襯底處理裝置及半導體器件的制造方法
【專利摘要】實現(xiàn)抑制形成特性不連續(xù)的膜、成品率高的襯底處理裝置和半導體器件的制造方法。襯底處理裝置包括：處理室；襯底載置臺；使襯底載置臺旋轉的旋轉部；多個原料氣體供給構造；原料氣體供給部；原料氣體排氣構造；分別與原料氣體排氣構造連接的多個原料氣體排氣管；具有多個原料氣體排氣管并經由原料氣體排氣構造將處理室的氣氛排出的原料氣體排氣部；多個反應氣體供給構造；反應氣體供給部；多個反應氣體排氣構造；分別與反應氣體排氣構造連接的多個反應氣體排氣管；具有多個反應氣體排氣管并經由反應氣體排氣構造將處理室的氣氛排出的反應氣體排氣部；分別設于反應氣體排氣管的多個反應氣體壓力檢測器。
【專利說明】襯底處理裝置及半導體器件的制造方法
[0001]摶術岡域
[0002]本發(fā)明涉及襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。
【背景技術】
[0003]通常，在半導體器件的制造工序中，使用對晶片等襯底進行成膜處理等工藝處理的襯底處理裝置。作為襯底處理裝置進行的工藝處理，例如有利用交替供給法進行的成膜處理。在利用交替供給法進行的成膜處理中，對于作為處理對象的襯底，以原料氣體供給工序、吹掃工序、反應氣體供給工序、吹掃工序為I次循環(huán)而重復進行該循環(huán)規(guī)定次數(shù)(η次循環(huán))，由此在襯底上進行成膜。作為進行這樣的成膜處理的襯底處理裝置有構成為如下構造的裝置:對于作為處理對象的襯底，從其上方側向襯底的面上供給各種氣體(原料氣體、反應氣體或吹掃氣體等)，并使供給到襯底的面上的各種氣體向襯底的上方側排氣(例如，參照專利文獻I)。
[0004]在采用這樣的襯底處理裝置的情況下，存在有:在表面呈圓周狀地載置多個襯底的襯底載置面；具有襯底載置面的襯底載置臺；在與襯底載置面相面對的位置設置的氣體供給部。氣體供給部是相對于襯底載置臺的旋轉方向交替供給氣體的構造。在成膜處理中，襯底載置臺在氣體供給部的下方旋轉，從而在襯底上形成膜。襯底載置臺每旋轉一周，在晶片上形成一層的膜。通過旋轉多次，形成多層的膜，使襯底載置臺旋轉直到其膜達到所希望的膜厚。
[0005]在先技術文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2011 — 222960

【發(fā)明內容】

[0007]在例如所形成的膜用于電極等的情況下，需要使膜的厚度方向的特性恒定。所謂特性例如指電阻值。為了實現(xiàn)使特性恒定，希望形成各層的條件是一定的。假設在條件不一定的情況下，會形成特性不連續(xù)的膜，因此存在成品率降低的擔憂。
[0008]本發(fā)明的目的在于實現(xiàn)抑制形成特性不連續(xù)的膜、成品率高的襯底處理。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一方案，提供一種襯底處理裝置，包括:
[0010]處理室；
[0011]襯底載置臺，其設于所述處理室內，將襯底載置部呈圓周狀地配置；
[0012]旋轉部，其使所述襯底載置臺旋轉；
[0013]原料氣體供給構造，多個原料氣體供給構造呈圓周狀地配置在所述襯底載置臺的上方；
[0014]原料氣體供給部，其經由所述多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體；
[0015]原料氣體排氣構造，其與所述多個原料氣體供給構造分別對應地設置，將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；
[0016]多個原料氣體排氣管，分別與所述原料氣體排氣構造連接；
[0017]原料氣體排氣部，具有所述多個原料氣體排氣管，并經由所述原料氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出；
[0018]多個反應氣體供給構造，設于所述襯底載置臺的上方，配置于所述原料氣體供給構造之間；
[0019]反應氣體供給部，其經由所述多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體；
[0020]多個反應氣體排氣構造，其與所述多個反應氣體供給構造分別對應地設置，將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；
[0021]多個反應氣體排氣管，分別與所述反應氣體排氣構造連接；
[0022]反應氣體排氣部，具有所述多個反應氣體排氣管，并經由所述反應氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出；
[0023]多個反應氣體壓力檢測器，分別設于所述反應氣體排氣管；以及
[0024]控制部，至少控制所述原料氣體供給部、所述原料氣體排氣部、所述反應氣體供給部、所述反應氣體排氣部和所述反應氣體壓力檢測器。
[0025]根據(jù)本發(fā)明，實現(xiàn)了抑制形成特性不連續(xù)的膜、成品率高的襯底處理。
【附圖說明】
[0026]圖1是本發(fā)明的第一實施方式的簇型(clustertype)的襯底處理裝置的水平剖視概略圖。
[0027]圖2是本發(fā)明的第一實施方式的簇型的襯底處理裝置的縱向剖視概略圖。
[0028]圖3是本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的處理腔室的水平剖視概略圖。
[0029]圖4是本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的處理腔室的縱向剖視概略圖，是圖3所示的處理腔室的B — B’線剖視圖。
[0030]圖5是本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的處理腔室的縱向剖視概略圖，是圖3所示的處理腔室的C 一 C’線剖視圖。
[0031]圖6是本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的氣體供給排氣構造的水平剖視概略圖，是圖4所示的處理腔室的D — D’線剖視圖。
[0032]圖7是本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的氣體供給排氣構造的水平剖視概略圖，是圖4所示的處理腔室的E — E’線剖視圖。
[0033]圖8是本發(fā)明的第一實施方式所示的氣體供給部的說明圖。
[0034]圖9是本發(fā)明的第一實施方式所示的氣體排氣部的說明圖。
[0035]圖10是本發(fā)明的第一實施方式所示的氣體供給部的說明圖。
[0036]圖11是本發(fā)明的第一實施方式所示的氣體排氣部的說明圖。
[0037]圖12是本發(fā)明的第一實施方式所示的氣體供給部的說明圖。
[0038]圖13是表示本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理工序的流程圖。
[0039]圖14是本發(fā)明的第一實施方式的成膜工序的流程圖。
[0040]圖15是說明本發(fā)明的第一實施方式的成膜工序中的晶片動作的流程圖。
[0041]圖16是說明本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置所具備的氣體供給排氣構造的水平剖視概略圖的變形例的說明圖。
[0042]圖17是本發(fā)明的第二實施方式所示的氣體排氣部的說明圖。
[0043]圖18是本發(fā)明的第二實施方式所示的氣體排氣部的說明圖。
[0044]附圖標記的說明
[0045]10…襯底處理裝置，200...晶片(襯底)，201...處理室，203…反應容器，220…襯托器，222…升降機構，240…氣體供給排氣構造，280…氣體供給排氣構造。
【具體實施方式】
[0046]<本發(fā)明的第一實施方式>
[0047]襯底處理裝置的構成
[0048]首先，使用圖1及圖2說明本實施方式的襯底處理裝置10。圖1是本實施方式的簇型的襯底處理裝置10的水平剖視圖。圖2是本實施方式的簇型的襯底處理裝置10的縱向剖視概略圖。
[0049]需要說明的是，在應用本發(fā)明的襯底處理裝置10中，作為用于搬送作為襯底的晶片200的載體而使用FOUP (Front Opening Unified Pod:以下稱為晶盒)100。本實施方式的簇型襯底處理裝置10的搬送裝置分為真空側和大氣側。
[0050]此外，在以下的說明中，前后左右以圖1為基準。圖1所示的X1的方向為右，乂2的方向為左，Y1的方向為前，Y2的方向為后。
[0051](真空側的構成)
[0052]如圖1及圖2所示，襯底處理裝置10具備可承受真空狀態(tài)等、小于大氣壓的壓力(負壓)的第一搬送室103。第一搬送室103的殼體101在俯視下例如為五角形，形成為上下兩端被封堵的箱形狀。需要說明的是，以下所述的“俯視下”是指從襯底處理裝置10的鉛直上側觀察鉛直下側時。
[0053]在第一搬送室103內設有能夠在負壓下將二片晶片200同時移載的第一晶片移載機112。在此，第一晶片移載機112可以是能移載一片晶片200。第一晶片移載機112被構成為可借助第一晶片移載機升降器115而維持著第一搬送室103的氣密性地升降。
[0054]在殼體101的五片側壁中的位于前側的側壁，分別經由閘閥126、127而連結預備室(加載互鎖室)122、123。預備室122、123被構成為兼具搬入晶片200的功能和搬出晶片200的功能，分別用可承受負壓的構造構成。
[0055]進而，在預備室122、123內能夠借助襯底支承臺140將2片晶片200堆疊地放置。在預備室122、123設置有配置在晶片200之間的隔板(中間板)141。
[0056]在第一搬送室103的殼體101的五片側壁中的位于后側(背面?zhèn)?的四片側壁，分別經由閘閥150、151、152、153而相鄰地連結有對襯底進行所希望的處理的第一處理腔室202a、第二處理腔室202b、第三處理腔室202c和第四處理腔室202d。關于第一處理腔室202a、第二處理腔室202b、第三處理腔室202c和第四處理腔室202d，后面將詳述。
[0057](大氣側的構成)
[0058]在預備室122、123的前側經由閘閥128、129而連結有能夠在真空下及大氣壓下的狀態(tài)搬送晶片200的第二搬送室121。在第二搬送室121設有用于移載晶片200的第二襯底移載機124。第二襯底移載機124被構成為可借助設置于第二搬送室121內的第二襯底移載機升降器131而升降，并且被構成為借助線性促動器132而在左右方向往返移動。
[0059]在第二搬送室121的左側設有槽口對準裝置106。需要說明的是，槽口對準裝置106可以是定向平面對準裝置。此外，在第二搬送室121的上部設有用于供給潔凈空氣的潔凈單元118。
[0060]在第二搬送室121的殼體125的前側設有用于相對于第二搬送室121將晶片200搬入搬出的襯底搬入搬出口 134、和晶盒開啟部108。在隔著襯底搬入搬出口 134與晶盒開啟部108相反的一側、即殼體125的外側設有裝載端口(10臺)105。晶盒開啟部108具備將晶盒100的蓋10a開閉并可將襯底搬入搬出口 134封堵的閉合部142、和驅動閉合部142的驅動機構136。通過將載置于裝載端口 105的晶盒100的蓋10a開閉而能夠使晶片200相對于晶盒100進出。此外，晶盒100借助未圖示的工序內搬送裝置(0ΗΤ等)而能相對于裝載端口 105供給及排出。
[0061](處理腔室的構成)
[0062]接著，使用圖3?圖8說明作為本實施方式的處理爐的處理腔室的構成。圖3是本實施方式的襯底處理裝置10所具備的處理腔室的水平剖視概略圖，是圖4、圖5的A — A’線剖視圖。圖4是本實施方式的襯底處理裝置10所具備的處理腔室的縱向剖視概略圖，是圖3所示的處理腔室的B - B’線剖視圖。圖5是本實施方式的襯底處理裝置10所具備的處理腔室的縱向剖視概略圖，是圖3所示的處理腔室的C - C’線的剖視圖。圖6是說明第一氣體供給排氣構造240、第二氣體供給排氣構造280的說明圖。圖8是說明供給第一氣體的氣體供給部250的說明圖，圖9是說明排出第一氣體的排氣部270的說明圖。圖10是說明供給第二氣體的氣體供給部290的說明圖，圖11是說明排出第二氣體的氣體排氣部310的說明圖。圖12是說明供給第三氣體的氣體供給部330的說明圖。
[0063]需要說明的是，為了便于說明，關于圖4的構成與圖8、圖9、圖10、圖11、圖12的構成的關聯(lián)記載如下。具體而言，圖4的Fl與圖8的Fl連接。F2、F3也相同。圖4的Gl與圖9的Gl連接。G2、G3也相同。圖4的Hl與圖10的Hl連接。H2、H3也相同。圖4的Jl與圖11的Jl連接。J2、J3也相同。圖4的Kl與圖12的Kl連接。K2?K6也相同。
[0064]在本實施方式中，第一處理腔室202a、第二處理腔室202b、第三處理腔室202c和第四處理腔室202d分別同樣地構成。以下，將第一處理腔室202a、第二處理腔室202b、第三處理腔室202c和第四處理腔室202d總稱為“處理腔室202”。
[0065](處理室)
[0066]如圖3?圖5所示，作為處理爐的處理腔室202具備作為圓筒狀氣密容器的反應容器203。在反應容器203內形成有用于對晶片200進行處理的處理室201。
[0067]在反應容器203內的上側設有供給第一氣體的氣體供給排氣構造240、供給第二氣體的氣體供給排氣構造280和供給惰性氣體的氣體供給構造320。如圖4所述，沿著后述的襯托器(susceptor)(襯底載置臺)220的旋轉方向，氣體供給排氣構造240、氣體供給構造320、氣體供給排氣構造280和氣體供給構造320交替配置。例如配置3個氣體供給排氣構造240、3個氣體供給排氣構造280和6個氣體供給構造320。
[0068]多個氣體供給排氣構造240沿旋轉方向依序配置氣體供給排氣構造240a、氣體供給排氣構造240b、氣體供給排氣構造240c。多個氣體供給排氣構造280沿旋轉方向依序配置氣體供給排氣構造280a、氣體供給排氣構造280b、氣體供給排氣構造280c。多個氣體供給構造320沿旋轉方向依序配置氣體供給構造320a、氣體供給構造320b、氣體供給構造320c、氣體供給構造320d、氣體供給構造320f。
[0069]如后所述，載置于襯托器220上的晶片200通過3個氣體供給排氣構造240、3個氣體供給排氣構造280和6個氣體供給構造320的下方區(qū)域。通過通過下方區(qū)域，由此襯托器220每旋轉一周，就形成多層的膜。通過做成這樣的構造，能夠實現(xiàn)與以往相比通過量(through put)更高的處理。
[0070]此外，如后所述，氣體供給排氣構造240具有氣體供給構造241和被構成為在水平方向上將氣體供給構造241包圍的氣體排氣構造243。在氣體供給構造241的內側構成氣體供給流路245。此外，在氣體供給構造241與氣體排氣構造之間構成氣體排氣流路246。進而，氣體供給排氣構造280具有氣體供給構造281和被構成為在水平方向上將氣體供給構造281包圍的氣體排氣構造283。在氣體供給構造281的內側構成氣體供給流路285。此夕卜，在氣體供給構造281與氣體排氣構造之間構成氣體排氣流路286。
[0071]因而，在旋轉方向上依序配置第一氣體排氣流路246、第一氣體供給構造241、第一氣體排氣流路246、第三氣體供給構造320、第二氣體排氣流路286、第二氣體供給構造281、第二氣體排氣流路286、第三氣體供給構造320的組合。
[0072]各氣體供給排氣構造、氣體供給構造的下端以不干擾晶片200的程度與襯托器220接近配置。通過這樣設置，增加了氣體向晶片200的暴露量，可實現(xiàn)形成于晶片上的膜的膜厚均勻化、氣體的使用效率的提高。
[0073]需要說明的是，作為用于增多氣體暴露量的其他方法，有提高氣體供給構造的下方區(qū)域的壓力的方法。作為提高壓力的方法，例如有:增大氣體供給構造的底壁的面積而使氣體難以逸出等方法。在提高壓力時，以使在氣體供給排氣構造240a、氣體供給排氣構造240b、氣體供給排氣構造240c的下方壓力均勻的方式進行控制。通過這樣構成，能夠使氣體供給排氣構造240a、氣體供給排氣構造240b、氣體供給排氣構造240c的處理條件相等。結果，能夠使通過該各個區(qū)域時所形成的層的特性相同。
[0074]同樣，以使在氣體供給排氣構造280a、氣體供給排氣構造280b、氣體供給排氣構造280c的下方壓力均勻的方式進行控制。通過這樣構成，能夠使氣體供給排氣構造280a、氣體供給排氣構造280b、氣體供給排氣構造280c的處理條件相等。結果，能夠使通過各個區(qū)域時所形成的層的特性相同。
[0075](襯托器)
[0076]在氣體供給孔的下側、即反應容器203內的底側中央設有作為襯底載置臺的襯托器220，該襯托器220在反應容器203的中心具有旋轉軸的中心，被構成為可自由旋轉。襯托器220例如由氮化鋁(AlN)、陶瓷、石英等非金屬材料形成，以便于能夠減少晶片200的金屬污染。需要說明的是，襯托器220與反應容器203電絕緣。
[0077]襯托器220被構成為在反應容器203內，將多片(本實施方式中例如為5片)晶片200以在同一面上且排列成同一圓周狀的方式加以支承。在此，同一面上不限于完全同一面，只要是從上面觀察襯托器220時多片晶片200彼此互不重疊地排列即可。此外，襯托器220構成為使多片晶片200沿旋轉方向排列地配置所述晶片200。
[0078]在襯托器220表面上的支承晶片200的位置設有晶片載置部221。與要處理的晶片200的片數(shù)相同數(shù)量的晶片載置部221以相對于襯托器220的中心彼此等間隔(例如72°的間隔)的方式配置在相對于襯托器220的中心為同心圓上的位置。
[0079]各個晶片載置部221在從例如襯托器220的上面觀察時為圓形狀、在從側面觀察時為凹形狀。晶片載置部221的直徑優(yōu)選是構成為比晶片200的直徑稍大一點。通過在該晶片載置部221內載置晶片200，由此能夠容易進行晶片200的定位。而且，能夠抑制發(fā)生由于伴隨襯托器220的旋轉產生的離心力而晶片200從襯托器220飛出等的晶片200錯位。
[0080]在襯托器220設有用于使襯托器220升降的升降機構222。升降機構222連接于后述的控制器400，根據(jù)控制器400的指示使襯托器220升降。在襯托器220的各晶片載置部221設有多個貫通孔223。在各個貫通孔223設有晶片頂起銷224。在載置襯底200時，使襯托器220下降到搬送位置，使晶片頂起銷224的下端與反應容器203的底面接觸。接觸后的晶片頂起銷224被頂起到比晶片載置部221的表面尚的位置。如此以使晶片200相對于晶片載置部221表面浮起的方式載置晶片。
[0081]在襯托器220的軸設有用于使襯托器220旋轉的旋轉機構225。旋轉機構225的旋轉軸與襯托器220連接，通過使旋轉機構225工作而能使襯托器220旋轉。此外，通過襯托器220旋轉，能夠使多個晶片載置部221 —起旋轉。旋轉機構220也稱為旋轉部。
[0082]在旋轉機構225經由偶聯(lián)部226而連接后述的控制器400。偶聯(lián)部226構成為例如利用金屬刷等將旋轉側與固定側之間電連接的滑環(huán)(slip ring)機構。由此，不會妨礙襯托器220的旋轉。控制器400控制對旋轉機構225的通電情況，以使襯托器220以規(guī)定速度旋轉規(guī)定時間。
[0083](加熱部)
[0084]在襯托器220的內部一體地埋入有作為加熱部的加熱器228，構成為能夠對晶片200進行加熱。當對加熱器228供給電力時，晶片200表面可被加熱到規(guī)定溫度(例如室溫?100tC左右)。需要說明的是，加熱器228可以在同一面上設置多個(例如5個)，以便于對載置在襯托器220上的各個晶片200分別加熱。
[0085]在襯托器220設有溫度傳感器227。在加熱器228及溫度傳感器227經由電力供給線229而電連接電力調整器230、加熱器電源231及溫度調整器232?；谟蓽囟葌鞲衅?27檢測出的溫度信息，控制對加熱器228的通電情況。
[0086](氣體供給排氣構造)
[0087]在處理室的上方，從頂板部的中央部觀察時呈放射狀地設有氣體供給排氣構造240、氣體供給排氣構造280、氣體供給構造320。
[0088]氣體供給排氣構造240具有供給第一氣體的第一氣體供給構造241，并設有包圍第一氣體供給構造241的氣體排氣構造243。氣體供給排氣構造280具有供給第二氣體的第二氣體供給構造281，并設有包圍第二氣體供給構造281的氣體排氣構造283。氣體供給構造320具有供給惰性氣體的第三氣體供給構造320。
[0089]第一氣體供給構造241、第二氣體供給構造281、第三氣體供給構造320例如是臺形狀。各構造的襯托器徑方向的寬度至少比晶片200的直徑大，做成為能夠向通過各個氣體供給孔的下方的晶片200整面供給氣體的構造。
[0090]第一氣體排氣流路246被設置成在水平方向包圍第一氣體供給構造241，用于將未能附著于晶片200、襯托器220的表面上的第一氣體及從相鄰的第三氣體供給構造320供給的惰性氣體排出。通過做成這樣的結構，由此能夠防止與向相鄰的空間供給的第二氣體發(fā)生混合。
[0091]第一氣體排氣流路246不僅設于與相鄰的第三氣體供給構造320之間，還設于例如從氣體供給構造觀察為處理室的中央側、外周側的位置。
[0092]通過將第一氣體排氣流路246設于處理室的中央側，由此能夠防止氣體大量流入處理室中央和/或隔著處理室中央而相鄰的氣體供給區(qū)域。需要說明的是，在此，也將第一氣體排氣流路246的處理室中央側稱為內周側氣體移動抑制部。
[0093]而且，通過將第一氣體排氣流路246設于處理室的外周側，能夠防止氣體向處理室壁方向大量流入。需要說明的是，在此，也將第一氣體排氣流路246的處理室外周側稱為外周側氣體移動抑制部。
[0094]第二氣體排氣流路286被設置成在水平方向包圍第二氣體供給構造281，用于將未能附著于晶片200、襯托器220的表面上的第二氣體及從相鄰的第三氣體供給構造320供給的惰性氣體排出。通過做成這樣的結構，由此能夠防止與向相鄰的空間供給的第一氣體發(fā)生混合。
[0095]第二氣體排氣流路286不僅設于與相鄰的第三氣體供給構造320之間，還設于例如從氣體供給構造觀察為處理室的中央側、外周側的位置。
[0096]通過將第二氣體排氣流路286設于處理室的中央側，由此能夠防止氣體大量流入處理室中央和/或隔著處理室中央而相鄰的氣體供給區(qū)域。需要說明的是，在此，也將第二氣體排氣流路286的處理室中央側稱為內周側氣體移動抑制部。
[0097]而且，通過將第二氣體排氣流路286設于處理室的外周側，能夠防止氣體向處理室壁方向大量流入。需要說明的是，在此，也將第二氣體排氣流路286的處理室外周側稱為外周側氣體移動抑制部。
[0098]另外，也可以將第一氣體排氣流路246的內周側移動抑制部和第二氣體排氣流路286的內周側移動抑制部總稱為內周側移動抑制部。而且，可以將第一氣體排氣流路246的外周側移動抑制部和第二氣體排氣流路286的外周側移動抑制部總稱為外周側移動抑制部。
[0099]從旋轉方向側面觀察氣體供給排氣構造240、氣體供給排氣構造280和氣體供給構造320的排列時，依次配置有多個如下的組合，即第一氣體排氣流路246、第一氣體供給構造241、第一氣體排氣流路246、第三氣體供給構造320、第二氣體排氣流路286、第二氣體供給構造281、第二氣體排氣流路286、第三氣體供給構造320的組合。通過配置多個這樣的組合，使得每一次旋轉的形成層數(shù)增加，提高了處理通過量。
[0100]另外，在本實施方式中，使用氣體供給排氣構造240a?氣體供給排氣構造240c這三個氣體供給排氣構造240進行了說明，但不限于此，也可以使用四個以上的氣體供給構造。
[0101]另外，在本實施方式中，使用氣體供給排氣構造280a?氣體供給排氣構造280c這三個氣體供給排氣構造280進行了說明，但不限于此，也可以使用四個以上的氣體供給構造。
[0102]另外，在本實施方式中，使用氣體供給構造320a?氣體供給構造320f這6個氣體供給構造320進行了說明，但不限于此，也可以使用7個以上的氣體供給構造。
[0103]接著，使用圖6說明氣體供給排氣構造240的具體構造。圖6是從斜向觀察圖4的D-D’的截面的圖。需要說明的是，圖6中的O表示后述的氣體供給排氣構造280的編號。
[0104]氣體供給排氣構造240具有供給第一氣體的第一氣體供給構造241。在第一氣體供給構造241的上方連接供給管242。以覆蓋第一氣體供給構造241的方式設有第一氣體排氣構造243。供給管242連接于圖8的下游側供給管251。具體而言，供給管242a連接于下游側供給管251a，供給管242b連接于下游側供給管251b，供給管242c連接于下游側供給管251c。
[0105]在第一氣體排氣構造243連接有排氣管244。排氣管244連接于圖9的上游側排氣管271。具體而言，排氣管244a連接于上游側排氣管271a，排氣管244b連接于上游側排氣管271b，排氣管244c連接于上游側排氣管271c。
[0106]從供給管242供給的氣體經由第一氣體供給構造242的內側空間即氣體供給流路245而被供給到處理室。在氣體供給構造241與氣體排氣構造243之間設有空間，用作供從處理室排出的氣體通過的第一氣體排氣流路246。
[0107]接著，使用圖6說明氣體供給排氣構造280的具體構造。氣體供給排氣構造280具有供給第二氣體的第二氣體供給構造281。以覆蓋第二氣體供給構造281的方式設有第二氣體排氣構造283。在第二氣體供給構造281連接有供給管282。具體而言，供給管282a連接于下游側供給管291a，供給管282b連接于下游側供給管291b，供給管282c連接于下游側供給管291c。
[0108]在第二氣體排氣構造283連接有排氣管284。排氣管284連接于圖11的上游側排氣管311。具體而言，排氣管284a連接于上游側排氣管311a，排氣管284b連接于上游側排氣管311b，排氣管284c連接于上游側排氣管311c。
[0109]從供給管282供給的氣體經由氣體供給構造282的內側空間即氣體供給流路285而被供給到處理室。在氣體供給構造281與氣體排氣構造283之間設有空間，用作供從處理室排出的氣體通過的第二氣體排氣流路286。
[0110]接著，使用圖7說明氣體供給構造320的具體構造氣體供給構造320具有供給第三氣體的第三氣體供給構造321。在第三氣體供給構造321連接有供給管322。
[0111]供給管322連接于圖12的下游側供給管331。具體而言，供給管322a連接于下游側供給管331a，供給管322b連接于下游側供給管331b，供給管322c連接于下游側供給管331c，供給管322d連接于下游側供給管331d，供給管322e連接于下游側供給管331e，供給管322f連接于下游側供給管331f。從供給管322供給的氣體經由第三氣體供給構造321的內側空間即氣體供給流路323而被供給到處理室。
[0112](氣體供給部、氣體排氣部)
[0113]接著，說明氣體供給排氣構造240、氣體供給排氣構造280和氣體供給構造320各自供給氣體的氣體供給部。
[0114](第一氣體供給部)
[0115]使用圖8說明第一氣體供給部250。第一氣體供給部250具有向氣體供給排氣構造240供給氣體的功能。以下進行具體說明。
[0116]第一氣體供給部250具有多個下游側供給管251。下游側氣體供給管251分別連接于各個氣體供給排氣構造240。具體而言，下游側供給管251a連接于供給管242a，下游側供給管251b連接于供給管242b，下游側供給管251c連接于供給管242c。
[0117]多個下游側供給管251在上游的合流部252合流。在合流部252的上游連接有供給管253。在供給管253的上游端連接有第一氣體源254。在第一氣體源254與合流部之間，從上游起設有作為流量調整器(流量調整部)的質量流量控制器(MFC) 255、開閉閥256。
[0118]從上游側供給管253經由質量流量控制器255、閥256而向氣體供給排氣構造240供給含有第一元素的氣體(以下稱為“含有第一元素氣體”或“第一氣體”)。
[0119]含有第一元素氣體為原料氣體即處理氣體之一。在這里，第一元素例如是鈦(Ti)。即，含有第一元素氣體例如是含鈦氣體。需要說明的是，含有第一元素氣體在常溫常壓下可以是固體、液體以及氣體中的任一者。含有第一元素氣體在常溫常壓下為液體的情況下，可在第一氣體供給源254與質量流量控制器255之間設置未圖示的氣化器。在此作為氣體進行說明。
[0120]在上游側供給管253的閥246的下游側連接有第一惰性氣體供給管257的下游端。在第一惰性氣體供給管257，從上游方向起依次設有惰性氣體源258、作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC) 259及作為開閉閥的閥260。
[0121]在這里，惰性氣體例如是氮氣(N2)。需要說明的是，作為惰性氣體，除了隊氣體外，能夠使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0122]主要將下游側供給管251、上游側供給管253、MFC245和開閉閥246匯總稱為第一氣體供給部250。
[0123]此外，主要由第一惰性氣體供給管257、質量流量控制器249以及閥260構成第一惰性氣體供給部。需要說明的是，也可認為惰性氣體供給源258、下游側供給管251、上游側供給管253包含在第一惰性氣體供給部中。
[0124]進一步地，也可認為第一氣體源294、第一惰性氣體供給部和氣體供給排氣構造240包含在第一氣體供給部。
[0125](第一氣體排氣部)
[0126]接著，使用圖9說明第一氣體排氣部270。第一氣體排氣部270具有與排氣管244連接的上游側排氣管271。上游側排氣管271分別連接于各個排氣管284。具體而言，排氣管244a連接于排氣管271a，排氣管244b連接于排氣管271b，排氣管244c連接于排氣管271c。
[0127]多個排氣管271在合流部272合流。在合流部272的下游連接有下游側排氣管273。在下游側排氣管273，從上游起設有作為開閉閥的閥273、作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)閥275和栗276。
[0128]在各個上游側排氣管271設有壓力檢測器277。壓力檢測器例如作為流量檢測器使用。在上游側排氣管271a設有壓力檢測器277a，在上游側排氣管271b設有壓力檢測器277b，在上游側排氣管271c設有壓力檢測器277c。將設于第一氣體排氣部的多個壓力檢測器277統(tǒng)稱為第一壓力檢測部。壓力檢測器277連接于控制器400。通過壓力檢測器277檢測各個上游側排氣管271的流量。
[0129]APC閥275是能通過開閉閥而進行處理室201內的真空排氣或停止真空排氣，而且通過調節(jié)閥開度可調整處理室201內的壓力的開閉閥。主要由第一氣體排氣流路246、下游側排氣管271、上游側排氣管273、閥274和APC閥275構成排氣部。
[0130]另外，在將含有第一元素氣體作為原料氣體的情況下，可以將第一氣體供給排氣構造稱為原料氣體供給構造，將第一氣體供給部稱為原料氣體供給部，將第一氣體排氣部稱為原料氣體排氣部。此外，對于其他構成，也可以將第一氣體置換為原料氣體地加以稱呼。
[0131](第二氣體供給部)
[0132]使用圖10說明第二氣體供給部290。第二氣體供給部290具有向氣體供給排氣構造280供給氣體的功能。以下進行具體說明。
[0133]第二氣體供給部290具有多個下游側供給管291。下游側氣體供給管291分別連接于各個氣體供給排氣構造280。具體而言，下游側供給管291a連接于供給管282a，下游側供給管291b連接于供給管282b，下游側供給管291c連接于供給管282c。
[0134]各個下游側供給管291在上游的合流部292合流，并連接于上游側供給管293。在供給管293的上游端連接有第二氣體源294。在第二氣體源294與合流部之間，從上游起設有作為流量調整器(流量調整部)的質量流量控制器(MFC) 295、開閉閥296和等離子體生成部297。
[0135]從上游側供給管293經由質量流量控制器295、閥296而向氣體供給排氣構造290供給含有第二元素的氣體(以下稱為“含有第二元素氣體”或“第二氣體”)。
[0136]含有第二元素氣體為反應氣體即處理氣體之一。在這里，第二元素例如是氮(N)。即，含有第二元素氣體例如是含氮氣體。
[0137]在上游側供給管293的閥296的下游側連接有第二惰性氣體供給管297的下游端。在第二惰性氣體供給管297，從上游方向起依次設有惰性氣體源298、作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC) 299及作為開閉閥的閥300。
[0138]在這里，惰性氣體例如是氮氣(N2)。需要說明的是，作為惰性氣體，除了隊氣體外，能夠使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0139]主要將下游側供給管291、上游側供給管293、MFC295和開閉閥296匯總稱為第二氣體供給部290。
[0140]此外，主要由第二惰性氣體供給管298、質量流量控制器300以及閥301構成第二惰性氣體供給部。需要說明的是，也可認為惰性氣體供給源299、下游側供給管291、上游側供給管293包含在第二惰性氣體供給部。
[0141]進一步地，也可認為第二氣體源294、等離子體生成部297、第二惰性氣體供給部和氣體供給排氣構造280包含在第二氣體供給部。
[0142](第二氣體排氣部)
[0143]接著，使用圖11說明第二氣體排氣部310。排氣部310具有與排氣管284連接的上游側排氣管311。上游側排氣管311分別連接于各個排氣管284。具體而言，排氣管284a連接于排氣管311a，排氣管284b連接于排氣管311b，排氣管284c連接于排氣管311c。
[0144]多個排氣管311在合流部312合流。在合流部312的下游連接有下游側排氣管313。在下游側排氣管313，從上游起設有作為開閉閥的閥314、作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)閥315和栗316。
[0145]在上游側排氣管311設有壓力檢測器。壓力檢測器例如是流量檢測器。壓力檢測器317設于各上游側排氣管311。在上游側排氣管311a設有壓力檢測器317a，在上游側排氣管311b設有壓力檢測器317b，在上游側排氣管311c設有壓力檢測器317c。將設于第二氣體排氣部的多個壓力檢測器317統(tǒng)稱為第二壓力檢測部。壓力檢測器連接于控制器400。通過壓力檢測器317檢測各個上游側排氣管的流量。關于檢測方法將后述。
[0146]APC閥315是能通過開閉閥而進行處理室201內的真空排氣或停止真空排氣，而且通過調節(jié)閥開度可調整處理室201內的壓力的開閉閥。主要由第二氣體排氣流路286、上游側排氣管311、下游側排氣管313、閥314和APC閥315構成排氣部。由第一壓力檢測器277檢測各個上游側排氣管。關于檢測方法將后述。
[0147]另外，在將含有第二元素氣體作為反應氣體的情況下，可以將第二氣體供給排氣構造稱為反應氣體供給構造，將第二氣體供給部稱為反應氣體供給部，將第二氣體排氣部稱為反應氣體排氣部。此外，對于其他構成，也可以將第二氣體置換為反應氣體地加以稱呼。
[0148](第三氣體供給部)
[0149]使用圖12說明第三氣體供給部330。第三氣體供給部330具有向氣體供給構造320供給氣體的功能。以下進行具體說明。
[0150]第三氣體供給部330具有多個下游側供給管331。下游側氣體供給管331分別連接于各個氣體供給構造320。具體而言，下游側供給管331a連接于供給管322a，下游側供給管331b連接于供給管322b，下游側供給管331c連接于供給管322c，下游側供給管331d連接于供給管322d，下游側供給管331e連接于供給管322e，下游側供給管331f連接于供給管322f。
[0151]各個下游側供給管331在合流部332合流，并連接于上游側供給管333。在供給管333的上游端連接有第三氣體源334。在第三氣體源334與合流部之間，從上游起設有作為流量調整器(流量調整部)的質量流量控制器(MFC) 335、開閉閥336。
[0152]從上游側供給管333經由質量流量控制器335、閥336而向氣體供給構造320供給含有第三元素的氣體(以下稱為“含有第三元素氣體”或“第三氣體”)。
[0153]在這里，作為第三氣體主要使用惰性氣體。惰性氣體例如是氮氣(N2)。需要說明的是，作為惰性氣體，除了 N2氣體外，能夠使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0154]主要將下游側供給管331、上游側供給管333、MFC335和開閉閥336匯總稱為第三氣體供給部。另外，可以認為第三氣體源334包含于第三氣體供給部。
[0155]另外，在將含有第三元素氣體作為反應氣體的情況下，可以將第三氣體供給構造稱為惰性氣體供給構造，將第三氣體供給部稱為惰性氣體供給部。此外，對于其他構成，也可以將第三氣體置換為惰性氣體地加以稱呼。
[0156](控制部)
[0157]襯底處理裝置10具有控制襯底處理裝置10的各部的動作的控制器(控制部)400?？刂破?00至少具有運算部301和存儲部302?？刂破?00與上述的各構成連接，根據(jù)上位控制器和/或使用者的指示來從存儲部402調出程序和/或制程，并根據(jù)其內容控制各構成的動作。需要說明的是，控制器400可以構成作為專用計算機，也可以構成作為通用的計算機。例如，準備存儲了上述程序的外部存儲裝置(例如磁帶、軟盤、硬盤等磁盤；CD,DVD等光盤；M0等光磁盤；USB存儲器、存儲卡等半導體存儲器)403，通過使用外部存儲裝置403向通用的計算機安裝程序而能構成本實施方式的控制器400。此外，用于向計算機提供程序的手段不限于經由外部存儲裝置403提供的情況。例如也可以使用互聯(lián)網或專用線路等通信手段，不經由外部存儲裝置403地提供程序。需要說明的是，存儲部402、外部存儲裝置403構成為計算機可讀取記錄介質。以下，也將它們統(tǒng)括地簡稱為記錄介質。需要說明的是，在本說明書中使用了記錄介質這樣的措辭的情況下，有時僅包含存儲部402，有時僅包含外部存儲裝置403，或者包含上述兩者。
[0158]襯底處理工序
[0159]接著，作為本實施方式的半導體制造工序的一工序，說明使用具備上述的處理腔室202的襯底處理裝置進行制造的襯底處理工序。
[0160]首先，使用圖13及圖14，簡要說明襯底處理工序。圖13是表示本實施方式的襯底處理工序的流程圖。圖14是本實施方式的成膜工序的流程圖。需要說明的是，在以下的說明中，襯底處理裝置10的處理腔室202的構成各部分的動作由控制器400控制。
[0161]在此，對作為含有第一元素氣體而使用TiCl4氣體、作為含有第二元素氣體而使用氨氣(NH3),并在晶片200上形成氮化鈦膜來作為薄膜的例子進行說明。此外，例如可以在晶片200上預先形成規(guī)定的膜。此外，可以在晶片200或規(guī)定的膜上預先形成規(guī)定的圖案。
[0162](襯底搬入載置工序S102)
[0163]例如，由工序內搬送裝置搬送最多收納25片晶片200的晶盒100，將其載置到裝載端口 105上。通過晶盒開啟部108拆下晶盒100的蓋100a，使晶盒100的襯底出入口開放。第二襯底移載機124從晶盒100拾取晶片200，將其載置到槽口對準裝置106上。槽口對準裝置106進行晶片200的位置調整。第二襯底移載機124將晶片200從槽口對準裝置106搬入到大氣壓狀態(tài)的預備室122內。閘閥128被關閉，預備室122內被排氣裝置(未圖示)排氣為負壓。
[0164]在處理腔室202中，使襯托器220移動到晶片200的搬送位置、即襯底載置位置并維持于該位置。在本實施方式中，使襯托器220下降。通過下降，使晶片頂起銷266在襯托器220的貫通孔223上升。結果，晶片頂起銷266成為比襯托器220表面僅突出了規(guī)定高度的狀態(tài)。接著，打開規(guī)定的閘閥，使用真空搬送機械臂112將規(guī)定片數(shù)(例如5片)的晶片200 (處理襯底)搬入到處理室201內。然后，以襯托器220的旋轉軸為中心，以使各晶片200不重疊的方式，沿著襯托器220的旋轉方向載置各晶片200。由此，晶片200以水平姿勢被支承于從襯托器220的表面突出的晶片頂起銷266上。
[0165]將晶片200搬入到處理室201內后，使第一搬送機械臂112向處理腔室202之外退避，關閉規(guī)定的閘閥而將反應容器203內密閉。其后，使襯托器220移動到襯底處理位置并維持于該位置。在本實施方式中，使襯托器220上升。通過上升，將晶片200載置到在襯托器220設置的各載置部221上。
[0166]需要說明的是，在將晶片200搬入處理室201內時，優(yōu)選是一邊利用第一氣體排氣部270、第二氣體排氣部310對處理室201內進行排氣，一邊從第三氣體供給部向處理室201內供給作為惰性氣體的N2氣體。S卩，優(yōu)選是，通過使栗276、栗316工作并打開APC閥275,APC閥215，由此在將處理室201內排氣的狀態(tài)下，至少打開閥274、閥314，從而向處理室201內供給N2氣體。由此，能夠抑制顆粒進入處理室201內、顆粒附著于晶片200上。此夕卜，栗276、栗316至少在從襯底搬入載置工序(S102)到后述的襯底搬出工序(S106)結束為止的期間為始終工作的狀態(tài)。
[0167]在將晶片200載置于襯托器220之上時，向埋入于襯托器220內部的加熱器228供給電力，將晶片200的表面控制成為規(guī)定溫度。晶片200的溫度例如為室溫以上?700°C以下，優(yōu)選是室溫以上且500°C以下。此時，加熱器228的溫度通過基于由溫度傳感器227檢測到的溫度信息來控制對加熱器228的通電情況而進行調整。
[0168]需要說明的是，在由硅構成的晶片200的加熱處理中，若將表面溫度加熱到750°C以上，則存在在晶片200的表面所形成的源極區(qū)域、漏極區(qū)域等產生雜質擴散，電路特性劣化、半導體器件的性能降低的情況。通過如上述這樣限制晶片200的溫度，能夠抑制在晶片200的表面所形成的源極區(qū)域、漏極區(qū)域中的雜質擴散、電路特性劣化、半導體器件的性能降低。
[0169](薄膜形成工序S104)
[0170]接著，進行薄膜形成工序S104。在此說明薄膜形成工序S104的基本流程，關于本實施方式的特征部分，將在后面詳細記述。
[0171]在薄膜形成工序S104中，從第一氣體供給構造241a、第一氣體供給構造241b、第一氣體供給構造241c供給TiCl4氣體，從第二氣體供給構造281a、第二氣體供給構造281b、第二氣體供給構造281c供給等離子體狀態(tài)的氨氣而在晶片200上形成氮化鈦(TiN)膜。
[0172]需要說明的是，在薄膜形成工序S104中，在襯底搬入載置工序S102后也持續(xù)由第一排氣部270、第二排氣部310對處理室201內進行排氣。與其并行地，從第三氣體供給構造321a、第三氣體供給構造321b、第三氣體供給構造321c、第三氣體供給構造321d、第三氣體供給構造321e、第三氣體供給構造321f供給作為吹掃氣體的N2氣體。
[0173](襯托器旋轉開始S202)
[0174]接著，使用圖14，詳細說明薄膜形成工序S104。
[0175]首先，在將晶片200載置于各晶片載置部221上后，開始利用旋轉機構225進行襯托器220的旋轉。此時，襯托器220的旋轉速度通過控制器400來控制。襯托器220的旋轉速度例如為I次旋轉/分鐘以上、且100次旋轉/分鐘以下。具體而言，旋轉速度例如為60次旋轉/分鐘。通過使襯托器220旋轉，襯托器220的表面和晶片200開始在氣體供給排氣構造240和氣體供給排氣構造280的下方的移動。在開始旋轉的同時，使壓力檢測器277a、壓力檢測器277b和壓力檢測器277c工作。
[0176](氣體供給開始S204)
[0177]加熱晶片200使其達到所希望的溫度，當襯托器220達到所希望的旋轉速度后，開始從氣體供給構造241a、氣體供給構造241b、氣體供給構造241c供給TiCl4氣體。與其并行地，從氣體供給構造281a、氣體供給構造281b、氣體供給構造281c供給等離子體狀態(tài)的氨氣。
[0178]此時，調整質量流量控制器255，以使TiCl4氣體的流量成為規(guī)定流量。需要說明的是，體的供給流量例如為10sccm以上且5000sccm以下。需要說明的是，可以與打(:14氣體一起，流過作為載體氣體的N2氣體。
[0179]此外，調整質量流量控制器295，以使氨氣的流量成為規(guī)定流量。需要說明的是，氨氣的供給流量例如為10sccm以上且5000sccm以下。需要說明的是，可以與氨氣一起，流過作為載體氣體的N2氣體。
[0180]此外，通過適當調整APC閥275、APC閥315的閥開度，使包含各氣體供給排氣構造的下方區(qū)域在內的處理室201內的壓力為規(guī)定壓力。
[0181 ] 需要說明的是，從該氣體供給開始S204，在晶片200的表面上和/或襯托器的表面開始形成具有規(guī)定厚度的含鈦層。
[0182](成膜工序S206)
[0183]接著，使襯托器220旋轉規(guī)定次數(shù)，進行后述的成膜工序。此時，由于晶片200和襯托器220的表面暴露于氣體，因此在晶片200上形成所希望的膜，并在襯托器220的表面也形成膜。
[0184]然而，在成膜工序中，如下述這樣形成氣體、氣氛的氣流。在第一氣體供給排氣構造240a的下方，從第一氣體供給構造241a供給的第一氣體在晶片200上形成含鈦層，其后，被從第一氣體排氣構造243a排出。對于第一氣體供給排氣構造240b、第一氣體供給排氣構造240c也是同樣。
[0185]此外，在第二氣體供給排氣構造280a的下方，從第二氣體供給構造281a供給的第二氣體在晶片200上形成含鈦層，其后，被從第二氣體排氣構造283a排出。對于第二氣體供給排氣構造280b、第二氣體供給排氣構造280c也是同樣。
[0186]此外，從第三氣體供給構造320a供給的第三氣體將通過了其下方的晶片200上的殘留氣體擠出(除去)，然后與殘留氣體成分一起被從第一氣體排氣構造243a或第二氣體排氣構造283a排出。對于第三氣體供給構造320b、第三氣體供給構造320c也是同樣。
[0187]以下，使用圖15，詳細說明成膜工序S206。
[0188](通過第一氣體的氣體供給構造下方區(qū)域S302)
[0189]當晶片200通過第一氣體的氣體供給排氣構造240的下方區(qū)域時，11(:14氣體被供給到晶片200。在晶片200表面上，通過TiCl4氣體與晶片200上接觸而形成作為“含有第一元素層”的含鈦層。供給到晶片200上的第一氣體經由氣體排氣構造243被排出，由壓力檢測器277檢測該排氣流量。
[0190]含鈦層例如根據(jù)處理室201內的壓力、TiCl4氣體的流量、襯托器220的溫度、通過第一氣體供給構造下方區(qū)域所需的時間(在第一氣體供給構造下方區(qū)域的處理時間)等，而以規(guī)定厚度及規(guī)定分布形成。
[0191](通過惰性氣體的氣體供給構造下方區(qū)域S304)
[0192]接著，晶片200通過了氣體供給排氣構造240的下方區(qū)域之后，向襯托器220的旋轉方向R移動而移動到惰性氣體供給構造320的下方區(qū)域。在晶片200通過惰性氣體供給構造320的下方區(qū)域時，在第一氣體供給構造240的下方區(qū)域未能結合于晶片200的鈦成分被惰性氣體從晶片200上除去。
[0193](通過第二氣體的氣體供給構造下方區(qū)域S306)
[0194]接著，晶片200通過了惰性氣體供給構造320的下方區(qū)域之后，向襯托器220的旋轉方向R移動而移動到第二氣體供給構造280的下方區(qū)域。在晶片200通過第二氣體供給構造280的下方區(qū)域時，在第二氣體供給構造280的下方區(qū)域，含鈦層與氨氣發(fā)生反應而形成氮化鈦膜。供給到晶片200上的第二氣體經由氣體排氣構造283被排出，由壓力檢測器317檢測該排氣流量。
[0195](通過惰性氣體的氣體供給構造下方區(qū)域S308)
[0196]接著，晶片200通過了第二氣體供給構造280的下方區(qū)域之后，向襯托器220的旋轉方向R移動而移動到惰性氣體供給構造320的下方區(qū)域。在晶片200通過惰性氣體供給構造320的下方區(qū)域時，在第二氣體供給構造280的下方區(qū)域未能與晶片200的含鈦層反應的氮成分被惰性氣體從晶片200上除去。
[0197](判定S310)
[0198]在此期間，控制器400判定對于上述I個循環(huán)是否實施了規(guī)定次數(shù)。具體而言，控制器400對襯托器220的旋轉數(shù)計數(shù)。
[0199]在未實施規(guī)定次數(shù)時(S310為否的情況下)，繼續(xù)使襯托器220進一步旋轉，重復進行通過第一氣體供給構造下方區(qū)域S302、通過惰性氣體供給構造下方區(qū)域S304、通過第二氣體供給構造下方區(qū)域S306、通過惰性氣體供給構造下方區(qū)域S308的循環(huán)。在實施了規(guī)定次數(shù)時(S310為是的情況下)，結束成膜工序S206。
[0200]接著，說明在成膜工序S206中的壓力檢測部的動作。在為了實現(xiàn)高通過量而增加了第一氣體供給排氣構造240、第二氣體供給排氣構造280的組合的情況下，相鄰的供給排氣構造變近，可能使氣體混合。
[0201]若相鄰的第一氣體供給構造241和第二氣體供給構造281之間的距離近，則存在第一氣體或第二氣體的排氣不充分的隱患。因而，可能存在第一氣體和第二氣體在處理室、排氣流路、排氣管等發(fā)生混合的隱患。在該情況下，第一氣體和第二氣體流入第一氣體排氣流路246和/或第二氣體排氣流路286，在氣體排氣流路和/或排氣管等引起CVD反應，在壁面上附著膜。若附著量變多，則在氣體排氣流路和/或排氣管引起堵塞等異常。由于因堵塞導致排氣流量不充分，因此與通過其他氣體供給排氣構造的下方空間時相比，流速、壓力等處理條件不同。因而，可能出現(xiàn)在各個氣體供給排氣構造的下方空間所形成的膜的特性不同，存在導致成品率降低的隱患。
[0202]因此，在本實施方式中，檢測氣體排氣流路、排氣管的異常狀態(tài)，使處理條件與其他供給相同氣體的區(qū)域的處理條件相同。以下，以第一氣體排氣部270為例，說明具體內容。
[0203]第一氣體排氣部270經由第一氣體排氣流路245a、排氣管244a而將氣體供給排氣構造240a的下方空間的氣氛排出。排氣管244a連接于上游側排氣管271a，壓力檢測器277a檢測出通過排氣管271a時的壓力Plla。同樣，從排氣管271b將氣體供給排氣構造240b下方的氣氛排出，并且壓力檢測器277b檢測壓力Pllb。此外，從排氣管271c將氣體供給排氣構造240c下方的氣氛排出，并且壓力檢測器277c檢測壓力Pile。
[0204]由壓力檢測器277a、壓力檢測器277b、壓力檢測器277c檢測出的各壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。控制器400將在各檢測部檢測出的值與預先記錄于存儲部的壓力數(shù)據(jù)進行比較。
[0205]作為預先存儲的壓力數(shù)據(jù)，例如記錄有三階段的壓力數(shù)據(jù)α 1、β 1、γ I。它們之間的關系為α I < β I < γ I。α I是用于使第一氣體在晶片200上成膜的通常的壓力值的上限。檢測出的壓力值只要比α I小，就視作通常的壓力范圍。在檢測出的壓力值為βI時，視作雖然是不影響晶片的膜質量的壓力，但是比通常的壓力α I高的壓力值。在壓力值為β I時，控制器400在附設的顯示畫面等報告對用戶的警告，同時繼續(xù)處理。并且，在處理下一批次的晶片之前，停止裝置。在裝置停止期間，實施將檢測出高壓力值的排氣管更換等的維護作業(yè)。γ I是對晶片處理有影響的壓力值。若壓力值為γ?，則判斷為配管是對膜質量有影響的程度的異常，立刻停止裝置，而不等待下一批次。通過立刻停止，由此抑制向其他配管流入氣體。
[0206]在第二氣體排氣部310也同樣是經由排氣管311a將氣體供給排氣構造280a的下方空間的氣氛排出。并且同時由壓力檢測器317a檢測出通過排氣管311a時的壓力P21a。而且，從排氣管311b將氣體供給排氣構造280b下方的氣氛排出，并且壓力檢測器317b檢測壓力P21b。從排氣管311c將氣體供給排氣構造280c下方的氣氛排出，并且壓力檢測器317c檢測壓力P21c。
[0207]由壓力檢測器317a、壓力檢測器317b、壓力檢測器317c檢測出的各壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400?？刂破?00將在各檢測部檢測出的值與預先記錄于存儲部的壓力數(shù)據(jù)進行比較。
[0208]作為預先存儲的壓力數(shù)據(jù)，例如記錄有三階段的壓力數(shù)據(jù)α2、β2、γ2。它們之間的關系為α 2 < β 2 < γ 2。α 2是用于使第二氣體在晶片200上反應的通常的壓力值的上限。在第一氣體為原料氣體、第二氣體為反應氣體的情況下，為了提高反應氣體相對于含有第一元素層的反應效率，優(yōu)選是α 2為高于α I的值。若檢測出的壓力值低于α 2，就視作通常的壓力范圍。β2高于α2且低于γ2。壓力值為β 2，是雖然是不影響晶片的膜質量的壓力，但是比通常的壓力α2高的壓力值。在壓力值為β2時，控制器400在附設的顯示畫面等報告對用戶的警告，同時繼續(xù)處理。并且，在處理下一批次的晶片之前，停止裝置。在裝置停止期間，實施將檢測出高壓力值的排氣管更換等的維護作業(yè)。若檢測出的壓力值為γ 2以上，則判斷為配管是對膜質量有影響的程度的異常，立刻停止裝置，而不等待下一批次。通過立刻停止，由此抑制向其他配管流入氣體。
[0209](氣體供給停止S208)
[0210]在第三工序S210之后，至少關閉閥245，停止含有第一元素氣體的供給。與其并行地，關閉閥256，停止含有第二元素氣體的供給。
[0211 ](襯托器旋轉停止S21)
[0212]在氣體供給停止S212后，停止襯托器220的旋轉。通過以上，薄膜形成工序S104結束。
[0213](襯底搬出工序S106)
[0214]接著，使襯托器220下降，將晶片200支承于從襯托器220的表面突出的晶片頂起銷266上。其后，打開規(guī)定的閘閥，使用第一搬送機械臂112將晶片200向反應容器203之外搬出。其后，在結束襯底處理工序的情況下，停止從惰性氣體供給系統(tǒng)向處理室201內供給惰性氣體。
[0215]通過以上的處理，能夠可靠地檢測出與第一氣體供給排氣構造240a、第一氣體供給排氣構造240b、第一氣體供給排氣構造240c對應的排氣管為異常這一情況。因而，能夠使第一氣體供給排氣構造240a的下方區(qū)域、第一氣體供給排氣構造240b的下方區(qū)域、第一氣體供給排氣構造240c的下方區(qū)域的壓力條件維持在一定的范圍。
[0216]而且，能夠可靠地檢測出與第二氣體供給排氣構造280a、第二氣體供給排氣構造280b、第二氣體供給排氣構造280c對應的排氣管為異常這一情況。因而，能夠使第二氣體供給排氣構造280a的下方區(qū)域、第二氣體供給排氣構造280b的下方區(qū)域、第二氣體供給排氣構造280c的下方區(qū)域的壓力條件維持在一定的范圍。
[0217]進而，由于能夠使各第一氣體供給排氣構造240、第二氣體供給排氣構造280的各自的下方區(qū)域的壓力條件維持為一定的范圍，因此能夠使膜的厚度方向的特性均一，能夠提尚成品率。
[0218]此外，在出現(xiàn)堵塞等異常狀態(tài)下也持續(xù)進行處理的情況下，認為存在氣體蔓延到相鄰的排氣流路、排氣管而引起進一步的異常狀態(tài)，但在本實施方式中能夠防止發(fā)生該狀況。例如在第二氣體供給排氣構造280a的下方第一氣體和第二氣體混合而在排氣管284內引起堵塞的情況下，本來應排氣的第一氣體和第二氣體移動到相鄰的第一氣體供給排氣構造240a和/或第一氣體供給排氣構造240b的下方。移動后的第一氣體和/或第二氣體流入各氣體的排氣管，在氣體排氣流路和/或排氣管等發(fā)生膜附著。若附著量多則在氣體排氣流路和/或排氣管引起堵塞。如此，當在一個氣體供給排氣構造引起了堵塞時，進而在相鄰的供給排氣構造也引起堵塞，結果在處理室201內產生顆粒。在本實施方式中能夠抑制發(fā)生這樣的狀況。
[0219]另外，本實施方式中，在使用液體原料作為第一氣體時，發(fā)揮更顯著的效果。以下，說明使用液體原料時的氣體供給排氣構造和發(fā)生顯著效果的理由。
[0220]在使用液體原料的情況下，取代圖4、圖6所示的第一氣體供給排氣構造240而使用圖16所示的第一氣體排氣構造240’。第一氣體排氣構造240’在供給管242的周圍設置作為溫度調節(jié)器的加熱器245這一點與圖4、6的構造不同。
[0221]向第一氣體排氣構造240’的供給管242供給液體原料的第一氣體。在供給管242，被加熱器245加熱以便于使液體原料不再液化而維持氣體狀態(tài)。
[0222]從氣體供給流路245供給的液體原料氣體在晶片200上形成膜。有助于成膜的液體原料氣體經由排氣流路246、排氣管244、排氣管271而被排氣，但由于排氣管244、排氣管271未被加熱，因此比供給管的溫度低。因此認為氣體會再次被液化。再液化的液體原料附著于排氣管244、排氣管271，可能會引起堵塞等配管異常。
[0223]針對這樣的狀況，在本實施方式中，能夠可靠地檢測配管異常，因此即使在需要精確溫度控制的液體原料時，也能防止運用效率的降低。
[0224](本發(fā)明的第二實施方式)
[0225]接著說明第二實施方式。第二實施方式中，將第一實施方式的排氣部270置換為排氣部270’，將排氣部310置換為排氣部310’。如圖17所示，排氣部270’是在排氣部270的構成上增加了閥278a、閥278b、閥278c和壓力檢測器279。如圖18所示，排氣部310’是在排氣部310的構成上增加了閥318a、閥318b、閥318c和壓力檢測器319。
[0226]接著說明配管的異常檢測方法。在此所述的異常是指與第一實施方式相同，例如是配管的堵塞。本實施方式的異常檢測處理是在圖13的處理結束之后進行后述的維護工序。
[0227](維護工序)
[0228]在維護工序中檢測排氣管的異常。首先，說明排氣部270’的異常檢測方法。在襯底處理結束后，打開閥278a，關閉閥278b、閥278c。與其并行地，關閉閥318a、閥318b、閥318c0
[0229]然后，從氣體供給流路245a向處理室供給惰性氣體，并經由氣體排氣流路246a、排氣管271a將所供給的氣體排出。在排氣時，由壓力檢測部277a檢測排氣管271a的壓力。而且，由壓力檢測部279檢測排氣管273的壓力。分別檢測出的壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。在控制器400，計算由壓力檢測部271a檢測出的壓力值與由壓力檢測部279檢測出的壓力值之差APla。計算出的數(shù)據(jù)與預先存儲的維護用壓力數(shù)據(jù)相比較。維護用壓力數(shù)據(jù)例如是能夠進行處理的狀態(tài)的上限值即a3a、異常狀態(tài)的i33a。若APla在a 3a的范圍內，則判斷為是能夠進行晶片處理的狀態(tài)。若APla在β 3a的范圍內，則判斷為是異常狀態(tài)，實施配管的更換、清潔等維護作業(yè)。
[0230]接著，關閉閥278a、閥278c，打開閥278b。其后，從氣體供給流路245向處理室供給惰性氣體，并經由氣體排氣流路246b、排氣管271b將所供給的氣體排出。在排氣時，由壓力檢測部277b檢測排氣管271b的壓力。而且，由壓力檢測部279檢測排氣管273的壓力。分別檢測出的壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。在控制器400，計算由壓力檢測部271b檢測出的壓力值與由壓力檢測部279檢測出的壓力值之差APlb。計算出的數(shù)據(jù)與預先存儲的維護用壓力數(shù)據(jù)相比較。維護用壓力數(shù)據(jù)例如是能夠進行處理的狀態(tài)的上限值即a3b、異常狀態(tài)的i33b。若APlb在a 3b的范圍內，則判斷為是能夠進行晶片處理的狀態(tài)。若APlb在i3 3b的范圍內，則判斷為是異常狀態(tài)，實施配管的更換、清潔等維護作業(yè)。
[0231]接著，關閉閥278a、閥278b，打開閥278c。其后，從氣體供給流路245向處理室供給惰性氣體，并經由氣體排氣流路246c、排氣管271c將所供給的氣體排出。在排氣時，由壓力檢測部277c檢測排氣管271c的壓力。而且，由壓力檢測部279檢測排氣管273的壓力。分別檢測出的壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。在控制器400，計算由壓力檢測部271c檢測出的壓力值與由壓力檢測部279檢測出的壓力值之差APlc。計算出的數(shù)據(jù)與預先存儲的維護用壓力數(shù)據(jù)相比較。維護用壓力數(shù)據(jù)例如是能夠進行處理的狀態(tài)的上限值即a3c、異常狀態(tài)的i33c。若APlc在a 3c的范圍內，則判斷為是能夠進行晶片處理的狀態(tài)。若APlc在P3c的范圍內，則判斷為是異常狀態(tài)，實施配管的更換、清潔等維護作業(yè)。
[0232]通過以上的方法，檢測排氣部270’的異常。
[0233]接著，說明排氣部310’的異常檢測方法。在排氣部270’的異常檢測技術后，關閉閥278a、閥278b、閥278c。與其并行地，打開閥318a，關閉閥318b、閥318c。
[0234]然后，從氣體供給流路285a向處理室供給惰性氣體，并經由氣體排氣流路286a、排氣管311a將所供給的氣體排出。在排氣時，由壓力檢測部317a檢測排氣管311a的壓力。而且，由壓力檢測部319檢測排氣管313的壓力。分別檢測出的壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。在控制器400，計算由壓力檢測部317a檢測出的壓力值與由壓力檢測部319檢測出的壓力值之差AP2a。計算出的數(shù)據(jù)與預先存儲的維護用壓力數(shù)據(jù)相比較。維護用壓力數(shù)據(jù)例如是能夠進行處理的狀態(tài)的上限值即a4a、異常狀態(tài)的i34a。若Δ P2a在a 4a的范圍內，則判斷為是能夠進行晶片處理的狀態(tài)。若AP2a在β 4a的范圍內，則判斷為是異常狀態(tài)，實施配管的更換、清潔等維護作業(yè)。
[0235]接著，關閉閥318a、閥318c，打開閥318b。其后，從氣體供給流路285向處理室供給惰性氣體，并經由氣體排氣流路286c、排氣管311c將所供給的氣體排出。在排氣時，由壓力檢測部317c檢測排氣管311c的壓力。而且，由壓力檢測部319檢測排氣管313的壓力。分別檢測出的壓力數(shù)據(jù)被送往控制器400。在控制器400，計算由壓力檢測部317c檢測出的壓力值與由壓力檢測部319檢測出的壓力值之差AP2c。計算出的數(shù)據(jù)與預先存儲的維護用壓力數(shù)據(jù)相比較。維護用壓力數(shù)據(jù)例如是能夠進行處理的狀態(tài)的上限值即a4c、異常狀態(tài)的i3 4c。若AP2c在a 4c的范圍內，則判斷為是能夠進行晶片處理的狀態(tài)。若Δ P2c在i3 4c的范圍內，則判斷為是異常狀態(tài)，實施配管的更換、清潔等維護作業(yè)。
[0236]通過以上的方法，檢測排氣部310’的異常。
[0237]如此，通過在上游側排氣管271和下游側排氣管273分別檢測壓力，由此不僅在壓力檢測器277的上游，在下游也能發(fā)現(xiàn)異常。
[0238]而且，在上游側排氣管271a、上游側排氣管271b、上游側排氣管271c也能分別發(fā)現(xiàn)異常，因此能夠提高維護效率。
[0239]<本發(fā)明的其他實施方式>
[0240]以上，具體說明了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限于上述各實施方式，在不脫離其要旨的范圍內可進行各種變更。
[0241]此外，例如在上述各實施方式中，舉出通過使襯托器220旋轉來使襯托器220上的各晶片200與氣體供給構造的相對位置移動的構造例，但本發(fā)明不限于此。S卩，本發(fā)明只要是使襯底載置臺10上的各晶片與氣體供給構造的相對位置移動的結構即可，不需一定是各實施方式中所說明的旋轉驅動式機構，例如可以使固定有氣體供給構造的處理室的頂板旋轉。
[0242]此外，例如在上述各實施方式中，作為襯底處理裝置所進行的成膜處理，以如下情況為例，即，使用TiCl4氣體作為原料氣體(第一處理氣體)，使用NH3氣體作為反應氣體(第二處理氣體)，并交替供給這些氣體，由此在晶片W上形成TiN膜的情況，但本發(fā)明不限于此。即，成膜處理所用的處理氣體不限于TiCl4氣體、NH3氣體等，可以使用其他種類的氣體來形成其他種類的薄膜。而且，即使在使用三種以上的處理氣體的情況下，只要是交替供給這些處理氣體來進行成膜處理，就能適用本發(fā)明。
[0243]此外，在上述各實施方式中，記載了使處理條件相同，但這是指結果上襯底的特性成為所希望范圍內的條件。因而，使處理條件相同是指特性成為所希望范圍內的條件的范圍。
[0244]此外，例如在上述的各實施方式中，作為襯底處理裝置進行的處理而舉出成膜處理為例，但本發(fā)明不限于此。即，除了成膜處理之外，可以是形成氧化膜、氮化膜的處理、形成含有金屬的膜的處理。此外，襯底處理的具體內容不限，不僅是成膜處理，在退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、光刻處理等其他襯底處理中也能很好地適用。而且，本發(fā)明也能很好地適用于其他襯底處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、涂布裝置、干燥裝置、加熱裝置、利用等離子體的處理裝置等其他襯底處理裝置。此夕卜，本發(fā)明可以是這些裝置混雜存在。此外，可以將某實施方式的構成的一部分置換為其他實施方式的構成，而且，可以在某實施方式的構成加上其他實施方式的構成。此外，對于各實施方式的構成的一部分，可以增加其他構成、刪除或置換。
[0245]<本發(fā)明的優(yōu)選方案>
[0246]以下，附記本發(fā)明的優(yōu)選方案。
[0247][附記I]
[0248]根據(jù)本發(fā)明的一方案，提供一種襯底處理裝置，包括:
[0249]處理室；
[0250]襯底載置臺，其設于所述處理室內，將襯底載置部呈圓周狀地配置；
[0251]旋轉部，其使所述襯底載置臺旋轉；
[0252]原料氣體供給構造，多個原料氣體供給構造呈圓周狀地配置在所述襯底載置臺的上方；
[0253]原料氣體供給部，其經由所述多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體；
[0254]原料氣體排氣構造，其與所述多個原料氣體供給構造分別對應地設置，將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；
[0255]多個原料氣體排氣管，分別與所述原料氣體排氣構造連接；
[0256]原料氣體排氣部，具有所述多個原料氣體排氣管，并經由所述原料氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出；
[0257]多個反應氣體供給構造，設于所述襯底載置臺的上方，配置于所述原料氣體供給構造之間；
[0258]反應氣體供給部，其經由所述多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體；
[0259]多個反應氣體排氣構造，其與所述多個反應氣體供給構造分別對應地設置，將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；
[0260]多個反應氣體排氣管，分別與所述反應氣體排氣構造連接；
[0261]反應氣體排氣部，具有所述多個反應氣體排氣管，并經由所述反應氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出；
[0262]多個反應氣體壓力檢測器，分別設于所述反應氣體排氣管；以及
[0263]控制部，至少控制所述原料氣體供給部、所述原料氣體排氣部、所述反應氣體供給部、所述反應氣體排氣部和所述反應氣體壓力檢測器。
[0264][附記2]
[0265]在附記I所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0266]還設置按所述多個原料氣體排氣管分別設置的原料氣體壓力檢測器。
[0267][附記3]
[0268]在附記I或2所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0269]在由所述多個反應氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。
[0270][附記4]
[0271]在附記2或3所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0272]在由所述多個原料氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。
[0273][附記5]
[0274]在附記I?4中任一項所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0275]還具有所述多個反應氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的反應氣體合流管，在所述反應氣體合流管設有合流管壓力檢測器。
[0276][附記6]
[0277]在附記5所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0278]在所述反應氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。
[0279][附記7]
[0280]在附記2?6中任一項所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0281]還具有所述多個原料氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的原料氣體合流管，在所述原料氣體合流管設有合流管壓力檢測器。
[0282][附記8]
[0283]在附記7所述的襯底處理裝置中，優(yōu)選是，
[0284]在所述原料氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。
[0285][附記9]
[0286]提供一種半導體器件的制造方法，優(yōu)選是，包括如下工序:
[0287]將多個襯底搬入處理室、并在內置于所述處理室的襯底載置臺上呈圓周狀地載置襯底的工序；
[0288]開始所述襯底載置臺的旋轉的工序；
[0289]原料氣體供給排氣工序，經由多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個原料氣體排氣構造而將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；以及
[0290]反應氣體供給排氣工序，與所述原料氣體供給排氣工序并行地，經由多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個反應氣體排氣構造而將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出，
[0291]在所述反應氣體供給排氣工序，在與所述多個反應氣體排氣構造分別連接的排氣管檢測壓力。
[0292][附記10]
[0293]提供一種程序，優(yōu)選是，執(zhí)行如下工序:
[0294]將多個襯底搬入處理室、并在內置于所述處理室的襯底載置臺上呈圓周狀地載置襯底的工序；
[0295]開始所述襯底載置臺的旋轉的工序；
[0296]原料氣體供給排氣工序，經由多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個原料氣體排氣構造而將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；以及
[0297]反應氣體供給排氣工序，與所述原料氣體供給排氣工序并行地，經由多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個反應氣體排氣構造而將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出，
[0298]在所述反應氣體供給排氣工序，在與所述多個反應氣體排氣構造分別連接的排氣管檢測壓力。
[0299][附記11]
[0300]提供一種記錄介質，優(yōu)選是，存儲有執(zhí)行如下工序的程序:
[0301]將多個襯底搬入處理室、并在內置于所述處理室的襯底載置臺上呈圓周狀地載置襯底的工序；
[0302]開始所述襯底載置臺的旋轉的工序；
[0303]原料氣體供給排氣工序，經由多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個原料氣體排氣構造而將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；以及
[0304]反應氣體供給排氣工序，與所述原料氣體供給排氣工序并行地，經由多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個反應氣體排氣構造而將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出，
[0305]在所述反應氣體供給排氣工序，在與所述多個反應氣體排氣構造分別連接的排氣管檢測壓力。
【主權項】
1.一種襯底處理裝置，包括: 處理室； 襯底載置臺，其設于所述處理室內，將襯底載置部呈圓周狀地配置； 旋轉部，其使所述襯底載置臺旋轉； 原料氣體供給構造，多個原料氣體供給構造呈圓周狀地配置在所述襯底載置臺的上方； 原料氣體供給部，其經由所述多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體； 原料氣體排氣構造，其與所述多個原料氣體供給構造分別對應地設置，將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出； 多個原料氣體排氣管，分別與所述原料氣體排氣構造連接； 原料氣體排氣部，具有所述多個原料氣體排氣管，并經由所述原料氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出； 多個反應氣體供給構造，設于所述襯底載置臺的上方，配置于所述原料氣體供給構造之間； 反應氣體供給部，其經由所述多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體； 多個反應氣體排氣構造，其與所述多個反應氣體供給構造分別對應地設置，將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出； 多個反應氣體排氣管，分別與所述反應氣體排氣構造連接； 反應氣體排氣部，具有所述多個反應氣體排氣管，并經由所述反應氣體排氣構造將所述處理室的氣氛排出； 多個反應氣體壓力檢測器，分別設于所述反應氣體排氣管；以及控制部，至少控制所述原料氣體供給部、所述原料氣體排氣部、所述反應氣體供給部、所述反應氣體排氣部和所述反應氣體壓力檢測器。2.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 還設置按所述多個原料氣體排氣管分別設置的原料氣體壓力檢測器。3.根據(jù)權利要求2所述的襯底處理裝置，其中， 在由所述多個反應氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。4.根據(jù)權利要求3所述的襯底處理裝置，其中， 在由所述多個原料氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。5.根據(jù)權利要求4所述的襯底處理裝置，其中， 還具有所述多個反應氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的反應氣體合流管，在所述反應氣體合流管設有合流管壓力檢測器。6.根據(jù)權利要求5所述的襯底處理裝置，其中， 在所述反應氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。7.根據(jù)權利要求6所述的襯底處理裝置，其中， 還具有所述多個原料氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的原料氣體合流管，在所述原料氣體合流管設有合流管壓力檢測器。8.根據(jù)權利要求7所述的襯底處理裝置，其中， 在所述原料氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。9.根據(jù)權利要求2所述的襯底處理裝置，其中， 在由所述多個原料氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。10.根據(jù)權利要求9所述的襯底處理裝置，其中， 還具有所述多個原料氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的原料氣體合流管，在所述原料氣體合流管設有合流管壓力檢測器。11.根據(jù)權利要求9所述的襯底處理裝置，其中， 在所述原料氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。12.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，其中， 在由所述多個反應氣體壓力檢測器檢測到的壓力值中的至少一個壓力值大于規(guī)定值的情況下，判斷為檢測到大壓力的排氣管為異常狀態(tài)。13.根據(jù)權利要求12所述的襯底處理裝置，其中， 還具有所述多個反應氣體排氣管合流的合流部和連接于該合流部的下游側的反應氣體合流管，在所述反應氣體合流管設有合流管壓力檢測器。14.根據(jù)權利要求13所述的襯底處理裝置，其中， 在所述反應氣體壓力檢測器與所述合流部之間設有閥。15.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序: 將多個襯底搬入處理室、并在內置于所述處理室的襯底載置臺上呈圓周狀地載置襯底的工序； 開始所述襯底載置臺的旋轉的工序； 原料氣體供給排氣工序，經由多個原料氣體供給構造向所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域供給原料氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個原料氣體排氣構造而將所述原料氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出；以及 反應氣體供給排氣工序，與所述原料氣體供給排氣工序并行地，經由多個反應氣體供給構造向所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域供給反應氣體，并經由與所述多個原料氣體供給構造對應的多個反應氣體排氣構造而將所述反應氣體供給構造的下方區(qū)域的氣氛排出， 在所述反應氣體供給排氣工序，在與所述多個反應氣體排氣構造分別連接的排氣管檢測壓力。
【文檔編號】H01L21/02GK106032572SQ201510102951
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月9日
【發(fā)明人】板谷秀治
【申請人】株式會社日立國際電氣