專利名稱：封裝基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板及其制法，尤指一種利于產(chǎn)品薄化的封裝基板及其制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求,而朝著降低承載芯片的封裝基板的厚度發(fā)展。目前用于承載芯片的封裝基 板可分為硬質(zhì)材與軟質(zhì)材，一般用于球門陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)的封裝基板是選擇硬質(zhì)材。請(qǐng)參閱圖1A至圖1C，其為現(xiàn)有雙層線路的封裝基板I的制法的剖面示意圖。如圖1A所示，首先，提供兩芯層10，各該芯層10具有相對(duì)的第一表面IOa與第二表面IOb,且該芯層10的第一與第二表面10a, IOb上分別具有一第一金屬層Ila與一第二金屬層11b，又該芯層10具有連通該第一及第二表面10a，IOb的多個(gè)貫穿孔100。如圖1B所示，進(jìn)行圖案化工藝，以借由該第一與第二金屬層11a，Ilb(利用導(dǎo)電層12進(jìn)行電鍍金屬)，于該芯層10的第一及第二表面10a, IOb上分別形成一第一及第二線路層13a，13b，且于該些貫穿孔100中形成導(dǎo)電通孔14以電性連接該第一及第二線路層13a，13b，又該第一及第二線路層13a，13b分別具有多個(gè)第一及第二電性接觸墊130a，130b。如圖1C所不，于該芯層10的第一及第二表面10a, IOb上分別形成一第一及第二絕緣保護(hù)層15a，15b，且該第一及第二絕緣保護(hù)層15a，15b分別具有多個(gè)第一及第二開(kāi)孔150a，150b,以令該些第一及第二電性接觸墊130a，130b對(duì)應(yīng)外露于各該第一及第二開(kāi)孔150a，150b。接著，于該些第一及第二電性接觸墊150a，150b的外露表面上分別形成一第一及第二表面處理層16a, 16b。于后續(xù)工藝中，其于該第二絕緣保護(hù)層15b上承載芯片并進(jìn)行封裝工藝，以制成封裝結(jié)構(gòu)。為了符合微小化與可靠度的需求，于目前工藝技術(shù)中，該封裝基板I的厚度S可縮小至150 u m。然而，隨著微小化的需求增加，厚度為150 u m的封裝基板I已無(wú)法滿足現(xiàn)今對(duì)封裝件微小化的需求，但若使該封裝基板I的厚度S小于150 u m,則該封裝基板I于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)將因太薄而容易破裂，導(dǎo)致無(wú)法使用或產(chǎn)品不良。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求的技術(shù)瓶頸，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于揭露一種封裝基板，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。本發(fā)明所揭露的封裝基板包括芯層，具有相對(duì)的第一表面與第二表面；第一線路層，其設(shè)于該芯層的第一表面上，且具有第一電性接觸墊；第二線路層，其設(shè)于該芯層的第二表面上，且具有第二電性接觸墊；導(dǎo)電通孔，其設(shè)于該芯層中，以電性連接該第一及第二線路層；第一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該芯層的第一表面與第一線路層上，且外露該第一電性接觸墊；第一表面處理層，形成于該第一電性接觸墊的外露表面上；第二表面處理層，其形成于該第二電性接觸墊的外露表面上；以及承載件，其借由粘著層結(jié)合于該第一絕緣保護(hù)層上。本發(fā)明還提供一種封裝基板的制法，其包括提供兩芯層，該芯層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層，又該芯層的第一表面上具有貫穿該第一金屬層的貫穿孔，以令該第二金屬層外露于該貫穿孔；借由粘著件結(jié)合該第二金屬層，以連接該兩芯層；借由該第一金屬層，于該芯層的第一表面上形成具有第一電性接觸墊的第一線路層，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一線路層；于該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且外露該第一電性接觸墊，以于該第一電性接觸墊的外露表面上形成第一表面處理層；于該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件；移除該粘著件，以分離出兩基板本體；將該兩基板本體的承載件借由結(jié)合件相疊接，以露出該第二金屬層；將該第二金屬層形成具有第二電性接觸墊的第二線路層，且該第二線路層電性連接該導(dǎo)電通孔；于該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，且外露該第二電性接觸墊，以于該第二電性接觸墊的外露表面上形成第二表面處理層，以形成兩封裝基板；以及移除該結(jié)合件，以分離該兩封裝基板。依上述制法，可于制作該第二線路層之前，先將該兩基板本體的承載件借由結(jié)合件相疊接。前述的封裝基板及其制法中，該粘著層的材質(zhì)可為強(qiáng)力膠或離型劑，且該承載件的材質(zhì)可為耐高溫材。另外，前述的封裝基板的厚度減去該承載件的厚度應(yīng)小于150m。由上可知，本發(fā)明的封裝基板及其制法，借由在該封裝基板的第一絕緣保護(hù)層上結(jié)合承載件，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。再者，于封裝后再移除該承載件，此時(shí)的封裝基板的厚度小于1 50i!m，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，可降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度。因此，借由本發(fā)明的封裝基板可同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求。


圖1A至圖1C為現(xiàn)有雙層線路的封裝基板的制法的剖視示意圖；圖2A至圖21為本發(fā)明封裝基板的制法的剖視示意圖；圖2F’為圖2F的另一實(shí)施例；以及圖3A至圖3C為本發(fā)明封裝基板的制法的另一實(shí)施例的剖視示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1,2封裝基板10,20 芯層10a, 20a 第一表面10b, 20b 第二表面100,200 貫穿孔11a, 21a 第一金屬層
lib,21b第二金屬層12導(dǎo)電層13a，23a第一線路層13b，23b第二線路層130a, 230a第一電性接觸墊130b, 230b第二電性接觸墊14，24導(dǎo)電通孔15a, 25a第一絕緣保護(hù)層15b, 25b第二絕緣保護(hù)層150a, 250a第一開(kāi)孔150b, 250b第二開(kāi)孔16a, 26a第一表面處理層16b, 26b第二表面處理層2a基板本體22粘著件 27承載件270粘著層28結(jié)合件L, d, S厚度h所剩厚度。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“一”、“兩”、“上”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，也當(dāng)視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請(qǐng)參閱圖2A至圖21，為本發(fā)明封裝基板2的制法的剖視示意圖。如圖2A所不,首先,提供兩芯層20,該芯層20具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b,且該芯層20的第一與第二表面20a, 20b上分別具有第一金屬層21a與第二金屬層21b，又該芯層20的第一表面20a上具有貫穿該第一金屬層21a的多個(gè)貫穿孔200，以令該第二金屬層21b外露于該些貫穿孔200。接著，借由多個(gè)粘著件22結(jié)合各該芯層20的第二金屬層21b，以堆棧兩芯層20。所述的芯層20可為例如雙馬來(lái)醢亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine,BT)的有機(jī)聚合材料，也可為如預(yù)浸材(prepreg)的介電材,且該芯層20的厚度小于60 y m,而該第一與第二金屬層21a，21b為銅，又該粘著件22可為膠塊。本發(fā)明的芯層20的厚度雖小于60 ym，但借由堆棧兩芯層20，以于制作該封裝基板2時(shí)增加整體厚度，可使用原先封裝基板工藝所用的設(shè)備，因而可降低制作成本。如圖2B所示，進(jìn)行圖案化工藝，以借由該第一金屬層21a，于該芯層20的第一表面20a上形成第一線路層23a，且于該貫穿孔200中形成導(dǎo)電通孔24以電性連接該第一線路層23a，又該第一線路層23a具有多個(gè)第一電性接觸墊230a。有關(guān)線路工藝種類繁多，并無(wú)特別限制，且其非本發(fā)明的技術(shù)特征，所以不詳述，特此述明。如圖2C所示，于該芯層20的第一表面20a與第一線路層23a上形成第一絕緣保護(hù)層25a，且該第一絕緣保護(hù)層25a具有多個(gè)第一開(kāi)孔250a，以對(duì)應(yīng)外露該些第一電性接觸墊230a。于其它實(shí)施例中，也可借由降低該第一絕緣保護(hù)層25a的表面高度，使該第一電性接觸墊230a的高度高于或齊平該第一絕緣保護(hù)層25a的表面高度，以外露該些第一電性接觸墊230a。圖中省略該第一絕緣保護(hù)層25a形成于該第一線路層23a上的結(jié)構(gòu)。接著，于該些第一開(kāi)孔250a中的第一電性接觸墊230a上形成第一表面處理層26a。如圖2D所示，于該第一絕緣保護(hù)層25a上借由粘著層270結(jié)合一承載件27。于本實(shí)施例中，該粘著層270的材質(zhì)例如強(qiáng)力膠、離型劑等,而該承載件27的材質(zhì)為耐高溫材，例如銅箔基板(Copper clad laminate, CCL)。如圖2E所示，移除該些粘著件22，以分離出兩基板本體2a。如圖2F或圖2F’所示，將該兩基板本體2a的承載件27借由結(jié)合件28，28’相疊接，以露出該第二金屬層2 1b。于本實(shí)施例中，該結(jié)合件28，28’為粘著凸塊(如圖2F’所示)或膠層(如圖2F所示)。 如圖2G所示，接續(xù)圖2F工藝，將該第二金屬層21b形成第二線路層23b，且該第二線路層23b電性連接該導(dǎo)電通孔24，又該第二線路層23b具有多個(gè)第二電性接觸墊230b。如圖2H所示，于該芯層20的第二表面20b與第二線路層23b上形成第二絕緣保護(hù)層25b，且該第二絕緣保護(hù)層25b具有多個(gè)第二開(kāi)孔250b，以對(duì)應(yīng)外露該些第二電性接觸墊230b，以形成兩封裝基板2。圖中省略該第二絕緣保護(hù)層25b形成于該第二線路層23b上的結(jié)構(gòu)。接著，于該些第二電性接觸墊250b的外露表面上形成第二表面處理層26b。于其它實(shí)施例中，也可借由降低該第二絕緣保護(hù)層25b的表面高度，使該第二電性接觸墊250b的高度高于或齊平該第二絕緣保護(hù)層25b的表面高度，以外露該些第二電性接觸墊250b。如圖21所示，移除該結(jié)合件28，以分離該兩封裝基板2，且該封裝基板2的厚度L減去該承載件27 (該粘著層270極薄，可忽略)的厚度d的所剩厚度h小于150 ym。另外，有關(guān)該承載件27的厚度d可依需求作變化，并無(wú)特別限制。請(qǐng)參閱圖3A至圖3C，其為本發(fā)明封裝基板2的制法的另一實(shí)施例的剖視示意圖。如圖3A所示，其為圖2E的工藝，移除該些粘著件22，以分離出兩基板本體2a。如圖3B所示，不堆棧兩基板本體2a，直接將該第二金屬層21b形成第二線路層23b，且該第二線路層23b電性連接該導(dǎo)電通孔24，又該第二線路層23b具有多個(gè)第二電性接觸墊230b。如圖3C所示，于該芯層20的第二表面20b與第二線路層23b上形成第二絕緣保護(hù)層25b，且該第二絕緣保護(hù)層25b具有多個(gè)第二開(kāi)孔250b，以對(duì)應(yīng)外露該些第二電性接觸墊230b，以形成該封裝基板2。圖中省略該第二絕緣保護(hù)層25b形成于該第二線路層23b上的結(jié)構(gòu)。接著，于該些第二電性接觸墊250b的外露表面上形成第二表面處理層26b,且該封裝基板2的厚度L減去該承載件27 (該粘著層270極薄，可忽略)的厚度d的所剩厚度h 小于 150 u m0一般 欲制作厚度小于150 U m的基板時(shí)，需重新配置新工藝設(shè)備，因而增加制作成本。本發(fā)明的封裝基板2的所剩厚度h雖小于150 u m，但借由該承載件27的厚度d，以于制作該封裝基板2時(shí)，其整體厚度L可大于或等于150 y m，所以可使用原先封裝基板工藝所用的設(shè)備，因而不會(huì)增加制作成本。此外，本發(fā)明的封裝基板2于后續(xù)工藝中，通過(guò)于該第二絕緣保護(hù)層25b上承載芯片(圖略)并進(jìn)行封裝工藝，再移除該承載件27，以制成封裝結(jié)構(gòu)。因此，借由該封裝基板2的厚度L減去該承載件27的厚度d的所剩厚度h小于150 u m,以降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可依需求使該封裝基板2的厚度小于150 ym，以滿足微小化的需求。再者，于封裝工藝之后，該封裝基板2具有該承載件27,以提升整體封裝基板2的強(qiáng)度，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明封裝基板2于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)不會(huì)破裂。另外，借由堆棧方式，例如堆棧兩芯層20或堆棧兩基板本體2a，可同時(shí)制作兩批板量，以提升產(chǎn)能。本發(fā)明還提供一種封裝基板2，包括一具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b的芯層20、設(shè)于該芯層20的第一表面20a上的第一線路層23a、設(shè)于該芯層20的第二表面20b上的第二線路層23b、設(shè)于該芯層20中的多個(gè)導(dǎo)電通孔24、設(shè)于該芯層20的第一表面20a與第一線路層23a上的第一絕緣保護(hù)層25a、設(shè)于該芯層20的第二表面20b與第二線路層23b上的第二絕緣保護(hù)層25b、以及結(jié)合于該第一絕緣保護(hù)層25a上的承載件27。所述的第一線路層23a具有多個(gè)第一電性接觸墊230a，且所述的第二線路層23b具有多個(gè)第二電性接觸墊230b，而所述的導(dǎo)電通孔24電性連接該第一及第二線路層23a，23b。所述的第一絕緣保護(hù)層25a具有多個(gè)第一開(kāi)孔250a，以對(duì)應(yīng)外露該些第一電性接觸墊230a，且于該些第一開(kāi)孔250a中的第一電性接觸墊230a上形成第一表面處理層26a。所述的第二絕緣保護(hù)層25b具有多個(gè)第二開(kāi)孔250b，以對(duì)應(yīng)外露該些第二電性接觸墊230b，且于該些第二開(kāi)孔250b中的第二電性接觸墊230b上形成第二表面處理層26b。所述的承載件27借由粘著層270結(jié)合于該些第一電性接觸墊230a與該第一絕緣保護(hù)層25a上。于本實(shí)施例中，該粘著層270的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑，且該承載件27的材質(zhì)為耐高溫材。另外，所述的封裝基板2的厚度L減去該承載件27的厚度d的所剩厚度h小于150 u m0綜上所述，本發(fā)明的封裝基板及其制法，主要借由在該封裝基板的第一絕緣保護(hù)層上結(jié)合承載件，以提升整體封裝基板的強(qiáng)度，有效防止于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)破裂的問(wèn)題。此外，于封裝后再移除該承載件，此時(shí)的封裝基板的厚度小于150 ym，所以可降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度，以同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求。上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍， 應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板，其包括 芯層，具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 第一線路層，其設(shè)于該芯層的第一表面上，且具有第一電性接觸墊； 第二線路層，其設(shè)于該芯層的第二表面上，且具有第二電性接觸墊； 導(dǎo)電通孔，其設(shè)于該芯層中，以電性連接該第一及第二線路層； 第一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該芯層的第一表面與第一線路層上，且外露該第一電性接觸墊； 第一表面處理層，形成于該第一電性接觸墊的外露表面上； 第二絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該芯層的第二表面與第二線路層上，且外露該第二電性接觸墊； 第二表面處理層，其形成于該第二電性接觸墊的外露表面上；以及 承載件，其借由粘著層結(jié)合于該第一絕緣保護(hù)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該粘著層的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該承載件的材質(zhì)為耐高溫材。
4.一種封裝基板的制法，其包括 提供兩芯層，該芯層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層，又該芯層的第一表面上具有貫穿該第一金屬層的貫穿孔，以令該第二金屬層外露于該貫穿孔； 借由粘著件結(jié)合該第二金屬層，以連接該兩芯層； 借由該第一金屬層，于該芯層的第一表面上形成具有第一電性接觸墊的第一線路層，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一線路層； 于該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且外露該第一電性接觸墊，以于該第一電性接觸墊的外露表面上形成第一表面處理層； 于該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件； 移除該粘著件，以分離出兩基板本體； 將該兩基板本體的承載件借由結(jié)合件相疊接，以露出該第二金屬層； 將該第二金屬層形成具有第二電性接觸墊的第二線路層，且該第二線路層電性連接該導(dǎo)電通孔； 于該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，且外露該第二電性接觸墊，以于該第二電性接觸墊的外露表面上形成第二表面處理層，以形成兩封裝基板；以及移除該結(jié)合件，以分離該兩封裝基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝基板的制法，其特征在于，該結(jié)合件為粘著凸塊或膠層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝基板的制法，其特征在于，該粘著層的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝基板的制法，其特征在于，該承載件的材質(zhì)為耐高溫材。
8.一種封裝基板的制法，其包括 提供兩芯層，該芯層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層，又該芯層的第一表面上具有貫穿該第一金屬層的貫穿孔，以令該第二金屬層外露于該貫穿孔；借由粘著件結(jié)合該第二金屬層，以連接該兩芯層； 借由該第一金屬層，于該芯層的第一表面上形成具有第一電性接觸墊的第一線路層，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一線路層； 于該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且外露該第一電性接觸墊，以于該第一電性接觸墊的外露表面上形成第一表面處理層； 于該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件； 移除該粘著件，以分離出兩基板本體； 將該第二金屬層形成具有第二電性接觸墊的第二線路層，且該第二線路層電性連接該導(dǎo)電通孔；以及 于該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，且外露該第二電性接觸墊，以于該第二電性接觸墊的外露表面上形成第二表面處理層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝基板的制法，其特征在于，該粘著層的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝基板的制法，其特征在于，該承載件的材質(zhì)為耐高溫材。
全文摘要
一種封裝基板及其制法，該封裝基板包括具有相對(duì)的兩表面的芯層、設(shè)于該芯層兩表面上的兩線路層、設(shè)于該芯層中的多個(gè)導(dǎo)電通孔、設(shè)于該芯層兩表面與兩線路層上的兩絕緣保護(hù)層、以及結(jié)合于該芯層其中一表面上的絕緣保護(hù)層上的承載件。借由在該封裝基板一側(cè)上結(jié)合承載件，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。
文檔編號(hào)H01L21/48GK103066049SQ20111033001
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者顏立盛, 王道子 申請(qǐng)人:聯(lián)致科技股份有限公司