Oled基板的封裝方法及oled結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED基板的封裝方法及OLED結(jié)構(gòu)。該OLED基板的封裝方法包括如下步驟：步驟1、提供OLED基板(1)、及封裝蓋板(3)，所述OLED基板(1)上表面具有金屬陰極(135)；步驟2、采用離子轟擊對金屬陰極(135)進(jìn)行表面處理，使金屬陰極(135)的表面形成一薄層金屬氧化物層(5)；步驟3、對封裝蓋板(3)涂覆封裝膠(7)并設(shè)置填充物(9)；步驟4、將封裝蓋板(3)與OLED基板(1)相對貼合；步驟5、使用UV光源對封裝膠(7)進(jìn)行照射使其固化，從而實(shí)現(xiàn)封裝蓋板(3)對OLED基板(1)的封裝。
【專利說明】OLED基板的封裝方法及OLED結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種OLED基板的封裝方法及OLED結(jié)構(gòu)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode, OLED)等平板顯示技術(shù)已經(jīng)逐步取代CRT顯示器。平面光源技術(shù)是新型的光源，其技術(shù)研發(fā)已經(jīng)接近市場化量產(chǎn)水平。在平板顯示與平面光源技術(shù)當(dāng)中，對于兩片平板玻璃的粘結(jié)是一項(xiàng)很重要的技術(shù)，其封裝效果將直接影響器件的性能。
[0003]紫外光(UV)固化技術(shù)是LCD/0LED封裝最早也是最常用的技術(shù)，其具有如下特點(diǎn):不使用溶劑或使用少量溶劑，減少了溶劑對環(huán)境的污染；耗能少，可低溫固化，適用于對熱敏感的材料；固化速度快，效率高，可在高速生產(chǎn)線上使用，固化設(shè)備占地面積小等。但是，由于紫外光固化中所使用UV膠是有機(jī)材料，其固化后分子間隙較大，水汽與氧氣比較容易透過間隙抵達(dá)內(nèi)部密封區(qū)域。所以，UV封裝比較適合用于對水汽、氧氣不太敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，比如LCD。由于OLED器件對水汽、氧氣非常敏感，所以采用UV封裝時(shí)，器件內(nèi)部通常會有干燥劑，以減小透過間隙抵達(dá)內(nèi)部密封區(qū)域的水汽，從而延長OLED器件的使用壽命。
[0004]現(xiàn)有的UV封裝方法通常如圖1所示，把干燥劑300制作在封裝蓋板100上，并且封裝蓋板100需要預(yù)先挖凹槽101，也可以如圖2所示，在封裝蓋板100’上涂覆一層干燥劑300’并烘干，再與TFT基板200對組封裝在一起。但是這兩種方法都不適合上發(fā)光方式(即光線無法從蓋板方向出射)，因?yàn)楦稍飫?00吸水后透光性會變差。另外，如圖1、圖2所示，水汽會從UV封裝膠500進(jìn)入后會在密封體內(nèi)到處移動(dòng)，既可能被干燥劑300吸收，也可能吸附在形成于TFT基板200上表面的OLED器件400的表面，這樣的話，水汽從進(jìn)入密封體的第一時(shí)間就可能會對OLED器件400造成破壞。
[0005]所以，業(yè)界在UV封裝的基礎(chǔ)上提出了填充封裝方法。請參閱圖3，現(xiàn)有的填充封裝方法不需要在封裝蓋板100上預(yù)先挖凹槽，并且省去了干燥劑300，而是在密封體內(nèi)填充滿了填充物600。填充物600的加入，不僅提高了 OLED器件400的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，而且延緩了水汽的進(jìn)入速度，延長了 OLED器件400的壽命。同時(shí)，填充物600中還可以添加少量的透明干燥劑，以提高延緩水汽的效果，進(jìn)一步延長了 OLED器件400的壽命。但是，填充物的加入也帶來了一個(gè)不良后果，即填充物填充的地方會出現(xiàn)圓形暗斑，影響OLED的顯示品質(zhì)，造成出現(xiàn)該圓形暗斑的原因可能有:(I)填充物與OLED的金屬陰極反應(yīng)，使陰極變質(zhì)，電阻值升高，導(dǎo)電性變差；(2)填充物滲透過金屬陰極，進(jìn)入有機(jī)材料層，使有機(jī)材料導(dǎo)電性變差或發(fā)光層發(fā)出的光子淬滅。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED基板的封裝方法，通過該方法能夠阻止填充物與金屬陰極直接接觸，也可以阻止填充物滲透進(jìn)OLED器件的金屬陰極與有機(jī)層，從而可以避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED結(jié)構(gòu)，該OLED結(jié)構(gòu)能夠避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED基板的封裝方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供OLED基板、及封裝蓋板，所述OLED基板上表面具有金屬陰極；
[0010]步驟2、采用離子轟擊對金屬陰極進(jìn)行表面處理，使金屬陰極的表面形成一薄層金屬氧化物層；
[0011]步驟3、對封裝蓋板涂覆封裝膠并設(shè)置填充物；
[0012]步驟4、將封裝蓋板與OLED基板相對貼合；
[0013]步驟5、使用UV光源對封裝膠進(jìn)行照射使其固化，從而實(shí)現(xiàn)封裝蓋板對OLED基板的封裝。
[0014]所述封裝膠為UV膠。
[0015]所述一薄層金屬氧化物層的厚度在Inm至30nm之間。
[0016]所述封裝蓋板為玻璃板。
[0017]所述離子轟擊處理，在真空環(huán)境下或無水的含少量氧氣的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行。
[0018]所述離子轟擊處理在ppm環(huán)境的密閉腔體內(nèi)進(jìn)行，水含量控制在IOppm以下，氧氣含量控制在100?20000ppm。
[0019]所述步驟2、3、4、5均在ppm環(huán)境下進(jìn)行。
[0020]本發(fā)明還提供一種OLED結(jié)構(gòu)，包括:0LED基板、密封連接于OLED基板上的封裝蓋板、及設(shè)于OLED基板與封裝蓋板之間的填充物，所述OLED基板上表面具有金屬陰極，所述
金屬陰極表面具有一薄層金屬氧化物層。
[0021]所述一薄層金屬氧化物層采用離子轟擊處理在金屬陰極表面形成。
[0022]所述一薄層金屬氧化物層的厚度在Inm?30nm之間。
[0023]所述填充物含有透明干燥劑。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的OLED基板的封裝方法，通過采用離子轟擊對金屬陰極進(jìn)行表面處理，使金屬陰極的表面形成一薄層金屬氧化物層，然后再進(jìn)行填充封裝制程。該薄層金屬氧化物結(jié)構(gòu)致密，可以阻止填充物與金屬陰極直接接觸，也可以阻止填充物滲透進(jìn)金屬陰極與有機(jī)層，避免因填充物造成的暗斑的形成，從而提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命，且該方法較簡便，可操作性強(qiáng)。本發(fā)明的OLED結(jié)構(gòu)，通過在OLED金屬陰極的表面設(shè)置一薄層金屬氧化物層，能夠避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為一種現(xiàn)有的UV封裝方法的示意圖；
[0028]圖2為另一種現(xiàn)有的UV封裝方法的不意圖；
[0029]圖3為現(xiàn)有的填充封裝方法的示意圖；[0030]圖4為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的流程圖；
[0031]圖5為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟I的立體示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟I的剖面示意圖；
[0033]圖7為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟2的立體示意圖；
[0034]圖8為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟2的剖面示意圖；
[0035]圖9為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟3的立體示意圖；
[0036]圖10為本發(fā)明OLED基板的封裝方法的步驟4的立體示意圖；
[0037]圖11為本發(fā)明OLED結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0039]請參閱圖4至圖10，本發(fā)明提供一種OLED基板的封裝方法，包括如下步驟:
[0040]步驟1、提供OLED基板1、及封裝蓋板3，所述OLED基板I上表面具有金屬陰極135 ；
[0041]步驟2、采用離子轟擊對金屬陰極135進(jìn)行表面處理,使金屬陰極135的表面形成
一薄層金屬氧化物層5 ；
[0042]步驟3、對封裝蓋板3涂覆封裝膠7，在涂覆封裝膠區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置填充物9 ；
[0043]步驟4、將封裝蓋板3與OLED基板I相對貼合；
[0044]步驟5、使用UV光源對封裝膠7進(jìn)行照射使其固化，從而實(shí)現(xiàn)封裝蓋板3對OLED基板I的封裝。
[0045]具體的，所述步驟I中的OLED基板I包括一 TFT基板11及OLED器件13，該OLED器件13包括依次形成于TFT基板上的陽極131、有機(jī)材料層133及金屬陰極135。該OLED器件13通過蒸鍍制程形成于TFT基板11上，構(gòu)成所述OLED基板I。所述金屬陰極135的材料可為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)。
[0046]所述所述封裝蓋板3可為玻璃板或金屬板，優(yōu)選的，所述封裝蓋板3為玻璃板。
[0047]所述步驟2采用離子轟擊對金屬陰極135進(jìn)行表面處理,使金屬陰極135的表面形成一薄層金屬氧化物層5，可在真空環(huán)境下進(jìn)行，也可在無水的含少量氧氣的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行。需要特別說明的是，離子轟擊處理需在PPm環(huán)境的封閉腔體內(nèi)進(jìn)行。所謂ppm環(huán)境是對環(huán)境內(nèi)的各組分的含量、濃度有嚴(yán)格的控制，以百萬分之一為單位計(jì)算。以無水的含少量氧氣的氮?dú)鈖pm環(huán)境為實(shí)施例，將離子轟擊處理過程置于ppm環(huán)境的密閉腔體內(nèi)，水含量控制在IOppm以下，氧氣含量控制在100?20000ppm。
[0048]所述金屬氧化物層5經(jīng)離子轟擊處理后，其表面形成均勻、致密的一薄層金屬氧化物層5,其厚度在Inm至30nm之間。
[0049]形成所述金屬氧化物層5后，進(jìn)入步驟3，在所述OLED基板I的四周邊緣涂覆封裝膠7。所述封裝膠7為UV膠，進(jìn)一步的，所述封裝膠7為環(huán)氧樹脂。
[0050]所述步驟3為對封裝蓋板3涂覆封裝膠7，同時(shí)設(shè)置填充物9。所述填充物9具有透明干燥劑，該填充物9所起的作用是提高OLED器件的結(jié)強(qiáng)度，并能延緩水汽的進(jìn)入速度。
[0051]最后進(jìn)行步驟4、步驟4的操作，將封裝蓋板3與OLED基板I相對貼合后，使用UV光源對封裝膠7進(jìn)行照射使其固化，從而實(shí)現(xiàn)封裝蓋板3對OLED基板I的封裝。
[0052]值得一提的是，所述步驟3、4、5亦在ppm環(huán)境下進(jìn)行。
[0053]請參閱圖11，在上述OLED基板的封裝方法的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供一種OLED結(jié)構(gòu)，包括=OLED基板1、密封連接于OLED基板I上的封裝蓋板3、及設(shè)于OLED基板I與封裝蓋板3之間的填充物9、及一薄層金屬氧化物層5。所述OLED基板I包括一 TFT基板11及OLED器件13，該OLED器件13包括依次形成于TFT基板上的陽極131、有機(jī)材料層133及金屬陰極135。所述一薄層金屬氧化物層5設(shè)置于所述金屬陰極135表面。
[0054]所述一薄層金屬氧化物層5采用離子轟擊處理在金屬陰極135表面形成。
[0055]所述一薄層金屬氧化物層5的厚度在Inm?30nm之間。
[0056]所述封裝蓋板3為玻璃板。
[0057]所述填充物9含有透明干燥劑。
[0058]綜上所述，本發(fā)明的OLED基板的封裝方法，通過采用離子轟擊對金屬陰極進(jìn)行表面處理，使金屬陰極的表面形成一薄層金屬氧化物層，然后再進(jìn)行填充封裝制程。該薄層金屬氧化物結(jié)構(gòu)致密，可以阻止填充物與金屬陰極直接接觸，也可以阻止填充物滲透進(jìn)金屬陰極與有機(jī)層，避免因填充物造成的暗斑的形成，從而提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命，且該方法較簡便，可操作性強(qiáng)。本發(fā)明的OLED結(jié)構(gòu)，通過在OLED金屬陰極的表面設(shè)置一薄層金屬氧化物層，能夠避免因填充物造成的暗斑的形成，提高OLED的顯示品質(zhì)，延長OLED的壽命。
[0059]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED基板的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供OLED基板(I)、及封裝蓋板(3)，所述OLED基板(I)上表面具有金屬陰極(135)； 步驟2、采用離子轟擊對金屬陰極(135)進(jìn)行表面處理，使金屬陰極(135)的表面形成一薄層金屬氧化物層(5)； 步驟3、對封裝蓋板(3)涂覆封裝膠(7)并設(shè)置填充物(9)； 步驟4、將封裝蓋板(3)與OLED基板(I)相對貼合； 步驟5、使用UV光源對封裝膠(7)進(jìn)行照射使其固化，從而實(shí)現(xiàn)封裝蓋板(3)對OLED基板⑴的封裝。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述封裝膠(7)為UV膠。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)的厚度在Inm至30nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述封裝蓋板(3)為玻璃板。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述離子轟擊處理，在真空環(huán)境下或無水的含少量氧氣的氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述離子轟擊處理在ppm環(huán)境的密閉腔體內(nèi)進(jìn)行，水含量控制在IOppm以下，氧氣含量控制在100?20000ppm。
7.如權(quán)利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述步驟2、3、4、5均在ppm環(huán)境下進(jìn)行。
8.一種OLED結(jié)構(gòu)，包括:0LED基板(I)、密封連接于OLED基板(I)上的封裝蓋板(3)、及設(shè)于OLED基板(I)與封裝蓋板(3)之間的填充物(9)，所述OLED基板(I)上表面具有金屬陰極(135)，其特征在于，所述金屬陰極(135)表面具有一薄層金屬氧化物層(5)。
9.如權(quán)利要求8所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)采用離子轟擊處理在金屬陰極(135)表面形成。
10.如權(quán)利要求8所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)的厚度在Inm?30nm之間，所述填充物(9)含有透明干燥劑。
【文檔編號】H01L51/56GK103985826SQ201410236277
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】劉亞偉, 吳泰必, 王宜凡 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司