專利名稱：執(zhí)行裝置和機械手的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種執(zhí)行裝置和機械手。
背景技術(shù)：
隨著制造晶硅太陽能電池的工藝效率的顯著提高，太陽能電池生產(chǎn)線對晶片的自動化傳輸效率的要求也越來越高，這就需要晶片傳輸?shù)母鱾€環(huán)節(jié)都要高速且可靠地工作。在晶片傳輸?shù)倪^程中，把晶片從料盒中取 出的操作是晶片傳輸過程中的第一步，該步驟的速度和可靠性直接關(guān)系到晶片的傳輸效率。圖I為一種料盒的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，該料盒包括多個相對設(shè)置的晶片槽11，每兩個相對設(shè)置的晶片槽11可用于放置一個晶片。把晶片從料盒中取出通常需要專用的機械手，圖2為一種機械手的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該機械手包括手臂12、執(zhí)行裝置13和驅(qū)動裝置。執(zhí)行裝置13固定于手臂12的末端；驅(qū)動裝置設(shè)置于手臂12的下方，該驅(qū)動裝置用于驅(qū)動手臂12運動。其中，驅(qū)動裝置可包括直線軸承14、氣缸15和電缸16,手臂12固定于直線軸承14上。具體地，電缸16包括電機、絲杠和導(dǎo)軌(圖中未具體示出)，該電缸16可驅(qū)動手臂12水平運動，從而實現(xiàn)手臂12和執(zhí)行裝置13的伸縮運動。執(zhí)行裝置13的豎直運動是通過氣缸15和四個直線軸承14實現(xiàn)的，氣缸15產(chǎn)生動力以驅(qū)動直線軸承14，直線軸承14在氣缸15的驅(qū)動下帶動手臂12豎直運動，從而實現(xiàn)手臂12的升降運動。進(jìn)一步地，機械手還包括設(shè)置于電缸16下方的支撐柱17，該支撐柱17用于支撐電缸16。另外，機械手還包括各種氣動管路和電氣線路等(圖中未畫出)，該氣動管路和電氣線路與氣缸15連接。此外，機械手還包括拖鏈10，拖鏈10用于使氣動管路和電氣線路走線，即氣動管路和電氣線路設(shè)置于拖鏈10中。拖鏈10帶動氣動管路和電氣線路做水平往復(fù)運動。進(jìn)一步地，該機械手中還設(shè)置有用于吸附晶片的吸片氣路。機械手的重要執(zhí)行元件是執(zhí)行裝置13，該執(zhí)行裝置13上端設(shè)置有吸附通孔，當(dāng)獲取晶片時該執(zhí)行裝置13可產(chǎn)生真空，從而吸住晶片并使晶片隨其快速運動。圖3為機械手的吸片氣路原理圖，如圖3所示，該吸片氣路包括依次連接的調(diào)壓閥18、電磁閥19、過濾器20和壓力傳感器21，調(diào)壓閥18還與真空源22相連，壓力傳感器21還與執(zhí)行裝置13連接。調(diào)壓閥18用于調(diào)節(jié)真空壓力，當(dāng)電磁閥19處于常開狀態(tài)(如圖3中所示)時，執(zhí)行裝置13和真空源22之間的氣路連通，此時在執(zhí)行裝置13和晶片23之間產(chǎn)生真空，從而把晶片23吸附在執(zhí)行裝置13上，壓力傳感器21可檢測出執(zhí)行裝置13和電磁閥19之間氣路的真空度。執(zhí)行裝置13上吸附有晶片時和未吸附有晶片時執(zhí)行裝置13和電磁閥19之間氣路的真空度是不同的，因此可通過壓力傳感器21檢測出的真空度來判斷執(zhí)行裝置13上是否吸附有晶片23。當(dāng)需要釋放掉執(zhí)行裝置13上吸附的晶片時，使電磁閥19處于常閉狀態(tài)，此時執(zhí)行裝置13和真空源22之間的氣路隔斷同時執(zhí)行裝置13和大氣連通，使執(zhí)行裝置13和晶片23之間的氣壓恢復(fù)至大氣壓，從而使執(zhí)行裝置13釋放掉吸附的晶片23。綜上所述，機械手是通過執(zhí)行裝置13產(chǎn)生的真空吸附作用來實現(xiàn)晶片23的吸取和釋放，通過電缸16實現(xiàn)晶片23的伸縮移動，通過氣缸15實現(xiàn)晶片23的升降運動。其中，執(zhí)行裝置13的結(jié)構(gòu)會直接影響到吸取晶片23的穩(wěn)定性以及晶片23傳輸?shù)男省?br> 執(zhí)行裝置13的結(jié)構(gòu)首先要滿足該執(zhí)行裝置13能伸入到料盒中取出晶片，由于料盒中晶片之間的間距通常為4. 5mm 5mm，因此要求執(zhí)行裝置13的厚度要小于4mm，通常執(zhí)行裝置13的厚度小于或者等于2_ ;同時為了滿足執(zhí)行裝置13中存在抽氣通道，執(zhí)行裝置13需采用雙層結(jié)構(gòu)。圖4為一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4中第一部件的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為圖4中第二部件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4、圖5和圖6所示，該執(zhí)行裝置包括第一部件31和第二部件32，第一部件31和第二部件32通過高強度膠粘接在一起。第一部件31位于上層，第二部件32位于底層。第一部件31上設(shè)置有吸附通孔33，第二部件32上設(shè)置有氣路通道。具體地，第一部件31上設(shè)置有5個吸附通孔33，其中四個吸附通孔33設(shè)置于一個吸附通孔33的周邊；氣路通道包括第一條形槽34、第二條形槽35和第三條形槽36。第二條形槽35、第三條形槽36分別與第一條形槽34垂直相交，從而使第二條形槽35、第三條形槽36分別與第一條形槽34相互連通。位于中間的吸附通孔33與第一條形槽34相對設(shè)置，從而使該吸附通孔33與第一條形槽34連通；位于周邊的二個吸附通孔33與第二條形槽35相對設(shè)置，從而使該二個吸附通孔33與第二條形槽35連通；位于周邊的另二 個吸附通孔33與第三條形槽36相對設(shè)置，從而使該二個吸附通孔33與第三條形槽36連通。其中，氣路通道和吸附通孔33形成抽氣通道。另外，第一部件31上還設(shè)置有二個第一固定孔37，第二部件32上還設(shè)置有與第一固定孔37對應(yīng)的第二固定孔38。具體地，可在手臂12的末端設(shè)置螺孔，通過將螺釘穿設(shè)于第一固定孔37、第二固定孔38和螺孔中以實現(xiàn)將第一部件31和第二部件32固定于手臂12的末端。第一條形槽34上還設(shè)置有抽氣口39，該抽氣口 39和真空源連通。結(jié)合圖I至圖4所示，將執(zhí)行裝置13深入到料盒中取片，當(dāng)料盒中的晶片落到執(zhí)行裝置13的吸附通孔33上時，電磁閥19處于常開狀態(tài)，此時執(zhí)行裝置13上的氣路通道通過抽氣口 39和真空源連通，又由于吸附通孔33被晶片覆蓋，因此使通過氣路通道和吸附通孔33形成的抽氣通道從大氣狀態(tài)轉(zhuǎn)換到真空狀態(tài)，從而實現(xiàn)將晶片吸附在執(zhí)行裝置13上。由于執(zhí)行裝置13是通過第一部件31上的吸附通孔33吸取晶片的，第一部件31的頂面和晶片接觸，因此執(zhí)行裝置13和晶片是面接觸的，這對執(zhí)行裝置13的第一部件31頂面的平面度要求很高。但是，機械手運行時執(zhí)行裝置13會出現(xiàn)以下問題晶片生產(chǎn)線的廠房潔凈度不高，前面的工序會在晶片底面產(chǎn)生顆粒，當(dāng)晶片的底面上出現(xiàn)較大顆粒時，第一部件31和晶片底面接觸時第一部件31和晶片之間會產(chǎn)生很多狹小的縫隙，當(dāng)執(zhí)行裝置13吸取晶片時抽氣通道和吸附通孔的真空度達(dá)不到設(shè)定的真空度，從而造成執(zhí)行裝置31吸取晶片失敗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種執(zhí)行裝置和機械手，用以解決執(zhí)行裝置吸取晶片失敗的問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種執(zhí)行裝置，包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。進(jìn)一步地，所述執(zhí)行裝置還包括第一部件和第二部件，所述第一部件設(shè)置于所述第二部件上；所述第二部件上設(shè)置有氣路通道和抽氣口，所述氣路通道連通所述抽氣口，所述第一部件上設(shè)置有第一吸附通孔，且所述第一吸附通孔、氣路通道和抽氣口形成抽氣通道；所述第一部件上設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽圍繞所述第一吸附通孔設(shè)置，所述第一封閉部件與所述第一凹槽形狀相匹配地設(shè)置于所述第一凹槽內(nèi)，所述第一封閉部件凸出于所述第一部件，且所述第一封閉部件用于在對所述抽氣通道抽真空的過程中，密封接觸被吸附晶片以使所述第一凹槽與所述被吸附晶片之間形成真空空間。進(jìn)一步地，所述第一封閉部件的底面粘接于所述第一凹槽的底面。進(jìn)一步地，所述氣路通道為設(shè)置于所述第二部件上的凹槽。進(jìn)一步地，所述氣路通道為設(shè)置于所述第二部件內(nèi)部的通道。進(jìn)一步地，所述第一凹槽為環(huán)狀凹槽，且所述第一封閉部件為與所述環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。進(jìn)一步地，所述第一封閉部件的材料為橡膠。、進(jìn)一步地，所述第一吸附通孔的數(shù)量為一個或者多個。進(jìn)一步地，多個所述第一吸附通孔在所述第一凹槽所圍繞的范圍內(nèi)均勻分布。進(jìn)一步地，所述第一封閉部件凸出于所述第一部件的高度差小于或者等于0. 5_。進(jìn)一步地，所述第一部件上還設(shè)置有第二凹槽，且所述第二凹槽位于所述第一凹槽所圍繞的范圍內(nèi)，所述第二凹槽中設(shè)置有與所述第二凹槽形狀相匹配的第二封閉部件，所述第二封閉部件凸出于所述第一部件。進(jìn)一步地，所述第一部件上還設(shè)置有第二吸附通孔，且所述第二吸附通孔和所述抽氣通道連通，所述第二吸附通孔位于所述第二凹槽所圍繞的范圍內(nèi)。進(jìn)一步地，所述第二封閉部件的頂面平行于所述第一封閉部件的頂面。進(jìn)一步地，所述第二封閉部件的底面粘接于所述第二凹槽的底面。進(jìn)一步地，所述第二封閉部件的材料為橡膠。進(jìn)一步地，所述第二凹槽為環(huán)狀凹槽，且所述第二封閉部件為與所述環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種機械手，包括手臂、上述執(zhí)行裝置和驅(qū)動裝置，所述執(zhí)行裝置固定于所述手臂上，所述驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述手臂運動。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，執(zhí)行裝置包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。本發(fā)明中，執(zhí)行裝置通過第一封閉部件線形接觸被吸附晶片，被吸附晶片無需執(zhí)行裝置面接觸，避免了由于被吸附晶片和執(zhí)行裝置面接觸而產(chǎn)生縫隙所造成的真空度達(dá)不到設(shè)定真空度的問題，從而避免了執(zhí)行裝置吸取晶片失敗。


圖I為一種料盒的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一種機械手的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為機械手的吸片氣路原理圖；圖4為一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4中第一部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖4中第二部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例二提供的一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖8為圖7中第一部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖7中第二部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為圖7中第一封閉部件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例三提供的一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖12為本發(fā)明實施例四提供了一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的執(zhí)行裝置和機械手進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明實施例一提供了一種執(zhí)行裝置，該執(zhí)行裝置包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。本實施例提供的執(zhí)行裝置包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。本發(fā)明中，執(zhí)行裝置通過第一封閉部件線形接觸被吸附晶片，被吸附晶片無需執(zhí)行裝置面接觸，避免了由于被吸附晶片和執(zhí)行裝置面接觸而產(chǎn)生縫隙所造成的真空度達(dá)不到設(shè)定真空度的問題，從而避免了執(zhí)行裝置吸取晶片失敗。圖7為本發(fā)明實施例二提供的一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中第一部件的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖7中第二部件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7、圖8和圖9所示，該執(zhí)行裝置包括第一部件41和第二部件42，第一部件41設(shè)置于第二部件42上，第二部件42上設(shè)置有氣路通道43和抽氣口 44，氣路通道43連通抽氣口 44，第一部件41上設(shè)置有第一吸附通孔45，且第一吸附通孔45、氣路通道43和抽氣口 44形成抽氣通道，第一部件41上還設(shè)置有第一凹槽46，第一凹槽46圍繞第一吸附通孔45設(shè)置，第一凹槽46中設(shè)置有與第一凹槽46形狀相匹配的第一封閉部件47，第一封閉部件47凸出于第一部件41，且第一封閉部件47用于在抽氣通道抽真空的過程中，密封接觸被吸附晶片以使第一凹槽與被吸附晶片之間形成真空空間。其中，氣路通道43通過抽氣口 44與真空源(圖中未示出)連通，從而使抽氣通道和真空源連通，抽氣通道可通過真空源實現(xiàn)抽真空的過程。優(yōu)選地，第一部件41為片狀結(jié)構(gòu)，第一部件41的頂面411為平面，第一部件41的底面為平面；第二部件42為片狀結(jié)構(gòu)，第二部件42的頂面421為平面，第二部件42的底面為平面。本實施例中，第一部件41位于上層，第二部件42位于下層。優(yōu)選地，可將第一部件41的底面粘接于第二部件42的頂面，從而實現(xiàn)第一部件41固定于第二部件42上。進(jìn)一步還可以采用其它方式將第一部件41固定于第二部件42上，此處不再一一列舉。圖10為圖7中第一封閉部件的結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖7至圖10所示，本實施例中，可通過多種方式將第一封閉部件47固定于第一凹槽46中，以實現(xiàn)在第一凹槽46中設(shè)置第一封閉部件47。其中，第一凹槽46用于對第一封閉部件47進(jìn)行定位。優(yōu)選地，第一封閉部件47的底面472粘接于第一凹槽46的底面461，從而將第一封閉部件47固定于第一凹槽46中。本實施例中，可通過高強度膠將第一封閉部件47的底面472粘接于第一凹槽46的底面461。進(jìn)一步地，為使第一封閉部件47的底面472能夠牢固的粘接于第一凹槽46的底面461，第一封閉部件47的底面472為平面，第一凹槽46的底面461為平面。本實施例中，為使第一封閉部件47能夠設(shè)置于第一凹槽46中，第一封閉部件47的形狀與第一凹槽46的形狀需要相匹配。優(yōu)選地，第一凹槽46和第一封閉部件47均可以為中心對稱的結(jié)構(gòu)。其中，第一凹槽46可以為環(huán)狀凹槽，且第一封閉部件47可以為與環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。進(jìn)一步地，第一封閉部件47的形狀和第一凹槽46的形狀還可以為其它形狀，此處不再贅述。本實施例中，為保證第一封閉部件47吸附晶片時晶片和第一封閉部件47直接接觸而不與第一部件41直接接觸，第一封閉部件47要凸出于第一部件41。其中，第一封閉部件47凸出于第一部件41具體為第一封閉部件47的頂面471高于第一部件41的頂面411。同時為避免第一封閉部件47和晶片接觸瞬間第一封閉部件47對晶片造成損傷，例如造成晶片變形或破碎等，第一封閉部件47可采用具有優(yōu)良的彈性、柔軟性以及密封作用的材料，優(yōu)選地，第一封閉部件47的材料可以為橡膠。

本實施例中，氣路通道43為設(shè)置于第二部件上的凹槽，具體地氣路通道43為設(shè)置在第二部件42上的條形凹槽，該氣路通道43的一端設(shè)置有抽氣口 44。該抽氣口 44可以為設(shè)置在第二部件42上的通孔，并且該抽氣口 44分別與氣路通道43和真空源連通。進(jìn)一步地，氣路通道43還可以為設(shè)置于第二部件42內(nèi)部的通道，此種情況在圖中未示出。第一吸附通孔45的數(shù)量可以為一個或者多個，本實施例中以二個第一吸附通孔45為例進(jìn)行說明。優(yōu)選地，多個第一吸附通孔45在第一凹槽46所圍繞的范圍內(nèi)均勻分布。第一吸附通孔45位于氣路通道43的上方，從而使第一吸附通孔45和氣路通道43連通，抽氣口 44、第一吸附通孔45和氣路通道43形成抽氣通道。抽氣口 44可通過吸片氣路和真空源連通。其中，吸片氣路可包括依次連接的調(diào)壓閥、電磁閥、過濾器和壓力傳感器，該吸片氣路的具體結(jié)構(gòu)可參見背景技術(shù)和圖3中的描述。本實施例中，由于第一封閉部件47凸出于第一部件41，因此當(dāng)料盒中的晶片落于第一封閉部件47上時，第一封閉部件47吸附晶片，第一封閉部件47密封接觸被吸附晶片以使第一凹槽46與該被吸附晶片之間形成真空空間，S卩在晶片的底面、第一部件41的頂面411和第一封閉部件47之間形成真空空間。該真空空間和抽氣通道連通，換言之，該真空空間通過第一吸附通孔45和氣路通道43連通。當(dāng)吸片氣路中的電磁閥處于常開狀態(tài)時，抽氣通道通過設(shè)置于氣路通道43上的抽氣口 44和真空源連通，使抽氣通道和與抽氣通道連通的真空空間從大氣狀態(tài)轉(zhuǎn)換到真空狀態(tài)，從而使第一封閉部件47實現(xiàn)對晶片的吸附。本實施例中，執(zhí)行裝置通過第一封閉部件吸附晶片，晶片無需與第一部件直接接觸，晶片直接與第一封閉部件進(jìn)行線接觸而并非與第一部件進(jìn)行面接觸，從而減小了晶片與執(zhí)行裝置的接觸面積。本實施例中，位于晶片下方的真空空間的真空狀態(tài)使得位于晶片上方的大氣對晶片產(chǎn)生向下的壓力，又由于晶片很薄(例如通常為0. 2mm)容易變形，因此該壓力會造成晶片產(chǎn)生向下彎折的變形。為解決晶片彎折的問題，第一封閉部件47凸出于第一部件41的高度需要限定在一定的高度值，優(yōu)選地，第一封閉部件47凸出于第一部件41高度差小于或者等于0. 5mm。從而避免了吸附于第一封閉部件47上的晶片產(chǎn)生彎折變形甚至于破碎的問題。本實施例中，位于晶片下方的真空空間的真空度越大，位于晶片上方的大氣對晶片產(chǎn)生向下的壓力就越大。因此，進(jìn)一步地，還可以通過減小真空空間的真空度的方法降低大氣對晶片產(chǎn)生的向下的壓力，從而避免晶片產(chǎn)生彎折變形甚至于破碎的問題。本實施例中，需要將執(zhí)行裝置固定于機械手的手臂上，以使執(zhí)行裝置實現(xiàn)吸附料盒中的晶片。因此，第一部件41上還設(shè)置有第一固定孔48，第二部件42上還設(shè)置有與第一固定孔48對應(yīng)的第二固定孔49。具體地，可在手臂上設(shè)置螺孔，通過將螺釘穿設(shè)于第一固定孔48、第二固定孔49和螺孔中以實現(xiàn)將第一部件41和第二部件42固定于手臂上。對機械手的具體描述可參見背景技術(shù)部分，此處不再贅述。本實施例提供的執(zhí)行裝置包括第一部件和第二部件，第一部件固定于第二部件上，第二部件上設(shè)置有氣路通道和抽氣口，氣路通道通過抽氣口與真空源連通，第一部件上設(shè)置有第一吸附通孔，且第一吸附通孔、氣路通道和抽氣口形成抽氣通道，第一部件上還設(shè)置有第一凹槽，第一凹槽圍繞所述第一吸附通孔設(shè)置，第一凹槽中設(shè)置有與第一凹槽形狀相匹配的第一封閉部件，第一封閉部件凸出于第一部件，第一封閉部件用于密封接觸被吸附晶片以使第一凹槽與被吸附晶片之間形成真空空間。本實施例中，執(zhí)行裝置通過凸出于 第一部件上的第一封閉部件吸附晶片，晶片無需與第一部件面接觸，避免了由于被吸附晶片和執(zhí)行裝置面接觸而產(chǎn)生縫隙所造成的真空度達(dá)不到設(shè)定真空度的問題，從而避免了執(zhí)行裝置吸取晶片失敗。執(zhí)行裝置吸附晶片的過程中，由于晶片是吸附于第一封閉部件上的，因此極大的降低了對第一部件和晶片的平面度的要求，以及極大的降低了晶片底面的顆粒對執(zhí)行裝置吸附晶片造成的影響。執(zhí)行裝置通過第一封閉部件吸附晶片，晶片直接與第一封閉部件進(jìn)行線接觸而并非與第一部件進(jìn)行面接觸，減小了晶片與執(zhí)行裝置的接觸面積，從而減少了執(zhí)行裝置與晶片接觸瞬間的碰撞，顯著降低了執(zhí)行裝置吸附晶片時對晶片的潛在損傷。圖11為本發(fā)明實施例三提供的一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11所示，在上述實施例二的基礎(chǔ)上，本實施例中，第一部件41上還設(shè)置有第二凹槽，且第二凹槽位于第一凹槽所圍繞的范圍內(nèi)，第二凹槽中設(shè)置有與第二凹槽形狀相匹配的第二封閉部件50，第二封閉部件50凸出于第一部件41。其中，第一凹槽和第二凹槽在圖中未具體畫出。進(jìn)一步地，第一部件41上還設(shè)置有第二吸附通孔51，且第二吸附通孔51和抽氣通道連通，第二吸附通孔51位于第二凹槽所圍繞的范圍內(nèi)。第二吸附通孔51的數(shù)量可以為一個或者多個，本實施例中以一個第二吸附通孔51為例進(jìn)行說明。優(yōu)選地，多個第二吸附通孔51在第二凹槽所圍繞的范圍內(nèi)均勻分布。第二吸附通孔51位于氣路通道的上方，從而使第二吸附通孔51和抽氣通道連通。其中，如圖11所示，第二吸附通孔51位于第二凹槽所圍繞的范圍內(nèi)還可以描述為第二吸附通孔51位于第二封閉部件50所圍繞的范圍內(nèi)。需要說明的是在第一部件41上設(shè)置第二凹槽的位置，應(yīng)以不影響第一吸附通孔45的位置為前提。其中，第二封閉部件50凸出于第一部件41具體為第二封閉部件50的頂面501高于第一部件41的頂面411。其中，第二封閉部件50的頂面501可低于或者平行于第一封閉部件41的頂面411。優(yōu)選地，第二封閉部件50的頂面平行于第一封閉部件41的頂面411。第二封閉部件50可用于吸附晶片。本實施例中，可通過多種方式將第二封閉部件50固定于第二凹槽中，以實現(xiàn)在第二凹槽中設(shè)置第二封閉部件50。其中，第二凹槽用于對第二封閉部件50進(jìn)行定位。優(yōu)選地，第二封閉部件50的底面粘接于第二凹槽的底面，從而將第二封閉部件50固定于第二凹槽中。本實施例中，可通過高強度膠將第二封閉部件50的底面粘接于第二凹槽的底面。進(jìn)一步地，為使第二封閉部件50的底面能夠牢固的粘接于第二凹槽的底面，第二封閉部件50的底面為平面，第二凹槽的底面為平面。優(yōu)選地，第二凹槽和第二封閉部件50均可以為中心對稱的結(jié)構(gòu)。優(yōu)其中，第二凹槽為環(huán)狀凹槽，且第二封閉部件50為與環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。進(jìn)一步地，第二封閉部件50的形狀和第二凹槽的形狀還可以為其它形狀，此處不再贅述。為避免第二封閉部件50和晶片接觸瞬間第二封閉部件50對晶片造成 損傷，例如造成晶片變形或破碎等，第二封閉部件50可采用具有優(yōu)良的彈性和柔軟性的材料，優(yōu)選地，第二封閉部件50的材料可以為橡膠。本實施例中，第二封閉部件的數(shù)量可以為一個或者多個。而第二凹槽的數(shù)量與第二封閉部件的數(shù)量相同。本實施例中，在第一凹槽內(nèi)部設(shè)置第二凹槽，當(dāng)晶片上方的大氣對晶片產(chǎn)生向下的壓力造成晶片產(chǎn)生向下彎折時，第二凹槽在吸附晶片的同時可以對晶片彎折的部分起到向上支撐的作用，從而避免了晶片產(chǎn)生彎折變形甚至于破碎的問題。圖12為本發(fā)明實施例四提供了一種執(zhí)行裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，本實施例中的執(zhí)行裝置與實施例二的區(qū)別在于本實施例中第一吸附通孔45的數(shù)量為五個，第一吸附通孔45的排布方式為一個第一吸附通孔45位于中間，其余第一吸附通孔45圍繞該第一吸附通孔45排布；并且本實施例第二部件的結(jié)構(gòu)與背景技術(shù)附圖6中第二部件的結(jié)構(gòu)相同，第二部件上的氣路通道的結(jié)構(gòu)與背景技術(shù)附圖6中的氣路通道34相同，具體描述可參見背景技術(shù)中的描述，此處不再贅述。本發(fā)明實施例五還提供了一種機械手，該機械手包括手臂、執(zhí)行裝置和驅(qū)動裝置，執(zhí)行裝置固定于手臂上，驅(qū)動裝置用于驅(qū)動手臂運動，其中，執(zhí)行裝置可采用上述實施例一、實施例二、實施例三或?qū)嵤├乃龅膱?zhí)行裝置。進(jìn)一步地，該機械手還可以包括吸片氣路，吸片氣路分別與真空源和執(zhí)行裝置連接。具體地，執(zhí)行裝置中的抽氣口通過吸片氣路和真空源連通。本實施例中，對機械手中除執(zhí)行裝置之外的其它部件的描述可參見背景技術(shù)中的描述，此處不再贅述。本實施例提供的機械手包括執(zhí)行裝置，該執(zhí)行裝置通過凸出于第一部件上的第一封閉部件吸附晶片，晶片無需與第一部件直接接觸，避免了由于晶片和第一部件之間產(chǎn)生縫隙造成的真空度達(dá)不到設(shè)定的真空度，從而避免了機械手吸取晶片失敗?？梢岳斫獾氖?，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種執(zhí)行裝置，其特征在于，包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，還包括第一部件和第二部件，所述第一部件設(shè)置于所述第二部件上； 所述第二部件上設(shè)置有氣路通道和抽氣口，所述氣路通道連通所述抽氣口，所述第一部件上設(shè)置有第一吸附通孔，且所述第一吸附通孔、氣路通道和抽氣口形成抽氣通道； 所述第一部件上設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽圍繞所述第一吸附通孔設(shè)置，所述第一封閉部件與所述第一凹槽形狀相匹配地設(shè)置于所述第一凹槽內(nèi)，所述第一封閉部件凸出于所述第一部件，且所述第一封閉部件用于在對所述抽氣通道抽真空的過程中，密封接觸被吸附晶片以使所述第一凹槽與所述被吸附晶片之間形成真空空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一封閉部件的底面粘接于所述第一凹槽的底面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述氣路通道為設(shè)置于所述第二部件上的凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述氣路通道為設(shè)置于所述第二部件內(nèi)部的通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一凹槽為環(huán)狀凹槽，且所述第一封閉部件為與所述環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一封閉部件的材料為橡膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一吸附通孔的數(shù)量為一個或者多個。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，多個所述第一吸附通孔在所述第一凹槽所圍繞的范圍內(nèi)均勻分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9任一所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一封閉部件凸出于所述第一部件的高度差小于或者等于0. 5mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至9任一所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一部件上還設(shè)置有第二凹槽，且所述第二凹槽位于所述第一凹槽所圍繞的范圍內(nèi)，所述第二凹槽中設(shè)置有與所述第二凹槽形狀相匹配的第二封閉部件，所述第二封閉部件凸出于所述第一部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第一部件上還設(shè)置有第二吸附通孔，且所述第二吸附通孔和所述抽氣通道連通，所述第二吸附通孔位于所述第二凹槽所圍繞的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第二封閉部件的頂面平行于所述第一封閉部件的頂面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第二封閉部件的底面粘接于所述第二凹槽的底面。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第二封閉部件的材料為橡膠。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的執(zhí)行裝置，其特征在于，所述第二凹槽為環(huán)狀凹槽，且所述第二封閉部件為與所述環(huán)狀凹槽形狀相匹配的環(huán)狀部件。
17.一種機械手，包括手臂、執(zhí)行裝置和驅(qū)動裝置，所述執(zhí)行裝置固定于所述手臂上，所述驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述手臂運動，其特征在于，所述執(zhí)行裝置采用權(quán)利要求I至16任 一所述的執(zhí)行裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種執(zhí)行裝置和機械手，該執(zhí)行裝置包括用于線性接觸被吸附晶片的第一封閉部件，且在所述執(zhí)行裝置吸附所述被吸附晶片的過程中所述被吸附晶片吸附在所述第一封閉部件上。本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，執(zhí)行裝置通過第一封閉部件線形接觸被吸附晶片，被吸附晶片無需與第一部件直接面接觸，避免了由于被吸附晶片和執(zhí)行裝置面接觸而產(chǎn)生縫隙所造成的真空度達(dá)不到設(shè)定真空度的問題，從而避免了執(zhí)行裝置吸取晶片失敗。
文檔編號H01L31/18GK102738293SQ20111008239
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者張金斌 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司