一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及的一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層、納米陶瓷層、納米銀粉層和環(huán)氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，納米陶瓷層覆蓋氟硅橡膠層，納米銀粉層覆蓋納米陶瓷層，環(huán)氧樹脂層覆蓋納米銀粉層，納米陶瓷層的厚度范圍為0.4毫米到1.5毫米。本實用新型產(chǎn)生的有益效果是：采用納米陶瓷層，在火燒的過程中，納米陶瓷層會起到隔絕火焰的作用，避免半導(dǎo)體直接受到火焰燒灼，起到保護被封裝半導(dǎo)體器件的作用，采用納米銀粉層，可以起到電磁屏蔽的作用。
【專利說明】一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，更確切地說是涉及一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面，現(xiàn)有的技術(shù)通常采用環(huán)氧樹脂進行封裝，環(huán)氧樹脂的電磁屏蔽性能很差，難以滿足磁屏蔽半導(dǎo)體封裝的需要，另外，環(huán)氧樹脂在火燒的情況下會發(fā)生分解，導(dǎo)致火焰可以直接燒灼半導(dǎo)體，難以滿足半導(dǎo)體耐火燒的需要。
[0003]由此可見，上述現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)亟待加以改進。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]本實用新型解決其主要技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本實用新型提出的一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層、納米陶瓷層、納米銀粉層和環(huán)氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，納米陶瓷層覆蓋氟硅橡膠層，納米銀粉層覆蓋納米陶瓷層，環(huán)氧樹脂層覆蓋納米銀粉層，納米陶瓷層的厚度范圍為0.4毫米到1.5毫米。
[0006]本實用新型的有益效果在于，采用納米陶瓷層，在火燒的過程中，納米陶瓷層會起到隔絕火焰的作用，避免半導(dǎo)體直接受到火焰燒灼，起到保護被封裝半導(dǎo)體器件的作用，采用納米銀粉層，可以起到電磁屏蔽的作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]附圖標記說明:1、被封裝半導(dǎo)體器件；2、氟硅橡膠層；3、納米陶瓷層；4、納米銀粉層；5、環(huán)氧樹脂層。
【具體實施方式】
[0009]以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本實用新型提出的其【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
[0010]請參閱圖1所示，本實用新型的一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件1、氟硅橡膠層2、納米陶瓷層3、納米銀粉層4和環(huán)氧樹脂層5，氟硅橡膠層2覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件1，納米陶瓷層3覆蓋氟硅橡膠層2，納米銀粉層4覆蓋納米陶瓷層3，環(huán)氧樹脂層5覆蓋納米銀粉層4，納米陶瓷層3的厚度范圍為0.4毫米到1.5毫米。
[0011]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述含有納米材料的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層、納米陶瓷層、納米銀粉層和環(huán)氧樹脂層，所述氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，所述納米陶瓷層覆蓋氟硅橡膠層，所述納米銀粉層覆蓋納米陶瓷層，所述環(huán)氧樹脂層覆蓋納米銀粉層，所述納米陶瓷層的厚度范圍為0.4毫米到1.5暈米。
【文檔編號】H01L23/29GK203456435SQ201320513476
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】蘇攀, 王雪松 申請人:江西創(chuàng)成半導(dǎo)體有限公司