專利名稱：一種制備NiO@SnO₂@Zn₂TiO₄@TiO₂同軸四層納米電纜的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及無機納米材料制備技術領域，具體說涉及一種制備NiOOSnO2OZn2TiO4Ig TiO2同軸四層納米電纜的方法。
背景技術：
一維納米結構材料的制備及性質研究是目前材料科學研究領域的前沿熱點之一。 納米電纜(Nanocables)由于其獨特的性能、豐富的科學內涵、廣闊的應用前景以及在未來納米結構器件中占有的重要戰(zhàn)略地位，近年來引起了人們的高度重視。同軸納米電纜的研究起步于90年代中期，2000年以后發(fā)展迅猛，到目前為止，人們采用不同的合成方法，不同種類的物質已成功制備出了上百種同軸納米電纜，如Fe/C、ai/ZnO、C/C、SiC/C、SiGaN/ SiOxNy以及三層結構的i^e-C-BN和α-Si3N4-Si-SiO2等。在過去的十多年中，人們在原有制備準一維納米材料的基礎上開發(fā)出許多制備同軸納米電纜的方法，如水熱法、溶膠-凝膠法、基于納米線法、氣相生長法、模板法等。繼續(xù)探索新的合成技術，不斷發(fā)展和完善同軸納米電纜的制備科學，獲得高質量的同軸納米電纜，仍是目前同軸納米電纜研究的主要方向。由于二氧化鈦TW2和氧化鎳NiO具有優(yōu)異的光催化、高的光電轉化效率、超強的化學穩(wěn)定性以及很好的生物相容性等性能，因而在光催化分解有機物、光電池電極、珠光材料、組織器官、消毒抗菌等方面獲得廣泛應用。SnO2是一種廣泛應用的半導體材料，用做釉料及搪瓷的不透明劑、催化劑和傳感器材料。Si2TiO4是一種重要的無機功能材料，廣泛用于微波介電陶瓷、固體氧化物燃料電池電極、氣敏傳感器、高溫脫硫吸附劑、烷烴脫氫催化劑和光催化劑等。目前未見通過NiO、SnO2, Zn2TiO4和TiR構建NiOOSnO2Oai2TiO4OTiR同軸四層納米電纜的報道，@表示芯殼結構，即電纜結構，此電纜為四層電纜結構，芯層@第二層@第三層@殼層，芯層為NiO，第二層為SnO2,第三層為Si2TiO4,殼層為TiO2,此納米電纜具有特殊的結構，以期獲得更廣泛的應用。專利號為1975504的美國專利公開了一項有關靜電紡絲方法(electrospirming) 的技術方案，該方法是制備連續(xù)的、具有宏觀長度的微納米纖維的一種有效方法，由 i^ormhals于1934年首先提出。這一方法主要用來制備高分子納米纖維，其特征是使帶電的高分子溶液或熔體在靜電場中受靜電力的牽引而由噴嘴噴出，投向對面的接收屏，從而實現拉絲，然后在常溫下溶劑蒸發(fā)，或者熔體冷卻到常溫而固化，得到微納米纖維。近10年來，在無機纖維制備技術領域出現了采用靜電紡絲方法制備無機化合物如氧化物納米纖維的技術方案，所述的氧化物包括 Ti02、Zr02 J2O3 J2O3: RE3+(RE3+ = Eu3\Tb3\Er3\Yb3+/Er3+)、 NiO、Co3O4、Mn2O3、Mn3O4、CuO、SiO2、Al2O3、V2O5、ZnO> Nb2O5、MoO3、CeO2、LaMO3 (Μ = Fe、Cr、Mn、 Co、Ni、Al)、Y3A15012、La2Zr2O7等金屬氧化物和金屬復合氧化物。將靜電紡絲技術進行改進，采用同軸噴絲頭，將紡絲溶液分別注入到內管和外管中，當加高直流電壓時，內外管中的溶液同時被電場力拉出來，固化后形成同軸納米電纜，也即得到同軸雙層納米電纜，該技術即是同軸靜電紡絲技術。王策等用該技術制備了二氧化硅@聚合物同軸納米纖維(高等學?；瘜W學報，2005，沈(5) :985-987)，@表示芯殼結構，0前面的物質為芯層，@后面的物質為殼層，即為芯層@殼層結構，也即為雙層電纜結構；董相廷等利用該技術制備了 TiO2O SiO2亞微米同軸電纜(化學學報，2007，65 03) :2675-2679), ZnOiSiO2同軸納米電纜(無機化學學報，2010，沈(1)，四-34)和Al203/Si02同軸超微電纜(硅酸鹽學報，2009，37 (10) 1712-1717) ；Han, et al 采用該技術制備了 PU(core)/PC(Shell)復合納米纖維(Polymer Composites, 2006，10 :381-386)。目前，未見利用同軸靜電紡絲技術制備Ni0@Sn02@ai2Ti04@ TiO2同軸四層納米電纜的相關報道。利用靜電紡絲技術制備納米材料時，原料的種類、高分子模板劑的分子量、紡絲液的組成、紡絲過程參數、熱處理工藝和噴絲頭的結構對最終產品的形貌和尺寸都有重要影響。本發(fā)明采用同軸靜電紡絲技術，噴絲頭由四個截平的不同直徑的注射器針頭套在一起組成的同軸四層噴絲頭，以四水醋酸鎳Ni (CH3COO)2 · 4H20、聚乙烯吡咯烷酮PVP和N，N- 二甲基甲酰胺DMF的混合液為芯層紡絲液，以五水四氯化錫SnCl4 ·5Η20、ΡνΡ和DMF的混合液為第二層紡絲液，以二水醋酸鋅^i(CH3COO)2 · 2H20、PVP和DMF的混合液為第三層紡絲液， 以PVP、無水乙醇CH3CH20H、冰醋酸CH3COOH和鈦酸丁酯Ti (OC4H9)4的混合液為殼層紡絲液， 控制紡絲液的粘度至關重要，在最佳的工藝條件下，獲得[Ni (CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@ [Zn (CH3COO)2+PVP]i[Ti (OC4H9)4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜，即芯層 @ 第二層 @ 第三層 i殼層結構復合電纜，再經過高溫熱處理后，得到結構新穎的NiOOSnO2OZn2TiO4OTiA同軸四層納米電纜。

發(fā)明內容
在背景技術中的制備同軸納米電纜的方法有水熱法、溶膠-凝膠法、基于納米線法、氣相生長法、模板法等，背景技術中的使用同軸靜電紡絲技術制備的是無機物@無機物、無機物@高分子及高分子@高分子納米電纜等同軸雙層納米電纜，所使用的原料、模板劑、溶劑、噴絲頭的結構和最終的目標產物與本發(fā)明的方法不同。本發(fā)明使用同軸靜電紡絲技術、采用同軸四層噴絲頭制備了結構新穎的Nio@sno2@zn2Tio4@TiA同軸四層納米電纜， 以NiO為芯層，直徑為35-55nm ；第二層為SnO2,厚度為30-50nm ；第三層為Si2TiO4,厚度為 25-40nm，殼層為TiO2,厚度為40-90nm，同軸四層納米電纜的直徑為225-415nm，電纜長度> 100 μ m0本發(fā)明是這樣實現的，首先制備出用于同軸靜電紡絲技術的具有一定粘度的芯層、第二層、第三層和殼層紡絲液，控制紡絲液的粘度至關重要。采用同軸四層噴絲頭、 應用同軸靜電紡絲技術進行靜電紡絲，在最佳的工藝條件下，獲得[Ni (CH3COO)2+PVP]@ [SnCl4+PVP] i[Zn (CH3COO) 2+PVP] @[Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜，即芯層 0 第二層@第三層@殼層結構復合電纜，經過高溫熱處理，PVP和CH3COOH氧化分解后揮發(fā)，芯層中的Ni (CH3COO) 2分解氧化生成NiO，構成所生成的納米電纜的芯層，第二層中的SnCl4分解氧化生成SnO2，構成所生成的納米電纜的第二層，第三層中的Si(CH3COO)2和殼層中與第三層接近的部分Ti (OC4H9)4在高溫下發(fā)生氧化反應生成TSi2TiO4，構成了所生成的納米電纜的第三層，殼層中其余的Ti(OC4H9)4分解氧化生成了 TiO2，構成了納米電纜的殼層，這和以前報道的采用同軸靜電紡絲技術制備同軸雙層納米電纜不同，最終得到結構新穎的 SnO2OZn2TiO4OTiA同軸四層納米電纜。其步驟為(1)配制紡絲液
紡絲液中高分子模板劑采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，分子量為90000，鎳源使用四水醋酸鎳Ni (CH3COO)2 · 4H20,錫源使用五水四氯化錫SnCl4 · 5H20,鋅源使用二水醋酸鋅 Zn (CH3COO)2 · 2H20，鈦源使用鈦酸丁酯Ti (OC4H9)4,溶劑采用無水乙醇CH3CH2OH和N，N-二甲基甲酰胺DMF，冰醋酸CH3COOH為添加劑。將Ni (CH3COO)2 · 4H20和PVP加入到DMF中， 室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成芯層紡絲液，芯層紡絲液中各物質的質量百分數為 Ni (CH3COO) 2 · 4H20 為 7 %，PVP 為 11 %，DMF 為 82 % ；將 SnCl4 · 5H20 和 PVP 加入到 DMF 中， 室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成第二層紡絲液，第二層紡絲液中各物質的質量百分數為=SnCl4 ·5H20 為 8%，PVP 為 11 %，DMF 為 81 % ；將 Zn (CH3COO) 2 ·2H20 和 PVP 加入到 DMF 中，室溫下磁力攪拌他，并靜置3h，即形成第三層紡絲液，第三層紡絲液中各物質的質量百分數為:Zn (CH3COO) 2 · 2H20 為 9 %，PVP 為 12 %，DMF 為 79 % ；將 Ti (OC4H9) 4、PVP 和 CH3COOH 加入到CH3CH2OH中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成殼層紡絲液，殼層紡絲液中各物質的質量百分數為:Ti (OC4H9)4 為 20%，PVP 為 8%，CH3COOH 為 18%, CH3CH2OH 為 54%。(2)制備[Ni (CH3COO) 2 + PVP] i [SnCl4+PVP] i [Zn (CH3COO) 2 + PVP] i [Ti (oc4h9) 4+ch3cooh+pvp]前驅體復合電纜噴絲頭由四個截平的不同直徑的注射器針頭套在一起組成的同軸四層噴絲頭，芯層噴頭為截平后的5#不銹鋼針頭，外徑為0. 5mm,內徑為0. 232mm，第二層噴頭為截平后的 12#不銹鋼針頭，外徑為1. 2mm,內徑為0. 790mm，第三層噴頭為截平后的20#不銹鋼針頭， 外徑為2. Omm,內徑為1. 7mm，殼層噴頭為截平后的獸用注射器針頭，外徑為3. 6mm,內徑為 2. 0mm，將配制好的芯層紡絲液加入到內管中，第二層紡絲液加入到第二層管中，第三層紡絲液加入到第三層管中，殼層紡絲液加入到外管中，調節(jié)芯層噴頭、第二層噴頭、第三層噴頭和殼層噴頭的間隙以保證各層紡絲液順利地流出，采用同軸靜電紡絲技術，采用豎噴方式，噴頭與水平面垂直，施加電壓為19kV，噴頭到接收屏鐵絲網的固化距離為26cm，室內溫度25°C -30°C，相對濕度為48% -55%，隨著溶劑的揮發(fā)，在作為負極的鐵絲網上就可以收集到[Ni (CH3COO) 2+PVP] i[SnCl4+PVP] i[Zn (CH3COO) 2+PVP] i[Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜。(3)制備Ni0@Sn02@Zn2Ti04@Ti02同軸四層納米電纜對所獲得的[Ni(CH3COO) 2+PVP] i [SnCl4+PVP] [Zn (CH3COO) 2+PVP] i [Ti (OC4H9)4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜進行熱處理，升溫速率為1°C /min，在1000°C保溫8h，然后以1°C /min的速度降至200°C后自然冷卻至室溫，至此得到Ni0@Sn02@Zn2Ti04@ TiO2同軸四層納米電纜。上述過程中所制備的結構新穎的Ni0@Sn02@Zn2Ti04@Ti02同軸四層納米電纜，以 NiO為芯層，直徑為35-55nm，第二層為SnO2,厚度為30_50nm，第三層為Si2TiO4,厚度為 25-40nm，殼層為TiO2,厚度為40-90nm，同軸四層納米電纜的直徑為225-415nm，電纜長度> 100 μ m。實現了發(fā)明目的。


圖 1 是[Ni (CH3COO) 2 + PVP ] i [ SnC 14 + PVP] i [Zn (CH3COO) 2 + PVP] i [Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜的SEM照片。圖2是NiOOSnO2Oai2TiO4OTi&同軸四層納米電纜的XRD譜圖。
圖3是NiOOSnO2Oai2TiO4OTi&同軸四層納米電纜的SEM照片。圖4是NiOOSnO2Oai2TiO4OTi&同軸四層納米電纜的EDS譜圖。圖5是Ni0@Sn02@Zn2Ti04@Ti02同軸四層納米電纜的TEM照片，該圖兼做摘要附圖。
具體實施例方式實施例將四水醋酸鎳Ni (CH3COO) 2 · 4H20和聚乙烯吡咯烷酮PVP (分子量為 90000)加入到N，N- 二甲基甲酰胺DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成芯層紡絲液，芯層紡絲液中各物質的質量百分數為=Ni(CH3COO)2 · 4H20為7%，PVP為11%，DMF為 82% ；將五水四氯化錫SnCl4 ·5Η20和PVP加入到DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成第二層紡絲液，第二層紡絲液中各物質的質量百分數為=SnCl4 ·5Η20為8%，PVP為11 %， DMF為81 % ；將二水醋酸鋅Si (CH3COO) 2 ·2Η20和PVP加入到DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成第三層紡絲液，第三層紡絲液中各物質的質量百分數為=Zn(CH3COO)2 · 2H20 為9%，PVP為12%，DMF為79% ；將鈦酸丁酯Ti (OC4H9)4、PVP和冰醋酸CH3COOH加入到無水乙醇CH3CH2OH中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成殼層紡絲液，殼層紡絲液中各物質的質量百分數為Ti (OC4H9)4 為 20%，PVP 為 8%，CH3COOH 為 18%，CH3CH2OH 為 。采用同軸靜電紡絲技術進行噴絲。噴絲頭由四個截平的不同直徑的注射器針頭套在一起組成的同軸四層噴絲頭，芯層噴頭為截平后的5#不銹鋼針頭，外徑為0. 5mm,內徑為0. 232mm, 第二層噴頭為截平后的12#不銹鋼針頭，外徑為1. 2mm,內徑為0. 790mm，第三層噴頭為截平后的20#不銹鋼針頭，外徑為2. Omm,內徑為1. 7mm,殼層噴頭為截平后的獸用注射器針頭，外徑為3. 6mm，內徑為2. 0mm，將配制好的芯層紡絲液加入到內管中，第二層紡絲液加入到第二層管中，第三層紡絲液加入到第三層管中，殼層紡絲液加入到外管中，調節(jié)芯層噴頭、第二層噴頭、第三層噴頭和殼層噴頭的間隙以保證各層紡絲液順利地流出，采用同軸靜電紡絲技術，采用豎噴方式，噴頭與水平面垂直，施加電壓為19kV，噴頭到接收屏鐵絲網的固化距離為26cm，室內溫度25V _30°C，相對濕度為48% -55%，隨著溶劑的揮發(fā)，在作為負極的鐵絲網上就可以收集到[Ni (CH3COO) 2+PVP] i[SnCl4+PVP] i[Zn (CH3COO) 2+PVP] i [Ti (OC4H9)4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜。將紡出的[Ni (CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@ [Zn (CH3COO) 2+PVP] @ [Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜放入程序控溫爐中進行熱處理，升溫速率為1°C /min，在1000°C保溫8h，然后以1°C /min的速度降至200°C 后自然冷卻至室溫，至此得到NiOOSnO2OZn2TiO4OTiA同軸四層納米電纜。所制備的 [Ni (CH3COO) 2+PVP] i [SnCl4+PVP] i [Zn (CH3COO) 2+PVP] i [Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜，見圖1所示。所制備的Nio@sno2@zn2Tio4@TiA同軸四層納米電纜具有良好的晶型，以NiO為芯層，SnA為第二層，其衍射峰的d值和相對強度與SnA的PDF標準卡片 (29-1484)所列d值和相對強度吻合，屬于斜方晶系，空間群為PZfP1，第三層為Si2TiO4, 其衍射峰的d值和相對強度與Si2TiO4的PDF標準卡片(25-1164)所列d值和相對強度吻合，屬于立方晶系，空間群為Fd-3m，TiO2為殼層，其衍射峰的d值和相對強度與TW2的標準卡片PDF(21-1276)所列的d值和相對強度一致，屬于金紅石型TiO2,為四方晶系，空間群為P42/mnm，見圖2所示。所制備的NiOOSnO2OZn2TiO4OTiA同軸四層納米電纜直徑為 225-415nm,電纜長度> 100 μ m，見圖3所示。NiOOSnO2Oai2TiO4OTW2同軸四層納米電纜由 Ni、Sn、Si、Ti和0元素組成(Au來自于SEM制樣時表面鍍的Au導電層)，見圖4所示。所制備的Ni0@Sn02@Zn2Ti04@Ti02同軸四層納米電纜的芯層NiO的直徑為35-55nm，第二層SnA 的厚度為30-50nm，第三層Si2TiO4的厚度為25_40歷，殼層為TW2的厚度為40_90歷，見圖 5所示。本發(fā)明所選用的聚乙烯吡咯烷酮、無水乙醇、N，N_2甲基甲酰胺、鈦酸丁酯、四水醋酸鎳、五水四氯化錫、二水醋酸鋅和冰醋酸均為市售分析純產品。所用的玻璃儀器和設備是實驗室中常用的。當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發(fā)明做出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種制備Nio@sno2@zn2Tio4@TiA同軸四層納米電纜的方法，其特征在于，使用同軸靜電紡絲技術，噴絲頭由四個截平的不同直徑的注射器針頭套在一起組成的同軸四層噴絲頭，制備產物為Nio@sno2@zn2Tio4@TiA同軸四層納米電纜，即芯層@第二層@第三層@殼層結構，芯層為NiO，第二層為SnO2，第三層為Si2TiO4,殼層為TiO2，其步驟為(1)配制紡絲液高分子模板劑采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，鎳源使用四水醋酸鎳Ni (CH3COO) 2 · 4H20,錫源使用五水四氯化錫SnCl4 · 5H20，鋅源使用二水醋酸鋅Si(CH3COO)2 · 2H20，鈦源使用鈦酸丁酯Ti (OC4H9) 4，溶劑采用無水乙醇CH3CH2OH和N，N- 二甲基甲酰胺DMF，冰醋酸CH3COOH為添加劑，將Ni (CH3COO) 2 · 4H20和PVP加入到DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成芯層紡絲液，芯層紡絲液中各物質的質量百分數為=Ni(CH3COO)2 · 4H20為7%，PVP為11%， DMF為82%，將SnCl4 ·5Η20和PVP加入到DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成第二層紡絲液，第二層紡絲液中各物質的質量百分數為SnCl4*5H20為8%，PVP為11%，DMF 為81 %，將Si (CH3COO) 2 ·2Η20和PVP加入到DMF中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成第三層紡絲液，第三層紡絲液中各物質的質量百分數為=Zn(CH3COO)2 · 2H20為9%，PVP為 12 %，DMF為79 %，將Ti (OC4H9) 4、PVP和CH3COOH加入到CH3CH2OH中，室溫下磁力攪拌6h，并靜置3h，即形成殼層紡絲液，殼層紡絲液中各物質的質量百分數為Ti (OC4H9)4為20%，PVP 為 8%，CH3COOH 為 18%，CH3CH2OH 為 54% ；(2)制備[Ni(CH3COO) 2 + PVP] i [SnC 14 + PVP] i [Zn (CH3COO) 2 + PVP] i [Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜噴絲頭由四個截平的不同直徑的注射器針頭套在一起組成的同軸四層噴絲頭，芯層噴頭為截平后的5#不銹鋼針頭，外徑為0. 5mm,內徑為0. 232mm,第二層噴頭為截平后的 12#不銹鋼針頭，外徑為1. 2mm,內徑為0. 790mm，第三層噴頭為截平后的20#不銹鋼針頭， 外徑為2. Omm,內徑為1. 7mm,殼層噴頭為截平后的獸用注射器針頭，外徑為3. 6mm,內徑為 2. 0mm，將配制好的芯層紡絲液加入到內管中，第二層紡絲液加入到第二層管中，第三層紡絲液加入到第三層管中，殼層紡絲液加入到外管中，調節(jié)芯層噴頭、第二層噴頭、第三層噴頭和殼層噴頭的間隙以保證各層紡絲液順利地流出，采用同軸靜電紡絲技術，采用豎噴方式，噴頭與水平面垂直，施加電壓為19kV，噴頭到接收屏鐵絲網的固化距離為^cm,室內溫度25°C -30°C，相對濕度為48% -55%，隨著溶劑的揮發(fā)，在作為負極的鐵絲網上就可以收集到[Ni (CH3COO) 2+PVP] i[SnCl4+PVP] i[Zn (CH3COO) 2+PVP] i[Ti (OC4H9) 4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜；(3)制備Ni0@Sn02@Zn2Ti04@TiA同軸四層納米電纜對所獲得的[Ni (CH3COO) 2+PVP]i[SnCl4+PVP] [Zn (CH3COO) 2+PVP] i [Ti (OC4H9)4+CH3C00H+PVP]前驅體復合電纜進行熱處理，升溫速率為1°C /min，在1000°C保溫8h，然后以1°C /min的速度降至200°C后自然冷卻至室溫，至此得到Ni0@Sn02@Zn2Ti04@ TiO2同軸四層納米電纜。
2.根據權利要求1所述的一種制備Ni0@Sn02@Zn2Ti04@TiA同軸四層納米電纜的方法， 其特征在于，高分子模板劑為分子量Mr = 90000的聚乙烯吡咯烷酮。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制備NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同軸四層納米電纜的方法，屬于納米材料制備技術領域。本發(fā)明包括三個步驟(1)配制紡絲液。將四水醋酸鎳和PVP加入到DMF中，形成芯層紡絲液，將五水四氯化錫和PVP加入到DMF中，形成第二層紡絲液，將二水醋酸鋅和PVP加入到DMF中，形成第三層紡絲液，將鈦酸丁酯、PVP和冰醋酸加入到乙醇中，形成殼層紡絲液。(2)制備[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驅體復合電纜。采用同軸靜電紡絲技術，電壓19kV，固化距離26cm，室溫25℃～30℃，相對濕度48％～55％。(3)制備NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同軸四層納米電纜。將前驅體復合電纜進行熱處理，升溫速率為1℃/min，在1000℃保溫8h，然后以1℃/min的速度降至200℃后自然冷卻至室溫，得到NiO(芯層)@SnO2(第二層)@Zn2TiO4(第三層)@TiO2(殼層)同軸四層納米電纜，直徑為225-415nm，長度＞100μm。
文檔編號H01B13/016GK102222548SQ20111005794
公開日2011年10月19日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權日2011年3月11日
發(fā)明者于文生, 劉桂霞, 宋超, 徐佳, 王進賢, 董相廷 申請人:長春理工大學