專利名稱：放射線攝像裝置、放射線攝像顯示系統(tǒng)和晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于通常在醫(yī)療保健和無損檢測中用到的X射線攝像操作的放射線攝像裝置，并涉及采用所述裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)以及在所述裝置和所述系統(tǒng)中所采用的晶體管。
背景技術(shù)：
近年來，使用CXD (電荷耦合器件)圖像傳感器和/或CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體)圖像傳感器的技術(shù)是基于光電變換的攝像技術(shù)的主流。基于光電變換的攝像技術(shù)是用于將圖像獲取為電信號的技術(shù)。攝像傳感器的攝像區(qū)受限于晶體基板或硅晶片的尺寸。然而，特別是在利用X射線進(jìn)行的醫(yī)療保健領(lǐng)域，存在對具有大尺寸的攝像區(qū)的需求，且對好的動態(tài)圖像性能的需求的量也在增加。由于需要攝像裝置具有大尺寸的攝像區(qū)，人們一直在開發(fā)用來基于放射線而將圖像獲取為電信號、而不使用放射線攝影膠片的放射線攝像裝置。需要具有大尺寸的攝像區(qū)的攝像裝置的典型示例是用于拍攝人體胸部圖像的X射線攝像裝置。所述放射線攝像裝置是在包括諸如光電二極管的光電轉(zhuǎn)換元件和TFT(薄膜晶體管)的電路基板上具有波長變換層(用作熒光材料)的裝置。在放射線攝像裝置中，在將入射放射線變換為可見光線之后，由用于將可見光線變換為電信號的光電轉(zhuǎn)換元件接收可見光線。隨后由采用TFT的電路讀取電信號，電信號的大小由可見光線的量決定。這種情況下，晶體管形成如下。在基板上形成多個(gè)層以形成具有所謂的頂柵構(gòu)造或所謂的底柵構(gòu)造的疊層。所述層包括用于晶體管的柵極、源極和漏極等的電極層、用于形成晶體管的溝道的半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和層間絕緣膜。然而，如果例如使用氧化硅膜作為具有所述構(gòu)造的晶體管中的柵極絕緣膜，則X射線可傳播到該膜的內(nèi)部。眾所周知，如果X射線傳播到氧化硅膜的內(nèi)部，則在該膜中產(chǎn)生空穴，從而使晶體管的閾值電壓Vth偏移到負(fù)側(cè)。(參照諸如日本專利公開公報(bào)2008-252074號等文獻(xiàn)。)另一方面，有人提出了通過采用雙柵構(gòu)造而能夠減少閾值電壓Vth的偏移的長度的晶體管，所述雙柵構(gòu)造中，兩個(gè)柵極設(shè)置為夾著半導(dǎo)體層。(參照日本專利公開公報(bào)2004-265935 號。)然而，在晶體管采用雙柵構(gòu)造的情況下，由于因放射線的照射而在氧化硅膜中生成的空穴的影響，閾值電壓Vth仍會在不小的程度上偏移。于是期望抑制因放射線造成的所述特性劣化，以便實(shí)現(xiàn)能夠呈現(xiàn)更高可靠性的晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的一個(gè)目的在于解決上述問題，以提供能夠抑制因放射線造成的特性劣化從而提高可靠性的晶體管、采用所述晶體管的放射線攝像裝置和包括所述裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管包括半導(dǎo)體層；第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)壬?；第一柵極，其設(shè)置于第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜之間的位置；絕緣膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)壬希?源極和漏極，它們設(shè)置為電連接于半導(dǎo)體層；以及屏蔽電極層，其設(shè)置為使得該屏蔽電極層的至少部分面向第一柵極的邊緣。在所述晶體管中，第一柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜和絕緣膜中的至少一個(gè)包括氧化硅膜。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線攝像裝置具有包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管和光電轉(zhuǎn)換元件的像素部。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管和放射線攝像裝置中，在第一柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜和絕緣膜的至少一個(gè)中所包括的氧化硅膜由空穴的正電荷充電，所述空穴因放射線照射到所述氧化硅膜而生成，且所述正電荷使晶體管的閾值電壓Vth偏移。然而，通過將屏蔽電極層設(shè)置為使得該屏蔽電極層的至少部分面向第一柵極的邊緣，可以降低尤其是在半導(dǎo)體層的溝道邊緣附近的正電荷的影響，并且從而可抑制閾值電壓Vth的偏移。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線攝像顯示系統(tǒng)包括用于基于放射線而獲取圖像的攝像裝置(即根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線攝像裝置)和用于顯示由攝像裝置獲取的圖像的顯示裝置。在本發(fā)明的實(shí)施方式提供的晶體管和放射線攝像裝置中，設(shè)置于半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)壬系牡谝粬艠O絕緣膜和第一層間絕緣膜以及設(shè)置于半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)壬系慕^緣膜中的至少一個(gè)包括氧化硅膜。屏蔽電極層設(shè)置為使得該屏蔽電極層的至少部分面向第一柵極的邊緣。于是，可以抑制由放射線的照射造成的閾值電壓偏移。因此，可以抑制因放射線的照射而造成的特性劣化，并因此可提高可靠性。


圖I是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的放射線攝像裝置的整體配置的功能框圖；圖2是表示圖I中所示的像素部(作為具有間接變換型的部件)的橫截面構(gòu)造的模型圖；圖3是表示圖2所示的像素部中所采用的典型像素電路(用作有源驅(qū)動電路)的圖；圖4是表示圖3所示的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖5A 5C是在說明制造圖4所示晶體管的方法的步驟順序時(shí)所參照的示意性橫截面模型圖；圖是表示參照圖5C描述的步驟順序的接續(xù)步驟順序的示意性橫截面模型圖；圖5G 5H是表示參照圖5F描述的步驟順序的接續(xù)步驟順序的示意性橫截面模型圖；圖51是在描述參照圖5H描述的步驟順序的接續(xù)步驟時(shí)所參照的示意性橫截面模型圖；圖6是表示圖3所示的光電二極管的橫截面構(gòu)造的模型圖；圖7是在描述典型對照晶體管中的正電荷的影響時(shí)所參照的示意性模型圖；
圖8是在描述圖4所示的晶體管中的正電荷的影響時(shí)所參照的示意性模型圖；圖9是表示X射線照射量對圖4所示的晶體管的電流-電壓特性的影響的圖；圖10是表不X射線照射量和圖4所不的晶體管的閾值電壓偏移之間的關(guān)系的特性圖；圖11是表示X射線照射量和圖4所示的晶體管的電流-電壓特性中的S值之間的關(guān)系的特性圖；圖12A和12B是表示根據(jù)第一典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖14是在描述圖13所示的晶體管中的正電荷的影響時(shí)所參照的示意性模型圖；圖15是表示X射線照射量對圖13所示的晶體管的電流-電壓特性的影響的圖；圖16是表不X射線照射量和圖13所不的每個(gè)晶體管的閾值電壓偏移之間的關(guān)系的特性圖；圖17是表示X射線照射量和圖13所示的每個(gè)晶體管的電流-電壓特性中的S值之間的關(guān)系的特性圖；圖18是描述根據(jù)第二變型例的晶體管的大致配置和晶體管中的正電荷的影響時(shí)所參照的示意性橫截面圖；圖19是表示根據(jù)第三典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖20是表示圖19所示的晶體管的另一示例的橫截面圖；圖21是表示根據(jù)第四典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖22是表示根據(jù)第五典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖23是表示根據(jù)第六典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖24A和24B是表示圖23所示的晶體管的另一大致配置的橫截面圖；圖25是表示圖23所示的晶體管的另一大致配置的橫截面圖；圖26是表示根據(jù)第七典型變型例的晶體管的大致配置的橫截面圖；圖27A和27B是表示圖26所示的晶體管的另一大致配置的橫截面圖；圖28是表示圖26所示的晶體管的另一大致配置的橫截面圖；圖29是表示根據(jù)第八典型變型例的像素驅(qū)動電路(也稱為無源驅(qū)動電路)的典型示例的圖；圖30是在描述根據(jù)第九變型例并用作直接變換型的裝置的放射線攝像裝置時(shí)所參照的示意性模型圖31是表示用作典型應(yīng)用例的放射線攝像顯示系統(tǒng)的整體配置的模型圖；以及圖32是表示柵極的另一典型形狀的橫截面模型圖。
具體實(shí)施例方式下面參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。需要注意，所述說明劃分成依照下面順序的話題。I :第一實(shí)施方式(設(shè)計(jì)為間接變換型的放射線攝像裝置，該放射線攝像裝置采用這樣的晶體管，即其中形成為一對的源極和漏極的部分均各自用作屏蔽電極層)2 :第一變型例(將漏極的部分用作屏蔽電極層的典型配置)
3 :第二實(shí)施方式(將屏蔽電極層與一對源極和漏極分離地設(shè)置的典型配置)4 :第二變型例(使屏蔽電極層保持于負(fù)電位的典型配置)5 :第三變型例(具有雙柵構(gòu)造的典型晶體管)6 :第四變型例(具有雙柵構(gòu)造的另一典型晶體管)7 :第五變型例(具有雙柵構(gòu)造的又一典型晶體管)8 :第六變型例(具有頂柵構(gòu)造的典型晶體管)9 :第七變型例(具有底柵構(gòu)造的典型晶體管)10 :第八變型例(采用無源驅(qū)動方法的典型像素電路)11 :第九變型例(直接變換型的典型放射線攝像裝置)12 :典型應(yīng)用例(典型放射線攝像顯示系統(tǒng))I :第一實(shí)施方式放射線攝像裝置的整體配置圖I是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的放射線攝像裝置I的整體配置的功能性框圖。放射線攝像裝置I是所謂的間接變換型FPD (平板檢測器)，其在射線被進(jìn)行波長變換處理之后接收放射線并獲得作為電信號的基于放射線的圖像信息。這種情況下，典型的放射線為α射線、β射線、Υ射線和X射線。例如，放射線攝像裝置I為主要用于醫(yī)療保健和諸如行李檢測等其他無損檢測的X射線攝像裝置。如圖所示，放射線攝像裝置I使用了設(shè)于基板11上的像素部12和設(shè)于圍繞像素部12的區(qū)域中的周邊電路(也稱為驅(qū)動電路)。周邊電路通常包括行掃描部13、水平選擇部14、列掃描部15和系統(tǒng)控制部16。像素部12是放射線攝像裝置I的攝像區(qū)。像素部12包括二維地布置以形成通常像素矩陣的單位像素P (以下也將每個(gè)單位像素P簡稱為像素P)。以下一些場合中，也可將單位像素P簡稱為像素P。單位像素P連接于像素驅(qū)動線17。通常，兩條像素驅(qū)動線17連接于像素矩陣中的各像素行上的單位像素P。具體地，連接于各像素行上的單位像素P的兩條像素驅(qū)動線17為行選擇線和復(fù)位控制線。每一像素P包括用于產(chǎn)生與入射到像素P的光量一致的量的電荷并將電荷存儲在像素P內(nèi)部的光電轉(zhuǎn)換元件。在下面的描述中，入射到像素P的光量也稱為所接收的光量，而電荷也稱為光電荷。順便提及，后述的光電二極管IllA用作上述的光電轉(zhuǎn)換元件。在像素部12中，為每一像素行設(shè)置的兩個(gè)像素驅(qū)動線17以行方向延伸。此外，對于每一像素列，像素部12中的單位像素P也連接于在列方向上延伸的垂直信號線18。像素驅(qū)動線17傳輸用于從連接于像素驅(qū)動線17的像素P讀取信號的驅(qū)動信號。雖然像素驅(qū)動線17絕不限于一條線，然而在圖I中將像素驅(qū)動線17圖示為線。像素驅(qū)動線17的一端連接于行掃描部13的輸出端。連接于像素驅(qū)動線17的該輸出端是針對像素驅(qū)動線17所延伸的行而特別設(shè)置的端子。后面將描述像素部12的配置。如圖2所示，在像素部12上設(shè)有閃爍器層114(用作波長變換層)，并以保護(hù)層115覆蓋該閃爍器層114。閃爍器層114進(jìn)行波長變換處理，以將入射放射線的波長改變到后述的光電二極管IllA的敏感區(qū)中的值。閃爍器層114使用通常用于將X射線變換為可見光線的熒光材料。熒光材料的典型示例為摻雜有鉈(Tl)的碘化銫(CsI)、摻雜有鋱(Tb)的硫鎘氧化物(Gd2O2S)和BaFX(其中X可為Cl、Br、I等)。閃爍器層114的期望厚度在100微米至600微米的范圍內(nèi)。例如，閃爍器層114的厚度可設(shè)置為600微米。通?？赏ㄟ^采用真空蒸鍍方法而將所述閃爍器層114設(shè)于平坦化膜113上。保護(hù)層115通常為由聚對二甲苯C等制成的有機(jī)膜。用于制造閃爍器層114的熒光材料(具體地諸如CsI)易于因濕氣而惡化。于是期望在閃爍器層114上設(shè)置用作濕氣阻障層的保護(hù)層115。行掃描部13配置為包括移位寄存器和地址解碼器。行掃描部13用作通常用來以行為單位驅(qū)動像素部12中的單位像素P的像素驅(qū)動部。由行掃描部13在掃描操作中所選擇的像素行上的像素P輸出的信號通過連接于像素P的垂直信號線18而提供到水平選擇部14。水平選擇部14配置為包括分別為一條垂直信號線18而設(shè)置的放大器和同樣分別為一條垂直信號線18而設(shè)置的水平選擇開關(guān)。列掃描部15配置為包括移位寄存器和地址解碼器。列掃描部15掃描水平選擇部14的水平選擇開關(guān)以便逐個(gè)開關(guān)地依次選擇開關(guān)。列掃描部15掃描并選擇水平選擇開關(guān)，以便將像素P在垂直信號線18上所維持的信號逐個(gè)信號地提供至水平選擇線19上，水平選擇線19連接于基板11外部的部件。用作行掃描部13、水平選擇部14、列掃描部15和水平選擇線19的電路部件可直接設(shè)于基板11上或設(shè)置于外部控制IC中。作為替代，這些電路部件也可設(shè)于通過電纜等連接于基板11的另一基板上。除了別的信號外，系統(tǒng)控制部16還接收來自基板11外部的源的時(shí)鐘信號和用于指定操作模式的數(shù)據(jù)。此外，系統(tǒng)控制部16輸出諸如放射線攝像裝置I的內(nèi)部信息等數(shù)據(jù)。除此之外，系統(tǒng)控制部16還具有用于產(chǎn)生各種時(shí)序信號的時(shí)序發(fā)生器，并基于由時(shí)序發(fā)生器生成的時(shí)序信號進(jìn)行控制，以驅(qū)動諸如行掃描部13、水平選擇部14和列掃描部15等周邊電路。像素部12的詳細(xì)配置像素部12包括設(shè)于基板11上的像素電路12a。像素電路12a如圖3中所示。每個(gè)像素電路12a使用了光電二極管IllA和晶體管111B。光電二極管IllA和晶體管IllB將在后面描述。需要注意，在像素電路12a上通常設(shè)置有用作未圖示的平坦化膜的有機(jī)絕緣膜。此外，在平坦化膜上還可設(shè)有同樣未圖示的保護(hù)膜。對構(gòu)成像素部12的部件的詳細(xì)配置說明如下。像素電路圖3是表示光電變換層112中的典型像素電路12a的圖。如圖所示，像素電路12a使用了用作前述光電轉(zhuǎn)換元件的光電二極管IllA以及作為上述的晶體管IllB的晶體管TrKTr2和Tr3。像素電路12a連接于前述的垂直信號線18、用作像素驅(qū)動線17的行選擇線171和復(fù)位控制線172。光電二極管IllA 通常為 PIN(Positive Intrinsic Negative,正-本征-負(fù))二極管。通常，光電二極管IllA的敏感區(qū)為可見光區(qū)。即，光電二極管IllA的接收光波長區(qū)為可見光區(qū)。當(dāng)將基準(zhǔn)電位Vxref施加于連接于光電二極管IllA的一個(gè)指定端的端子133時(shí)，光電二極管IllA生成具有對應(yīng)于入射到光電二極管IllA的光量的量的信號電荷。光電二極管IllA的另一端連接于累積節(jié)點(diǎn)N。累積節(jié)點(diǎn)N具有用于累積由光電二極管IllA生成的信號電荷的電容器136。注意，也可以提供使光電二極管IllA連接于累積節(jié)點(diǎn)N與地之間的配置。光電二極管IllA的橫截面構(gòu)造將在后面描述。每個(gè)晶體管Trl、Tr2和Tr3通常為N型或P型的FET (場效應(yīng)晶體管)，其中用于形成溝道的半導(dǎo)體層通常由LTPS (低溫多晶硅)制成。該半導(dǎo)體層為后述的半導(dǎo)體層126。然而，用于制成半導(dǎo)體層的材料不是必須為LTPS。例如，半導(dǎo)體層也可由諸如微晶硅或多晶 硅等硅系半導(dǎo)體制成。作為替代，半導(dǎo)體層也可由諸如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)或氧化鋅(ZnO)等半導(dǎo)體氧化物制成。晶體管Trl為連接于用于接收基準(zhǔn)電位Vref的端子137和累積節(jié)點(diǎn)N之間的復(fù)位晶體管。當(dāng)復(fù)位晶體管Trl響應(yīng)于復(fù)位信號Vrst而導(dǎo)通時(shí)，復(fù)位晶體管Trl將在累積節(jié)點(diǎn)N處呈現(xiàn)的電位復(fù)位到基準(zhǔn)電位Vref。晶體管Tr2為讀晶體管。讀晶體管Tr2的柵極連接于累積節(jié)點(diǎn)N而讀晶體管Tr2的漏極連接于端子134，端子134連接于電源VDD。讀晶體管Tr2的柵極接收代表光電二極管IllA中所累積的信號電荷的信號，而讀晶體管Tr2的源極輸出與信號電荷相應(yīng)的信號電壓。晶體管Tr3為連接于讀晶體管Tr2的源極和垂直信號線18之間的行選擇晶體管。當(dāng)行選擇晶體管Tr3響應(yīng)于行掃描信號Vread而導(dǎo)通時(shí)，行選擇晶體管Tr3將讀晶體管Tr2的源極處出現(xiàn)的信號傳遞到垂直信號線18。關(guān)于行選擇晶體管Tr3，也可以提供將行選擇晶體管Tr3連接于讀晶體管Tr2的漏極和電源VDD之間、而將讀晶體管Tr2的源極直接連接于垂直信號線18的配置。下面描述說明各自又稱為晶體管IllB的晶體管Trl、Tr2和Tr3各自的橫截面構(gòu)造，晶體管IllB是晶體管Trl、Tr2和Tr3的上位技術(shù)術(shù)語。晶體管IllB的詳細(xì)配置圖4是表示晶體管IllB的典型配置的橫截面圖。晶體管IllB具有所謂的雙柵構(gòu)造，其中晶體管IllB的兩個(gè)柵極夾著半導(dǎo)體層126。具體地，晶體管IllB在基板11上的選定區(qū)域具有柵極120A，而第二柵極絕緣膜129設(shè)置為覆蓋柵極120A。在第二柵極絕緣膜129上，設(shè)置有半導(dǎo)體層126。半導(dǎo)體層126包括溝道層126a。半導(dǎo)體層126還包括位于溝道層126a的兩個(gè)邊緣中的每個(gè)邊緣處的LDD (輕摻雜漏極)層126b和N+層126c。第一柵極絕緣膜130設(shè)置為覆蓋半導(dǎo)體層126。在第一柵極絕緣膜130上的選定區(qū)域中，設(shè)有柵極120B。第一柵極絕緣膜130上的所述選定區(qū)域是面向柵極120A的區(qū)域。在柵極120B上，設(shè)有第一層間絕緣膜131。在第一層間絕緣膜131和第一柵極絕緣膜130的部分中設(shè)置有孔H1。在第一層間絕緣膜131上，將一對源極/漏極128A和源極/漏極128B設(shè)于第一層間絕緣膜131上以填充所述孔H1，從而使源極/漏極128A和源極/漏極128B電連接于半導(dǎo)體層126。在源極/漏極128A和源極/漏極128B上設(shè)置有第二層間絕緣膜132。需要注意，根據(jù)該實(shí)施方式的柵極120B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一柵極的具體示例，而根據(jù)該實(shí)施方式的柵極120A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第二柵極的具體示例。此外，根據(jù)該實(shí)施方式的第一柵極絕緣膜130是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一柵極絕緣膜的具體示例，而根據(jù)該實(shí)施方式的第二柵極絕緣膜129是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的絕緣膜的具體示例。除此之外，根據(jù)該實(shí)施方式的第一層間絕緣膜131是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一層間絕緣膜的具體示例，而根據(jù)該實(shí)施方式的第二層間絕緣膜132是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第二層間絕緣膜的具體示例。柵極120A和柵極120B各為單層膜或多層膜，且所述膜由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)或鉻(Cr)等材料制成。如上所述，第二柵極絕緣膜129夾于柵極120A和半導(dǎo)體層126之間，而第一柵極絕緣膜130夾于半導(dǎo)體層126和面向柵極120A的柵極120B 之間。換言之，柵極120A和柵極120B在大致相同的區(qū)域中夾著溝道層126a而相互面對。通常，通過使用與柵極120A相同的光掩模而對所述柵極120B進(jìn)行圖形化處理。然而，期望提供的理想配置是將柵極120B設(shè)置于柵極120A的正上方。柵極120A和柵極120B各自的厚度在30nnTl50nm的范圍內(nèi)。例如，柵極120A的厚度的典型值設(shè)置為65nm，而柵極120B的厚度的典型值設(shè)置為90nm。第二柵極絕緣膜129和第一柵極絕緣膜130各自配置為通常包括氧化硅膜。作為氧化硅膜，可以使用含氧的硅化合物膜。硅化合物膜的典型示例為由二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiON)制成的膜。具體地，第二柵極絕緣膜129和第一柵極絕緣膜130分別為通過堆疊由二氧化硅(SiO2)制成的膜和由氮化硅(SiNx)制成的膜而形成的層疊膜。更具體地，第二柵極絕緣膜129為通過在基板11上按照此處所列的順序依次疊置氮化硅膜129A和氧化硅膜129B而形成的疊層。同樣地，第一柵極絕緣膜130為通過在半導(dǎo)體層126上按照此處所列的順序依次疊置氧化硅膜130A、氮化硅膜130B和氧化硅膜130C而形成的疊層。即，期望提供的配置是將氧化硅膜129B和氧化硅膜130A設(shè)置于半導(dǎo)體層126的附近并夾著半導(dǎo)體層126的位置處。設(shè)置這樣的配置是為了消除由半導(dǎo)體層126上的界面級別(boundary-surface level)的作用造成的閾值電壓偏移。半導(dǎo)體層126通?？捎啥嗑Ч?、低溫多晶硅、微晶硅或非晶硅制成。然而，期望以低溫多晶硅制成半導(dǎo)體層126。作為替代，半導(dǎo)體層126也可由諸如銦鎵鋅氧化物(IGZO)的半導(dǎo)體氧化物制成。在半導(dǎo)體層126中的溝道層126a的每個(gè)邊緣側(cè)，設(shè)有N+層126c以用作與源極或漏極128A或128B連接的區(qū)。溝道層126a的邊緣側(cè)是在源極和漏極側(cè)的邊緣。此外，在溝道層126a和N+層126c之間設(shè)有LDD層126b以降低漏電流的大小。源極/漏極和屏蔽電極層源極/漏極128A和源極/漏極128B分別能夠用作源極或漏極，從而可以在源極/漏極128A和源極/漏極128B之間將源極和漏極的功能互換。此外，在源極/漏極128A和源極/漏極128B中的任何一個(gè)用作源極時(shí)，源極/漏極128A和源極/漏極128B中的另一個(gè)用作漏極。源極/漏極128A和源極/漏極128B各自為單層膜或多層膜，且所述膜由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)或鉻(Cr)等材料制成。源極/漏極128A和源極/漏極128B連接于用于讀取信號的布線。為了如上所述地使源極/漏極128A和源極/漏極128B各自能夠用作源極或漏極，且在該實(shí)施方式的源極/漏極128A和源極/漏極128B之間可以對源極和漏極的功能進(jìn)行互換，晶體管IllB設(shè)計(jì)為在溝道層126a的兩側(cè)中的每側(cè)設(shè)有LDD層126b的配置。在該實(shí)施方式中，源極/漏極128A和源極/漏極128B各設(shè)置為延伸到面向柵極120B的邊緣e2的區(qū)域。換言之,源極/漏極128A和源極/漏極128B每個(gè)設(shè)置為與面向柵極120B的邊緣e2的區(qū)域重疊(或嚴(yán)格地講，是部分重疊)。面向邊緣e2的部分分別對應(yīng)于屏蔽電極層128al和128bl。S卩，面向邊緣e2的部分分別兼用作屏蔽電極層128al和128bl。如上所述，柵極120B設(shè)置為面向柵極120A。然而，由于溝道層126a在半導(dǎo)體層126中設(shè)于對應(yīng)于柵極120A的區(qū)域中，源極/漏極128A和源極/漏極128B設(shè)置為面向溝道邊緣el。需要注意，如上所述，LDD層126b設(shè)置于溝道層126a兩側(cè)的每側(cè)，且在這種情況下，屏蔽電極層128al和128bl也重疊在LDD層126b上。需要注意，在該實(shí)施方式中，柵極120B在其每個(gè)側(cè)表面具有錐形部分。在蝕刻處理中不可避免地產(chǎn)生這些錐形部分。如果柵極120B具有所述錐形部分，則如設(shè)置于圖4右 下角的放大圖中所示，柵極120B的邊緣e2為錐形部分的底邊緣。屏蔽電極層128al和128bl用作降低累積于氧化硅膜中的正電荷對半導(dǎo)體層126 (或者，具體地為溝道層126a)的影響的電屏蔽體。至少，屏蔽電極層128al和128bl的部分設(shè)置為面向柵極120B的邊緣e2。期望將屏蔽電極層128al和128bl設(shè)置為使得屏蔽電極層128al和128bl之間的距離d小于柵極120B的柵極長度L。更期望的是，將屏蔽電極層128al和128bl設(shè)置為使得屏蔽電極層128al和128bl覆蓋柵極120B的全部錐形部分。這種情況下，如前所述，理想地是將柵極120B設(shè)置在與柵極120A相同的位置。然而，實(shí)際上在一些情況下，柵極120B的位置會從柵極120A的位置偏移。柵極120B的位置從柵極120A的位置的偏移稱為調(diào)節(jié)偏移。如果屏蔽電極層128al和128bl覆蓋柵極120B的錐形部分，即使在所述調(diào)節(jié)偏移的情況下，仍可降低用作正電荷的空穴對溝道層126a的影響。需要注意，屏蔽電極層128al和128bl之間的距離d的下限不具體限于任何值。然而，如果屏蔽電極層128al和128bl彼此過于靠近，會產(chǎn)生諸如短路等問題。于是在設(shè)置邊緣e3的位置時(shí)最好考慮這些問題。在該實(shí)施方式中，如上所述，屏蔽電極層128al和128bl作為源極/漏極128A和源極/漏極128B的部分而設(shè)置于第一層間絕緣膜131上。以與第二柵極絕緣膜129和第一柵極絕緣膜130相同的方式，第一層間絕緣膜131和第二層間絕緣膜132各配置為單層膜或多層膜，且所述膜通常為氧化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜。這種情況下，第一層間絕緣膜131為包括按照此處所列的順序依次設(shè)于基板11上方的氧化娃膜131a和氮化娃膜131b的疊層。另一方面，第二層間絕緣膜132為氧化硅膜。需要注意，晶體管IllB的部分的層與后面描述的光電二極管IllA是同一層。S卩，晶體管IllB的部分的層在與光電二極管IllA相同的薄膜處理中形成。于是，從制造時(shí)采用的蝕刻選擇比的觀點(diǎn)看，只要涉及光電二極管IllA中的第二層間絕緣膜132，便期望使用氧化硅膜而不是氮化硅膜來作為第二層間絕緣膜132。晶體管IllB的制造方法上述晶體管IllB通?？芍圃烊缦隆D5A 5I是下面對根據(jù)晶體管IllB的制造方法的步驟順序的描述中所參照的示意性橫截面模型圖。
首先，如圖5A中所示，柵極120A設(shè)于基板11上。具體地，在通常采用濺射方法而在基板11上設(shè)置由諸如Mo的高熔點(diǎn)金屬制成的膜之后，通常采用光刻方法對該膜進(jìn)行圖形化處理以形成島形狀。隨后如圖5B中所示，形成第二柵極絕緣膜129。具體地，通常通過采用CVD方法，在基板11上以此處所列的順序依次并連續(xù)地形成氮化硅膜129A和氧化硅膜129B以覆蓋柵極120A，以形成具有預(yù)定厚度的第二柵極絕緣膜129。隨后，在形成的第二柵極絕緣膜129上，通過通常采用的CVD方法而形成用作半導(dǎo)體層126的非晶硅層(即α -Si層)1260。隨后如圖5C中所示，對形成的α -Si層1260進(jìn)行多晶化處理以便形成半導(dǎo)體層126。具體地，首先，在400攝氏度至450攝氏度的范圍內(nèi)的典型溫度中，對α-Si層1260進(jìn)行去氫處理(或退火處理)，以便將含氫量減少到不超過1%的值。隨后，通過通常采用的ELA (準(zhǔn)分子激光器)方法，以具有308nm的典型波長的激光束照射α -Si層1260，以便將 α-Si層1260轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑印Ｖ?，通常對多晶層摻雜硼以便調(diào)節(jié)閾值電壓Vth，從而形成半導(dǎo)體層126。隨后，如圖所示，將離子注入到由多晶化處理而獲得的半導(dǎo)體層126的預(yù)定區(qū)中，從而在各預(yù)定區(qū)中形成LDD層126b和N+層126c。隨后如圖5E所示，形成第一柵極絕緣膜130。具體地，通常通過采用CVD方法，使氧化硅膜130A、氮化硅膜130B和氧化硅膜130C以此處所列的順序連續(xù)地形成為各具有預(yù)定厚度的膜，以形成覆蓋半導(dǎo)體層126的第一柵極絕緣膜130。需要注意，上述的氧化硅膜130A、氧化硅膜130C和第二柵極絕緣膜129的氧化硅膜129B的厚度設(shè)置為使得氧化硅膜130A、氧化硅膜130C和第二柵極絕緣膜129的氧化硅膜129B的厚度之和不大于65nm。還需要注意，在形成第一柵極絕緣膜130之后，預(yù)先形成用于將柵極120A電連接于柵極120B的接觸孔，柵極120B在下述的步驟中形成。然而，未在圖中表示形成接觸孔的步驟。隨后如圖5F所示，將柵極120B形成于第一柵極絕緣膜130上。具體地，在通過通常采用的濺射方法而在基板11上形成由諸如Mo的高熔點(diǎn)金屬制成的膜之后，通常采用光刻方法對所述膜進(jìn)行圖形化處理以形成島形狀。此時(shí)，通常使用與柵極120A相同的光掩模對柵極120B進(jìn)行圖形化處理。然而，期望的是調(diào)節(jié)柵極120B的位置以便使柵極120B理想地形成于柵極120A正上方。隨后如圖5G所示，通過通常采用的濺射方法，以此處所列的順序連續(xù)地形成氧化硅膜131a和氮化硅膜131b，以便形成第一層間絕緣膜131。隨后，如圖5H所示，通過進(jìn)行通常的蝕刻處理，形成接觸孔Hl以貫穿所形成的第一層間絕緣膜131和形成的第一柵極絕緣膜130，直到半導(dǎo)體層126的表面為止。之后，如圖51所示，通過采用通常的濺射方法而形成源極/漏極128A和源極/漏極128B以填充孔H1，并隨后進(jìn)行圖形化處理以形成源極/漏極128A和源極/漏極128B的預(yù)定形狀。在該步驟中，在源極/漏極128A和源極/漏極128B之間形成了間隙(或分離槽)，使得源極/漏極128A和源極/漏極128B各自的部分與柵極120B重疊。于是，源極/漏極128A和源極/漏極128B形成為兼用作屏蔽電極層128al和12bbl。最終，通過采用通常CVD方法而形成氧化硅層等，以用作源極/漏極128A和源極/漏極128B以及第一層間絕緣膜131上的第二層間絕緣膜132。形成第二層間絕緣膜132就完成了圖4中所示晶體管 IllB0光電二極管11IA的配置圖6是表示光電二極管11IA的典型橫截面配置的模型圖。光電二極管IllA與晶體管IllB —起設(shè)置于基板11上。堆疊構(gòu)造的部分與晶體管IllB相同，并通過進(jìn)行與晶體管IllB相同的薄膜處理而形成。對光電二極管IllA的詳細(xì)配置說明如下。光電二極管IllA在基板11上的選定區(qū)域中具有P型半導(dǎo)體層122。p型半導(dǎo)體層122和選定區(qū)域夾著柵極絕緣層121a。具有接觸孔H2的第一層間絕緣膜121b在基板11上(或者嚴(yán)格地講，在柵極絕緣層121a上)設(shè)置為面向P型半導(dǎo)體層122。在p型半導(dǎo)體層122上和第一層間絕緣膜121b的接觸孔H2內(nèi)部設(shè)有i型半導(dǎo)體層123。在i型半導(dǎo)體層123上，形成有η型半導(dǎo)體層124。在η型半導(dǎo)體層124中，設(shè)有具有接觸孔Η3的第二層間絕緣膜121c。η型半導(dǎo)體層124通過接觸孔Η3電連接于上電極125。
在上述典型構(gòu)造中，在靠近基板11的側(cè)或下側(cè)設(shè)有P型半導(dǎo)體層122，并且在上側(cè)設(shè)有η型半導(dǎo)體層124。然而，需要注意，也可將所述構(gòu)造顛倒。即，在下側(cè)設(shè)有η型層，并且在上側(cè)設(shè)有P型層。此外，柵極絕緣層121a、第一層間絕緣膜121b和第二層間絕緣膜121c中的部分或全部或每個(gè)分別與晶體管IllB中采用的第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130和第一層間絕緣膜131的各層具有相同的層構(gòu)造。該光電二極管IllA可通過進(jìn)行與晶體管IllB相同的薄膜處理而制造。P型半導(dǎo)體層122通常為由摻雜有硼⑶的通常的多晶體硅(或多晶硅)制成的P+區(qū)。P型半導(dǎo)體層122的厚度通常處于40nnT50nm的范圍中。p型半導(dǎo)體層122兼用作通常用于讀出信號電荷的下電極。P型半導(dǎo)體層122連接于先前參照圖3描述的累積節(jié)點(diǎn)N。作為替代，P型半導(dǎo)體層122可兼用作其中累積電荷的累積節(jié)點(diǎn)N。i型半導(dǎo)體層123為呈現(xiàn)出介于P型和η型之間的中間導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層。i型半導(dǎo)體層123通常為由非晶體硅或非晶硅制成的未摻雜的純半導(dǎo)體層。i型半導(dǎo)體層123的厚度通常在400nnTl000nm的范圍內(nèi)。厚度越大，光電二極管IllA的感光度越大。η型半導(dǎo)體層124通常由非晶體硅或非晶硅制成，其形成η+區(qū)。η+區(qū)的厚度通常在10ηπΓ50ηηι的范圍內(nèi)。上電極125為用于提供光電變換的基準(zhǔn)電平的電極。η型半導(dǎo)體層124通常為由ITO(銦錫氧化物)等制成的透明導(dǎo)電膜。上電極125連接于用于對上電極125施加電壓的電源布線127。電源布線127通常由電阻低于上電極125的電阻的材料制成。所述材料的典型示例為Ti、Al、Mo、W和Cr。實(shí)施方式的效果參照圖Γ4和圖7 11，對該實(shí)施方式的效果說明如下。未圖示的照射源使諸如X射線的放射線照射到放射線攝像裝置I。當(dāng)放射線在穿過用作攝像對象的檢測體之后進(jìn)入放射線攝像裝置I時(shí)，在對入射的放射線進(jìn)行波長變換處理之后進(jìn)行光電變換處理，以便生成代表攝像對象的圖像的電信號。具體地，首先，由設(shè)置于像素部12上的閃爍器層114對入射到放射線攝像裝置I的放射線進(jìn)行波長變換處理，以便將放射線的波長改變到光電二極管IllA的敏感區(qū)(或者，這種情況下為可見光區(qū))中的波長。于是，閃爍器層114發(fā)出可見光。將由閃爍器層114以此方式發(fā)出的可見光施加到像素部12。當(dāng)將預(yù)定的電位從未圖示的電源線通過上電極125而施加于光電二極管11IA時(shí)，將入射光從靠近上電極125的側(cè)提供到像素部12，且像素部12進(jìn)行光電變換處理以將入射光變換為具有與入射光量對應(yīng)的量的信號電荷。將作為光電變換處理的結(jié)果而生成的信號電荷從靠近P型半導(dǎo)體層122的一側(cè)讀出為光電流。具體地，在用作累積層的P型半導(dǎo)體層122(或累積節(jié)點(diǎn)N)中收集由光電二極管IllA進(jìn)行光電變換處理而生成的電荷，并從累積層讀出所述電荷，以作為提供到用作讀晶體管的晶體管Tr2的柵極的電流。接收了從累積層讀出的電流后，讀晶體管Tr2根據(jù)電流表不的信號電荷而輸出信號電壓。當(dāng)行選擇晶體管Tr3響應(yīng)于行掃描信號Vread而導(dǎo)通時(shí)，由讀晶體管Tr2輸出的信號電壓保持在垂直信號線18上，即將由讀晶體管Tr2輸出的信號電壓讀出到垂直信號線18上。在垂直信號線18上保持的信號電壓經(jīng)由用于各像素列的垂直信號線18而輸出到水平選擇部14。如上所述，在該實(shí)施方式中，對諸如X射線的入射放射線進(jìn)行波形變換處理和光電變換處理，以便獲得代表圖像信息的電信號。然而，一些放射線穿過閃爍器層114而未經(jīng)歷由閃爍器層114進(jìn)行的波形變換處理。如果所述放射線入射至像素部12，則具體地會在晶體管IllB中出現(xiàn)如下所述的問題。晶體管IllB在第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜 130、第一層間絕緣膜131和第二層間絕緣膜132中具有分別含有氧的氧化硅膜。如果放射線入射至含有氧的氧化硅膜，在該膜中的電子由于所謂的光電效應(yīng)、康普頓(Compton)散射現(xiàn)象或電子對產(chǎn)生現(xiàn)象等等而受到激勵。因此，殘余的空穴在界面和缺陷上被捕獲。即，界面和缺陷由殘余的空穴充電。典型的對照晶體管圖7是下面描述典型對照晶體管100中的正電荷的影響時(shí)所參照的示意性橫截面圖，所述典型對照晶體管100是為了與本發(fā)明提供的晶體管IllB進(jìn)行對照而提供的典型晶體管。對照晶體管100也是具有雙柵構(gòu)造的晶體管。如圖所示，對照晶體管100包括在基板101上以此處所列的順序依次形成的柵極102A、第一柵極絕緣膜103、半導(dǎo)體層104、第二柵極絕緣膜105、柵極102B和第一層間絕緣膜107。半導(dǎo)體層104包括溝道層104a、LDD層104b和N+層104c。在第一層間絕緣膜107和第二柵極絕緣膜105中設(shè)有接觸孔。源極和漏極106通過這些接觸孔而連接于半導(dǎo)體層104。在源極和漏極106以及第一層間絕緣膜107上形成有第二層間絕緣膜108。在所述配置中，第一柵極絕緣膜103是設(shè)置于基板101上方的疊層，該疊層包括以此處所列的順序依次形成于基板101上方的氮化硅膜103A和氧化硅膜103B。同樣地，第二柵極絕緣膜105是設(shè)置于基板101上方的疊層，該疊層包括以此處所列的順序依次形成于基板101上方的氧化娃膜105A、氮化娃膜105B和氧化娃膜105C。同樣地，第一層間絕緣膜107是設(shè)置于基板101上方的疊層，該疊層包括以此處所列的順序依次形成于基板101上方的氧化娃膜107A和氮化娃膜107B。在用作典型對照晶體管的晶體管100中，由于前述的原因，同樣是氧化硅膜的氧化硅膜103B、氧化硅膜105A、氧化硅膜105C、氧化硅膜107A和第二層間絕緣膜108由正電荷充電。如圖7中的模型所示，在氧化硅膜103B、氧化硅膜105A、氧化硅膜105C、氧化硅膜107A和第二層間絕緣膜108中，例如，在第二層間絕緣膜108中的正電荷對半導(dǎo)體層104具有最壞的影響。更具體地，如相同圖中的模型中的虛線箭頭所示，累積于第二層間絕緣膜108中的正電荷對溝道邊緣el具有非常壞的影響。由于這種情況下對照晶體管100具有雙柵構(gòu)造，在柵極102B正上方的部分中累積的正電荷由柵極102B屏蔽，從而降低了該正電荷對半導(dǎo)體層104的影響。然而，在柵極102B的外邊緣e2的外側(cè)的區(qū)域中，無法充分地獲得所述屏蔽效果。例如，在柵極102B以及漏極和源極106之間的間隙中，無法充分地獲得所述屏蔽效果。此外，盡管理想地希望將柵極102B設(shè)置于柵極102A的正上方的位置，然而，實(shí)際中難以以高的精度將柵極102B的位置調(diào)節(jié)到柵極102A的位置。于是，柵極102B的位置易于產(chǎn)生變化。柵極102B的位置的變化各稱為位置偏移。如果存在所述位置偏移，則尤其難以充分地獲得對溝道邊緣el的屏蔽效果。鑒于上述原因，溝道層126a(或具體地為溝道邊緣el)易于受到正電荷影響。于是，閾值電壓Vth不期望地偏移到負(fù)側(cè)。此外，如果半導(dǎo)體層104具體地由低溫多晶硅制成，則期望將半導(dǎo)體層104夾在氧化硅膜之間。于是，與例如使用非晶硅的配置相比，上述的閾值電壓Vth易于偏移。此外，如果閾值電壓Vth發(fā)生偏移，通常截止電流和導(dǎo)通電流會發(fā)生改變，從而產(chǎn)生問題。具體地，截止電流增加，導(dǎo)致電流泄漏而使導(dǎo)通電流減少，從而無法讀取信號電荷。即，難以維持晶體管100的可靠性。另一方面，在該實(shí)施方式的情況下，屏蔽電極層128al和128bl設(shè)置于第一層間絕 緣膜131上。屏蔽電極層128al和128bl在第一層間絕緣膜131上設(shè)置為使得屏蔽電極層128al和128bl的部分面向柵極120B的邊緣e2。即，屏蔽電極層128al和128bl在第一層間絕緣膜131上設(shè)置為使得屏蔽電極層128al和128bl的部分與柵極120B重疊。于是，如圖8的模型所示，首先，柵極120B的屏蔽作用通常降低了累積于由氧化硅制成的第二層間絕緣膜132中的正電荷對溝道層126a的影響。其次，在該實(shí)施方式中，屏蔽電極層128al和128bl的屏蔽作用抑制了正電荷對溝道邊緣el的影響。圖9是表示在X射線照射至晶體管IllB的情況下，X射線照射量對包括由低溫多晶硅制成的半導(dǎo)體層126的晶體管IllB的電流-電壓特性的影響的圖。晶體管IllB的電流-電壓特性是柵極電壓Vg和漏極電流Ids之間的關(guān)系。該電流-電壓特性是在源極-漏極電壓為6. IV、寬度W為20. 5微米且長度L為6微米的情況下獲得的。此外，圖10是表示以漏極電流Ids為I. Oe - IlA時(shí)為基準(zhǔn)時(shí)的X射線照射量和基準(zhǔn)電壓(電壓Vg)的偏移量(AVshift)之間的關(guān)系的特性圖。另一方面，圖11是也表示X射線照射量和S值(或閾值)之間的關(guān)系的特性圖。需要注意，圖9、圖10和圖11所示的曲線是X射線管電壓為90kV且X射線照射量為0Gy、70Gy、110Gy和200Gy時(shí)獲得的曲線。此外，作為在以漏極電流Ids為5. 0e_7A為基準(zhǔn)時(shí)測量電壓Vg( S卩，閾值電壓Vth)的偏移量的替代，測量了以漏極電流Ids為l.Oe-llA為基準(zhǔn)時(shí)的電壓Vg的偏移量(AVshift)，以便以更易于理解的方式表示該偏移量。從曲線中明顯可見，如果X射線照射到晶體管111B，則隨著X射線的照射量從OGy經(jīng)由70Gy和IlOGy而增加到200Gy，晶體管IllB的閾值電壓Vth的偏移Λ Vth表現(xiàn)出逐漸上升的趨勢。然而，曲線呈現(xiàn)好的特性。在上述實(shí)施方式中，在晶體管IllB所采用的第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132中包含的任何氧化硅膜中，通過放射線的照射產(chǎn)生空穴，以便在第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132中累積正電荷。然而，屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128b I在第一層間絕緣膜131上如此設(shè)置，以使得屏蔽電極層128al的部分和屏蔽電極層128bl的部分面對柵極120B的邊緣e2。于是，例如，具體來說，在半導(dǎo)體層的溝道邊緣el附近，削弱了在第二層間絕緣膜132中累積的正電荷的影響，從而可抑制閾值電壓Vth的偏移AVth。因此，可抑制由放射線的照射引起的特性劣化，從而提高晶體管IllB的可靠性。此外，在本實(shí)施方式中，源極/漏極128A和源極/漏極128B還用作屏蔽電極層128aI和屏蔽電極層128b I，從而在將源極/漏極128A和源極/漏極128B圖形化的處理中，可易于形成屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。變型例I上述第一實(shí)施方式具有這樣的構(gòu)造，其中，通過利用源極/漏極128A的部分以及源極/漏極128B的部分而在溝道的兩側(cè)設(shè)有屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128b I。然而，如圖12A和圖12B所示，屏蔽電極層還可僅設(shè)置于溝道的一側(cè)。圖12A和圖12B為表示根據(jù)作為上述第一實(shí)施方式的變型例的變型例I的晶體管IllC的大致配置的橫截面圖。與上述第一實(shí)施方式的晶體管IllB非常類似地，以下還稱作變型版I的晶體管IllC為在柵
極120A和柵極120B之間具有半導(dǎo)體層126的雙柵極構(gòu)造的晶體管。此外，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。注意，在下述晶體管IllC中，與上述第一實(shí)施方式所采用的對應(yīng)元件相同的各構(gòu)成元件由與對應(yīng)元件相同的附圖標(biāo)記表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤藢ο嗤瑯?gòu)成元件的說明。然而，在本變型版I中，僅用作漏極的漏極128C和僅用作源極的源極128D在第一層間絕緣膜131上與半導(dǎo)體層126電連接。而且，在半導(dǎo)體層126所包含的溝道層126a、LDD層126b和N+層126c中，LDD層126b僅設(shè)置在靠近漏極128C的一側(cè)。這是因?yàn)樵诰w管IllC中，例如，由于漏極128C和源極128D之間的源極功能與漏極功能不能彼此替換，故優(yōu)選地將LDD層126b僅設(shè)置在靠近被施加有相對高電壓的漏極128C的一側(cè)。因?yàn)槟承┣闆r下將源極128D保持在地電位，故不必須將LDD層126b設(shè)置在靠近源極128D的一側(cè)。在這種配置中，漏極128C的一部分還用作屏蔽電極層128cl，并且屏蔽電極層128cl的一部分設(shè)置為面對柵極120B的邊緣e2。即使由于上述原因而例如在第二層間絕緣膜132中累積有正電荷，但屏蔽電極層128cl的屏蔽作用仍削弱了正電荷對設(shè)置于半導(dǎo)體層126的漏極側(cè)的溝道層126a的影響。具體來說，屏蔽電極層128cl的屏蔽作用削弱了正電荷對溝道邊緣e2的影響。另一方面，在半導(dǎo)體層126的源極側(cè)，電流不如半導(dǎo)體層126的漏極側(cè)的電流大。于是，在半導(dǎo)體層126的源極側(cè)不必需LDD層。而且，即使不存在屏蔽電極層，對閾值電壓Vth也幾乎無影響，這與對半導(dǎo)體層126的漏極側(cè)的影響一樣大。于是，可設(shè)有這樣的配置，其中，屏蔽電極層128cl僅設(shè)置在溝道的一側(cè)、即具體地僅設(shè)置在漏極偵U。在這種配置中，屏蔽電極層128cl可有效地設(shè)置在易于對特性產(chǎn)生影響的部分。上述變型版I具有僅在漏極側(cè)設(shè)有屏蔽電極層128cl的配置。然而，注意，屏蔽電極層128cl還可僅設(shè)置在源極側(cè)。在此情況下，相比于在漏極側(cè)設(shè)有屏蔽電極層128cl的配置，屏蔽電極層128cl的屏蔽作用小。然而，相比于對照例中的其中根本未設(shè)置屏蔽電極層的晶體管的構(gòu)造，可削弱正電荷對溝道邊緣el的影響，因此，抑制閾值電壓Vth的偏移。此外，在變型版I中，LDD層126b僅設(shè)置在溝道層126a的漏極側(cè)。然而，LDD層126b還可設(shè)置在源極側(cè)。在采用這種構(gòu)造的情況下，屏蔽電極層128cl可僅設(shè)置在漏極側(cè)或者僅設(shè)置在源極側(cè)。此外，如圖12B所示，將漏極128C形成為延伸至用于覆蓋柵極120B的兩個(gè)邊緣的位置，從而漏極128C的一部分還用作屏蔽電極層128c2。
第二實(shí)施方式配置圖13為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的晶體管IllD的大致配置的橫截面圖。注意，在下述晶體管IllD中，與上述第一實(shí)施方式所采用的對應(yīng)元件相同的各構(gòu)成元件由與對應(yīng)元件相同的附圖標(biāo)記表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤藢ο嗤瑯?gòu)成元件的說明。而且，與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在第一實(shí)施方式所述的放射線攝像裝置所采用的像素部12的像素電路12a中，包括第二實(shí)施方式的晶體管IllD以及光電二極管111A。與上述第一實(shí)施方式的晶體管IllB非常類似地，晶體管IllD為在柵極120A和柵極120B之間包括半導(dǎo)體層126的雙柵極構(gòu)造的晶體管。而且，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。此外，在第一層間絕緣膜131上，設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128E。然而，在本實(shí)施方式中，屏蔽電極層128F與源極/漏極128E電隔離，并且還設(shè)置 在第一層間絕緣膜131上。與第一實(shí)施方式所采用的源極/漏極128A和源極/漏極128B同樣地，各個(gè)源極/漏極128E能夠相互替換源極功能與漏極功能。而且，源極/漏極128E由與源極/漏極128A和源極/漏極128B同樣的材料制成。與第一實(shí)施方式所采用的屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl同樣地，屏蔽電極層128F用作電屏蔽以抑制氧化硅膜中累積的正電荷對半導(dǎo)體層126的影響。而且，將屏蔽電極層128F設(shè)置為使得屏蔽電極層128F的至少一部分面對柵極120B的邊緣e2。具體來說，屏蔽電極層128F如此設(shè)置，即使得屏蔽電極層128F面對柵極120B并且屏蔽電極層128F的一部分與柵極120B的邊緣e2重疊。注意，屏蔽電極層128F的邊緣e4的位置不限于以上具體說明的具體位置。然而，優(yōu)選地提供如下一種期望的構(gòu)造，即其中以與上述第一實(shí)施方式同樣的方式設(shè)置屏蔽電極層128F以覆蓋柵極120B的整個(gè)錐形部。屏蔽電極層128F通?？捎膳c第一實(shí)施方式所采用的源極/漏極128A和源極/漏極128B同樣的材料制成。而且，屏蔽電極層128F的構(gòu)成材料可與源極/漏極128E的材料相同或與源極/漏極128E的材料不同。如果屏蔽電極層128F的構(gòu)成材料與源極/漏極128E的材料相同，則可在同一步驟中同時(shí)制造屏蔽電極層128F和源極/漏極128E。一般來說，這種屏蔽電極層128F通?？衫梦磮D示的布線層而電連接于柵極120A和/或柵極120B，于是屏蔽電極層128F的電位可與柵極120A和/或柵極120B的電位保持同電位?；蛘?，屏蔽電極層128F可與柵極120A和柵極120B電隔離，以便屏蔽電極層128F的電位可保持在與柵極120A和柵極120B的電位設(shè)定為不同的任意電位。還或者，屏蔽電極層128F可保持在地電位，或者可設(shè)為懸空狀態(tài)。第二實(shí)施方式的效果在采用本實(shí)施方式的晶體管IllD的上述放射線攝像裝置中，基于通常為X射線的放射線而獲得了傳送信息的電信號。然而，存在直接入射至晶體管IllD的放射線。在每個(gè)晶體管IllD中，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各具有氧化硅膜。如果放射線入射至這種包含氧的氧化硅膜，則由于前述原因而在氧化硅膜中累積正電荷，并且電荷不期望地將閾值電壓Vth偏置至負(fù)側(cè)。為解決上述問題，在本實(shí)施方式中，在第一層間絕緣膜131上如此設(shè)置屏蔽電極層128F，以便屏蔽電極層128F的一部分與柵極120B的邊緣e2面對或重疊。因此，如圖14中的模型所示，首先，柵極120B的屏蔽作用抑制了通常在包括氧化硅膜的第二層間絕緣膜132中累積的正電荷對溝道層126a的影響。其次，在本實(shí)施方式的情況下，和圖7所示的對照例的構(gòu)造相比，屏蔽電極層128F的屏蔽作用抑制了正電荷對溝道層126a或者具體地對溝道邊緣el的影響。圖15為表示在將X射線照射于晶體管IllD的情況下的X射線照射量對晶體管IllD的電流-電壓特性的影響的圖，該晶體管IllD包括由低溫多晶硅制成的半導(dǎo)體層126。晶體管IllD的電流-電壓特性為柵極電壓Vg和漏極電流Ids之間的關(guān)系。圖16為表示X射線照射量和基準(zhǔn)電壓的偏移量(AVshift)之間的關(guān)系的特性圖，該基準(zhǔn)電壓為以I. Oe-IlA的漏極電流Ids為基準(zhǔn)的電壓Vg。另一方面，圖17為表示X射線照射量與第一實(shí)施方式的晶體管IllB及第二實(shí)施方式的晶體管IllD的電流-電壓特性中的S值(或閾值)之間的關(guān)系的特性圖。
注意，圖15、圖16和圖17中的各曲線為當(dāng)X射線管電壓為90kV且X射線照射量為067、7067、11067、20067時(shí)獲得的曲線。此外，在圖16和圖17中，每根實(shí)線代表對第一實(shí)施方式的晶體管IllB的測定結(jié)果，而每根虛線代表對第二實(shí)施方式的晶體管IllD的測定結(jié)果。從第一實(shí)施方式的晶體管IllB的曲線和第二實(shí)施方式的晶體管IllD的曲線明顯看出，如果將X射線照射于晶體管111D，則隨著X射線照射量從OGy經(jīng)由70Gy、IlOGy而增加至200Gy，則晶體管IllD的閾值電壓Vth的偏移Λ Vth呈現(xiàn)逐漸上升的趨勢。但所述曲線表示良好的特性。在上述第二實(shí)施方式中，在晶體管IllD所采用的第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132中包括的任何氧化硅膜中，通過放射線的照射而產(chǎn)生空穴，從而在第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132中累積正電荷。然而，在第一層間絕緣膜131上，屏蔽電極層128F設(shè)置為使得屏蔽電極層128F的部分面對柵極120Β的邊緣e2。于是，例如，具體地在半導(dǎo)體層的溝道邊緣el附近，削弱了第二層間絕緣膜132中累積的正電荷的影響，從而可抑制閾值電壓Vth的偏移AVth。因此，可獲得與第一實(shí)施方式同樣的效果。變型例2在上述第二實(shí)施方式所采用的配置的情況下，通過將屏蔽電極層128F與源極/漏極128E電隔離而設(shè)置屏蔽電極層128F，從而屏蔽電極層128F可保持在柵極電位或地電位。然而，根據(jù)變型例2，屏蔽電極層128F還可保持在負(fù)電位。在此情況下，如圖18中的模型所示，由于分別對第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132照射放射線，故在第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132的各氧化硅膜中累積了正電荷。然而，因?yàn)樵诟鶕?jù)變型例2的變型版2中將屏蔽電極層128F保持在負(fù)電位，故在第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132的各氧化硅膜中所累積的正電荷被吸引至屏蔽電極層128F側(cè)，從而削弱了正電荷對溝道層126a的影響。因此，可獲得與第二實(shí)施方式同樣的效果。如上所述，在第二實(shí)施方式的變型版2中，在第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132之間設(shè)有屏蔽電極層128F。但注意，屏蔽電極層128F的位置決不限于第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132之間的位置。例如，屏蔽電極層128F還可插入第一層間絕緣膜131所包括的氧化硅膜131a和氮化硅膜131b之間的位置中。以下，說明作為第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的變型例的變型例3 變型例5。注意，在對下述變型例3 變型例5的說明中，與上述第一實(shí)施方式和/或第二實(shí)施方式所采用的對應(yīng)元件相同的各構(gòu)成元件由與對應(yīng)元件相同的附圖標(biāo)記表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤藢ο嗤瑯?gòu)成元件的說明。變型例3圖19為表示作為變型例3中的晶體管IllE的變型版3的大致配置的橫截面圖。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在放射線攝像裝置所采用的像素部12的像素電路12a中，包括晶體管IllE以及光電二極管111A。而且，晶體管IllE還具有在兩個(gè)柵極間設(shè)有半導(dǎo)體層126的雙柵極構(gòu)造。此外，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。而且，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128A和源極/漏極128B。
然而，在本變型版3中，在一個(gè)晶體管11IE中，彼此并行地設(shè)有具備上述雙柵極構(gòu)造的兩組層疊構(gòu)造。具體來說，晶體管IllE在基板11上的選定區(qū)域中具有兩個(gè)柵極。這兩個(gè)電極為柵極120A1和柵極120A2。設(shè)有第二柵極絕緣膜129以覆蓋柵極120A1和柵極120A2。在第二柵極絕緣膜129上設(shè)有半導(dǎo)體層126。對于每對柵極120A1和柵極120A2，半導(dǎo)體層126包括溝道層126a、LDD層126b以及N+層126c。形成第一柵極絕緣膜130以覆蓋半導(dǎo)體層126。在第一柵極絕緣膜130上的各選定區(qū)域中設(shè)有柵極120B1和柵極120B2。第一柵極絕緣膜130上的各選定區(qū)域?yàn)榉謩e面對柵極120A1和柵極120A2的區(qū)域。形成第一層間絕緣膜131以覆蓋柵極120B1和柵極120B2。在第一層間絕緣膜131和第一柵極絕緣膜130的各部分中各設(shè)有接觸孔H1。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，一對源極/漏極128A和源極/漏極128B設(shè)置在第一層間絕緣膜131上，以便在與半導(dǎo)體層126電連接的狀態(tài)下填充各接觸孔Hl。在源極/漏極128A和源極/漏極128B上設(shè)有第二層間絕緣膜132。注意，在本變型版中，通過在一個(gè)晶體管內(nèi)彼此并行地設(shè)置柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2，從而可減小在Vg=OV時(shí)作為漏電流的截?cái)嗦╇娏鞯拇笮?。注意，在本?shí)施方式中，柵極120B1和柵極120B2為本發(fā)明的實(shí)施方式的第一柵極的具體例，而柵極120A1和柵極120A2為本發(fā)明的實(shí)施方式的第二柵極的具體例。與晶體管IllB同樣地，在本變型例中的具有兩個(gè)這種雙柵極構(gòu)造的晶體管IllE中，源極/漏極128A和源極/漏極128B的各部分還用作屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。在這種配置中，一般來說，屏蔽電極層128al設(shè)置為使得屏蔽電極層128al的至少一部分面對柵極120B1的邊緣e2，而屏蔽電極層128bl設(shè)置為使得屏蔽電極層128bl的至少一部分面對柵極120B2的邊緣e2。即便屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl的各邊緣e3的位置不限于以上具體說明的具體位置，仍優(yōu)選地提供如下期望的構(gòu)造，即其中屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl設(shè)置為覆蓋柵極120B1和柵極120B2的各錐形部。如上所述，在具有被彼此并行地設(shè)置的兩個(gè)這種雙柵極構(gòu)造的晶體管IllE中，屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl的屏蔽作用也可實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施方式所獲得的同樣的作用。在上述變型版3中，在源極/漏極128A和源極/漏極128B的兩側(cè)設(shè)有屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。然而，注意，如先前對變型版I的說明中所述，屏蔽電極層也可僅設(shè)置于源極上或僅設(shè)置于漏極上。此外，圖19表示這樣的情況，其中，屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl可設(shè)置為僅面對柵極120B1和柵極120B2的一側(cè)的邊緣e2。然而，還可設(shè)有以下配置。例如，如圖20所示，屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl還可如此設(shè)置，即通過延伸屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128b I而使屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl各自面對柵極120B I和柵極120B2的兩側(cè)的邊緣e2。變型例4圖21為表示根據(jù)作為變型版4的變型例4而設(shè)置的晶體管IllF的大致配置的橫截面圖。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在放射線攝像裝置所采用的像素部12的像素電路12a中，包括晶體管IllF以及光電二極管111A。而且，晶體管IllF還具有在兩個(gè)柵極之間設(shè)有半導(dǎo)體層126的雙柵極構(gòu)造。此外，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。而且，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128A和源極/漏極128B。與變型版3同樣地，還在變型例4中的具有兩個(gè)雙柵極構(gòu)造的晶體管IllF中，源 極/漏極128A的部分以及源極/漏極128B的部分還用作屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。然而，在本變型版4中，在第一層間絕緣膜131上還設(shè)有屏蔽電極層128G。例如，在第一層間絕緣膜131上的源極/漏極128A和源極/漏極128B之間的區(qū)域中，設(shè)有與源極/漏極128A和源極/漏極128B電隔離的屏蔽電極層128G。與第一實(shí)施方式所采用的屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl同樣地，屏蔽電極層128G用作電屏蔽以抑制氧化硅膜中累積的正電荷對半導(dǎo)體層126的影響。而且，屏蔽電極層128G設(shè)置為使得屏蔽電極層128G的至少一部分面對柵極120B1和柵極120B2的各邊緣e2。注意，屏蔽電極層128G的邊緣e5的位置不限于以上具體說明的具體位置。然而，優(yōu)選地提供如下期望的構(gòu)造，即其中屏蔽電極層128G設(shè)置為覆蓋柵極120B1和柵極120B2的整個(gè)錐形部。屏蔽電極層128G通?？捎膳c第一實(shí)施方式所采用的源極/漏極128A和源極/漏極128B同樣的材料制成。而且，屏蔽電極層128G的構(gòu)成材料可與源極/漏極128A和源極/漏極128B的材料相同，或者與源極/漏極128A和源極/漏極128B的材料不同。注意，例如，一般來說，屏蔽電極層128G通常可利用未圖示的布線層而電連接至柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2中的至少一個(gè)，以便使屏蔽電極層128G保持在與柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2相同的電位?；蛘?，屏蔽電極層128G可與柵極120A1和柵極120A2電隔離并與柵極120B1和柵極120B2電隔離，從而屏蔽電極層128G的電位可保持在與柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2的電位設(shè)定為不同的任意電位。還或者，屏蔽電極層128G可保持在地電位，或者可設(shè)為懸空狀態(tài)。如上所述，在具有被彼此并行地設(shè)置的兩個(gè)這種雙柵極構(gòu)造的晶體管IllF中，屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl的屏蔽作用也可實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施方式所獲得的同樣的作用。此外，在該晶體管IllF中，在源極/漏極128A和源極/漏極128B之間還設(shè)有屏蔽電極層128G，從而可將屏蔽作用提高至比變型版3高的水平，于是，還削弱了空穴對半導(dǎo)體層126的影響。
變型例5圖22為表示根據(jù)作為變型版5的變型例5的晶體管IllG的大致配置的橫截面圖。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在放射線攝像裝置所采用的像素部12的像素電路12a中，包括晶體管IllG以及光電二極管111A。而且，晶體管IllG還具有在兩個(gè)柵極之間設(shè)有半導(dǎo)體層126的雙柵極構(gòu)造。此外，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。而且，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128E。與變型版3和變型版4非常類似地，變型版5也具有兩個(gè)雙柵極構(gòu)造。在本變型例的構(gòu)造中，與第二實(shí)施方式非常類似地，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與源極/漏極128E電隔離的屏蔽電極層128F。然而，在這種構(gòu)造中，各屏蔽電極層128F設(shè)置為面對各自的柵極120B1和柵極120B2。注意，兩個(gè)屏蔽電極層128F的邊緣e4的位置不限于上述具體所述的具體位置。然而，優(yōu)選地提供如下期望的構(gòu)造，即其中，屏蔽電極層128F設(shè)置為覆蓋柵極120B1和柵極120B2的整個(gè)錐形部。 注意，例如，一般來說，兩個(gè)屏蔽電極層128F通?？衫梦磮D示的布線層而電連接至柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2中的至少一個(gè)，以便將屏蔽電極層128F保持在與柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2相同的電位。或者，兩個(gè)屏蔽電極層128F還可與柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2電隔離，以便兩個(gè)屏蔽電極層128F的電位可保持在與柵極120A1、柵極120A2以及柵極120B1、柵極120B2的電位設(shè)定為不同的任意電位。還或者，兩個(gè)屏蔽電極層128F還可保持在地電位，或者可設(shè)為懸空狀態(tài)。如上所述，在具有被彼此并行地設(shè)置的兩個(gè)這種雙柵極構(gòu)造的晶體管IllG中，兩個(gè)屏蔽電極層128F的屏蔽作用也可實(shí)現(xiàn)與第二實(shí)施方式所獲得的同樣的作用。上述變型版3 變型版5各具有這樣的配置，即其中，在關(guān)于彼此并行布置的柵極120B I和柵極120B2水平對稱的位置處設(shè)有屏蔽電極層。但注意，屏蔽電極層的位置不是必須水平對稱。例如，在晶體管的指定的某一半中，或者對于柵極120B1和柵極120B2中的指定的某一個(gè)，通過利用源極/漏極的一部分以形成屏蔽電極層。另一方面，在晶體管的另一半中，或者對于柵極120B1和柵極120B2中的另一個(gè)，單獨(dú)形成與源極/漏極電隔離的屏蔽電極層。而且，左側(cè)和右側(cè)的各屏蔽電極層的寬度(或形成面積)可彼此不同。此外，在基板上彼此并行地布置的柵極的數(shù)量或在第二柵極絕緣膜上彼此并行地布置的第二柵極的數(shù)量決不限于上述I個(gè)或2個(gè)，而可以為3個(gè)或大于3的整數(shù)個(gè)。變型例6圖23為表示用作變型版6中的晶體管IllJ的根據(jù)變型例6設(shè)置的晶體管的橫截面構(gòu)造的圖。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在放射線攝像裝置所包括的像素部12的像素電路12a中，采用了晶體管IllJ以及光電二極管111A。而且，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。此夕卜，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128A和源極/漏極128B。然而，變型版6的晶體管IllJ具有所謂的頂柵型構(gòu)造。本實(shí)施方式的晶體管IllB具有這樣的構(gòu)造，即，僅包括作為所述柵極之一的柵極120B。與晶體管IllB同樣地，在具有這種柵極120B的晶體管IllJ中，源極/漏極128A的部分以及源極/漏極128B的部分還用作屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。而且，在具有這種頂柵型構(gòu)造的晶體管IllJ中，可獲得屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl的屏蔽作用。注意，本變型版的柵極120B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)置的第一柵極的具體例。此外，與變型版I同樣地，如圖24A所示，具有頂柵型構(gòu)造的晶體管還可構(gòu)成這樣的構(gòu)造，其中，僅漏極128c的一部分設(shè)置為面對柵極120B的一個(gè)邊緣e2，以便該部分還用作屏蔽電極層128cl。此外，如圖24B所示，具有頂柵型構(gòu)造的晶體管還可構(gòu)成這樣的構(gòu)造，其中，還使漏極128c延伸至覆蓋柵極120B的兩個(gè)邊緣的位置以形成漏極128c,從而漏極128c的一部分還用作屏蔽電極層128c2。作為一種未圖示的替代方式，還可設(shè)有這樣的構(gòu)造，即其中，為替代漏極128c的一部分，還使源極128D的一部分用作屏蔽電極層。此外，與第二實(shí)施方式同樣地，如圖25所示，還可設(shè)有這樣的構(gòu)造，即其中，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與源極/漏極128E電隔離的屏蔽電極層128F。 變型例7圖26為表示用作變型版7中的晶體管IllK的根據(jù)變型例7設(shè)置的晶體管的橫截面構(gòu)造的圖。與第一實(shí)施方式的晶體管IllB同樣地，在放射線攝像裝置所包括的像素部12的像素電路12a中，采用了晶體管IllK以及光電二極管111A。而且，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132各包括氧化硅膜。此夕卜，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與半導(dǎo)體層126電連接的一對源極/漏極128A和源極/漏極128B。然而，變型版7的晶體管IllK具有所謂的底柵型構(gòu)造。本實(shí)施方式的晶體管IllB具有這樣的構(gòu)造，即，僅包括所述柵極之一的柵極120A。與晶體管IllB同樣地，在具有這種柵極120A的晶體管IllK中，源極/漏極128A的部分以及源極/漏極128B的部分還用作屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl。而且，在具有這種底柵型構(gòu)造的晶體管IllK中，可獲得屏蔽電極層128al和屏蔽電極層128bl的屏蔽作用。注意，本變型版的柵極120A為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)有的第一柵極的具體例。此外，與變型版I同樣地，如圖27A所示，具有底柵型構(gòu)造的晶體管還可構(gòu)成這樣的構(gòu)造，其中，僅漏極128c的一部分設(shè)置為面對柵極120A的一個(gè)邊緣el，以便該部分還用作屏蔽電極層128cl。此外，如圖27B所示，具有底柵型構(gòu)造的晶體管還可構(gòu)成這樣的構(gòu)造，其中，還使漏極128c延伸至覆蓋柵極120A的兩個(gè)邊緣的位置以形成漏極128c，以便漏極128c的一部分還用作屏蔽電極層128c2。此外，與第二實(shí)施方式同樣地，如圖28所示，還可設(shè)有這樣的構(gòu)造，其中，在第一層間絕緣膜131上設(shè)有與源極/漏極128E電隔離的屏蔽電極層128F。以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的變型例8和變型例9，變型例8和變型例9各為實(shí)現(xiàn)放射線攝像裝置的變型版的變型例。注意，在對下述變型例8和變型例9的說明中，與上述第一實(shí)施方式和/或第二實(shí)施方式所采用的對應(yīng)元件相同的各構(gòu)成元件由與對應(yīng)元件相同的附圖標(biāo)記表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤藢ο嗤瑯?gòu)成元件的說明。變型例8在第一實(shí)施方式中，每個(gè)像素P中設(shè)有的像素電路為采用有源驅(qū)動方法的像素電路12a。然而，每個(gè)像素P中設(shè)有的像素電路還可以為像素電路12b，該像素電路12b類似于圖29所示的作為采用無源驅(qū)動方法的像素電路。在變型例8的變型版6中，單位像素P配置為包括光電二極管111A、電容器138以及對應(yīng)于讀晶體管Tr3的晶體管Tr。晶體管Tr連接于累積節(jié)點(diǎn)N和垂直信號線18之間。當(dāng)晶體管Tr響應(yīng)于行掃描信號Vread而導(dǎo)通時(shí)，根據(jù)入射于光電二極管IllA的光量而在累積節(jié)點(diǎn)N中累積的信號電荷被輸出給垂直信號線18。注意，晶體管Tr (或晶體管Tr3)為根據(jù)上述實(shí)施方式以及前述變型版所設(shè)置的晶體管IllA 晶體管IllD中的任一個(gè)。如上所述，像素P的驅(qū)動方法不限于上述實(shí)施方式所采用的有源驅(qū)動方法。即，像素P的驅(qū)動方法還可以為如同本變型版6的無源驅(qū)動方法。變型例9在上述實(shí)施方式中，在像素部12上設(shè)有閃爍體層114的間接變換型FH)用作通常的放射線攝像裝置。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線攝像裝置還可適用于直接變換型FPD0直接變換型Fro不采用閃爍體層114以及保護(hù)層115，該閃爍體層114進(jìn)行用于將放射線變換為可見光的波長變換處理。反而，像素部12設(shè)有用于將放射線直接變換為電信號的功能。 圖30為在對放射線攝像裝置的下述說明中所參照的示意性模型圖，該放射線攝像裝置為根據(jù)用作變型版7的變型例7而設(shè)置的直接變換型放射線攝像裝置。變型版7包括根據(jù)采用無源驅(qū)動方法的變型版6的利用像素電路12b的通常的像素部12。在該變型版7中，像素部12配置為包括光電轉(zhuǎn)換元件111H、電容器141以及對應(yīng)于讀晶體管Tr3的晶體管Tr。光電轉(zhuǎn)換元件11IH為用于將放射線變換為電信號的部分。光電轉(zhuǎn)換元件11IH具有通常設(shè)置于上部電極139A和像素電極139B之間的直接變換層140。直接變換層140通常由非晶硒半導(dǎo)體(a-Se半導(dǎo)體)或碲鎘半導(dǎo)體(CdTe半導(dǎo)體)制成。注意，晶體管Tr (或晶體管Tr3)為根據(jù)上述實(shí)施方式以及前述變型版而設(shè)置的晶體管IllB 晶體管IllD中的任一個(gè)。如上所述，本發(fā)明提供的晶體管不僅可適用于間接變換型FPD，還可適用于直接變換型FPD。具體來說，在直接變換型的情況中，入射的放射線直接入射至像素部12。于是，所述晶體管比根據(jù)上述實(shí)施方式以及前述變型版的晶體管更易于暴露。因此，用于抑制閾值電壓Vth的偏移的效果對用作直接變換型放射線攝像裝置的變型版7同樣有效。應(yīng)用例根據(jù)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式以及變型例f變型版4而設(shè)置的晶體管和放射線攝像裝置可應(yīng)用于與圖31所示的系統(tǒng)類似的放射線攝像顯示系統(tǒng)2。如圖所示，放射線攝像顯示系統(tǒng)2包括放射線攝像裝置I、圖像處理部25以及顯示裝置28。在如此配置的放射線攝像顯示系統(tǒng)2中，基于由放射線源26向攝像對象27照射的放射線，放射線攝像裝置I獲得攝像對象27的圖像數(shù)據(jù)Dout，并且將圖像數(shù)據(jù)Dout提供給圖像處理部25。圖像處理部25對從放射線攝像裝置I接收的圖像數(shù)據(jù)Dout進(jìn)行預(yù)定的圖像處理，并且將由圖像處理而獲得的圖像數(shù)據(jù)(或顯示數(shù)據(jù))D1輸出給顯示裝置28。顯示裝置28具有監(jiān)視屏28a，該監(jiān)視屏28a基于從圖像處理部25接收的顯示數(shù)據(jù)Dl而顯示圖像。如上所述，放射線攝像顯示系統(tǒng)2所采用的放射線攝像裝置I能夠?qū)z像對象27的圖像獲取為電信號。于是，通過將所獲取的電信號提供給顯示裝置28，可顯示攝像對象27的圖像。即，可在不用放射線攝影膠片的情況下而觀察到攝像對象27的圖像。此外，還可處理動態(tài)圖像攝像操作和動態(tài)圖像顯示操作。
以上，說明了各實(shí)施方式和變型版。然而，本發(fā)明的范圍決不限于上述實(shí)施方式和變型版。即，還可對上述實(shí)施方式和變型版作出各種變型。例如，用于構(gòu)成上述實(shí)施方式和變型版所采用的閃爍體層114的波長變換材料決不限于以上說明中所述的材料。換言之，各種其它熒光材料也可用于形成閃爍體層114。此外，上述實(shí)施方式和變型版具有這樣的配置，其中，屏蔽電極層以及源極和漏極設(shè)置于同一層上。然而，屏蔽電極層以及源極/漏極可不必設(shè)置于同一層上。即，屏蔽電極層以及源極/漏極還可設(shè)置于不同層上。此外，在上述實(shí)施方式和變型版中，第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132分別包括氧化硅膜。然而，如果第二柵極絕緣膜129、第一柵極絕緣膜130、第一層間絕緣膜131以及第二層間絕緣膜132中的至少一個(gè)包括氧化硅膜，則可獲得與本發(fā)明同樣的效果。此外，上述實(shí)施方式和變型版具有這樣的配置，即其中，由氧化硅制成的第二層間 絕緣膜132設(shè)置于源極/漏極上。然而，第二層間絕緣膜132不是必需的?；蛘?，第二層間絕緣膜132還可由不包含氧的材料制成。不包含氧的材料的典型例為氮化硅。然而，如前述第一實(shí)施方式所述，從光電二極管IllA的可制造性的觀點(diǎn)看，期望提供一種氧化硅膜以用作第二層間絕緣膜132。而且，所設(shè)置的屏蔽電極層的效果對在屏蔽電極層上方設(shè)置的氧化硅膜特別有效。設(shè)置于屏蔽電極層上方的氧化硅膜的典型例為第二層間絕緣膜132。此外，在上述實(shí)施方式和變型版中，將在各個(gè)側(cè)面具有錐形部的柵極作為本發(fā)明的實(shí)施方式的第二柵極的典型例。然而，第二柵極不是必須在各個(gè)側(cè)面上都具有錐形部。例如，如圖32所示，第二柵極120B3的各個(gè)側(cè)面還可形成為與基板表面垂直的形狀。在此情況中，第二柵極120B3的整個(gè)側(cè)面各為第二柵極120B3的邊緣。此外，在上述實(shí)施方式和變型版中，將由二氧化硅(SiO2)制成的膜作為本發(fā)明的實(shí)施方式的氧化硅膜的典型例。然而，氧化硅膜可以為任何其它膜，只要該其它膜是包含氧的硅化合物膜。例如，氧化硅膜還可以為由氮氧化硅(SiON)制成的膜。此外，在上述實(shí)施方式和變型版中，將N-MOS制成的N型晶體管作為本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管的典型例。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管決不限于N型晶體管。例如，本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體管還可以為P-MOS制成的P型晶體管。此外，在上述實(shí)施方式和變型版中，光電二極管IllA具有通過在基板上方依次形成P型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層和η型半導(dǎo)體層而建立的層疊構(gòu)造。然而，光電二極管IllA還可具有通過在基板上方依次形成η型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層而建立的層疊構(gòu)造。此外，不必采用本發(fā)明所提供的各實(shí)施方式和各變型版中所述的所有構(gòu)成元件。反而，可對上述實(shí)施方式和變型版增加另一層。例如，在上部電極125上還可形成由SiN等制成的保護(hù)膜。注意，本發(fā)明可應(yīng)用于具有以下實(shí)施例f 11所述的配置的晶體管、采用任何所述晶體管的放射線攝像裝置以及采用所述放射線攝像裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)。I :一種晶體管，其包括半導(dǎo)體層；第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)龋坏谝粬艠O，其設(shè)置于所述第一柵極絕緣膜和所述第一層間絕緣膜之間的位置；絕緣膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)?；源極和漏極，它們設(shè)置為與所述半導(dǎo)體層電連接；以及屏蔽電極層，其設(shè)置為使得所述屏蔽電極層的至少部分面對所述第一柵極的邊緣，其中，所述第一柵極絕緣膜、所述第一層間絕緣膜以及所述絕緣膜中的至少一個(gè)包括氧化硅膜。2 :根據(jù)實(shí)施例I所述的晶體管，還包括隔著所述半導(dǎo)體層而面對所述第一柵極的第二柵極，其中， 在基板上依次形成所述第二柵極、所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第一柵極絕緣膜、所述第一柵極以及所述第一層間絕緣膜。3 根據(jù)實(shí)施例I或?qū)嵤├?所述的晶體管，其中，所述屏蔽電極層設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上。4 :根據(jù)實(shí)施例3所述的晶體管，其中，所述源極和/或所述漏極通過延伸至面對所述第一柵極的所述邊緣的區(qū)域而設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上，并且所述源極和所述漏極中包含的用于面對所述第一柵極的所述邊緣的部分還用作所述屏蔽電極層。5 :根據(jù)實(shí)施例3所述的晶體管，其中，從所述源極和所述漏極中僅選擇所述漏極以便延伸至面對所述第一柵極的所述邊緣的區(qū)域，從而將所述漏極用作設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上的電極，并且所述漏極中包含的用于面對所述第一柵極的所述邊緣的部分還用作所述屏蔽電極層。6 :根據(jù)實(shí)施例3 實(shí)施例5之任一個(gè)所述的晶體管，所述晶體管還具有設(shè)置于所述源極和所述漏極上的第二層間絕緣膜，其中，所述第二層間絕緣膜包括氧化硅膜。7 :根據(jù)實(shí)施例3 實(shí)施例5之任一個(gè)所述的晶體管，其中，所述源極、所述漏極以及所述屏蔽電極層通過彼此電隔離而設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上。8 :根據(jù)實(shí)施例7所述的晶體管，所述晶體管還包括設(shè)置于所述源極、所述漏極以及所述屏蔽電極層上的第二層間絕緣膜，其中，所述第二層間絕緣膜包括氧化硅膜。9 根據(jù)實(shí)施例7或?qū)嵤├?所述的晶體管，其中，使所述屏蔽電極層保持在負(fù)電位。10 :根據(jù)實(shí)施例2 實(shí)施例9之任一個(gè)所述的晶體管，其中，為一對所述源極和漏極設(shè)有分別由所述第一柵極和所述第二柵極構(gòu)成的多個(gè)組。11 :根據(jù)實(shí)施例f實(shí)施例10之任一個(gè)所述的晶體管，其中，在基板上依次形成所述第一柵極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述絕緣膜以及所述第一層間絕緣膜。12 :根據(jù)實(shí)施例f實(shí)施例11之任一個(gè)所述的晶體管，其中，在基板上依次形成所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第一柵極絕緣膜、所述第一柵極以及所述第一層間絕緣膜。13 :根據(jù)實(shí)施例f實(shí)施例12之任一個(gè)所述的晶體管，其中，所述半導(dǎo)體層由多晶硅制成。14 :根據(jù)實(shí)施例f實(shí)施例13之任一個(gè)所述的晶體管，其中，所述氧化硅膜由二氧化硅(SiO2)制成。15:—種放射線攝像裝置，其包括具有晶體管和光電轉(zhuǎn)換元件的像素部，所述晶體 管包括半導(dǎo)體層；第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)?；第一柵極，其設(shè)置于所述第一柵極絕緣膜和所述第一層間絕緣膜之間的位置；絕緣膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)龋辉礃O和漏極，它們設(shè)置為與所述半導(dǎo)體層電連接；以及屏蔽電極層，其設(shè)置為使得所述屏蔽電極層的至少部分面對所述第一柵極的邊緣，其中，所述第一柵極絕緣膜、所述第一層間絕緣膜以及所述絕緣膜中的至少一個(gè)包括氧
化娃膜。16 :根據(jù)實(shí)施例15所述的放射線攝像裝置，其中，在所述像素部上設(shè)有波長變換層，以用作將入射的放射線的波長變換為所述光電轉(zhuǎn)換元件的靈敏度區(qū)域中的波長的層。17 :根據(jù)實(shí)施例15所述的放射線攝像裝置，其中，所述光電轉(zhuǎn)換元件具有用于吸收放射線并將所述放射線變換為電信號的功能。18:—種放射線攝像顯示系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用基于放射線而獲取圖像的放射線攝像裝置以及用于顯示所述放射線攝像裝置獲得的所述圖像的顯示裝置，其中，所述放射線攝像裝置包括具有晶體管和光電轉(zhuǎn)換元件的像素部，所述晶體管包括半導(dǎo)體層；第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)龋坏谝粬艠O，其設(shè)置于所述第一柵極絕緣膜和所述第一層間絕緣膜之間的位置；絕緣膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)龋辉礃O和漏極，它們設(shè)置為與所述半導(dǎo)體層電連接；以及屏蔽電極層，其設(shè)置為使得所述屏蔽電極層的至少部分面對所述第一柵極的邊緣；并且所述第一柵極絕緣膜、所述第一層間絕緣膜以及所述絕緣膜中的至少一個(gè)包括氧
化硅膜。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，取決 于設(shè)計(jì)需要和其它因素可出現(xiàn)各種變化、組合、子組合和替代。
權(quán)利要求
1.一種晶體管，其包括 半導(dǎo)體層； 第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的ー個(gè)指定表面?zhèn)龋? 第一柵極，其設(shè)置于所述第一柵極絕緣膜和所述第一層間絕緣膜之間的位置； 絕緣膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)龋? 源極和漏極，它們設(shè)置為與所述半導(dǎo)體層電連接；以及 屏蔽電極層，其設(shè)置為使得所述屏蔽電極層的至少部分面對所述第一柵極的邊緣， 其中，所述第一柵極絕緣膜、所述第一層間絕緣膜以及所述絕緣膜中的至少ー個(gè)包括氧化硅膜。
2.如權(quán)利要求I所述的晶體管，還包括隔著所述半導(dǎo)體層而面對所述第一柵極的第二柵極，其中， 在基板上依次形成所述第二柵極、所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第一柵極絕緣膜、所述第一柵極以及所述第一層間絕緣膜。
3.如權(quán)利要求I所述的晶體管，其中，所述屏蔽電極層設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體管，其中， 所述源極和/或所述漏極通過延伸至面對所述第一柵極的所述邊緣的區(qū)域而設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上，并且 所述源極和所述漏極中包含的用作面對所述第一柵極的所述邊緣的部分還用作所述屏蔽電極層。
5.如權(quán)利要求3所述的晶體管，其中， 從所述源極和所述漏極中僅選擇所述漏極以便延伸至面對所述第一柵極的所述邊緣的區(qū)域，從而將所述漏極用作設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上的電極，并且 所述漏極中包含的用作面對所述第一柵極的所述邊緣的部分還用作所述屏蔽電極層。
6.如權(quán)利要求3所述的晶體管，所述晶體管還具有設(shè)置于所述源極和所述漏極上的第ニ層間絕緣膜， 其中，所述第二層間絕緣膜包括氧化硅膜。
7.如權(quán)利要求3所述的晶體管，其中， 所述源極、所述漏極以及所述屏蔽電極層通過彼此電隔離而設(shè)置于所述第一層間絕緣膜上。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管，所述晶體管還包括設(shè)置于所述源極、所述漏極以及所述屏蔽電極層上的第二層間絕緣膜， 其中，所述第二層間絕緣膜包括氧化硅膜。
9.如權(quán)利要求7所述的晶體管，其中，所述屏蔽電極層保持在負(fù)電位。
10.如權(quán)利要求2所述的晶體管，其中， 為ー對所述源極和漏極設(shè)有分別由所述第一柵極和所述第二柵極構(gòu)成的多個(gè)組。
11.如權(quán)利要求I所述的晶體管，其中， 在基板上依次形成所述第一柵極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述絕緣膜以及所述第一層間絕緣膜。
12.如權(quán)利要求I所述的晶體管，其中，在基板上依次形成所述絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第一柵極絕緣膜、所述第一柵極以及所述第一層間絕緣膜。
13.如權(quán)利要求I所述的晶體管，其中，所述半導(dǎo)體層由多晶硅制成。
14.如權(quán)利要求I所述的晶體管，其中， 所述氧化硅膜由ニ氧化硅制成。
15.ー種放射線攝像裝置，其包括具有晶體管和光電轉(zhuǎn)換元件的像素部，所述晶體管如權(quán)利要求I 14之一所述。
16.如權(quán)利要求15所述的放射線攝像裝置，其中， 在所述像素部上設(shè)有波長變換層，以用作將入射的放射線的波長變換為處于所述光電轉(zhuǎn)換元件的靈敏度區(qū)域中的波長的層。
17.如權(quán)利要求15所述的放射線攝像裝置，其中， 所述光電轉(zhuǎn)換元件具有用于吸收放射線并將所述放射線變換為電信號的功能。
18.ー種放射線攝像顯示系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用基于放射線而獲取圖像的放射線攝像裝置以及用于顯示所述放射線攝像裝置獲得的所述圖像的顯示裝置，其中，所述放射線攝像裝置如權(quán)利要求15 17之一所述。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠抑制因放射線造成的特性劣化從而提高可靠性的晶體管、采用所述晶體管的放射線攝像裝置和包括所述裝置的放射線攝像顯示系統(tǒng)，該晶體管包括半導(dǎo)體層；第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜，它們設(shè)置于半導(dǎo)體層的一個(gè)指定表面?zhèn)?；第一柵極，其設(shè)置于第一柵極絕緣膜和第一層間絕緣膜之間的位置；絕緣膜，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的另一表面?zhèn)?；源極和漏極，它們設(shè)置為與半導(dǎo)體層電連接；以及屏蔽電極層，其設(shè)置為使得屏蔽電極層的至少部分面對第一柵極的邊緣，其中，第一柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜以及絕緣膜中的至少一個(gè)包括氧化硅膜。
文檔編號H01L29/78GK102820337SQ20121018690
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
發(fā)明者山田泰弘, 伊藤良一, 田中勉, 高德真人, 千田滿 申請人:索尼公司