專利名稱：包含多柵極晶體管的系統(tǒng)和裝置及其使用、制造和操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及電子裝置，且更具體來說，在特定實(shí)施例中，涉及鰭式 場(chǎng)效晶體管。
背景技術(shù)：
鰭式場(chǎng)效晶體管(finFET)常圍繞從襯底大體上垂直延伸的鰭(例如，高、薄半導(dǎo) 電構(gòu)件)建構(gòu)。通常，柵極通過共形地使鰭的一側(cè)升高高于頂部且使鰭的另一側(cè)下降而橫 貫鰭。通常，源極和漏極位于鰭中的柵極的相對(duì)側(cè)上。在操作中，通過源極與漏極之間的鰭 的電流是通過選擇性地激勵(lì)柵極來控制。常規(guī)finFET難以制造為集成電路。通常，制造商努力將finFET制造得盡可能小 以增加每一制造進(jìn)程所構(gòu)造的芯片的數(shù)目，或通過增加每一芯片中的finFET的數(shù)目來增 加其功能性。然而，一些常規(guī)finFET當(dāng)按比例縮放到小于特定大小時(shí)呈現(xiàn)較低產(chǎn)量，因?yàn)?難以將光刻設(shè)備與小結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)。此挑戰(zhàn)因一些常規(guī)裝置的制造過程中所涉及的光刻步驟的 數(shù)目而加劇。舉例而言，一些finFET是以三個(gè)或三個(gè)以上光刻步驟形成，且每一步驟引入 了未對(duì)準(zhǔn)光掩模的另一可能性。


圖1到圖23說明根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的制造工藝的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式以下描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。為了提供這些實(shí)施例的簡(jiǎn)明描述，并非實(shí)際實(shí)施 方案的所有特征均描述于本說明書中。應(yīng)了解，在任何所述實(shí)際實(shí)施方案的開發(fā)過程中， 如同在任何工程或設(shè)計(jì)工程中，必須作出許多實(shí)施方案特定的決策以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目 標(biāo)，例如，順應(yīng)系統(tǒng)相關(guān)和商業(yè)相關(guān)的約束，所述目標(biāo)在不同實(shí)施方案之間可彼此不同。此 外，應(yīng)了解，此開發(fā)工作量可能為復(fù)雜且耗時(shí)的，然而，對(duì)于具有本揭示案的益處的一般技 術(shù)者而言將為設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和制造中的例行任務(wù)?？捎尚轮圃旃に嚨奶囟▽?shí)施例減輕以上論述的問題中的一些。以下描述的這些實(shí) 施例通過兩個(gè)光刻步驟來構(gòu)造finFET —個(gè)光刻步驟界定大體上橢圓形區(qū)域，且另一個(gè)光 刻步驟將大體上橢圓形區(qū)域分割為若干行，進(jìn)而界定鰭。將光刻步驟的數(shù)目從三個(gè)或三個(gè) 以上減少到兩個(gè)減少了對(duì)準(zhǔn)步驟的數(shù)目，且相信此情形潛在地增加制造工藝的產(chǎn)量。另外， 因?yàn)榈诙饪滩襟E對(duì)準(zhǔn)于橢圓形而非圓形，所以對(duì)準(zhǔn)裕量在橢圓形的長(zhǎng)軸的方向上增加， 進(jìn)而潛在地進(jìn)一步增加產(chǎn)量。并非以下描述的所有實(shí)施例均解決以上論述的問題，且一些可解決關(guān)于常規(guī) finFET的其它問題。舉例而言，一些實(shí)施例產(chǎn)生經(jīng)布置而使得其源極或其漏極大體上沿直 線定位的finFET。結(jié)果，在一些實(shí)施例中，大體上直導(dǎo)體可直接連接到沿所述線的源極或漏極中的每一者。相信此情形相對(duì)于一起伏以達(dá)到每一源極或漏極的導(dǎo)體而降低所述導(dǎo)體的 阻抗。在另一實(shí)例中，以下描述的一些實(shí)施例通過相對(duì)深溝槽而將finFET彼此隔離。在一 些常規(guī)裝置中，finFET僅由其制造過程中所使用的最深溝槽部分圍繞，因此finFET可比其 它finFET與鄰近finFET更好地隔離。如下文所解釋，本發(fā)明工藝的一些實(shí)施例形成由在 制造過程中所使用的最深溝槽實(shí)質(zhì)上或完全圍繞的finFET。結(jié)果，相信一些實(shí)施例比特定 常規(guī)裝置更好地隔離finFET。如圖1中所說明，制造工藝開始于提供襯底110。襯底110可包含例如單晶或多晶 硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)電材料或具有半導(dǎo)體性質(zhì)的其它材料。或者或另外，襯底110可 包含非半導(dǎo)體表面(可在其上構(gòu)造電子裝置)，例如，塑料或陶瓷工作表面。舉例而言，襯 底110可為未經(jīng)處理的整個(gè)晶片、部分處理的整個(gè)晶片、充分處理的整個(gè)晶片、分割的晶片 的一部分或經(jīng)封裝電子裝置中的分割的晶片的一部分的形式。襯底110可包含上摻雜層112和下?lián)诫s層114。上摻雜層112和下?lián)诫s層114可 經(jīng)不同摻雜。舉例而言，上摻雜層112可為N+材料且下?lián)诫s層114可為P-材料。上摻雜 層112的深度在襯底110的實(shí)質(zhì)部分上(例如，遍及存儲(chǔ)器裝置的陣列區(qū)域的實(shí)質(zhì)部分)可 為大體上均勻的?？赏ㄟ^植入或擴(kuò)散摻雜劑材料來形成上摻雜層112和下?lián)诫s層114?；?者或另外，這些層112和/或114中的一者或兩者可在襯底110的全部或部分的生長(zhǎng)或沉 積期間(例如，在半導(dǎo)材料的外延沉積期間或在可切割出晶片的半導(dǎo)電錠的生長(zhǎng)期間)經(jīng) 摻雜。如下文參考圖20所解釋，在后續(xù)處理之后，來自上摻雜層112的材料可形成晶體管 的源極和漏極兩者，且來自下?lián)诫s層114的材料可形成晶體管的通道。圖2說明已在上摻雜層112上形成掩模116之后的襯底110。所說明的掩模116包 含多個(gè)大體上正橢圓柱體，其與襯底110的表面大體上正交。在其它實(shí)施例中，掩模116可 界定其它形狀，例如，圓形、正方形、矩形或三角形。在此實(shí)施例中，掩模116的所說明的柱 體中的每一者大體上與其它柱體相似或相同，且柱體中的每一者的特征可為長(zhǎng)軸118、短軸 120和中心軸122。在一些實(shí)施例中，短軸可為約1F，其中F為用于圖案化所述掩模116的 系統(tǒng)(例如，光刻系統(tǒng))的分辨率，且長(zhǎng)軸118大于1F，且可大于、小于或大體上等于1.5F、 2F、3F或4F。其它實(shí)施例可包含具有不同形狀的掩模116，例如，如矩形的特定其它細(xì)長(zhǎng)形 狀或如圓形或正方形的非細(xì)長(zhǎng)形狀。在所說明的實(shí)施例中，掩模116的柱體以具有交錯(cuò)行 的六方晶格布置，但在其它實(shí)施例中，其可不同地布置于(例如)具有大體上對(duì)準(zhǔn)的行和列 的正方形晶格中。掩模116可在長(zhǎng)軸118的方向上以周期121重復(fù)，且其可在短軸120的 方向上以周期123重復(fù)。掩模116可為經(jīng)圖案化的光致抗蝕劑，或掩模116可為通過沉積 氧化物、氮化物或其它合適材料的毯覆性薄膜且圍繞經(jīng)圖案化的光致抗蝕劑的掩模選擇性 地蝕刻毯覆性薄膜而形成的硬掩模。圖3說明在外側(cè)壁間隔物124的形成后的圖2的襯底110。外側(cè)壁間隔物124可 通過以此項(xiàng)技術(shù)中已知的方法(例如，化學(xué)氣相沉積)而沉積共形氮化物薄膜(或其它合 適材料)且通過例如等離子蝕刻等各向異性蝕刻而蝕刻氮化物薄膜來形成。間隔物124可 視應(yīng)用而具有大體上等于或小于0. 35F、0. 25F或0. 15F或某其它距離的厚度126。外側(cè)壁 間隔物124可由不同于掩模116的材料形成，以促進(jìn)在后續(xù)步驟中的掩模116的選擇性移 除。在形成掩模116和外側(cè)壁間隔物124之后，可使用結(jié)構(gòu)124和116作為硬掩模來
5蝕刻襯底110以形成深溝槽128，如由圖4所說明。(術(shù)語“深溝槽”將這些溝槽與隨后形 成的“淺溝槽”進(jìn)行區(qū)分，且未必參考某特定深度?！鄙顪喜?28可與外側(cè)壁間隔物124的外 輪廓大體上互補(bǔ)，且溝槽128可相對(duì)于襯底110的表面大體上垂直地延伸至襯底110中。接著，可用犧牲材料130填充深溝槽128，如由圖5所說明。犧牲材料130可為旋 涂于玻璃上(SOG)的氧化物，或已沉積且通過(例如)化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)或各向同性 蝕刻來平坦化以移除覆蓋層的其它合適材料。在以犧牲材料130填充深溝槽128之后，可移除掩模116，如由圖6所說明?？赏?過對(duì)外側(cè)壁間隔物124和犧牲材料130兩者為選擇性的工藝來蝕刻掩模116，以使得這些結(jié) 構(gòu)124和130的至少一部分或?qū)嵸|(zhì)上全部保留于襯底110上。通過移除掩模116而存留的 空隙132與掩模116的形狀大體上相同。接著在所述工藝中，在空隙132中形成內(nèi)側(cè)壁間隔物133，如由圖7所說明。內(nèi)側(cè) 壁間隔物133可視應(yīng)用而具有大體上等于或小于0. 35F、0. 25F或0. 15F或某其它距離的寬 度134。在此實(shí)施例中，內(nèi)側(cè)壁間隔物133是通過沉積例如氮化物薄膜的毯覆性薄膜且各向 同性蝕刻毯覆性薄膜以沿空隙132的壁存留內(nèi)側(cè)壁間隔物133來形成。內(nèi)側(cè)壁間隔物133 可與外側(cè)壁間隔物124為相同材料且具有相同寬度134，或其可為不同材料或具有不同寬 度。在形成內(nèi)側(cè)壁間隔物133之后，可使用內(nèi)側(cè)壁間隔物133作為硬掩模來蝕刻襯底 110，如由圖8所說明。此蝕刻可在由內(nèi)側(cè)壁間隔物133界定的空間的內(nèi)部中形成淺溝槽 136 (其在其不如上文所描述的深溝槽一樣深的意義上是淺的)。淺溝槽136的深度可大于 上摻雜層112的深度。如深溝槽128，可通過各向異性等離子蝕刻或其它合適的工藝來蝕刻 淺溝槽136。接著，可移除犧牲材料130、內(nèi)側(cè)壁間隔物133和外側(cè)壁間隔物124，如由圖9所說 明?？赏ㄟ^對(duì)構(gòu)成襯底Iio的材料為選擇性的濕式蝕刻或其它工藝來移除這些特征124、 130 和 133。如由圖9所說明，在此實(shí)施例中，深溝槽128和淺溝槽136組合以界定多個(gè)前驅(qū)體 柱狀物138。前驅(qū)體柱狀物138的位置和形狀兩者皆可對(duì)應(yīng)于掩模116 (圖1)的位置和形 狀。前驅(qū)體柱狀物138可各自界定從襯底110的表面大體上垂直延伸的大體上正橢圓形柱 體。在此實(shí)施例中，前驅(qū)體柱狀物138并非確切地為橢圓形，因?yàn)閭?cè)壁間隔物124和133圍 繞且在大體上橢圓形掩模116的周邊內(nèi)添加大體上均勻的距離。前驅(qū)體柱狀物138可包含 安置于大體上橢圓形柱體142的頂部上的大體上橢圓形管140。管140的內(nèi)側(cè)壁與管140 的外側(cè)壁之間的距離144可約等于或小于0. 7F、0. 5F或0. 3F或某其它距離。管140的內(nèi) 部的形狀的特征可在于內(nèi)長(zhǎng)軸146和內(nèi)短軸148，且柱狀物138的形狀的特征可在于外長(zhǎng)軸 150和外短軸152。鄰近行中的前驅(qū)體柱狀物138之間的距離153可視應(yīng)用而約等于或小 于0. 7F、0. 5F或0. 3F或某其它距離。前驅(qū)體柱狀物138的另一方面由圖10說明，圖10為襯底110的俯視圖。圖10包 含說明可用以對(duì)準(zhǔn)前驅(qū)體柱狀物138的一種方式的虛線。如所說明，前驅(qū)體柱狀物138經(jīng) 定位以使得鄰近子列154和156彼此重疊。如下文參考圖22所解釋，子列154和156可組 合以在例如數(shù)據(jù)線等導(dǎo)體的交替?zhèn)壬闲纬蓡我涣械膄inFET。在此實(shí)施例中，內(nèi)側(cè)壁158大 體上與外側(cè)壁160對(duì)準(zhǔn)，但在其它實(shí)施例中，柱狀物138的管部分140可僅部分重疊或可完
6全不重疊。在一些實(shí)施例中，在后續(xù)處理之后，前驅(qū)體柱狀物138的這些重疊部分促進(jìn)從大 體上直數(shù)字線到晶體管的大體上直接連接，如下文所解釋。接著，可形成場(chǎng)電介質(zhì)162，如由圖11所說明。在一些實(shí)施例中，場(chǎng)電介質(zhì)162可 為通過化學(xué)氣相沉積或高密度等離子工藝而沉積的氯化物，或在其它實(shí)施例中，場(chǎng)電介質(zhì) 162可通過在爐中將襯底110與氧反應(yīng)或通過此項(xiàng)技術(shù)中已知的其它技術(shù)來生長(zhǎng)。一些實(shí) 施例可將犧牲材料130的一部分保留為場(chǎng)電介質(zhì)162。場(chǎng)電介質(zhì)162可實(shí)質(zhì)上或完全填充 深溝槽128和淺溝槽136兩者。在形成場(chǎng)電介質(zhì)162之后，可以行圖案化且通過中間溝槽蝕刻來選擇性地蝕刻襯 底110，如由圖12到圖17所說明。具體來說，圖12到圖14說明用于在中間溝槽蝕刻之前 圖案化所述行的工藝，且圖15到圖17說明所得結(jié)構(gòu)。如由圖12所說明，可在襯底110上 形成掩模164。掩模164可為例如碳硬掩模等硬掩?；蛲ㄟ^在毯覆性氧化物或氮化物薄膜 或某其它材料中選擇性地蝕刻線而形成的掩模。掩模164可包含開放區(qū)167和障礙區(qū)166， 且掩模164可以周期165重復(fù)。周期165的大小可大體上等于掩模116的周期121，且障礙 區(qū)166的大小可大體上等于周期165的一半減去在下一步驟中形成且由圖13所說明的側(cè) 壁間隔物168的寬度169。如由圖13所說明，可在掩模164的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔物168?？赏ㄟ^在襯底 110上沉積氮化物薄膜或其它合適材料且通過各向異性蝕刻而蝕刻薄膜來形成側(cè)壁間隔物 168。蝕刻可以大體上相同速率蝕刻氧化物和硅，且其可移除約1300埃到1700埃的材料。 所得側(cè)壁間隔物168可在其基座處具有小于、或約等于0. 25F、0. 5F、1F或某其它尺寸的寬 度169。另外，側(cè)壁間隔物168可大體上平行于掩模116(圖2)的橢圓形的短軸120且大體 上居中于掩模116 (圖2)的中心軸122上。繼形成側(cè)壁間隔物168之后，可通過對(duì)側(cè)壁間隔物168為選擇性的蝕刻來移除掩 模164，進(jìn)而保留側(cè)壁間隔物168且暴露襯底110的在掩模164下的部分，如由圖14所說 明。最終，如由圖15所說明，可通過各向異性蝕刻來蝕刻襯底110以形成行170，且可移除 側(cè)壁間隔物166，如由圖16所說明。在其它實(shí)施例中，掩模164未經(jīng)間距加倍，且來自掩模 164的圖案用以直接形成行170。舉例而言，可形成掩模164，且在一些實(shí)施例中，通過回蝕、 回流焊或其它薄化工藝來調(diào)整其線寬度。圖16到圖18說明行170的各種方面。如同側(cè)壁間隔物166，此實(shí)施例中的行170 是大體上直的，大體上平行于掩模116 (圖2)的橢圓形的短軸120，且大體上居中于掩模 116 (圖2)的中心軸122上?？赏ㄟ^掩模164的橢圓形形狀來增加行170的對(duì)準(zhǔn)裕量。因 為掩模116具有大體上橢圓形形狀，所以可相對(duì)于具有圓形的掩模116在長(zhǎng)軸118 (圖2) 的方向上增加掩模164的對(duì)準(zhǔn)和尺寸容差。因此，在一些實(shí)施例中，可將行170移位某一距 離，以使得其未必居中于橢圓形的中心軸122上。但在此實(shí)施例中，行170經(jīng)定位且確定大 小以大體上完全或?qū)嵸|(zhì)上落在由大體上橢圓形淺溝槽136(圖8)界定的空間內(nèi)。行170具有可大體上與側(cè)壁間隔物168的寬度169對(duì)應(yīng)的寬度172。寬度172沿 所說明的行170的長(zhǎng)度和高度是大體上均勻的，但在其它實(shí)施例中，行170可朝向其基座逐 漸變寬或具有某其它形狀。另外，在一些實(shí)施例中，行170可不是大體上直的，例如，行170 可根據(jù)掩模116起伏。為描繪行170的其它方面，圖17說明無場(chǎng)電介質(zhì)162的襯底100。襯底110包含通過從前驅(qū)體柱狀物138(圖9)移除材料而形成的多個(gè)柱狀物174。在此實(shí)施例中，柱狀物 174中的每一者包含基座176，其為從襯底110大體上垂直延伸的大體上正橢圓形柱體。在 本實(shí)施例中，鰭178從基座176延伸，所述鰭178各自具有界定兩個(gè)支腳182的間隙180 (例 如，U形間隙)。鰭178各自可具有兩個(gè)大體上平坦壁184和186以及兩個(gè)大體上凸起彎曲 的側(cè)壁188和190。另外，間隙180的側(cè)面包含兩個(gè)大體上凹入彎曲的側(cè)壁192和194。這 些壁184、186、192和194的曲率說明于圖18的俯視圖中。如由圖17所說明，在此實(shí)施例 中，支腳182的遠(yuǎn)端部分與柱狀物174的其它部分經(jīng)不同摻雜。如上文參考圖1所提及，襯 底110包含上摻雜層112和下?lián)诫s層114。在此實(shí)施例中，上摻雜層112未在間隙180的深 度下延伸。一旦形成行170，便形成柵極電介質(zhì)196，如由圖19所說明。形成柵極電介質(zhì)可包 含沉積一層氧化物、氮氧化物、鉿基高k電介質(zhì)或其它合適的材料。可沿鰭178的壁184和 186以及基座176 (圖18)的頂部形成柵極電介質(zhì)196。在一些實(shí)施例中，可從行170的頂 部移除柵極電介質(zhì)196的一部分或全部，或可將柵極電介質(zhì)196存留于行170的頂部上。接著，形成柵極198，如由圖20所說明。柵極可由金屬、經(jīng)摻雜的多晶硅、TiN或 其它合適的導(dǎo)電材料制成。在此實(shí)施例中，柵極198是通過沉積柵極材料的毯覆性薄膜且 各向異性蝕刻?hào)艠O材料以存留柵極材料的側(cè)壁間隔物來形成。所說明的柵極198沿行170 的側(cè)面延伸，以使得其與間隙180的底部和襯底110的上摻雜層112兩者重疊，所述兩者形 成支腳182的遠(yuǎn)端部分。在一些實(shí)施例中，柵極198可具有大體上等于或小于0. 5F的寬度 195，且其可以大體上等于0. 5F的間隙分開。在制造工藝的此階段，所說明的鰭178(圖17和圖18)中的每一者構(gòu)成晶體管 199 (圖20)。兩個(gè)支腳182 (圖17和圖18)為源極和漏極，且鄰近于鰭178的壁184和 186(圖1和圖18)的材料形成通道，如由表示流經(jīng)晶體管199的電流的箭頭200 (圖20)所 說明。為接通晶體管199，可在柵極198上斷言電壓，且源極(VS)與漏極(VD)之間的電壓 可驅(qū)動(dòng)電流200流經(jīng)通道。所說明的晶體管199可被稱作雙柵極晶體管或多柵4極晶體管， 因?yàn)槠渚哂朽徑诿恳槐?84和186 (圖17和圖18)的柵極?？筛鶕?jù)多種型式來激勵(lì)柵極 198 可大體上同時(shí)激勵(lì)行170的任一側(cè)上的兩個(gè)柵極198 ；可激勵(lì)一個(gè)柵極198，但不激勵(lì) 另一柵極198 ；或可獨(dú)立于彼此而激勵(lì)柵極198。在一些實(shí)施例中，柵極198可部分或完全 圍繞行170，例如，行170的任一側(cè)上的柵極198可連接于行170的一個(gè)或兩個(gè)末端處。可將多種裝置連接到晶體管199。舉例而言，晶體管199可連接到其它晶體管199 以形成處理器、專用集成電路(ASIC)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，或晶體管可連接到經(jīng) 特定配置以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的裝置(例如，電容器或相變存儲(chǔ)器)。由圖21到圖23說明形成存儲(chǔ) 器裝置的工藝的一個(gè)實(shí)例。在形成柵極198之后，可通過電介質(zhì)(未展示以更清楚地說明其它特征)將柵極 198絕緣，且可在此電介質(zhì)上形成數(shù)據(jù)線202，如由圖21所說明。可通過用以圖案化行170 的工藝類似的工藝來形成數(shù)據(jù)線202。舉例而言，在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線202是通過涂覆 包含導(dǎo)電材料的薄膜且以與圖14所說明的側(cè)壁間隔物掩模類似(除經(jīng)定向以大體上垂直 于圖14的側(cè)壁間隔物166以外)的側(cè)壁間隔物掩模來圖案化所述薄膜而形成。數(shù)據(jù)線202 可大體上與鰭178中的每一者的支腳182中的一者對(duì)準(zhǔn)。數(shù)據(jù)線202可包含導(dǎo)電材料(例 如，經(jīng)摻雜的多晶硅或金屬)。
在此實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線202為大體上或?qū)嵸|(zhì)上直的，且與鰭178的交替?zhèn)壬系闹_ 182大體上對(duì)準(zhǔn)，如由圖21和圖22所說明，圖22為由圖21說明的透視圖的俯視圖。在此 實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線202為大體上或?qū)嵸|(zhì)上直的，因?yàn)榍膀?qū)體柱狀物138與重疊管140對(duì)準(zhǔn)， 如由圖10的虛線所說明。據(jù)信大體上或?qū)嵸|(zhì)上直數(shù)據(jù)線202相對(duì)于起伏的數(shù)據(jù)線降低了 寄生電容和電阻。但在其它實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線202可并非為大體上或?qū)嵸|(zhì)上直的。在所說明的實(shí)施例中，晶體管199在數(shù)據(jù)線202的交替?zhèn)认卵由斐?，如由圖22所 說明。舉例而言，晶體管199"與在數(shù)據(jù)線202的方向上鄰近于晶體管199"的晶體管199' 和199〃 ‘位于數(shù)據(jù)線202的不同側(cè)上。晶體管199' ,199"和199〃 ‘ 一起是由鄰近列 201'和201〃 ‘部分重疊的列201〃的一部分。在其它實(shí)施例中，列201可不重疊，且晶體 管199可位于數(shù)據(jù)線202的同一側(cè)上。晶體管199的另一端子可連接到電容器板204，如由圖23所說明。電容器板204 可各自包含頸狀物206和杯狀物208。頸狀物206可經(jīng)由支腳182中的一者的暴露的頂部 部分而將電容器204連接到晶體管199的源極或漏極。為形成電容器，可以電介質(zhì)和另一 導(dǎo)電薄膜兩者來涂布電容器板204。第二薄膜可形成另一板以產(chǎn)生連接到晶體管199的電 容器。在操作中，每一對(duì)電容器板204和晶體管199可通過在電容器板204上累積電荷 而協(xié)作以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為將數(shù)據(jù)寫入到選定的電容器板204，相關(guān)聯(lián)的晶體管199可通過激勵(lì) 其柵極198 (圖20)來接通，且電流200可經(jīng)由晶體管199而流動(dòng)到電容器板204或從電容 器板204流動(dòng)?？筛鶕?jù)連接到與給定電容器板204相關(guān)聯(lián)的晶體管199的柵極198和數(shù)據(jù) 線200的組合來對(duì)電容器板204尋址。在一些實(shí)施例中，柵極198可被稱作字線，且數(shù)據(jù)線 200可被稱作位線。為從選定的電容器板204讀取數(shù)據(jù)，可接通相關(guān)聯(lián)的晶體管199，且可 感測(cè)連接到晶體管199的數(shù)據(jù)線200的電壓。雖然本發(fā)明可易受各種修改和替代形式，但已通過實(shí)例在圖式中展示特定實(shí)施例 且已在本文中詳細(xì)描述所述特定實(shí)施例。然而，應(yīng)理解，本發(fā)明并不既定限于所揭示的特定 形式。而是本發(fā)明將涵蓋屬于如由所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修 改、均等物和替代。
權(quán)利要求
一種裝置，其包括數(shù)字線；多個(gè)晶體管，其各自具有連接到所述數(shù)字線的一個(gè)端子和安置于所述數(shù)字線的交替?zhèn)壬系牧硪欢俗?，其中所述多個(gè)晶體管中的每一晶體管包括鰭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述鰭大體上以六方晶格來布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述鰭包括一間隙和兩個(gè)支腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述兩個(gè)支腳各自包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū) 的一部分，且其中所述間隙是以電介質(zhì)材料來至少部分填充。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中存儲(chǔ)器元件連接到所述兩個(gè)支腳中的一者。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中鰭從大體上橢圓形基座延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述數(shù)字線為大體上直的。
8.一種方法，其包括從包括半導(dǎo)電材料的襯底，形成包括所述半導(dǎo)電材料且從所述襯底延伸的多個(gè)柱狀 物，其中所述多個(gè)柱狀物中的每一柱狀物包括安置于所述柱狀物的遠(yuǎn)端部分附近的管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中每一柱狀物包括安置于所述管與所述襯底之間的 柱體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述多個(gè)柱狀物大體上以六方晶格來布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述多個(gè)柱狀物中的每一柱狀物界定大體上正 橢圓形柱體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述管具有大體上橢圓形形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其包括以電介質(zhì)大體上圍繞所述多個(gè)柱狀物且以所 述電介質(zhì)至少部分填充所述管的內(nèi)部。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述管包括包含第一摻雜劑的遠(yuǎn)端部分和包含 不同于所述第一摻雜劑的第二摻雜劑的另一部分。
15.一種方法，其包括通過第一光刻步驟大體上界定鰭式場(chǎng)效晶體管的位置和第一尺寸兩者；以及通過第二光刻步驟形成所述鰭式場(chǎng)效晶體管，其中所述鰭式場(chǎng)效晶體管是通過兩個(gè)或 更少光刻步驟而形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中通過第一光刻步驟來大體上界定鰭式場(chǎng)效晶體 管的位置和第一尺寸兩者包括以具有多個(gè)細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的掩模來圖案化襯底。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中以掩模來圖案化襯底包括以具有多個(gè)大體上正 橢圓形柱體的掩模來圖案化襯底。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其包括形成鄰近于所述掩模的外側(cè)壁間隔物；以及蝕刻襯底的未由所述掩模或所述外側(cè)壁間隔物覆蓋的部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其包括覆蓋所述襯底的經(jīng)蝕刻區(qū)；移除所述掩模；形成鄰近于所述外側(cè)壁間隔物的內(nèi)側(cè)壁間隔物；以及蝕刻所述襯底的位于所述內(nèi)側(cè)壁間隔物的內(nèi)部下的另一區(qū)。
20.一種裝置，其包括 存儲(chǔ)器裝置，其包括多個(gè)字線，其在第一方向上延伸； 多個(gè)數(shù)據(jù)線，其在第二方向上延伸；鰭，其連接到所述多個(gè)數(shù)據(jù)線中的所述數(shù)據(jù)線中的一者，且安置成鄰近于所述多個(gè)字 線中的所述字線中的兩個(gè)且在所述兩個(gè)字線之間，其中所述鰭從大體上橢圓形基座延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述鰭包括源極、漏極和安置于所述源極與所 述漏極之間的電介質(zhì)材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)線未在所述鰭上起伏。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述鰭包括分開一間隙的兩個(gè)支腳。
24.一種晶體管，其包括鰭，其從基座延伸，所述鰭包括 第一支腳；間隙，其為大體上橢圓形形狀的區(qū)段； 第二支腳，其與所述第一支腳分開所述間隙；以及 一對(duì)側(cè)壁間隔物柵極，其安置于所述鰭的相對(duì)側(cè)上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的晶體管，其中所述對(duì)側(cè)壁間隔物柵極與所述第一支腳和所述第二支腳兩者重疊。全文摘要
本發(fā)明揭示方法、系統(tǒng)和裝置，其包含具有一數(shù)字線和多個(gè)晶體管的裝置，所述多個(gè)晶體管各自具有連接到所述數(shù)字線的一個(gè)端子和安置于所述數(shù)字線的交替?zhèn)壬系牧硪欢俗?。在一些?shí)施例中，所述多個(gè)晶體管中的每一晶體管包括鰭。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101978482SQ200980109446
公開日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月20日
發(fā)明者沃納·云林 申請(qǐng)人:美光科技公司