Cmos全硅化物金屬柵制備方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種CMOS全硅化物金屬柵制備方法，該方法包括：提供基底，基底具有第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極，在基底上沉積電介質層，去除部分電介質層，分別在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成開口，第一多晶硅柵極上的開口的尺寸小于第二多晶硅柵極上的開口的尺寸，沉積金屬層，在第一多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度小于在第二多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度，進行第一次熱退火并去除未反應的所述金屬層，進行第二次熱退火，形成具有不同的金屬濃度但相同的高度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，得到不同功函數(shù)金屬柵極。該制備工藝簡單，有利于降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】CMOS全硅化物金屬柵制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種CMOS (互補金屬氧化物半導體)全娃化物金屬柵制備方法。
【背景技術】
[0002]互補金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,簡稱CMOS)通常使用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)裝置中。降低CMOS的尺寸有有利于改善集成電路的速度性能、密度以及每單位功能的成本，所以降低CMOS的尺寸已成為目前的發(fā)展趨勢。隨著特征尺寸的不斷縮小，特別是特征尺寸小到45nm或以下時，傳統(tǒng)的多晶硅柵極結構會出現(xiàn)柵極漏電等問題，所以出現(xiàn)了新型金屬柵極技術來取代傳統(tǒng)的多晶硅柵極技術。
[0003]目前CMOS全硅化物金屬柵分為兩種:1.第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極為材質不同的全娃化物金屬柵；2.第一全娃化物金屬柵極和第二全娃化物金屬柵極為材質相同但金屬濃度不同的全硅化物金屬柵?，F(xiàn)有技術中這兩種全硅化物金屬柵的制備方法都存在一定問題，首先，第一種全硅化物金屬柵的制備方法需要分別沉積兩種材質不同的金屬層，工藝繁瑣；其次，第二種全硅化物金屬柵因為只有一種金屬，所以不需要積兩種材質不同的金屬層，但為了實現(xiàn)不同的金屬濃度，往往通過制備不同高度的多晶硅柵極，再經(jīng)過熱退火進行硅化過程來實現(xiàn)，這種方法制備的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極高度不同，不利于后續(xù)工藝的進行。
[0004]所以，如何提供一種可以克服以上問題的CMOS全硅化物金屬柵的制備方法，已成為本領域技術人員需要解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，解決現(xiàn)有的CMOS全硅化物金屬柵制備方法工藝復雜，及全硅化物金屬柵極高度不同的問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種CMOS全硅化物金屬柵制備方法，包括:
[0007]提供基底，所述基底包括第一裝置制造區(qū)和第二裝置制造區(qū)，在所述第一裝置制造區(qū)上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區(qū)上形成第二多晶硅柵極；
[0008]在所述基底上沉積電介質層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極；
[0009]去除部分所述電介質層，以分別在所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成開口，所述第一多晶硅柵極上的開口的尺寸小于所述第二多晶硅柵極上的開口的尺寸；
[0010]沉積金屬層，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成金屬層，其中在所述第一多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度小于在所述第二多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度；
[0011]進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化；
[0012]去除在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；[0013]進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數(shù)不同。
[0014]進一步的，在去除部分所述電介質層步驟中，包括:去除位于所述第一多晶硅柵極上的電介質層，以在所述第一多晶硅柵極上形成開口，并去除所述第二裝置制造區(qū)上的電介質層，以在所述第二多晶硅柵極上形成開口。
[0015]進一步的，在所述基底上沉積電介質層步驟和去除部分所述電介質層步驟之間，還包括對所述電介質層進行平坦化工藝。
[0016]進一步的，所述平坦化工藝為化學機械研磨。
[0017]進一步的，在所述基底上沉積電介質層步驟和去除部分所述電介質層步驟之間，還包括在所述金屬層上沉積一層阻擋層。
[0018]進一步的，所述阻擋層的材料為氮化鈦。
[0019]進一步的，所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度和不同的金屬濃度。
[0020]進一步的，所述第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C?550°C，時間為0.1
秒?300秒。
[0021]進一步的，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C?850°C，時間為0.1
秒?300秒。
[0022]進一步的，采用濕法刻蝕工藝法去除第一次熱退火過程中未反應的所述金屬層。
[0023]進一步的，所述電介質層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種的組合。
[0024]進一步的，所述金屬層的材料包括鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種的組合。
[0025]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的CMOS全硅化物金屬柵制備方法具有以下優(yōu)點:
[0026]1、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極是通過沉積工藝，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成的同一金屬層制備而成的，不需要制備不同材質的金屬層，進而簡化工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本。
[0027]2、本發(fā)明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法是通過去除部分所述電介質層，以在在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成尺寸不同的開口，使得金屬層在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的厚度不同，并經(jīng)過兩次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，因而不需制備高度不同的金屬層來控制第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的金屬濃度，工藝簡單，且金屬在柵極中分布均勻。
[0028]3、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度，便于后續(xù)工藝的加工進行。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明一實施例的CMOS全硅化物金屬柵制備方法的流程圖；
[0030]圖2a_圖2g為本發(fā)明一實施例的CMOS全硅化物金屬柵制備方法的工藝步驟的示意圖。[0031]其中，101、第一裝置制造區(qū)；102、第二裝置制造區(qū)；103、第一多晶硅柵極；104、第二多晶娃柵極；105、電介質層；106、金屬層；107、第一娃化物金屬柵極；108、第二娃化物金屬柵極；109、第一全硅化物金屬柵極；110、第二全硅化物金屬柵極；111、阻擋層；W1、第一裝置制造區(qū)上開口的尺寸；W2、第二裝置制造區(qū)上開口的尺寸。
【具體實施方式】
[0032]下面將結合示意圖對本發(fā)明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0033]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0034]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0035]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種CMOS全硅化物金屬柵制備方法，該方法通過在基底上沉積電介質層，去除部分所述電介質層，以分別在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成開口，并使第一多晶硅柵極上的開口的尺寸小于所述第二多晶硅柵極上的開口的尺寸，接著沉積金屬層，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成金屬層，由于第一多晶娃柵極上的開口的尺寸小于所述第二多晶娃柵極上的開口的尺寸，使在第一多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度小于在第二多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度，因而在進行第一次熱退火的過程中，金屬層與第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的反應程度不同，金屬進入第一多晶硅柵極和第二多晶硅及的濃度不同，再進行第二次熱退火之后，形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極具有不同的金屬濃度，但具有相同的高度，從而便于后續(xù)工藝的加工進行，并且制備工藝簡單，有利于降低生產(chǎn)成本。
[0036]圖1為本發(fā)明一實施例的CMOS全硅化物金屬柵制備方法的流程圖，結合圖1及本發(fā)明的核心思想，本發(fā)明提供一種CMOS全硅化物金屬柵制備方法，包括以下步驟:
[0037]步驟S11，提供基底，所述基底包括第一裝置制造區(qū)和第二裝置制造區(qū)，在所述第一裝置制造區(qū)上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區(qū)上形成第二多晶硅柵極；
[0038]步驟S12，在所述基底上沉積電介質層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極；
[0039]步驟S13，去除部分所述電介質層，以分別在所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成開口，所述第一多晶硅柵極上的開口的尺寸小于所述第二多晶硅柵極上的開口的尺寸；
[0040]步驟S14，沉積金屬層，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成金屬層，其中在所述第一多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度小于在所述第二多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度；
[0041]步驟S15，進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化；
[0042]步驟S16，去除第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；
[0043]步驟S17，進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數(shù)不同。
[0044]以下請參考圖1和圖2a_圖2g詳細說明本發(fā)明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法的具體過程，其中，圖2a-圖2g為本發(fā)明一實施例的CMOS全硅化物金屬柵制備方法的工藝步驟的示意圖。
[0045]在步驟Sll中，如圖2a所示，提供基底，基底包括第一裝置制造區(qū)101和第二裝置制造區(qū)102，在第一裝置制造區(qū)101上形成第一多晶硅柵極103，在第二裝置制造區(qū)102上形成第二多晶硅柵極104。本實施例中的基底只含有一個第一裝置制造區(qū)101和一個第二裝置制造區(qū)102，但含有多個第一裝置制造區(qū)101和多個第二裝置制造區(qū)102的基底亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0046]如圖2b所示，在步驟S12，在基底上沉積電介質層105，電介質層105覆蓋基底上的第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104。電介質層105的材料為絕緣材料，例如可以為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種，在較佳的實施例中，電介質層105為二氧化娃和氮化娃的疊層。電介質層105可以在250°C?1000°C之間且在含有反應氣體的環(huán)境下，通過例如氧化物生長法、化學氣相沉積法或物理氣相沉積法而形成。
[0047]在較佳的實施例中，在所述基底上沉積電介質層步驟S12和去除部分所述電介質層步驟S13之間，還包括平坦化工藝經(jīng)過平坦化工藝后的電介質層105具有平坦化的表面，減小表面起伏和表面缺陷，有利于后續(xù)的金屬層沉積。較佳的，平坦化工藝為化學機械研磨(CMP)。
[0048]如圖2c所示，在步驟S13，去除部分所述電介質層105，以分別在第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104上形成開口，第一多晶硅柵極103上的開口的尺寸Wl小于第二多晶硅柵極104上的開口的尺寸W2。在較佳的實施例中，通過光刻、干法刻蝕工藝去除部分電介質層105,刻蝕第一多晶娃柵極103上的電介質層105以露出第一多晶娃柵極103,去除第二裝置制造區(qū)102上高于第二多晶硅柵極104的全部電介質層105以露出第二多晶硅柵極104。
[0049]如圖2d所示，在步驟S14，沉積金屬層106，在第一裝置制造區(qū)101和第二裝置制造區(qū)102上沉積金屬層106。金屬層106可通過傳統(tǒng)的沉積技術而形成，例如蒸發(fā)、濺射沉積或化學氣相沉積。金屬層106可包括任何的硅化工藝金屬，例如鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種，在步驟S14之后，位于第一多晶硅柵極103上的開口和第二多晶硅柵極104上的開口上的金屬層的厚度不同，金屬層較佳的的厚度范圍為50人?300A。在較佳的實施例中金屬層106為鎳或鎳鉬。在沉積金屬層106時，金屬層106會沉積在第一裝置制造區(qū)101上形成的開口(尺寸為Wl)和第二裝置制造區(qū)102上形成的開口(尺寸為W2，W1 <W2)之中。由于金屬在尺寸較小的開口中的沉積厚度小于金屬在尺寸較大的開口中的沉積厚度，所以在第一多晶硅柵極103上沉積的金屬層106比在第二多晶硅柵極104上沉積的金屬層106薄。
[0050]在較佳的實施例中，在步驟S14和步驟S15之間，還包括在金屬層106上沉積一層阻擋層111，阻擋層111可以保護金屬層106在熱退火的過程中被氧化。較佳的，阻擋層111的材料為氮化鈦，厚度為50A?200A,如80人、100人、120人、150人、180A。
[0051]如圖2e所示，在步驟S15，進行第一次熱退火，在此步驟中，第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104上的金屬層106會沉積擴散到第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104之中，金屬層106與第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104發(fā)生化學反應,產(chǎn)生相變化，使第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104部分金屬化,從而形成第一娃化物金屬柵極107和第二娃化物金屬柵極108。由于在第一多晶娃柵極103上沉積的金屬層106比在第二多晶硅柵極104上沉積的金屬層106薄，所以擴散到第一多晶硅柵極103中的金屬比擴散到第二多晶硅柵極104中的少，所形成的第一硅化物金屬柵極107中的金屬濃度比第二娃化物金屬柵極108中的金屬濃度低。其中，所述第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C?550°C，在包括氮的純氣環(huán)境下進行退火，退火時間為0.1秒?300秒。特別注意的是，以金屬層106為鎳或鎳鉬為例，第一次快速熱退火較佳的溫度為200°C?350°C，退火時間為I秒?200秒，例如溫度為250。。、280 V、300°C、320°C，退火時間為10秒、50秒、80秒、100 秒、120 秒、150 秒、180 秒。
[0052]如圖2f所示，在步驟S16中，去除在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層106。在步驟S15之后，第一裝置制造區(qū)101和第二裝置制造區(qū)102上方均存在未反應的金屬層106。采用濕法刻蝕工藝，去除在進行第一次熱退火過程中未反應的所述金屬層106。由于本實施例中沉積了阻擋層111，所以還一并去除阻擋層111，之后所產(chǎn)生的結構見圖2f。
[0053]如圖2g所示，在步驟S17，進行第二次熱退火。在此步驟中，第一硅化物金屬柵極107和第二娃化物金屬柵極108中的金屬繼續(xù)向和第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104沉積擴散,和娃發(fā)生化學反應，產(chǎn)生相變化，使金屬在娃中的分布更加均勻，使第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104全部金屬化,從而形成第一全娃化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110，第一全硅化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110的功函數(shù)不同。由于第一硅化物金屬柵極107中的金屬濃度比第二硅化物金屬柵極108中的金屬濃度低，所以形成的第一全硅化物金屬柵極109中的金屬濃度比第二全硅化物金屬柵極110中的金屬濃度低，但第一全硅化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110的高度相同。其中，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C?850°C，在包括氮的純氣環(huán)境下進行退火，退火時間為0.1秒?300秒。特別注意的是，以金屬層106為鎳或鎳鉬為例，第二次熱退火較佳的溫度為300°C?600°C，退火時間為I秒?200秒，例如溫度為350°C、350°C、400°C、450°C、500°C、550°C，退火時間為 10 秒、50 秒、80 秒、100 秒、120 秒、150 秒、180 秒。
[0054]綜上所述，本發(fā)明實施例提供一種CMOS全硅化物金屬柵制備方法，該方法是通過在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成不同大小的開口，使得沉積同一層金屬層時在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上沉積的金屬層厚度不一樣，從而得到不同的金屬濃度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，該第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極但具有相同的高度。
[0055]應注意的是，本發(fā)明不限于上述實施例，其它結構的COMS結構，只要是通過在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成不同大小的開口，使得沉積同一層金屬層時在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上沉積的金屬層厚度不一樣，從而得到具有不同的金屬濃度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的方法，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0056]本發(fā)明所述CMOS全硅化物金屬柵制備方法，與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點:
[0057]1、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極是通過沉積工藝，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成的同一金屬層制備而成的，不需要制備不同材質的金屬層，進而簡化工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本。
[0058]2、本發(fā)明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法是通過去除部分所述電介質層，以在在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成尺寸不同的開口，使得金屬層在第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的厚度不同，并經(jīng)過兩次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，因而不需制備高度不同的金屬層來控制第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的金屬濃度，工藝簡單，且金屬在柵極中分布均勻。
[0059]3、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度，便于后續(xù)工藝的加工進行。
[0060]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種CMOS全娃化物金屬柵制備方法,包括: 提供基底，所述基底包括第一裝置制造區(qū)和第二裝置制造區(qū)，在所述第一裝置制造區(qū)上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區(qū)上形成第二多晶硅柵極； 在所述基底上沉積電介質層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極； 去除部分所述電介質層，以分別在所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成開口，所述第一多晶硅柵極上的開口的尺寸小于所述第二多晶硅柵極上的開口的尺寸； 沉積金屬層，同時在所述第一多晶硅柵極的開口和第二多晶硅柵極的開口中形成金屬層，其中在所述第一多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度小于在所述第二多晶硅柵極上的開口中沉積的金屬層的厚度； 進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化； 去除第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層； 進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數(shù)不同。
2.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，在去除部分所述電介質層步驟中，包括:去除位于所述第一多晶硅柵極上的電介質層，以在所述第一多晶硅柵極上形成開口，并去除所述第二裝置制造區(qū)上的電介質層，以在所述第二多晶硅柵極上形成開口。
3.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，在所述基底上沉積電介質層步驟和去除部分`所述電介質層步驟之間，還包括對所述電介質層進行平坦化工藝。
4.如權利要求3所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學機械研磨。
5.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，在沉積金屬層步驟和進行第一次熱退火步驟之間，還包括在所述金屬層上沉積一層阻擋層。
6.如權利要求5所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化鈦。
7.如權利要求1所述的CMOS全娃化物金屬柵制備方法,其特征在于,所述第一全娃化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度和不同的金屬濃度。
8.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，所述第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C~550°C，時間為0.1秒~300秒。
9.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C~850°C，時間為0.1秒~300秒。
10.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除第一次熱退火過程中未反應的所述金屬層。
11.如權利要求1所述的CMOS全硅化物金屬柵制備方法，其特征在于，所述電介質層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種的組合。
12.如權利要求1-11中任何一項所述的CMOS全娃化物金屬柵制備方法,其特征在于，所述金屬層的材料包括鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種的組合 。
【文檔編號】H01L21/8238GK103515318SQ201210206298
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月20日 優(yōu)先權日:2012年6月20日
【發(fā)明者】肖海波, 鮑宇, 平延磊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司