含有碳纖維層的半導體封裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及的一種含有碳纖維層的半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件、碳纖維層和環(huán)氧樹脂層，碳纖維層覆蓋被封裝半導體器件，環(huán)氧樹脂層覆蓋碳纖維層，碳纖維層的厚度范圍為0.2毫米到0.5毫米。本實用新型產(chǎn)生的有益效果是：采用碳纖維層位于被封裝半導體器件和環(huán)氧樹脂層之間，可以承受沿著封裝平面的拉力，起到保護被封裝半導體器件的作用。
【專利說明】含有碳纖維層的半導體封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體封裝【技術領域】，更確切地說是涉及一種含有碳纖維層的半導體封裝結構。
【背景技術】
[0002]在半導體封裝技術方面，現(xiàn)有的技術通常采用環(huán)氧樹脂進行封裝，環(huán)氧樹脂在沿著封裝平面的抗拉性能較差，難以滿足抵抗封裝平面拉力的需要。
[0003]由此可見，上述現(xiàn)有半導體封裝結構亟待加以改進。

【發(fā)明內容】

[0004]本實用新型所要解決的主要技術問題在于，克服現(xiàn)有的半導體封裝結構存在的缺陷，而提供一種含有碳纖維層的半導體封裝結構。
[0005]本實用新型解決其主要技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本實用新型提出的一種含有碳纖維層的半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件、碳纖維層和環(huán)氧樹脂層，碳纖維層覆蓋被封裝半導體器件，環(huán)氧樹脂層覆蓋碳纖維層，碳纖維層的厚度范圍為
0.2暈米到0.5暈米。
[0006]本實用新型的有益效果在于，采用碳纖維層位于被封裝半導體器件和環(huán)氧樹脂層之間，可以承受沿著封裝平面的拉力，起到保護被封裝半導體器件的作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的截面結構示意圖。
[0008]附圖標記說明:1、被封裝半導體器件；2、碳纖維層；3、環(huán)氧樹脂層。
【具體實施方式】
[0009]以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本實用新型提出的其【具體實施方式】、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0010]請參閱圖1所示，本實用新型的一種含有碳纖維層的半導體封裝結構，包括被封裝半導體器件1、碳纖維層2和環(huán)氧樹脂層3，碳纖維層2覆蓋被封裝半導體器件1，環(huán)氧樹脂層3覆蓋碳纖維層2，碳纖維層2的厚度范圍為0.2毫米到0.5毫米。
[0011]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
【權利要求】
1.一種含有碳纖維層的半導體封裝結構，其特征在于:所述含有碳纖維層的半導體封裝結構包括被封裝半導體器件、碳纖維層和環(huán)氧樹脂層，所述碳纖維層覆蓋被封裝半導體器件，所述環(huán)氧樹脂層覆蓋碳纖維層，所述碳纖維層的厚度范圍為0.2毫米到0.5毫米。
【文檔編號】H01L23/29GK203456434SQ201320513425
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權日:2013年8月22日
【發(fā)明者】王雪松, 游平 申請人:江西創(chuàng)成半導體有限公司