部件?？梢允÷云涠嘤嗝枋?。此外，相同的部件將被分配相同的附圖標(biāo)記。參照?qǐng)D10，在基板100上設(shè)置有包括多個(gè)子像素SP1、SP2、SP3以及SP4的像素區(qū)域P。

此外，可以在像素區(qū)域P下方設(shè)置輔助電極430。即，單個(gè)輔助電極430可以包括在每個(gè)像素區(qū)域P中。本文中，輔助電極430可以設(shè)置為與柵極線(未示出)平行，或者可以設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(未示出)平行。

可以在輔助電極430上設(shè)置障壁460，障壁460設(shè)置在與堤岸圖案450同一層上并且由與堤岸圖案450相同的材料形成。堤岸圖案450和障壁460中的每一個(gè)可以形成為具有倒錐形形狀和錐形形狀二者。

雖然在附圖中輔助電極430被示為設(shè)置在像素區(qū)域P下方，但是本公開不限于此。輔助電極430可以設(shè)置在像素區(qū)域P的上部分或側(cè)部分上。即，在本公開的示例性實(shí)施方式中，單個(gè)輔助電極430對(duì)于每個(gè)像素區(qū)域P是足夠的。因此，由于單個(gè)輔助電極430設(shè)置在每個(gè)子像素中，所以可以通過像素區(qū)域來控制有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電壓差。

圖11是示出根據(jù)又一示例性實(shí)施方式的子像素與輔助電極之間的設(shè)置關(guān)系的平面圖。根據(jù)本公開的又一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與上述示例性實(shí)施方式的部件相同的部件?？梢允÷云涠嘤嗟拿枋觥４送?，相同的部件將被分配相同的附圖標(biāo)記。

參照?qǐng)D11，在基板100上設(shè)置有第一像素區(qū)域P1和第二像素區(qū)域P2(第一像素區(qū)域P1和第二像素區(qū)域P2每一個(gè)均包括多個(gè)子像素SP1、SP2、SP3以及SP4)。本文中，第一像素區(qū)域P1和第二像素區(qū)域P2設(shè)置為彼此相鄰。例如，第一像素區(qū)域P1可以位于第二像素區(qū)域P2上。

本文中，可以在第一像素區(qū)域P1與第二像素區(qū)域P2之間設(shè)置輔助電極530。具體地，輔助電極530可以設(shè)置在布置于第一像素區(qū)域P1中的一個(gè)子像素與布置于第二像素區(qū)域P2中的對(duì)應(yīng)的子像素之間。

例如，輔助電極530可以設(shè)置在布置于第一像素區(qū)域P1中的第二子像素SP2與布置于第二像素區(qū)域P2中的第二子像素SP2之間。本文中，第二子像素SP2可以是白色(W)子像素。

雖然在附圖中輔助電極530被示為設(shè)置在第一像素區(qū)域P1中的白色(W)子像素與第二像素區(qū)域P2中的白色(W)子像素之間，但是本公開不限于此。輔助電極530可以設(shè)置在第一像素區(qū)域P1中的紅色(R)子像素與第二像素區(qū)域P2中的紅色(R)子像素之間。此外，輔助電極530可以設(shè)置在第一像素區(qū)域P1中的綠色(G)子像素與第二像素區(qū)域P2中的綠色(G)子像素之間。替代地，輔助電極530可以設(shè)置在第一像素區(qū)域P1中的藍(lán)色(B)子像素與第二像素區(qū)域P2中的藍(lán)色(B)子像素之間。

可以在輔助電極530上設(shè)置障壁560，障壁560設(shè)置在與堤岸圖案550同一層上并且由與堤岸圖案550相同的材料形成。堤岸圖案550和障壁560中的每一個(gè)可以形成為具有倒錐形形狀和錐形形狀二者。

此外，雖然單個(gè)輔助電極530被示為設(shè)置在本公開的示例性實(shí)施方式中的兩個(gè)像素區(qū)域之間，但是本公開不限于此。多個(gè)像素區(qū)域可以共用單個(gè)輔助電極530。因此，由于多個(gè)像素區(qū)域包括輔助電極530，所以可以通過多個(gè)像素區(qū)域來控制有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電壓差。

以上示例性實(shí)施方式中所述的特征、結(jié)構(gòu)、效果等包括在至少一個(gè)示例性實(shí)施方式中，但是不限于一個(gè)示例性實(shí)施方式。此外，可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在相對(duì)于其他實(shí)施方式進(jìn)行組合或修改時(shí)執(zhí)行各個(gè)示例性實(shí)施方式中所述的特征、結(jié)構(gòu)、效果等。因此，應(yīng)理解的是，涉及組合和變型的內(nèi)容將包括在本公開的范圍內(nèi)。

此外，應(yīng)理解的是，上述示例性實(shí)施方式應(yīng)僅以描述的意義考慮，而不用于限制目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，可以在不脫離示例性實(shí)施方式的精神和范圍的情況下，在其中進(jìn)行各種其他變型和應(yīng)用。例如，可以在修改時(shí)執(zhí)行示例性實(shí)施方式中詳細(xì)示出的各個(gè)部件。