專利名稱：具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種高密度集成電路元件，且特別是有關(guān)于一種用于多層級(jí) (multi-level)的具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維(3D)疊層元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在制造高密度存儲(chǔ)器元件時(shí)，集成電路上的每一單位面積的數(shù)據(jù)量是關(guān)鍵因子。 因此，當(dāng)存儲(chǔ)器元件的關(guān)鍵尺寸受限于光刻技術(shù)時(shí)，為了使每一位能達(dá)到較大的儲(chǔ)存密度 與較低的成本，已有人提出疊層存儲(chǔ)單元的多個(gè)層級(jí)的技術(shù)。舉例而言，在Lai 等人的「A Multi-Layer Stackable Thin-Film Transistor (TFT) NAND-Type Flash Memory」(IEEE 國(guó)際電子元件會(huì)議，2006 年 12 月 11 日 至 13 日)中；以及在 Jung 等人的「Three Dimensionally Stacked NAND Flash Memory Technology Using Stacking Single Crystal Si Layers on ILD and TANOS Structure for Beyond 30nm NodeJ (IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議，2006年12月11日至13日)中，將薄膜 晶體管技術(shù)應(yīng)用于電荷捕捉存儲(chǔ)器。而且,在 Johnson 等人的「512_Mb PROM With a Three-Dimensional Array of Diode/Anti-fuse Memory Cells」(2003 年 11 月的 IEEE 固態(tài)電路期刊第 38 卷 11 期(IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. 38, no. 11))中，己交叉,點(diǎn)陣列 (cross-point array) 技術(shù)應(yīng)用于反熔絲(anti-fuse)存儲(chǔ)器。亦可見Cleeves的美國(guó)專利第7，081，377號(hào) 「Three-Dimensional Memory」。在 Kim 等人的「Novel 3-D Structure for Ultra-High Density Flash Memory with VRAT and PIPEJ (2008VLSI 技術(shù)討論會(huì)技術(shù)論文匯編(2008Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers)) ；2008 年 6 月 17 日至 19 日，第 122 至 123 頁) 中描述另一結(jié)構(gòu)，其在電荷捕捉存儲(chǔ)器技術(shù)中提供垂直「反及」(NAND)單元。在三維疊層存儲(chǔ)器元件中，導(dǎo)電內(nèi)聯(lián)機(jī)用以將存儲(chǔ)單元的下層級(jí)耦接至譯碼電路 及相似者，以通過上層級(jí)。這些內(nèi)聯(lián)機(jī)的占據(jù)面積或平視面積可能顯著地縮減上層級(jí)的存 儲(chǔ)單元的可用面積。此外，內(nèi)聯(lián)機(jī)技術(shù)的成本會(huì)隨著所需的光刻步驟數(shù)目的增加而增加。 ￠: Tanaka 入的「Bit Cost Scalable Technology with Punch and Plug Process for Ultra High Density Flash MemoryJ (2007 VUI 技術(shù)討論會(huì)技術(shù)論文匯編 Q007Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers) ；2007 年 6 月 12 日至 14 日，第 14 至 15頁)中描述一種減少光刻步驟數(shù)目的方法。然而，在Tanaka等人所描述的疊層結(jié)構(gòu)中，與下層級(jí)連接的層級(jí)的尺寸會(huì)小于下 層級(jí)的尺寸。這會(huì)造成上層級(jí)的存儲(chǔ)器面積會(huì)顯著地較小，且降低存儲(chǔ)器密度以及增加每 一位的成本。此外，此方法使得能夠?qū)拥膶蛹?jí)數(shù)目受到實(shí)際狀況的限制。因此，即使三維 疊層存儲(chǔ)器具有密度較高的優(yōu)點(diǎn)，但較低的存儲(chǔ)器密度與所造成的每一位的成本升高限制 了此技術(shù)的使用。因此需要提供一種具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維3D疊層元件以及制造此元件的方法，其中內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)用以連接多個(gè)層級(jí)且其具有相當(dāng)小的占據(jù)面積，以及此方法可在較低成本 下進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于多層級(jí)(multi-level)的具有內(nèi) 聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D疊層元件及其制造方法，該具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D疊層元件具有小的占據(jù)面 積，用以連接多層級(jí)元件中的上層電路結(jié)構(gòu)與其它層級(jí)的電路結(jié)構(gòu)。本文所敘述的具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D疊層元件包括三維結(jié)構(gòu)，此三維結(jié)構(gòu)包括電 路結(jié)構(gòu)的多個(gè)層級(jí)，包括層級(jí)0至N，其中N至少為2。下層級(jí)與每一上方層級(jí)(包括下層級(jí)的上一層級(jí)至頂層級(jí)，也就是層級(jí)(i)，其中 (i)等于0至N-1)分別包括用以接觸導(dǎo)體的接地區(qū)，其中導(dǎo)體延伸至多個(gè)層級(jí)的頂層級(jí)N 或在頂層級(jí)N上延伸。每一層級(jí)(i)上的接地區(qū)(i)在縱向上具有長(zhǎng)度以及在橫向上具有 寬度，其中每一層級(jí)的長(zhǎng)度與寬度可以相同但并非必須相同。位于下層級(jí)上方的第一層級(jí)與每一上方層級(jí)(至頂層級(jí))分別具有開口，開口在 下方層級(jí)的接地區(qū)上。每一層級(jí)的開口(除了頂層級(jí)以外)鄰近其各自的接地區(qū)。在頂層 級(jí)中，開口不需要鄰近其接地區(qū)，但為了簡(jiǎn)化布局設(shè)計(jì)也可以使開口鄰近其接地區(qū)。也就是 說，當(dāng)⑴等于1至N-I時(shí)，位于層級(jí)(i-Ι)上方的層級(jí)⑴具有開口(i)，開口⑴鄰近 層級(jí)(i)上的接地區(qū)(i)。第一層級(jí)的開口在下層級(jí)上的接地區(qū)上方延伸，且每一上方層 級(jí)的開口在開口上方及緊鄰的下一層級(jí)(immediately preceding level)上的接地區(qū)上方 延伸。也就是說，層級(jí)(i)的開口(i)在層級(jí)(i_l)上的接地區(qū)(i_l)上方延伸，且當(dāng)(i) 大于1時(shí)，層級(jí)(i)的開口(i)在層級(jí)(i_l)的鄰近開口(i_l)上方延伸。每一接連層級(jí) (succeeding level)的開口以橫向側(cè)壁與遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁(或外側(cè)壁)對(duì)準(zhǔn)緊鄰下方層級(jí) (immediately underlying level)的開口，以及每一接連層級(jí)(succeeding level)具有近 端側(cè)壁(或內(nèi)側(cè)壁)，近端側(cè)壁(或內(nèi)側(cè)壁)與緊鄰下方層級(jí)上的接地區(qū)對(duì)準(zhǔn)。也就是說， 開口(i)的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)于層級(jí)(i)的開口(i_l)的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁，以及開口(i)的近 端縱向側(cè)壁定義開口(i)的長(zhǎng)度。開口(i)的長(zhǎng)度至少等同于接地區(qū)(i_l)的長(zhǎng)度加上開 口(i-ι)的長(zhǎng)度(若開口(i-ι)存在時(shí))。當(dāng)⑴大于1時(shí)，開口(i)的橫向側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)于層 級(jí)(i-ι)的開口(i-ι)的橫向側(cè)壁，且定義開口(i)的寬度，使其至少等同于接地區(qū)(i-1) 的寬度。絕緣填充物位于層級(jí)1至N的開口中。導(dǎo)體在開口內(nèi)的絕緣填充物中延伸，以接 觸位于層級(jí)0至N-I上的接地區(qū)，例如是通過位于層級(jí)上方的線路層將層級(jí)耦接至譯碼電路。一種制造具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D疊層元件的方法，包括形成包括多個(gè)層級(jí)的三維 結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)層級(jí)包括層級(jí)0至N，其中N至少為2。下層級(jí)與每一上方層級(jí)(包括下層 級(jí)的上一層級(jí)至頂層級(jí)，也就是層級(jí)(i)，其中(i)等于0至N-1)分別包括用以接觸導(dǎo)體的 接地區(qū)，導(dǎo)體延伸至多個(gè)層級(jí)的頂層級(jí)N上方或在頂層級(jí)N上方延伸。接地區(qū)(i)在縱向 上具有長(zhǎng)度以及在橫向上具有寬度。形成具有開口的第一掩模，開口位于所述多個(gè)層級(jí)上的接地區(qū)上方。當(dāng)(i)等于 0至N-I時(shí)，第一掩模的開口環(huán)繞所有接地區(qū)的周邊，且因此第一掩模的開口在縱向上的長(zhǎng)度至少等同于接地區(qū)(i)的長(zhǎng)度的總和。當(dāng)(i)等于0至N-I時(shí)，第一掩模的開口在層級(jí) (i)上的接地區(qū)(i)的上方具有一寬度，此寬度至少等同于層級(jí)(i)上的接地區(qū)(i)的寬度。在第一掩模的開口上方形成第二掩模。第二掩模在縱向上的長(zhǎng)度小于第一掩模的 開口的長(zhǎng)度，小于的量與接地區(qū)的尺寸或下層(bottom layer)上的面積有關(guān)，以及第二掩 模在橫向上的寬度至少等同于第一掩模的開口的寬度。接著重復(fù)工藝，也就是進(jìn)行(a)以第一與第二掩模為刻蝕掩?？涛g層以及(b)根 據(jù)下一接地區(qū)的尺寸來縮減第二刻蝕掩模的長(zhǎng)度，因此于各層級(jí)中以自行對(duì)準(zhǔn)的方式形成 開口。也就是說，當(dāng)(j)為0至N-I時(shí)，重復(fù)包括下列步驟的工藝，步驟包括以第一與第二掩 模為刻蝕掩模進(jìn)行刻蝕，以此在層級(jí)(j)上的接地區(qū)(j)上方形成開口 ；以及以層級(jí)(j+1) 上的接地區(qū)(j+Ι)的長(zhǎng)度來縮減第二掩模在第一掩模的開口中的長(zhǎng)度。接著增加"j"值， 并對(duì)小于或等于N-I的j重復(fù)刻蝕與縮減。在層級(jí)1至N的開口內(nèi)形成絕緣填充物材料。接著，形成在開口內(nèi)的絕緣填充物 中延伸的導(dǎo)體，以接觸位于層級(jí)0至N-I上的接地區(qū)。本發(fā)明還提供了另一種制造具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D疊層元件的方法，包括形成多 個(gè)層級(jí)，多個(gè)層級(jí)分別具有接觸導(dǎo)體的接地區(qū)。接地區(qū)分別在縱向上具有長(zhǎng)度以及分別在 橫向上具有寬度。形成多個(gè)層級(jí)包括形成第一層級(jí)、形成位于第一層級(jí)上方的第二層級(jí)以 及形成位于第二層級(jí)上方的第三層級(jí)。在多個(gè)層級(jí)上方形成第一掩模。第一掩模具有開口，開口在縱向上具有長(zhǎng)度以及 在橫向上具有寬度，且開口定義內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的周邊。第一掩模的開口的長(zhǎng)度至少等同于第 一、第二以及第三層級(jí)上的接地區(qū)的長(zhǎng)度總和。在多個(gè)層級(jí)中，特定層級(jí)上的接地區(qū)上方的 第一掩模的開口的寬度至少等同于特定層級(jí)上的接地區(qū)的寬度。在第一掩模的開口上方形成第二掩模。第二掩模在縱向上的長(zhǎng)度小于第一掩模的 開口的長(zhǎng)度，以及第二掩模在橫向上的寬度至少等同于第一掩模的開口的寬度。以第一與第二掩模為刻蝕掩模對(duì)第三層級(jí)進(jìn)行刻蝕，以此于第三層級(jí)中形成第一 開口。第一開口的寬度至少等同于第一層級(jí)上的接地區(qū)的寬度，以及第一開口的長(zhǎng)度至少 等同于第一層級(jí)上的接地區(qū)的長(zhǎng)度。接著縮減第二掩模的長(zhǎng)度以形成第三掩模。以第一與第三掩模為刻蝕掩模對(duì)第二與第三層級(jí)進(jìn)行刻蝕。此刻蝕使第一開口延 伸于第二層級(jí)中，以及在第三層級(jí)中形成鄰近第一開口的第二開口。第二開口在第二層級(jí) 上的接地區(qū)上方。第二開口的寬度至少等同于第二層級(jí)上的接地區(qū)的寬度，以及第二開口 的長(zhǎng)度至少等同于第二層級(jí)上的接地區(qū)的長(zhǎng)度。接著，形成延伸于第一與第二開口的通孔(vias)中的導(dǎo)體，以接觸第一與第二層 級(jí)上的接地區(qū)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的占據(jù)面積可以由單一刻蝕掩模的開口來定 義。通過使用形成于第一掩模的開口上方的一個(gè)額外掩模，以及在無須嚴(yán)苛對(duì)準(zhǔn)步驟下刻 蝕額外掩模的工藝，就可以在各層級(jí)中形成開口，其中開口用以使導(dǎo)體能連接下方層級(jí)上 的接地區(qū)。因此，開口可以在相當(dāng)小的面積中以自行對(duì)準(zhǔn)的方式形成。此外，可以同時(shí)圖案 化導(dǎo)體的通孔。因此，無需每一層使用一個(gè)掩模，因而能縮減成本。本文所述的實(shí)例包括在三維疊層集成電路元件中使用較小占據(jù)面積的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，其中三維疊層集成電路元件包括多層級(jí)存儲(chǔ)單元與平坦的(planar)導(dǎo)電材料層。可選 地，層級(jí)可以不是平坦的疊層材料層，而可以是具有不同的垂直尺寸的材料層。本文所述的 內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于其它種類的存儲(chǔ)單元與陣列結(jié)構(gòu)中。舉例來說，在一實(shí)施例中，元 件的層級(jí)可以是被絕緣材料分隔的平面存儲(chǔ)單元陣列，其具有使用薄膜晶體管或相關(guān)技術(shù) 的存取元件以及形成于層級(jí)內(nèi)的存取線(access line)。此外，本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可 以應(yīng)用于其它種類的三維集成電路元件中，其中導(dǎo)體在較小占據(jù)面積內(nèi)延伸至元件的各層 級(jí)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說明如下。


圖1為包括三維結(jié)構(gòu)的元件的剖面圖，其中三維結(jié)構(gòu)包括具有小的占據(jù)面積的內(nèi) 聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190，其中導(dǎo)體180延伸至元件的各層級(jí)160-1至160-4。圖2A為層級(jí)160-1的平面圖，其顯示接地區(qū)。圖2B為層級(jí)160-2的平面圖，其顯示鄰近接地區(qū)的開口。圖2C為層級(jí)160-3的平面圖，其顯示鄰近接地區(qū)的開口。圖2D為層級(jí)160-4的平面圖，其顯示鄰近接地區(qū)的開口。圖3A與圖;3B為部分三維疊層集成電路元件的相互垂直的剖面圖，其中三維疊層 集成電路元件包括具有小的占據(jù)面積的3D內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。圖4為一實(shí)施例的元件的上視布局，元件包括位于存儲(chǔ)器陣列兩側(cè)上的外圍區(qū)域 中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。圖5為一實(shí)施例的元件的上視布局，元件包括位于存儲(chǔ)器陣列四側(cè)上的外圍區(qū)域 中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。圖6為存儲(chǔ)器元件的局部示意圖，此存儲(chǔ)器元件包括本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。圖7為集成電路元件的簡(jiǎn)化方塊圖，其包括具有本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D存儲(chǔ) 器陣列。圖8A至圖15為制造如本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的步驟流程圖。圖16為掩模的開口的平面圖，其中開口的寬度在縱向上呈階梯式變化，以配合位 于層級(jí)上的具有不同寬度的接地區(qū)。主要元件符號(hào)說明100、300:元件110:存儲(chǔ)器陣列區(qū)112:存儲(chǔ)器存取層120 周邊區(qū)130 基底131a、131b 存取元件132a、132b 源極區(qū)134a、134b 漏極區(qū)1；353、13釙溝道隔離結(jié)構(gòu)
140、140a、140b 字線142a、142b 接觸插塞144、154:介電層146a、14 :接觸窗150、150a、150b 位線152a、152b 接觸墊160-1、160-2、160-3、160-4 層級(jí)161-la、161-lb、161_2a、161_2b、161_3a、161_3b、161-4 :接地區(qū)164、165-1、165-2、165-3、166 :絕緣層165 絕緣材料層171a、171b:柱170a、170b :導(dǎo)電核172a、172b:外殼174a、174b:層180 :導(dǎo)體185:內(nèi)連導(dǎo)線190:內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190-1、190-2、190-3、190-4 列192、200、202、204、206、214、216、224、254、259、264a、264b、269a、269b、274a、 274b、274c、279a、279b、279c、1004、1014、1204、1314、1324 寬度194、201、203、205、207、215、217、225、252、257、262、267、272、277、910、1002、 1012、1110、1202、1212、1305、1312、1322 長(zhǎng)度250、255、260、265、270、275、810、1000、1010、1200、1210、1310、1320、1510 開口251a、25 lb、256a、256b、261a、26 lb、266a、266b、267a、271a、27 lb、273a、273b、 276a,276b 縱向側(cè)壁253a、253b、258a、258b、263a、263b、268a、268b、273a、273b、278a、278b 橫向側(cè)壁360 存儲(chǔ)器陣列361 列譯碼器363 行譯碼器365 總線366、368:區(qū)塊367 數(shù)據(jù)總線369 偏壓配置狀態(tài)機(jī)371 數(shù)據(jù)輸入線372:數(shù)據(jù)輸出線374 電路544-1、544-2、544-3、544-4 存儲(chǔ)器構(gòu)件546 平面譯碼器547 接地電壓
548 可編程構(gòu)件549 整流器800、900、1100、1300 掩模1400 絕緣填充物材料
具體實(shí)施例方式參看圖1至圖16，以對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1為包括三維結(jié)構(gòu)的元件的剖面圖，其中三維結(jié)構(gòu)包括具有小占據(jù)面積的內(nèi)聯(lián) 機(jī)結(jié)構(gòu)190，其中導(dǎo)體180延伸至元件的各層級(jí)160-1至160-4。所繪示的實(shí)例是以四個(gè)層 級(jí)160-1至160-4為例。一般來說，本文所述的小型內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190可應(yīng)用于具有層級(jí)0 至N的結(jié)構(gòu)，其中N至少為2。導(dǎo)體180排列于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)，以接觸各層級(jí)160_1至160_4上的接地區(qū)。如 同接下來所詳述的，用于每一特定層級(jí)的導(dǎo)體180延伸通過上方層級(jí)(overlying level) 的開 口，以接觸接地區(qū) 161-la、161-lb、161-2a、161_2b、161_3a、161_3b、161-4。此實(shí)例的導(dǎo) 體180用以將層級(jí)160—1至160-4耦接至線路層的內(nèi)連導(dǎo)線(interconnect lines) 185， 其中線路層位于層級(jí)160-1至160-4上方。接地區(qū)是指層級(jí)160-1至160-4中用以接觸導(dǎo)體180的部分。接地區(qū)的尺寸要足 夠大，以對(duì)導(dǎo)體180提供空間，使導(dǎo)體180能將層級(jí)160-1至160-4耦接至上方內(nèi)連導(dǎo)線 185，以及解決諸如用于不同層級(jí)的接地區(qū)的導(dǎo)體180與一個(gè)層級(jí)的上方開口之間對(duì)不準(zhǔn) 的問題。因此接地區(qū)的尺寸由許多因子決定，包括所用的導(dǎo)體的尺寸與數(shù)量，且在每一實(shí) 施例中可能不同。此外，用于每一接地區(qū)的導(dǎo)體180數(shù)目可以不同。在一實(shí)例中，層級(jí)160-1至160-4由各個(gè)平坦的導(dǎo)體材料層以及分開層級(jí)160_1 至160-4的絕緣材料層165所組成，其中導(dǎo)體材料例如是摻雜多晶硅?？蛇x地，層級(jí)160-1 至160-4也可以不是平坦的疊層材料層，也就是材料層在垂直尺寸上可以不同。接觸不同層級(jí)160-1至160-4的導(dǎo)體180在沿著圖1所示的剖面延伸方向上排列。 在此，接觸不同層級(jí)160-1至160-4的導(dǎo)體180的排列所定義的方向稱為「縱向」方向?！笝M 向」方向垂直于縱向方向，且指入并指出圖1所示的剖面?？v向與橫向都是「?jìng)?cè)向尺寸」，也 就是指在層級(jí)160-1至160-4的平面圖的二維區(qū)域上的方向。結(jié)構(gòu)或元件的「長(zhǎng)度」是指 其在縱向上的長(zhǎng)度，以及其「寬度」是指其在橫向上的寬度。層級(jí)160-1是多個(gè)層級(jí)160-1至160_4中的最低層級(jí)。層級(jí)160_1位于絕緣層 164。層級(jí)160-1包括用以接觸導(dǎo)體180的第一與第二接地區(qū)161_la、161_lb。在圖1中，層級(jí)160-1包括在內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190的相對(duì)端上的兩個(gè)接地區(qū)161_la、 161-lb。在一些可選實(shí)施例中，可以省略接地區(qū)161-la、161-lb之一。圖2A為部分層級(jí)160-1的平面圖，包括位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190的占據(jù)面積內(nèi)的接地 區(qū)161-la、161-lb。內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190的占據(jù)面積可以與用于導(dǎo)體的通孔(via)尺寸的寬度 相近，以及具有比寬度更長(zhǎng)的長(zhǎng)度。如圖2A所示，接地區(qū)161-la在橫向上具有寬度200以 及在縱向上具有長(zhǎng)度201。接地區(qū)161-lb在橫向上具有寬度202以及在縱向上具有長(zhǎng)度203。在圖2A所示的實(shí)施例中，每一接地區(qū)161-la、161-lb具有矩形剖面。在實(shí)施例中，每 一接地區(qū)161-la、161-lb的剖面也可以是圓形、橢圓形、方形、矩形或其它不規(guī)則形狀。由于層級(jí)160-1是最低層級(jí)，導(dǎo)體180不需穿過層級(jí)160-1至下方層級(jí)。因此，在 此實(shí)例中，層級(jí)160-1不具有位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)的開口。請(qǐng)參照?qǐng)D1，層級(jí)160-2位于層級(jí)160-1上方。層級(jí)160-2包括開口 250，開口 250 位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161-la上方。開口 250具有遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁251a與近端縱向側(cè) 壁251b，遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁251a與近端縱向側(cè)壁251b定義開口 250的長(zhǎng)度252。開口 250的 長(zhǎng)度252至少等同于下方接地區(qū)161-la的長(zhǎng)度201，因此用于接地區(qū)161_la的導(dǎo)體180可 以通過層級(jí)160-2。層級(jí)160-2亦包括位于接地區(qū)161-lb上方的開口 255。開口 255具有遠(yuǎn)程縱向 側(cè)壁256a與近端縱向側(cè)壁256b，遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁256a與近端縱向側(cè)壁256b定義出開口 255 的長(zhǎng)度257。開口 255的長(zhǎng)度257至少等同于下方接地區(qū)161_lb的長(zhǎng)度203，因此用于接 地區(qū)161-1的導(dǎo)體180可以穿過層級(jí)160-2。層級(jí)160-2亦包括分別與開口 250、255鄰近的第一與第二接地區(qū)161_2a、161_2b。 第一與第二接地區(qū)161-2a、16Hb是層級(jí)160-2中用以接觸導(dǎo)體180的部分。圖2B為部分層級(jí)160-2的平面圖，包括第一與第二接地區(qū)161-h、161-2b以及內(nèi) 聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)的開口 250、255。如圖2B所示，開口 250具有定義長(zhǎng)度252的縱向側(cè)壁251a、251b，以及具有定義開 口 250的寬度254的橫向側(cè)壁253a、253b。寬度2M至少等同于下方接地區(qū)161-la的寬度 200，因此導(dǎo)體180可以通過開口 250。開口 255具有定義長(zhǎng)度257的縱向側(cè)壁256a、256b，以及具有定義寬度259的橫向 側(cè)壁258a、258b。寬度259至少等同于下方接地區(qū)161_lb的寬度202，因此導(dǎo)體180可以 通過開口 255。在圖2B的平面圖中，每一開口 250、255具有矩形剖面。在實(shí)施例中，根據(jù)用以形 成開口 250、255的掩模的形狀，每一開口 250、255的剖面也可以是圓形、橢圓形、方形、矩形 或其它不規(guī)則形狀。如圖2B所示，接地區(qū)161- 鄰近開口 250且在橫向上具有寬度204以及在縱向 上具有長(zhǎng)度205。接地區(qū)161- 鄰近開口 255且在橫向上具有寬度206以及在縱向上具有 長(zhǎng)度207。請(qǐng)參照?qǐng)D1，層級(jí)160-3位于層級(jí)160-2上方。層級(jí)160-3包括開口沈0，開口 260 位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161-la上方以及層級(jí)160-2上的接地區(qū)161- 上方。開口 260 具有遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁^la與近端縱向側(cè)壁^lb,遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁^la與近端縱向側(cè)壁^lb定 義開口沈0的長(zhǎng)度沈2。開口沈0的長(zhǎng)度沈2至少等同于下方接地區(qū)161-la、161-2a的長(zhǎng) 度201,205的總和，因此用于接地區(qū)161-la、161-2a的導(dǎo)體180可以通過層級(jí)160-3。如圖1所示，開口 260的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁^la垂直對(duì)準(zhǔn)于下方開口 250的遠(yuǎn)程縱向 側(cè)壁251a。在接下來所詳述的制造實(shí)施例中，形成開口的方法可以是使用單一刻蝕掩模的 開口與形成于單一刻蝕掩模的開口上的一個(gè)額外掩模，以及在無須嚴(yán)苛對(duì)準(zhǔn)步驟下刻蝕額 外掩模的工藝下，而沿著單一刻蝕掩模的周邊形成具有遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁061a、251a、、、)且 垂直對(duì)準(zhǔn)的開口。
層級(jí)160-3亦包括開口沈5，其位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161_lb上方以及層級(jí)
160-2上的接地區(qū)161- 上方。開口265具有外側(cè)縱向側(cè)壁與內(nèi)側(cè)縱向側(cè)壁沈乩， 外側(cè)縱向側(cè)壁與內(nèi)側(cè)縱向側(cè)壁定義開口 265的長(zhǎng)度沈7。開口沈5的外側(cè)縱向 側(cè)壁是垂直對(duì)準(zhǔn)于下方開口 255的外側(cè)縱向側(cè)壁256a。開口 265的長(zhǎng)度沈7至少等同于下方接地區(qū)161-lb的長(zhǎng)度203與下方接地區(qū)
161-2b的長(zhǎng)度207的長(zhǎng)度總和，因此用于接地區(qū)161-lb、161-2b的導(dǎo)體180可以通過層級(jí) 160-3。層級(jí)160-3亦包括分別鄰近開口洸0、洸5的第一與第二接地區(qū)161_3a、161_3b。 第一與第二接地區(qū)161-3a、161-;3b是層級(jí)160-3用以接觸導(dǎo)體180的部分。圖2C為部分層級(jí)160-3的平面圖，包括第一與第二接地區(qū)161_3a、161- 與位于 內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)的開口沈0、265。如圖2C所示，開口 260具有定義長(zhǎng)度沈2的外側(cè)縱向側(cè)壁^la與內(nèi)側(cè)縱向側(cè)壁 ^lb,且具有定義開口沈0的寬度沈乜、26仙的橫向側(cè)壁沈3a、263b。寬度沈乜至少等同 于下方接地區(qū)161-la的寬度200，寬度至少等同于下方接地區(qū)161- 的寬度204，因 此導(dǎo)體180可以通過開口沈0。在所示的實(shí)施例中，寬度^^、264b實(shí)質(zhì)上相同?？蛇x地，寬度^^、264b可以不 同以配合具有不同寬度的接地區(qū)。開口 265具有定義長(zhǎng)度267的縱向側(cè)壁^6a、266b，且具有定義寬度^9a、269b的 橫向側(cè)壁268a、268b。寬度至少等同于下方接地區(qū)161-lb的寬度202，且寬度沈％ 至少等同于下方接地區(qū)161_2b的寬度206，因此導(dǎo)體180可以通過開口沈5。如圖2C所示，接地區(qū)161_3a鄰近開口沈0，且在橫向上具有寬度214及在縱向上 具有長(zhǎng)度215。接地區(qū)161- 鄰近開口沈5，且在橫向上具有寬度216及在縱向上具有長(zhǎng) 度 217。請(qǐng)參照?qǐng)D1，層級(jí)160-4位于層級(jí)160-3上方。層級(jí)160-4包括開口 270，開口 270 位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161-la上方、層級(jí)160-2上的接地區(qū)161- 上方以及層級(jí)
160-3上的接地區(qū)161-3a上方。開口270具有縱向側(cè)壁271a、271b，縱向側(cè)壁271a、271b 定義開口 270的長(zhǎng)度272。開口 270的長(zhǎng)度272至少等同于下方接地區(qū)161-la、161_2a、
161-3a的長(zhǎng)度201,205,215的總和，因此用于接地區(qū)161-la、161_2a、161_3a的導(dǎo)體180可 以通過層級(jí)160-4。如圖1所示，開口 270的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁271a垂直對(duì)準(zhǔn)于下方開口 260 的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁^la。層級(jí)160-4亦包括開口 275，其位于層級(jí)160_1上的接地區(qū)161_lb上方、層級(jí)
160-2上的接地區(qū)161-2b上方以及層級(jí)160-3上的接地區(qū)161_3b上方。開口275具有縱 向側(cè)壁276a、276b，縱向側(cè)壁276&、27乩定義開口 275的長(zhǎng)度277。開口 265的縱向側(cè)壁 276a是垂直對(duì)準(zhǔn)于下方開口 265的外側(cè)縱向側(cè)壁^6a。開口 275的長(zhǎng)度277至少等同于下方接地區(qū)161_lb的長(zhǎng)度203、下方接地區(qū)
161-2b的長(zhǎng)度207以及下方接地區(qū)161- 的長(zhǎng)度217的總和，因此用于接地區(qū)161-lb、 161-2b、161-3b的導(dǎo)體180可以通過層級(jí)160-4。層級(jí)160-4亦包括位于開口 270、275之間的接地區(qū)161_4。接地區(qū)161_4是層級(jí) 160-4用以接觸導(dǎo)體180的部分。在圖1中，層級(jí)160-4具有一個(gè)接地區(qū)161-4?？蛇x地，層級(jí)160-4可包括一個(gè)以上的接地區(qū)。圖2D為部分層級(jí)160-4的平面圖，包括接地區(qū)161_4與位于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)的 開口 270、275。如圖2D所示，開口 270具有定義長(zhǎng)度272的縱向側(cè)壁271a、271b，且具有定義開口 270的寬度274a、274b、274c的橫向側(cè)壁273a、273b。寬度274a、274b、274c至少等同于下 方接地區(qū)161-la、161-2a、161-3a的寬度200、204、214，因此導(dǎo)體180可以通過開口洸0。開口 275具有定義長(zhǎng)度277的縱向側(cè)壁^7a、276b，且具有定義寬度279a、279b、 279c的橫向側(cè)壁278a、278b。寬度279a、279b、279c至少等同于下方接地區(qū)161-lb、161-2b、 161-3b的寬度202、206、216，因此導(dǎo)體180可以通過開口 275。如圖2D所示，接地區(qū)161-4位于開口 270與開口 275之間，且在橫向上具有寬度 224及在縱向上具有長(zhǎng)度225。請(qǐng)參照?qǐng)D1，開口 270、260、250的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁271a、261a、251a彼此垂直對(duì)準(zhǔn)，而 側(cè)壁271b、261b、251b的水平錯(cuò)位使開口 270、260、250具有不同長(zhǎng)度。此處，元件或特征為 「垂直對(duì)準(zhǔn)」是指實(shí)質(zhì)上與垂直于橫斷方向與縱向方向的一假想平面齊平(flush)。此處， 詞匯「實(shí)質(zhì)上齊平」是指在形成開口的工藝上所能容忍的誤差，其中在形成開口時(shí)是使用單 一刻蝕掩模中的開口與進(jìn)行多個(gè)刻蝕步驟，而這些工藝可能使側(cè)壁在平坦度上有所差異。如圖1所示，開口 275J65、255的縱向側(cè)壁276a、266a、256a亦彼此垂直對(duì)準(zhǔn)。相似地，各層級(jí)的開口的橫向側(cè)壁亦彼此垂直對(duì)準(zhǔn)。請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2D，開口 270,260,250的橫向側(cè)壁273a、263a、253a彼此垂直對(duì)準(zhǔn)。此外，橫向側(cè)壁27!3b、263b、25;3b 彼此垂直對(duì)準(zhǔn)。以開口 275、265、255來看，縱向側(cè)壁276a、266a、256a彼此垂直對(duì)準(zhǔn)，且縱 向側(cè)壁276b、266b、256b彼此垂直對(duì)準(zhǔn)。在所示的實(shí)施例中，各層級(jí)160-1至160-4的開口在橫向上的寬度實(shí)質(zhì)上相同。 可選地，在縱向方向的開口寬度可以改變，舉例來說，為了配合具有不同寬度的接地區(qū)，縱 向方向的開口寬度可以具有階梯式變化(st印-like manner)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本文所述的用于實(shí)行內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190的技術(shù)能顯著地縮小用來 接觸多個(gè)層級(jí)160-1至160-4的面積或占據(jù)面積。因此，在實(shí)行各層級(jí)160-1至160-4中 的存儲(chǔ)器電路時(shí)能獲得更大的空間。如此一來，相較于現(xiàn)有技術(shù)，上層級(jí)中的每一位能具有 較高的存儲(chǔ)器密度與較低的成本。如圖1的剖面所示，內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)的開口使層級(jí)160-4上的接地區(qū)161_4的 兩側(cè)層級(jí)具有與階梯相似的圖案。也就是說，每一層級(jí)的兩個(gè)開口對(duì)稱于與縱向及橫向均 垂直的軸，以及每一層級(jí)的兩個(gè)接地區(qū)亦對(duì)稱于此軸。此處，詞匯「對(duì)稱」是指在形成開口 的工藝上所能容忍的誤差，其中在形成開口時(shí)是使用單一刻蝕掩模中的開口與進(jìn)行多個(gè)刻 蝕步驟，而這些工藝可能使開口的尺寸有所差異。在其它實(shí)施例中，其中每一層級(jí)包括單一開口與單一接地區(qū)，且僅一側(cè)的層級(jí)具 有與階梯相似的圖案。在所示的實(shí)例中，是繪示四個(gè)層級(jí)160-1至160-4。更通常而言，此處所述的小型 內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可以用于層級(jí)0至層級(jí)N，其中N至少為2。一般來說，當(dāng)(i)等于1至N時(shí)，層 級(jí)⑴位于層級(jí)(i_l)上方，且具有鄰近于層級(jí)⑴上的接地區(qū)⑴的開口(i)。開口⑴ 在層級(jí)(i_l)上的接地區(qū)(i_l)上方延伸，當(dāng)(i)大于1時(shí)，開口(i)在層級(jí)(i_l)的鄰近開口(i_l)的上方延伸。開口(i)的遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁與層級(jí)(i)的開口(i_l)的遠(yuǎn)程縱向側(cè) 壁對(duì)準(zhǔn)，且開口(i)的近端縱向側(cè)壁定義開口(i)的長(zhǎng)度。開口(i)的長(zhǎng)度至少等同于接 地區(qū)(i_l)的長(zhǎng)度加上開口(i_l)的長(zhǎng)度。當(dāng)(i)大于1時(shí)，開口(i)的橫向側(cè)壁與層級(jí) (i-1)中的開口(i_l)的橫向側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)，以及開口(i)的橫向側(cè)壁定義開口(i)的寬度至少 等同于接地區(qū)(i-i)的寬度。在其它實(shí)施例中也可以使用其它種類的存儲(chǔ)單元與結(jié)構(gòu)。可使用的其它種類存儲(chǔ) 單元的實(shí)例包括介電電荷捕獲層(dielectric charge trapping)與浮置柵極存儲(chǔ)單元。舉 例來說，在其它實(shí)施例中，元件的層級(jí)可以是被絕緣材料分隔的平面存儲(chǔ)單元陣列，其具有 使用薄膜晶體管或相關(guān)技術(shù)的存取元件而形成于層級(jí)內(nèi)的存取線。此外，本文所述的內(nèi)聯(lián) 機(jī)結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于其它種類的三維集成電路元件中，其中導(dǎo)體在較小占據(jù)面積內(nèi)延伸至元 件的各層級(jí)。圖3A為部分三維疊層集成電路元件100的剖面圖，包括存儲(chǔ)器陣列區(qū)110與具有 本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190的周邊區(qū)120。在圖3A中，存儲(chǔ)器陣列區(qū)110可用于一次編程多層級(jí)存儲(chǔ)單元，如敘述于Limg的 美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?2/430，290中的一次編程多層級(jí)存儲(chǔ)單元，其由本申請(qǐng)案的受讓人所共 有且并入本文。本文以描述代表性的集成電路結(jié)構(gòu)為例，其中可使用3D內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器陣列區(qū)110包括存儲(chǔ)器存取層112，存儲(chǔ)器存取層112包括水平的場(chǎng)效晶體 管存取元件131a、131b，其具有位于半導(dǎo)體基底130中的源極區(qū)132a、132b與漏極區(qū)134a、 134b?；?30可能包括硅基體或絕緣層上硅層或其它已知的用以支撐集成電路的現(xiàn)有結(jié) 構(gòu)。溝道隔離結(jié)構(gòu)135a、135b位于基底130中。字線140a、140b作為存取元件131a、131b 的柵極。接觸插塞142a、142b延伸穿過內(nèi)層介電層144以將漏極區(qū)134a、134b耦接至位線 150a、150b。接觸墊15加、152b與下方接觸窗146a、146b耦接，以對(duì)存取晶體管的源極區(qū)13加、 132b提供連接。接觸墊152a、152b與位線150a、150b位于內(nèi)層介電層154中。在所示的實(shí)例中，層級(jí)由各個(gè)平坦的導(dǎo)體層所構(gòu)成，其中導(dǎo)體層的材料例如是摻 雜多晶硅?？蛇x地，層級(jí)可以不是平坦的疊層材料層，也就是材料層可以在垂直尺寸上具有變化。絕緣層165-1至165-3使層級(jí)160_1至160_4彼此分離。絕緣層166位于層級(jí) 160-1至160-4與絕緣層165-1至165-3上方。多個(gè)電極柱171a、171b排列在存儲(chǔ)單元存取層112的頂部上，且在層級(jí)中延伸。在 此圖式中，第一電極柱171a包括中心導(dǎo)電核170a，中心導(dǎo)電核170a例如是由鎢或其它電極 材料所制成且被多晶硅外殼17 環(huán)繞。層17 形成于多晶硅外殼17 與多個(gè)層級(jí)160-1 至160-4之間，其中層17 包括反熔(anti-fuse)材料或其它可編程存儲(chǔ)器材料。在此實(shí) 例中，層級(jí)160-1至160-4包括相當(dāng)高度摻雜的η型多晶硅，且多晶硅外殼17 包括相當(dāng) 高度摻雜的P型多晶硅。較佳地，多晶硅外殼17 的厚度大于由p-n接面所形成的空乏區(qū) 的深度?？辗^(qū)的深度部分是由形成空乏區(qū)的η型與ρ型多晶硅的相對(duì)摻雜濃度所決定。 層級(jí)160-1至160-4與外殼17 也可以使用非晶硅。此外，亦可使用其它半導(dǎo)體材料。第一電極柱171a耦接至接觸墊15加。第二電極柱171b包括導(dǎo)電核170b、多晶硅 外殼172b，以及反熔絲材料層174b耦接至接觸墊152b。
多個(gè)層級(jí)160-1至160-4與柱171a、171b之間的接口區(qū)域包括存儲(chǔ)器構(gòu)件 (element)，所述存儲(chǔ)器構(gòu)件包括具有整流器的可編程元件，將在下文中詳述。在原生狀態(tài)(native state)時(shí)，柱171a的反熔絲材料層17 具有高阻抗，其中 反熔絲材料可能是二氧化硅、氮氧化硅或其它硅氧化物?？梢允褂闷渌慈劢z材料，諸如氮 化硅。在將適當(dāng)?shù)碾妷菏┘又磷志€140、位線150以及多個(gè)層級(jí)160-1至160-4以進(jìn)行編程 后，反熔絲材料層17 會(huì)故障，且位于與對(duì)應(yīng)層級(jí)鄰近的反熔絲材料內(nèi)的主動(dòng)區(qū)可能處于 低阻抗?fàn)顟B(tài)。如圖3A所示，層級(jí)160-1至160_4的多個(gè)導(dǎo)體層延伸至周邊區(qū)120，周邊區(qū)120具 有用于層級(jí)160-1至160-4的支撐電路與導(dǎo)體180。周邊區(qū)120可以使用多種元件，以支撐 譯碼邏輯與集成電路100上的其它電路。導(dǎo)體180排列于內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190內(nèi)，以接觸各層級(jí)160_1至160_4上的接地區(qū)。如 同接下來所詳述的，用于每一特定層級(jí)160-1至160-4的導(dǎo)體180延伸通過上方層級(jí)的開 口至包括導(dǎo)電內(nèi)連導(dǎo)線185的線路層。導(dǎo)電內(nèi)連導(dǎo)線185提供層級(jí)160-1至160-4與周邊 區(qū)120的譯碼電路之間的內(nèi)聯(lián)機(jī)。如圖3A中的虛線所示，接觸不同層級(jí)160-1至160_4的導(dǎo)體180在縱向上排列， 所述縱向是指在圖3A所示的剖面內(nèi)與外延伸的方向。圖;3B為圖3A的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190沿線圖!3B-圖的縱向剖面圖，顯示如圖1所示 的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190。如圖:3B所示，用于每一特定層級(jí)的導(dǎo)體180延伸通過上方層級(jí)的開口， 以接觸接地區(qū)。所繪示的實(shí)例是以四個(gè)層級(jí)160-1至160-4為例。一般來說，本文所述的小型內(nèi) 聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于具有層級(jí)O至N的結(jié)構(gòu)，其中N至少為2。在其它實(shí)施例中也可以使用其它種類的存儲(chǔ)單元與結(jié)構(gòu)。舉例來說，在其它實(shí)施 例中，元件的層級(jí)可以是被絕緣材料分隔的平面存儲(chǔ)單元陣列，其具有使用薄膜晶體管或 相關(guān)技術(shù)的存取元件而形成于層級(jí)內(nèi)的存取線。此外，本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于 其它種類的三維集成電路元件中，其中導(dǎo)體在較小占據(jù)面積內(nèi)延伸至元件的各層級(jí)。在圖3A至圖;3B中，所繪示的是單一內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)190。多個(gè)內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可以排 列在元件中的各個(gè)位置，諸如環(huán)繞存儲(chǔ)器陣列區(qū)110，以提供較平均的電力分布(power distribution)。圖4為一實(shí)施例的元件100的上視布局，元件100包括兩列內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)， 此兩列內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)包括在陣列的兩側(cè)上的周邊區(qū)120中的區(qū)域190-1、190-2內(nèi)的列。圖5 為一實(shí)施例的上視布局，其包括在陣列的四邊上的周邊區(qū)120中的四列內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，包括 列190-1、190-2、190-3、190-4。舉例來說，陣列尺寸包括排成1000列與1000行的存儲(chǔ)單 元，且具有10個(gè)層級(jí)，其中定義出字線寬度與位線寬度的為特征尺寸F，其中位于層級(jí)上的 接地區(qū)的尺寸約為F，接著可看出一個(gè)內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)所占據(jù)的區(qū)域的長(zhǎng)度約為層級(jí)數(shù)的倍數(shù) 的2F或20F，而每條字線的線寬約為2F或更大，使陣列的寬度約為2000F。因此，由此實(shí)例 可知，根據(jù)陣列寬度可在諸如列190-3的列中形成約100個(gè)內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，且根據(jù)陣列長(zhǎng)度可 在諸如列190-1的列中形成相似數(shù)目的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。在其它實(shí)施例中，除了周邊區(qū)120具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)以外，存儲(chǔ)器陣列區(qū)110中也可 以具有一或多個(gè)內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，或者是以存儲(chǔ)器陣列區(qū)110中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)取代周邊區(qū)120 中的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。此外，內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)可能在對(duì)角方向上或任何其它方向延伸，而限制于平行于存儲(chǔ)器陣列區(qū)110的邊緣。圖6為存儲(chǔ)器元件的局部示意圖，此存儲(chǔ)器元件包括本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)。第 一電極柱171a耦接至由位線150a與字線140a所選取的存取晶體管131a。多個(gè)存儲(chǔ)器構(gòu) 件5444至544-4連接至柱171a。每一存儲(chǔ)器構(gòu)件包括與整流器M9串聯(lián)的可編程構(gòu)件 5480即使將反熔絲材料層配置在p-n接面處，此列的排列方式代表圖3A至圖所示的結(jié) 構(gòu)。以記號(hào)來代表可編程構(gòu)件M8，此記號(hào)通常用來代表反熔絲。然而，可以理解的是也可 以使用其它種類的可編程阻抗材料與結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施例中是以位于導(dǎo)電板(plane)與電極柱中的多晶硅之間的p_n接 面作為整流器M9，但也可以使用其它整流器。舉例來說，整流器可以是基于硅化鍺的固態(tài) 電解質(zhì)或其它合適材料的整流器。請(qǐng)參照美國(guó)專利第7，382，647號(hào)中所述的其它代表性固 態(tài)電解材料。每一存儲(chǔ)器構(gòu)件討4_1至討4_4耦接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層級(jí)160-1至160-4。層 級(jí)160-1至160-4通過通孔導(dǎo)體180與內(nèi)連導(dǎo)線185而耦接至平面譯碼器(plane decoder) 546ο平面譯碼器546響應(yīng)地址(addresses)以提供電壓(諸如接地電壓討7)至 被選取的層級(jí)，因此存儲(chǔ)器構(gòu)件的整流器會(huì)被施加正向偏壓(forward biased)與導(dǎo)通，以 及提供電壓至未被選取的層級(jí)或使未被選取的層級(jí)為浮置狀態(tài)，因此存儲(chǔ)器構(gòu)件的整流器 會(huì)被施加反向偏壓(reversed biased)與未導(dǎo)通。圖7為集成電路元件300的簡(jiǎn)化方塊圖，其包括具有本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的3D 存儲(chǔ)器陣列360。列譯碼器361耦接至多個(gè)字線140，且沿存儲(chǔ)器陣列360中的列而配置。 行譯碼器363耦接至沿存儲(chǔ)器陣列360中的行而配置的多個(gè)位線150，以用于自陣列360中 的存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)并對(duì)其進(jìn)行編程。平面譯碼器546經(jīng)由導(dǎo)體180與內(nèi)連導(dǎo)線185耦接 至存儲(chǔ)器陣列360中的多個(gè)層級(jí)160-1至160-4。地址施加至總線365，而傳送至行譯碼器 363、列譯碼器361以及平面譯碼器M6。區(qū)塊366中的感測(cè)放大器及數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)在此實(shí)例 中經(jīng)由數(shù)據(jù)總線367耦接至行譯碼器363。數(shù)據(jù)經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入線371自集成電路300上的輸 入/輸出端供應(yīng)至區(qū)塊366中的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)。在所說明的實(shí)施例中，集成電路300上包含 其它電路374，諸如通用處理器或特殊應(yīng)用電路，或提供芯片上系統(tǒng)(system-on-a-chip) 功能性的模塊的組合。數(shù)據(jù)經(jīng)由數(shù)據(jù)輸出線372自區(qū)塊366中的感測(cè)放大器供應(yīng)至集成電 路300上的輸入/輸出端，或供應(yīng)至集成電路300內(nèi)部或外部的其它數(shù)據(jù)目的地。在此實(shí)例中使用偏壓配置狀態(tài)機(jī)369構(gòu)建的控制器控制經(jīng)由區(qū)塊368中的電壓源 產(chǎn)生或提供的偏壓配置供電電壓(諸如讀取及編程電壓)的施加?？墒褂么隧?xiàng)技術(shù)中已知 的特殊用途邏輯電路來構(gòu)建所述控制器。在替代實(shí)施例中，控制器包括可在同一集成電路 上構(gòu)建的通用處理器，其執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序以控制元件的操作。在又一些實(shí)施例中，特殊用途 邏輯電路與通用處理器的組合可用于構(gòu)建所述控制器。圖8A至圖15為制造如本文所述的具有相當(dāng)小的占據(jù)面積的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的步驟流 程圖。圖8A與圖8C為制造流程的第一步驟的剖面圖，以及圖8B為制造流程的第一步驟 的上視圖。為了達(dá)到此應(yīng)用的目的，第一步驟為于所提供的存儲(chǔ)單元存取層112上方形成 多個(gè)層級(jí)160-1至160-4。在此實(shí)施例中，以Lung共有的美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?2/430，290所 述的工藝來形成圖8A至8C所示的結(jié)構(gòu)，其中美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?2/430，四0的內(nèi)容并入本文
16中。在其它實(shí)施例中，根據(jù)本文所述的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)所應(yīng)用的元件，層級(jí)可以所屬領(lǐng)域 所知的標(biāo)準(zhǔn)工藝來形成且可能包括諸如晶體管與二極管等存取元件、字線、位線以及源極 線、導(dǎo)電插塞以及位于基底內(nèi)的摻雜區(qū)。如同前文所述，在其它實(shí)施例中，也可以在存儲(chǔ)器陣列區(qū)110中使用其它種類的 存儲(chǔ)單元與結(jié)構(gòu)。接著，在圖8A至圖8C所示的結(jié)構(gòu)上形成具有開口 810的第一掩模800，以形成分 別由圖9A與圖9B的上視圖與剖面圖所示的結(jié)構(gòu)。第一掩模800可以通過沉積用以形成第 一掩模800的層、以及使用光刻技術(shù)來圖案化層，以形成開口 810。第一掩模800可以包括 諸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等硬掩模材料。第一掩模800的開口 810環(huán)繞由層級(jí)160_1至160_4上的接地區(qū)所組成的區(qū)域的 周邊。因此，開口 810的寬度192至少等同于位于層級(jí)160-1至160-4上的接地區(qū)的寬度， 因此而后所形成的導(dǎo)體180可以通過層級(jí)的開口。開口 810的長(zhǎng)度194至少等同于位于層 級(jí)160-1至160-4上的接地區(qū)的長(zhǎng)度的總和，因此而后所形成的導(dǎo)體180可以通過層級(jí)的開口。接著，在圖9A至圖9B所示的結(jié)構(gòu)上形成第二刻蝕掩模900，其中圖9A至圖9B所 示的結(jié)構(gòu)包括位于其中的開口 810，以形成分別由圖IOA與圖IOB的上視圖與剖面圖所示的 結(jié)構(gòu)。如圖所示，第二刻蝕掩模900的長(zhǎng)度910小于開口 810的長(zhǎng)度194，且第二刻蝕掩模 900的寬度至少等同于開口 810的寬度192。在此實(shí)施例中，第二刻蝕掩模900包括材料，此材料與第一掩模800的材料之間具 有選擇刻蝕比，因此在接下來所述的接續(xù)程序步驟中，在開口 810內(nèi)的第二掩模900的長(zhǎng)度 可以選擇性地減少。在其它字符中，為了能夠縮減第二掩模900的長(zhǎng)度，第二掩模900的材 料的刻蝕率大于第一掩模800的材料的刻蝕率。舉例來說，在第一掩模800包括硬掩模材 料的實(shí)施例中，第二掩模可以包括光刻膠。接著，以第一與第二掩模800、900為刻蝕掩模，對(duì)圖IOA與圖IOB所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行 刻蝕工藝，以形成分別由圖IlA與圖IlB的上視圖與剖面圖所示的結(jié)構(gòu)。刻蝕工藝可以通 過使用單一刻蝕化學(xué)(single etch chemistry)來執(zhí)行，舉例來說，時(shí)間模式刻蝕(timing mode etch)?？蛇x地，也可以使用不同的刻蝕化學(xué)來進(jìn)行刻蝕工藝，以分別刻蝕絕緣層166、 層級(jí)160-4、絕緣材料165-3以及層級(jí)160-3?？涛g工藝可以在層級(jí)160-4中形成開口 1000，以暴露層級(jí)160_3的一部分。開口 1000位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161-la上方。開口 1000的長(zhǎng)度1002至少等同于接地區(qū) 161-la的長(zhǎng)度，以及開口 1000的寬度1004至少等同于接地區(qū)161_la的寬度。刻蝕工藝亦于層級(jí)160-4中形成開口 1010，以暴露層級(jí)160-3的一部分。開口 1010位于層級(jí)160-1上的接地區(qū)161-lb上方。開口 1010的長(zhǎng)度1012至少等同于接地區(qū) 161-lb的長(zhǎng)度，以及開口 1010的寬度1014至少等同于接地區(qū)161_lb的寬度。接著，減少掩模900的長(zhǎng)度910，以形成具有經(jīng)縮減的長(zhǎng)度1110的掩模1100，以 形成分別由圖12A與圖12B的上視圖與剖面圖所示的結(jié)構(gòu)。舉例來說，在掩模900包括 光刻膠的實(shí)施例中，例如是可以使用基于Cl2或HBr的化學(xué)的反應(yīng)性離子刻蝕來進(jìn)行修整 (trimmed)。
接著，以第一掩模800與具有較小長(zhǎng)度的掩模1100為刻蝕掩模，對(duì)圖12A與圖12B 所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝，以形成分別由圖13A與圖13B的上視圖與剖面圖所示的結(jié)構(gòu)。刻蝕工藝可將開口 1000、1010延伸至層級(jí)160_3，以暴露層級(jí)160_2的下部分?？涛g工藝亦可在部分層級(jí)160-4中形成開口 1200、1210，且由于掩模1100的長(zhǎng)度 經(jīng)縮減，因此開口 1200、1210不會(huì)被掩模1100覆蓋，以此暴露部分層級(jí)160-3。在鄰近開口 1000處形成開口 1200，且開口 1200位于層級(jí)160-2上的接地區(qū)161- 上方。開口 1200 的長(zhǎng)度1202至少等同于接地區(qū)161- 的長(zhǎng)度，以及開口 1200的寬度1204至少等同于接 地區(qū)161- 的寬度。在鄰近開口 1010處形成開口 1210，且開口 1210位于層級(jí)160_2上的接地區(qū) 161-2b上方。開口 1210的長(zhǎng)度1212至少等同于接地區(qū)161_2b的長(zhǎng)度，以及開口 1210的 寬度1204至少等同于接地區(qū)161-2b的寬度。接著，減少掩模1100的長(zhǎng)度1110，以形成具有經(jīng)縮減的長(zhǎng)度1305的掩模1300。以 第一掩模800與掩模1300為刻蝕掩模，以形成分別由圖14A與圖14B的上視圖與剖面圖所 示的結(jié)構(gòu)。刻蝕工藝可將開口 1000、1010延伸至層級(jí)160_2，以暴露層級(jí)160_1上的接地區(qū) 161-la、161-lb?？涛g工藝亦可將開口 1200、1210延伸至層級(jí)160-3，以暴露層級(jí)160-2上 的接地區(qū) 161-2aU61-2b0刻蝕工藝亦可在部分層級(jí)160-4中形成開口 1310、1320，且由于掩模1300的長(zhǎng) 度經(jīng)縮減，因此開口 1310、1320不會(huì)被掩模1300覆蓋，以此暴露層級(jí)160-3上的接地區(qū) 161-3a、161-3b。在鄰近開口 1200處形成開口 1310。開口 1310的長(zhǎng)度1312至少等同于接地區(qū) 161-3a的長(zhǎng)度，以及開口 1310的寬度1314至少等同于接地區(qū)161_3a的寬度。在鄰近開口 1210處形成開口 1320。開口 1320的長(zhǎng)度1322至少等同于接地區(qū) 161- 的長(zhǎng)度，以及開口 1320的寬度13M至少等同于接地區(qū)161- 的寬度。接著，在圖14A與圖14B所示的結(jié)構(gòu)上沉積絕緣填充物材料1400且進(jìn)行諸如化學(xué) 機(jī)械拋光工藝(CMP)等平坦化工藝，以移除掩模800、1300，而形成由圖15的剖面圖所示的 結(jié)構(gòu)。接著，形成光刻圖案，以定義用于導(dǎo)體180而連通接地區(qū)的通孔。可以使用反應(yīng)性 離子刻蝕工藝以于絕緣填充物材料1400中形成具有深度與高深寬比的通孔，以提供用于 導(dǎo)體180的通孔。在打開通孔后，以鎢或其它導(dǎo)電材料填滿通孔，以形成導(dǎo)體180。接著進(jìn) 行金屬化工藝以形成內(nèi)連導(dǎo)線185，進(jìn)而提供導(dǎo)體180與元件上的平面譯碼電路之間的內(nèi) 聯(lián)機(jī)。最后，進(jìn)行后段工藝，以完成集成電路，而形成如圖3A與圖:3B所示的結(jié)構(gòu)。各層級(jí)的開口是用來使導(dǎo)體能通過下方層級(jí)上的接地區(qū)，其形成方法例如是使用 單一刻蝕掩模800的開口 810來圖案化層級(jí)，以及以不需要嚴(yán)格對(duì)準(zhǔn)步驟的工藝來刻蝕額 外掩模。因此位于各層級(jí)中且具有垂直對(duì)準(zhǔn)側(cè)壁的開口是以自行對(duì)準(zhǔn)的方式形成。在上述的實(shí)施例中，掩模800的開口 810在平面圖中具有矩形的剖面。因此，各層 級(jí)的開口在橫向上具有實(shí)質(zhì)上相同的寬度?？蛇x地，根據(jù)各層級(jí)的接地區(qū)的形狀，掩模800 的開口的剖面也可以是圓形、橢圓形、方形、矩形或其它不規(guī)則形狀。舉例來說，為了配合具有不同寬度的接地區(qū)，掩模800的開口寬度可以在縱向上改變。圖16為掩模800的開口 1510的平面圖，其中開口 1510的寬度在縱向上呈階梯式變 化，因此層級(jí)的寬度開口也隨之改變。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，本來領(lǐng)域技術(shù)人員 在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán) 利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件，其特征在于，包括包括多個(gè)層級(jí)的三維結(jié)構(gòu)，包括層級(jí)0至N，其中N至少為2，當(dāng)(i)等于0至N-I時(shí)，其中層級(jí)(i)包括在縱向上具有長(zhǎng)度以及在橫向上具有寬度 的接地區(qū)(i)，以及當(dāng)⑴等于1至N時(shí)，其中層級(jí)⑴位于層級(jí)(i-Ι)上方且具有開口(i)，以及當(dāng)⑴ 等于1至N-I時(shí)，所述開口(i)鄰近所述層級(jí)⑴上的所述接地區(qū)(i)，以及當(dāng)⑴大于1 時(shí)，所述層級(jí)(i)在所述層級(jí)(i_l)上的所述接地區(qū)(i_l)上方延伸，并在所述層級(jí)(i_l) 的所述開口(i_l)上方延伸，所述開口(i)具有遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁與近端縱向側(cè)壁，所述開口 ⑴的所述遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁與所述層級(jí)(i-Ι)中的所述開口(i-Ι)的所述遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)， 以及所述開口(i)的所述近端縱向側(cè)壁定義開口(i)的長(zhǎng)度，使所述開口(i)的所述長(zhǎng)度 至少等同于所述接地區(qū)(i_l)的長(zhǎng)度加上所述開口(i_l)的長(zhǎng)度，當(dāng)(i)大于1時(shí)，所述開 口(i)的橫向側(cè)壁與所述層級(jí)(i_l)的所述開口(i_l)的所述橫向側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)，以及所述開 口(i)的所述橫向側(cè)壁定義所述開口(i)在所述接地區(qū)(i_l)上方的寬度，使所述開口的 所述寬度至少等同于所述接地區(qū)(i_l)的寬度；以及絕緣填充物，位于層級(jí)1至N的所述開口中，以及導(dǎo)體，在所述開口內(nèi)的所述絕緣填充物中延伸，以接觸位于層級(jí)0至N-I上的所述接地區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其特征在于當(dāng)⑴大于1時(shí)，所述開口⑴的所述遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁自行對(duì)準(zhǔn)所述層級(jí)(i_l)的所述 開口(i_l)的所述遠(yuǎn)程縱向側(cè)壁；以及當(dāng)(i)大于1時(shí)，所述開口(i)的所述橫向側(cè)壁自行對(duì)準(zhǔn)所述層級(jí)(i_l)的所述開口 (i-Ι)的所述橫向側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其特征在于，所述多個(gè)層級(jí)中的層級(jí)包括導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其特征在于，更包括位于所述多個(gè)層級(jí)上方的線路層， 所述線路層包括與所述導(dǎo)體接觸的導(dǎo)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的元件，其特征在于，所述導(dǎo)線將所述多個(gè)層級(jí)耦接至譯碼電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其特征在于，所述多個(gè)層級(jí)中的層級(jí)包括各個(gè)存儲(chǔ)單 元陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其特征在于當(dāng)⑴等于0至N-I時(shí)，層級(jí)⑴包括用以接觸導(dǎo)體的額外接地區(qū)⑴；以及當(dāng)⑴等于1至N時(shí)，層級(jí)⑴具有額外開口⑴，且當(dāng)⑴等于1至N-I時(shí)，所述額 外開口(i)鄰近層級(jí)(i)上的所述額外接地區(qū)(i)，以及層級(jí)(i)在層級(jí)(i_l)上的所述額 外接地區(qū)(i_l)上方延伸，以及當(dāng)(i)大于1時(shí)，層級(jí)(i)在層級(jí)(i_l)中的所述額外開口 (i-Ι)上方延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件，其特征在于，當(dāng)⑴等于1至N-I時(shí)，所述接地區(qū)⑴ 與所述額外接地區(qū)(i)對(duì)稱于與所述縱向及所述橫向均平行的軸，以及所述開口(i)與所 述額外開口(i)對(duì)稱于所述軸。
9.一種制造具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件的方法，其特征在于，包括形成包括多個(gè)層級(jí)的三維結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)層級(jí)包括層級(jí)0至N，其中N至少為2， 當(dāng)⑴等于1至N時(shí)，其中層級(jí)⑴位于層級(jí)(i-Ι)上方，以及 當(dāng)(i)等于0至N-I時(shí)，其中層級(jí)(i)包括在縱向上具有長(zhǎng)度以及在橫向上具有寬度 的接地區(qū)(i)；形成具有開口的第一掩模，所述開口位于所述多個(gè)層級(jí)上的所述接地區(qū)上方，當(dāng)(i) 等于0至N-I時(shí)，所述第一掩模的所述開口在縱向上的長(zhǎng)度至少等同于所述接地區(qū)(i)的 所述長(zhǎng)度的總和，以及當(dāng)(i)等于0至N-I時(shí)，所述第一掩模的所述開口的位于層級(jí)(i)上 的接地區(qū)(i)上方的寬度至少等同于層級(jí)(i)上的所述接地區(qū)(i)的所述寬度；在所述第一掩模的所述開口上方形成第二掩模，所述第二掩模在縱向上的長(zhǎng)度小于所 述第一掩模的所述開口的所述長(zhǎng)度，以及所述第二掩模在橫向上的寬度至少等同于所述第 一掩模的所述開口的所述寬度；以及重復(fù)下列步驟，其中(j)等于0至N-I 以所述第一與第二掩模為刻蝕掩模進(jìn)行刻蝕，以此形成開口，所述開口位于層級(jí)(j) 上的所述接地區(qū)(j)上方；以及以層級(jí)(j+Ι)上的所述接地區(qū)(j+Ι)的所述長(zhǎng)度來縮減所述第二掩模在所述第一掩模 的所述開口中的所述長(zhǎng)度；增加j，并對(duì)小于或等于N-I的j重復(fù)所述刻蝕與所述縮減； 在層級(jí)1至N的所述開口內(nèi)形成絕緣填充物材料；以及形成在所述開口內(nèi)的所述絕緣填充物中延伸的導(dǎo)體，以接觸位于層級(jí)0至N-I上的所 述接地區(qū)。
10. 一種制造元件的方法，其特征在于，包括形成多個(gè)層級(jí)，所述多個(gè)層級(jí)分別具有接地區(qū)，所述接地區(qū)分別在縱向上具有長(zhǎng)度以 及分別在橫向上具有寬度，其中形成所述多個(gè)層級(jí)包括形成第一層級(jí)、形成位于所述第一 層級(jí)上方的第二層級(jí)以及形成位于所述第二層級(jí)上方的第三層級(jí)；形成位于所述多個(gè)層級(jí)上方的第一掩模，所述第一掩模具有開口，所述開口在縱向上 具有長(zhǎng)度以及在橫向上具有寬度，所述第一掩模的所述開口的所述長(zhǎng)度至少等同于所述第 一、第二以及第三層級(jí)上的所述接地區(qū)的所述長(zhǎng)度的總和，以及位于所述多個(gè)層級(jí)中的特 定層級(jí)上的所述接地區(qū)上方的所述第一掩模的所述開口的所述寬度至少等同于所述特定 層級(jí)上的所述接地區(qū)的所述寬度；在所述第一掩模的所述開口上方形成第二掩模，所述第二掩模在縱向上的長(zhǎng)度小于所 述第一掩模的所述開口的所述長(zhǎng)度，以及所述第二掩模在橫向上的寬度至少等同于所述第 一掩模的所述開口的所述寬度；以所述第一與第二掩模為刻蝕掩模對(duì)所述第三層級(jí)進(jìn)行刻蝕，以此于第三層級(jí)中形成 第一開口，所述第一開口位于所述第一層級(jí)上的所述接地區(qū)上方，所述第一開口的寬度至 少等同于所述第一層級(jí)上的所述接地區(qū)的所述寬度，以及所述第一開口的長(zhǎng)度至少等同于 所述第一層級(jí)上的所述接地區(qū)的所述長(zhǎng)度；縮減位于所述第一掩模的所述開口內(nèi)的所述第二掩模的所述長(zhǎng)度，以形成第三掩模； 以所述第一與第三掩模為刻蝕掩模對(duì)所述第二與第三層級(jí)進(jìn)行刻蝕，使所述第一開口 延伸于所述第二層級(jí)中，以及在所述第三層級(jí)中形成鄰近所述第一開口的第二開口，所述第二開口位于所述第二層級(jí)上的所述接地區(qū)上方，所述第二開口的寬度至少等同于所述第 二層級(jí)上的所述接地區(qū)的所述寬度，以及所述第二開口的長(zhǎng)度至少等同于所述第二層級(jí)上 的所述接地區(qū)的所述長(zhǎng)度；以及形成延伸于所述第一與第二開口中的導(dǎo)體，以接觸所述第一與第二層級(jí)上的所述接地區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件，該具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件具有小的占據(jù)面積，用以連接多層級(jí)元件中的上層電路結(jié)構(gòu)與其它層級(jí)的電路結(jié)構(gòu)。此外，本方面還提供一種具有高效率且低成本的制造具有內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)的三維疊層元件的方法。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102088019SQ20101028932
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2010年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月14日
發(fā)明者龍翔瀾 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司