專利名稱：一種非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝。
背景技術(shù)：
在非晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，激光劃刻是一步很重要的工藝步驟，而在現(xiàn)有激光 設(shè)備中，劃刻寬度不一，使太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)不夠穩(wěn)定，嚴(yán)重影響電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，激光劃刻工藝簡(jiǎn)單，效果好，太陽(yáng)能電 池的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電池的轉(zhuǎn)換效率高的非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，該激光劃刻工藝的具體步驟如下首先在鋼化玻璃上濺鍍一層TCO膜，通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)TCO膜劃刻一道溝槽，溝 槽劃刻寬度為40-50微米，深度為T(mén)CO膜的厚度；然后在TCO膜表面沉積一層PIN膜，再采 用激光劃刻設(shè)備對(duì)PIN膜劃刻一道溝槽，溝槽劃刻的寬度為50-80微米，深度為PIN膜的厚 度；再在PIN膜表面沉積Al導(dǎo)電膜，最后通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)Al導(dǎo)電膜劃刻一道溝槽，溝 槽劃刻的寬度一般為50-60微米，深度為Al導(dǎo)電膜的厚度。本發(fā)明還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，激光劃刻工藝簡(jiǎn)單，效果好，太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)穩(wěn) 定，電池的轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)。


圖1為本非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻排列結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明圖1中A部位結(jié)構(gòu)放大示意圖。圖3為本發(fā)明局部放大側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式由附圖所示該激光劃刻工藝的具體步驟如下 首先在鋼化玻璃1上濺鍍一層TCO膜2，通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)TCO膜2劃刻一道溝 槽5，溝槽5劃刻寬度為40-50微米，深度為T(mén)CO膜2的厚度；然后在TCO膜2表面沉積一 層PIN膜3，再采用激光劃刻設(shè)備對(duì)PIN膜3劃刻一道溝槽6，溝槽6劃刻的寬度為50-80 微米，深度為PIN膜3的厚度；再在PIN膜3表面沉積Al導(dǎo)電膜4，最后通過(guò)激光劃刻設(shè)備 對(duì)Al導(dǎo)電膜4劃刻一道溝槽7，溝槽7劃刻的寬度一般為50-60微米，深度為Al導(dǎo)電膜4 的厚度。沉積時(shí)溝槽6內(nèi)鑲嵌有Al導(dǎo)電膜4，溝槽5內(nèi)鑲嵌有PIN膜3。本發(fā)明通過(guò)上述工藝過(guò)程劃刻完成以后，在三個(gè)溝槽5、6、7上形成電池結(jié)構(gòu)，在 太陽(yáng)光的照射下，該結(jié)構(gòu)則開(kāi)始發(fā)電，形成一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使PIN層發(fā)的電被傳送過(guò)去，由于激光劃刻的好壞直接決定著電池性能的好壞，所以使用本發(fā)明所述的工藝過(guò)程，可使電 池的性能達(dá)到最優(yōu)。 在附圖1中，其上的劃刻線的數(shù)量為橫向排列80-100條。
權(quán)利要求
1.一種非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝，其特征在于該激光劃刻工藝的具體步驟 如下首先在鋼化玻璃(1)上濺鍍一層TCO膜O)，通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)TCO膜( 劃刻一 道溝槽( ，溝槽( 劃刻寬度為40-50微米，深度為T(mén)CO膜O)的厚度；然后在TCO膜2 表面沉積一層PIN膜(3)，再采用激光劃刻設(shè)備對(duì)PIN膜C3)劃刻一道溝槽(6)，溝槽(6) 劃刻的寬度為50-80微米，深度為PIN膜(3)的厚度；再在PIN膜( 表面沉積Al導(dǎo)電膜 G)，最后通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)Al導(dǎo)電膜(4)劃刻一道溝槽(7)，溝槽(7)劃刻的寬度一般 為50-60微米，深度為Al導(dǎo)電膜(4)的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝，其特征在于沉積 時(shí)溝槽(6)內(nèi)鑲嵌有Al導(dǎo)電膜，溝槽(5)內(nèi)鑲嵌有PIN膜(3)。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種非晶硅太陽(yáng)能電池的激光劃刻工藝。該激光劃刻工藝的具體步驟是，首先在鋼化玻璃上濺鍍一層TCO膜，通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)TCO膜劃刻一道溝槽，溝槽劃刻寬度為40-50微米，深度為T(mén)CO膜的厚度；然后在TCO膜表面沉積一層PIN膜，再采用激光劃刻設(shè)備對(duì)PIN膜劃刻一道溝槽，溝槽劃刻的寬度為50-80微米，深度為PIN膜的厚度；再在PIN膜表面沉積Al導(dǎo)電膜，最后通過(guò)激光劃刻設(shè)備對(duì)Al導(dǎo)電膜劃刻一道溝槽，溝槽劃刻的寬度一般為50-60微米，深度為Al導(dǎo)電膜的厚度。本發(fā)明還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，激光劃刻工藝簡(jiǎn)單，效果好，太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電池的轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L31/20GK102104022SQ200910218149
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者劉萬(wàn)學(xué), 張兵, 強(qiáng)艷建, 楊繼澤, 王巍, 王德宏, 趙松雪, 鐘福建 申請(qǐng)人:吉林慶達(dá)新能源電力股份有限公司