評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及使用其控制單晶錠的質(zhì)量的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和一種通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括：對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu（銅）霧度評估和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分。
【專利說明】評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及使用其控制單晶錠的質(zhì)量的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及一種通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，Czochralski (在下文中，稱為“CZ”)方法已被廣泛用作制造娃晶片的方法。在CZ方法中，將多晶硅裝入石英坩堝中，并通過石墨加熱元件進(jìn)行加熱和熔融。然后，將晶種浸入通過熔融而形成的硅熔體中，并且允許在界面處發(fā)生結(jié)晶。通過拉伸以及旋轉(zhuǎn)該晶種來生長單晶硅錠。其后，通過切片、蝕刻和拋光該硅錠來制備晶片形式。
[0003]通過使用前述方法所制備的單晶硅錠或硅晶片具有晶體缺陷，例如晶體原生顆粒(C0P),流動圖形缺陷(FPD)、氧化誘導(dǎo)堆垛層錯(OISF)，和塊體微缺陷(BMD)。需要減小這些內(nèi)生(grown-1n)缺陷的密度和尺寸，并且已證實晶體缺陷影響器件產(chǎn)量和質(zhì)量。因此，去除晶體缺陷以及簡單且快速地評估這些缺陷的技術(shù)是重要的。
[0004]而且，根據(jù)晶體生長的條件，單晶硅錠或硅晶片包括:具有通過附聚飽和的空位(由于占優(yōu)勢的空位型點缺陷而飽和)而形成的缺陷的V富集(v-rich)區(qū)域、具有占優(yōu)勢的空位型點缺陷但沒有附聚的缺陷的Pv區(qū)域、空位/間隙(V/I)邊界、具有占優(yōu)勢的間隙點缺陷但沒有附聚的缺陷的Pi區(qū)域和具有通過附聚飽和的間隙硅(由于占優(yōu)勢的間隙點缺陷而飽和)而形成的缺陷的I富集(1-rich)區(qū)域。
[0005]在評估晶體質(zhì)量的水平方面，確定產(chǎn)生這些缺陷區(qū)域的位置和這些缺陷區(qū)域如何隨單晶錠的晶體長度而變化是很重要的。
[0006]根據(jù)相關(guān)技術(shù)，在通過CZ方法所制備的單晶錠中，根據(jù)被稱為“V/G”的Voronkov理論，當(dāng)在V/G臨界值或更大值(高速生長)下生長該錠時，產(chǎn)生具有空洞缺陷的V富集區(qū)域；當(dāng)在V/G臨界值或更小值(低速生長)下生長該錠時，在邊緣或中心區(qū)域處的環(huán)形中產(chǎn)生氧化誘導(dǎo)堆垛層錯(OISF)缺陷；并且當(dāng)在較低速度下生長該錠時，通過纏結(jié)的位錯環(huán)(具有間隙硅聚集在其中)而產(chǎn)生I富集區(qū)域，一種環(huán)占優(yōu)勢的點缺陷(LDP)區(qū)。
[0007]既不是V富集也不是I富集的無缺陷的區(qū)域存在于V富集區(qū)域和I富集區(qū)域之間的邊界處。該無缺陷的區(qū)域也被分類為Pv區(qū)域(一種無空位占優(yōu)勢的點缺陷(VDP)區(qū))和Pi區(qū)域(一種無間隙占優(yōu)勢的點缺陷(IDP)區(qū))，并且該無缺陷的區(qū)域被認(rèn)為是為了制造無缺陷的晶片而制備的空白(margin)。
[0008]圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的控制拉伸速度的示意圖，并且示出在單晶生長過程中用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的實驗實施例(實例I和實例2)。
[0009]為了降低根據(jù)摩爾定律(Moore’ s law)的高度集成的回路線寬，控制在單晶生長過程中所引入的晶體缺陷是重要的。制備無缺陷的單晶晶片的通常方法通過在確定無缺陷區(qū)域的拉伸速度之后設(shè)置目標(biāo)來進(jìn)行，無缺陷區(qū)域的拉伸速度通過V測試和N測試對相應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行縱向分析來確定，其中，如圖1所示，人工調(diào)整拉伸速度以確定無缺陷的空白。[0010]而且，根據(jù)相關(guān)技術(shù)，為了制造無缺陷的單晶，已經(jīng)嘗試了設(shè)計上部熱區(qū)(HZ)，例如，通過上部絕緣體的各種形狀來調(diào)整晶體的G值和AG (徑向方向上的溫度梯度)從而使得對應(yīng)于形成缺陷的溫度范圍；通過調(diào)整從熔體表面到上部HZ的間隔來使熱積累空間的效率最大化；以及通過從加熱器的最大熱產(chǎn)生部分到熔體表面的相對位置來控制Si熔體對流或熱傳遞路徑。或者，已經(jīng)嘗試了使工藝參數(shù)優(yōu)化，例如控制氬氣(Ar)流速、控制晶種旋轉(zhuǎn)速度與坩堝旋轉(zhuǎn)速度的比例(SR/CR)或應(yīng)用多種類型的磁場。[0011]然而，相對于相關(guān)技術(shù)，難以在制造無缺陷的單晶中使無缺陷的空白優(yōu)化。
[0012]例如，V測試或N測試可以確定一個批次中主體部分的一些區(qū)域，并且因為通過使用CZ方法來制造Si單晶一般是連續(xù)的生長工藝，所以即使在使用相同的HZ和工藝參數(shù)的情況下，也產(chǎn)生根據(jù)錠長度的晶體冷卻中的熱歷史的差異。而且，由于根據(jù)晶體生長的Si熔體體積的變化，根據(jù)晶體長度的增加可以影響無缺陷的目標(biāo)拉伸速度。
[0013]進(jìn)一步，根據(jù)相關(guān)技術(shù)，在制造無缺陷的單晶中，可能產(chǎn)生由于質(zhì)量損失而引起的成本。
[0014]例如，因為目標(biāo)拉伸速度的設(shè)置不準(zhǔn)確，由于在基本范圍內(nèi)的質(zhì)量廢品率增加而可能產(chǎn)生損失，并且為了針對長度確定無缺陷的目標(biāo)拉伸速度而可能進(jìn)行多次如圖1中的測試。
[0015]然而，因為根據(jù)如圖1中的拉伸速度的快速變化，目標(biāo)拉伸速度不引起晶體冷卻中熱歷史的變化，由于在V測試或N測試中確定的質(zhì)量空白與目標(biāo)拉伸速度的設(shè)置值之間的真實熱歷史的差異，所以目標(biāo)值是變化的。
[0016]而且，如圖1所示，為了在直徑為300mm或更大的大直徑重單晶的生長過程中，根據(jù)相關(guān)技術(shù)來生長無缺陷的單晶生長，設(shè)置準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度是最重要的。然而，如上所述，通常的無缺陷的區(qū)域隨錠長度而變化。因此，因為在設(shè)置目標(biāo)拉伸率(target pullingrate)過程中不可避免地產(chǎn)生的晶體熱歷史差異的產(chǎn)生而可能發(fā)生錯誤，所以可能產(chǎn)生質(zhì)量、成本和時間方面的損失，上述設(shè)置目標(biāo)拉伸速度在可能連續(xù)地重復(fù)用于確定針對長度的空白的V測試或N測試或另外的測試之后。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]【技術(shù)問題】
[0018]實施方式提供了一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的娃(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估(copper haze evaluation)方法的模型和制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量標(biāo)準(zhǔn)來相對于整個基本范圍(entire prime range)進(jìn)行評分，所述方法能夠進(jìn)行質(zhì)量預(yù)測和精度控制，上述實施方式還提供了一種通過使用前述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
[0019]【技術(shù)方案】
[0020]在一個實施方式中，用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法包括:對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu (銅)霧度評估；和相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分。
[0021]在另一個實施方式中，用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法包括:對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu霧度評估；相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分；以及基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標(biāo)拉伸速度進(jìn)行調(diào)節(jié)。[0022]【有益效果】
[0023]根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和根據(jù)通過使用該方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的硅(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估方法的模型和制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量標(biāo)準(zhǔn)，可以進(jìn)行通過相對于整個基本范圍進(jìn)行評分的質(zhì)量預(yù)測和精度控制。
[0024]例如，根據(jù)上述實施方式，因為通過Cu霧度建模在生長無缺陷的單晶的過程中可以通過Cu霧度評估方法來進(jìn)行評分，所以通過Cu霧度圖(該Cu霧度圖在為每個晶體區(qū)域提供分?jǐn)?shù)的質(zhì)量評估的過程中產(chǎn)生)可以區(qū)分相應(yīng)的區(qū)域，因此，通過對相對于由基本區(qū)域(prime region)的圖所區(qū)分的區(qū)域已被評分的拉伸速度進(jìn)行調(diào)整，可以設(shè)置下一批次中準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度。
[0025]而且，根據(jù)上述實施方式，可以確定在單晶的中心和邊緣部分處的晶體區(qū)域，因此，在工藝參數(shù)的精細(xì)調(diào)節(jié)過程中可以成為應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
[0026]根據(jù)上述實施方式，在設(shè)置用于生長高質(zhì)量的Si單晶的目標(biāo)拉伸速度中，可以設(shè)置準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度而不重復(fù)V測試和N測試，并且準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度可以立即應(yīng)用到單晶生長工藝中。
[0027]根據(jù)上述實施方式，通過在分?jǐn)?shù)范圍和質(zhì)量空白內(nèi)的調(diào)整值，針對整個基本范圍，可以確保相對于真實無缺陷的空白區(qū)域的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，因此，可以使由于質(zhì)量劣化而引起的成本最小化，并且除了提高生產(chǎn)率外，還可以在最短的時間內(nèi)制造均勻的高質(zhì)量的Si單晶。
[0028]而且，上述實施方式可以完全地應(yīng)用于小直徑至大直徑。
[0029]進(jìn)一步，根據(jù)上述實施方式，通過劃分晶體區(qū)域，例如，分別評定Pv和Pi的分?jǐn)?shù)，可以獲得更準(zhǔn)確的判斷和質(zhì)量成果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的控制拉伸速度的示意圖。
[0031]圖2是示出根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法的示意圖。
[0032]圖3是示出在根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中，用于計算樣品的Cu霧度分?jǐn)?shù)的方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0033]在實施方式的描述中，將理解的是，當(dāng)晶片、器件、卡盤(chuck)、元件、部件、區(qū)域或表面被稱為在另一晶片、器件、卡盤、元件、部件、區(qū)域或表面“上”或者“下”時，術(shù)語“上”和“下”包括“直接”和“間接”兩種含義。進(jìn)一步，基于附圖將做出關(guān)于在每個元件“上”和“下”的參考。在附圖中，為了方便描述，每個元件的尺寸被放大，而每個元件的尺寸并不完全反映實際尺寸。
[0034](實施方式)
[0035]圖2是示出根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法的示意圖。[0036]上述實施方式嘗試提供用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的硅(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估方法的模型和制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量標(biāo)準(zhǔn)來相對于整個基本范圍進(jìn)行評分，所述方法能夠進(jìn)行質(zhì)量預(yù)測和精度控制，上述實施方式還提供一種通過使用前述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
[0037]為此目的，根據(jù)上述實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括:對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu霧度評估，和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分。
[0038]根據(jù)上述實施方式，因為通過Cu霧度建模在生長無缺陷的單晶的過程中可以通過Cu霧度評估方法來進(jìn)行評分，所以通過Cu霧度圖(該Cu霧度圖在為每個晶體區(qū)域提供分?jǐn)?shù)的質(zhì)量評估的過程中產(chǎn)生)可以區(qū)分相應(yīng)的區(qū)域，因此，通過對相對于由基本區(qū)域的圖所區(qū)分的區(qū)域已被評分的拉伸速度進(jìn)行調(diào)整，可以設(shè)置下一批次中準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度。
[0039]而且，根據(jù)上述實施方式，可以確定在單晶的中心和邊緣部分處的晶體區(qū)域，因此，在工藝參數(shù)的精細(xì)調(diào)節(jié)過程中可以成為應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
[0040]根據(jù)上述實施方式，進(jìn)行Cu霧度評估可以包括:對單晶錠的切片或晶片的一些區(qū)域進(jìn)行第一熱處理BP和對單晶錠的切片或晶片的其他區(qū)域進(jìn)行第二熱處理BSW。
[0041]例如，上述第一熱處理可以包括進(jìn)行0帶(0-band)熱處理以及上述第二熱處理可以包括進(jìn)行Pv、Pi熱處理。
[0042]在上述實施方式中，Cu霧度評分方法可以通過劃分錠的切片或晶片的缺陷區(qū)域來進(jìn)行Cu霧度評分。
[0043]例如，在Cu霧度評分方法中，可以通過評定錠的切片的Pv區(qū)域和Pi區(qū)域的分?jǐn)?shù)來進(jìn)行Cu霧度評分。
[0044]根據(jù)上述實施方式，通過劃分晶體區(qū)域，例如，分別評定Pv和Pi的分?jǐn)?shù)，可以獲得更準(zhǔn)確的判斷和質(zhì)量成果。
[0045]而且，在上述實施方式中的Cu霧度評分可以包括:通過Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖。
[0046]根據(jù)上述實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的Si單晶中建立使用Cu霧度評估方法的模型和制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量標(biāo)準(zhǔn)，可以進(jìn)行通過相對于整個基本范圍來進(jìn)行評分的質(zhì)量預(yù)測和精度控制。
[0047]根據(jù)上述實施方式的用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括:對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu霧度評估，相對于Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分，以及基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標(biāo)拉伸速度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0048]進(jìn)行Cu霧度評估和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分的內(nèi)容可以采用用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法的前述內(nèi)容的技術(shù)特征。
[0049]在上述實施方式中調(diào)節(jié)目標(biāo)拉伸速度可以包括:在通過Cu霧度評估而建立Cu霧度評分圖之后，基于Cu霧度評分圖來制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)。
[0050]結(jié)果，根據(jù)上述實施方式，在調(diào)節(jié)目標(biāo)拉伸速度中，通過對已被評分的拉伸速度進(jìn)行調(diào)整可以設(shè)置下一批次中的目標(biāo)拉伸速度，上述調(diào)整根據(jù)基于Cu霧度評分圖的用于單晶錠的每個晶體區(qū)域的調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行。
[0051]根據(jù)上述實施方式的用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的Si單晶中建立使用Cu霧度評估方法的模型和制定用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量標(biāo)準(zhǔn)，可以進(jìn)行通過相對于整個基本范圍進(jìn)行評分的質(zhì)量預(yù)測和精度控制。
[0052]而且，根據(jù)上述實施方式，在設(shè)置用于生長高質(zhì)量的Si單晶的目標(biāo)拉伸速度中，可以設(shè)置準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度而不重復(fù)V測試和N測試，并且準(zhǔn)確的目標(biāo)拉伸速度可以立即應(yīng)用到單晶生長工藝中。
[0053]根據(jù)上述實施方式，通過在分?jǐn)?shù)范圍和質(zhì)量空白內(nèi)的調(diào)整值，針對整個基本范圍，可以確保相對于真實無缺陷的空白區(qū)域的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，因此，可以使由于質(zhì)量劣化而引起的成本最小化，并且除了提高生產(chǎn)率外，還可以在最短的時間內(nèi)制造均勻的高質(zhì)量的Si單晶。
[0054]而且，上述實施方式可以完全地應(yīng)用于小直徑至大直徑。
[0055]下文中，參照圖2，對用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
[0056]圖2是示出在無缺陷的單晶的生長過程中，根據(jù)拉伸速度的變化，晶體中缺陷的分布的實施方式的示意圖。
[0057]例如，通過Cu霧度評估方法，通過第一熱處理BP和第二熱處理BSW可以區(qū)分0帶區(qū)域、Pv區(qū)域、Pi區(qū)域和LDP區(qū)域。
[0058]在該實施方式中采用的Cu霧度評估方法可以是這樣的評估方法:其中，通過使用Cu污染的溶液(即緩沖氧化蝕刻劑(BOE)溶液和Cu的混合溶液)，用高濃度的Cu污染Si單晶的切片或晶片的一個表面，并且進(jìn)行快速擴散熱處理，然后通過在聚光燈下視覺觀察受污染的表面或其相反表面來區(qū)分晶體缺陷區(qū)域。然而，該實施方式并不限于此。
[0059]圖2右側(cè)的第一樣品至第七樣品(SI?S7)的實施例示出了在以預(yù)定的目標(biāo)拉伸速度生長單晶之后可以呈現(xiàn)為Cu霧度評分圖的多種類型。
[0060]例如，由于高的無缺陷的目標(biāo)拉伸速度，在頂部具有完全黑色的表面的第一樣品SI呈現(xiàn)傾向于0帶區(qū)域,并且示出了根據(jù)拉伸速度(PS)的減小,例如減小0.0lmm/min,該O帶區(qū)域就消失了。
[0061]而且，關(guān)于從底部數(shù)位于第三的第五樣品S5，整個晶片表面的左半側(cè)的顏色顯示為白色，并且為該目標(biāo)所生長的單晶示出O帶已被控制，并且該整個晶片表面的右半側(cè)顯示為黑色和白色，其中，黑色部分呈現(xiàn)Pv區(qū)域以及白色區(qū)域呈現(xiàn)Pi區(qū)域。因此，關(guān)于第五樣品S5，可以理解為形成了晶片中無缺陷的區(qū)域，例如Pv-P1-Pv。
[0062]進(jìn)一步，關(guān)于在底部的第七樣品S7，可以理解為當(dāng)左側(cè)和右側(cè)的顏色均顯示為白色時制造了僅具有Pi區(qū)域的晶片。
[0063]在該實施方式中，例如，在圖2的左側(cè)可以提供O?300的分?jǐn)?shù)，并且可以調(diào)整分?jǐn)?shù)的劃分。
[0064]當(dāng)制造其中O帶已經(jīng)被控制的由Pv區(qū)域和Pi區(qū)域組成的產(chǎn)品(作為目標(biāo)質(zhì)量)時，目標(biāo)分?jǐn)?shù)可以確定為220。
[0065]例如，目標(biāo)分?jǐn)?shù)可以確定為在圖2中的150?180的范圍內(nèi)。在本文中，確定了自由空白并且通過分?jǐn)?shù)將自由空白分開，因此，可以確定針對每個分?jǐn)?shù)的拉伸速度的控制率(control rate)。
[0066]例如，關(guān)于圖2，將目標(biāo)分?jǐn)?shù)220假定為不具有拉伸速度的控制率的0，并且通過用對應(yīng)于在相應(yīng)的Cu霧度評分圖中的分?jǐn)?shù)的調(diào)整值來調(diào)整目標(biāo)拉伸率可以獲得在整個基本范圍內(nèi)的均勻質(zhì)量。
[0067]圖3是示出在根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中用于計算第五樣品S5的Cu霧度分?jǐn)?shù)的方法的示意圖。
[0068]圖3是剖視圖，其中，通過Cu霧度評估方法分析了根據(jù)實施方式所生長的300mm的單晶中縱向(vertical)方向上的缺陷的分布，并且分派分?jǐn)?shù)的方法如下，但是實施方式并不限于此。
[0069]首先，測量根據(jù)Cu霧度評估方法的第一熱處理BP區(qū)域的白色部分(圖3中晶片的左側(cè))的面積。然后，測量第二熱處理BSW區(qū)域的白色部分(圖3中晶片的右側(cè))的面積，并且將通過對第一熱處理區(qū)域中白色部分和第二熱處理區(qū)域中白色部分的面積進(jìn)行相加所獲得的值確定為分?jǐn)?shù)值。
[0070]如另一個實施例，關(guān)于圖2的右側(cè)的第二樣品S2的圖，根據(jù)BP評估方法，白色部分和黑色部分都存在于圖中，并且在此情況下，對白色部分的區(qū)域進(jìn)行相加，并且將相同的方法應(yīng)用于BSW評估方法。
[0071]在上述實施方式中，分?jǐn)?shù)300對應(yīng)于300mm晶片的橫截面，并且因為分?jǐn)?shù)是根據(jù)每個直徑的，所以可以使用相應(yīng)的直徑，并且通過對相應(yīng)的直徑進(jìn)行用于劃分的成比例地調(diào)整而可以使用相應(yīng)的直徑。
[0072]作為根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中調(diào)整目標(biāo)拉伸速度的實施例，表1是基于Cu霧度評分圖的用于設(shè)置目標(biāo)拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的實施例。然而，實施方式并不限于此。
[0073]表1
【權(quán)利要求】
1.一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，所述方法包括: 對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu (銅)霧度評估；和 相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述進(jìn)行Cu霧度評估包括: 對所述晶片或所述單晶錠的切片的一些區(qū)域進(jìn)行第一熱處理；和 對所述晶片或所述單晶錠的切片的其他區(qū)域進(jìn)行第二熱處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一熱處理包括進(jìn)行O帶熱處理，以及所述第二熱處理包括進(jìn)行PV、Pi熱處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述Cu霧度評分中，所述Cu霧度評分的方法包括:通過劃分錠的切片的或所述晶片的缺陷區(qū)域來進(jìn)行Cu霧度評分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述Cu霧度評分的方法包括:通過評定所述錠的切片的或所述晶片的Pv區(qū)域和Pi區(qū)域的分?jǐn)?shù)來進(jìn)行Cu霧度評分。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述Cu霧度評分包括: 相對于根據(jù)所述Cu霧度評估方法的O帶熱處理區(qū)域，測量第一 Pi區(qū)域的面積； 相對于Pv、Pi熱處理區(qū)域，測量第二 Pi區(qū)域的面積；和 對所述第一 Pi區(qū)域的面積和所述第二 Pi區(qū)域的面積進(jìn)行相加以設(shè)置為Cu霧度分?jǐn)?shù)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述Cu霧度評分包括:通過所述Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖。
8.一種用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法，所述方法包括: 對單晶錠的切片或晶片進(jìn)行Cu (銅)霧度評估； 相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進(jìn)行Cu霧度評分；和 基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標(biāo)拉伸速度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述對目標(biāo)拉伸速度進(jìn)行調(diào)節(jié)包括: 通過所述Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖；和 基于所述Cu霧度評分圖來制定用于設(shè)置所述目標(biāo)拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述對目標(biāo)拉伸速度進(jìn)行調(diào)節(jié)包括:通過對被評分的拉伸速度進(jìn)行調(diào)整來設(shè)置下一批次中的目標(biāo)拉伸速度，所述調(diào)整根據(jù)基于所述Cu霧度評分圖的用于所述單晶錠的每個晶體區(qū)域的調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述Cu霧度評分使用根據(jù)權(quán)利要求4?7中任一項所述的用于評估單晶錠的質(zhì)量的方法。
【文檔編號】H01L21/66GK103650124SQ201280033605
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月6日
【發(fā)明者】張允瑄, 洪寧皓, 鄭要韓, 金世勛 申請人:Lg矽得榮株式會社