專利名稱：：接合體以及接合方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及接合體以及接合方法。
背景技術(shù)：
：將2個(gè)部件(基材)彼此接合(粘接)時(shí)，目前多采用使用環(huán)氧系粘接劑、聚氨酯系粘接劑、硅酮系粘接劑等粘接劑來進(jìn)行的方法。粘接劑不論部件的材質(zhì)如何仍可以顯示粘接性。因此，可以將由各種材料構(gòu)成的部件彼此以各種組合進(jìn)行粘接。例如，噴墨打印機(jī)所具備的液滴噴頭(噴墨式記錄頭)通過將由樹脂材料、金屬材料、硅系材料等不同種類的材料構(gòu)成的構(gòu)件彼此使用粘接劑粘接而組裝。如上所述使用粘接劑將部件彼此粘接時(shí)，于粘接面涂布液狀或糊狀粘接劑，借助涂布的粘接劑將部件彼此貼合。然后，利用熱或光的作用使粘接劑固化，由此將部件彼此粘接起來。但是，上述粘接劑具有以下問題。粘接強(qiáng)度低尺寸精度低固化時(shí)間長，所以粘接需要長時(shí)間并且，多數(shù)情況下，為了提高粘接強(qiáng)度而必須使用底漆，所以帶來的成本和時(shí)間導(dǎo)致粘接工序的高成本化，復(fù)雜化。另一方面，作為不使用粘接劑的接合方法，有利用固體接合進(jìn)行的方法。固體接合是不借助粘接劑等中間層而將部件彼此直接接合的方法(例如，參見專利文獻(xiàn)l)。根據(jù)上述固體接合，由于不使用粘接劑之類中間層，所以可以得到尺寸精度高的接合體。但是，固體接合具有以下的問題。接合的部件的材質(zhì)有限制*接合工藝中伴有高溫(例如，70080(TC左右)下的熱處理接合工藝中的氛圍限于減壓氣氛受到上述問題，要求不取決于供接合的部件的材質(zhì)而將部件彼此以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效接合的方法。專利文獻(xiàn)l:日本專利特開平5-82404號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供將2個(gè)基材彼此以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效接合而得到的可靠性高的接合體以及將2個(gè)基材彼此在低溫下有效接合的接合方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是一種接合體，其特征在于，具有第一粘附體和第二粘附體，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧垸(Si-0)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜，并且所述接合體中利用下述粘接性接合有所述第一粘附體和所述第二粘附體，所述粘接性是分別對(duì)所述第一接合膜的至少一部分區(qū)域以及所述第二接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述第一接合膜與所述第二接合膜的存在于至少表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離，從而所述第一接合膜表面的所述區(qū)域以及所述第二接合膜的表面的所述區(qū)域分別呈現(xiàn)出的粘接性。根據(jù)上述本發(fā)明，能得到將2個(gè)基材彼此以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效接合而得到的接合體。8另外，本發(fā)明的接合體中，在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，從構(gòu)成的全體原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率與0原子的含有率總計(jì)優(yōu)選為1090原子％。由此，各接合膜中，Si原子與O原子形成牢固的網(wǎng)絡(luò)，接合膜本身形成牢固的膜。另外，上述接合膜對(duì)基材以及其他接合膜顯示特別高的接合強(qiáng)度。另外，本發(fā)明的接合體中，在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，Si原子與0原子的存在比優(yōu)選為3:77:3。由此，接合膜的穩(wěn)定性提高，可以將接合膜彼此更牢固地接合。另外，本發(fā)明的接合體中，所述Si骨架的結(jié)晶度優(yōu)選為45X以下。由此，Si骨架是特別包括無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的骨架。并且，能得到尺寸精度與粘接性優(yōu)異的接合膜。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方優(yōu)選含有Si-H鍵。認(rèn)為Si-H鍵抑制硅氧垸鍵有規(guī)則地生成。因此，硅氧烷鍵以避開Si-H鍵地形成，Si骨架的規(guī)則性降低。如上所述地操作，通過在接合膜中含有Si-H鍵，可以有效地形成結(jié)晶度低的Si骨架。另外，本發(fā)明的接合體中，在所述含有Si-H鍵的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度為l時(shí)，歸屬于Si-H鍵的峰強(qiáng)度為0.0010.2。由此，接合膜中的原子結(jié)構(gòu)形成相對(duì)最無規(guī)的結(jié)構(gòu)。因此，接合膜是接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度特別優(yōu)異的接合膜。另外，本發(fā)明的接合體中，所述脫離基優(yōu)選包含選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及鹵素類原子或以上述各原子鍵合于所述Si骨架的方式配置的原子團(tuán)構(gòu)成的組中的至少l種。上述脫離基在利用能量賦予進(jìn)行鍵合/脫離的選擇性方面比較優(yōu)異。因此，通過賦予能量，能得到比較簡單且均勻脫離的脫離基，可以進(jìn)一步提高帶有接合膜的基材的粘接性。另外，本發(fā)明的接合體中，所述脫離基優(yōu)選為烷基。由此，能得到耐氣候性以及耐化學(xué)藥品性優(yōu)異的接合膜。另外，本發(fā)明的接合體中，含有甲基作為所述脫離基的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度為l時(shí)，歸屬于甲基的峰強(qiáng)度優(yōu)選為0.050.45。由此，甲基的含有率被最佳化，由于可防止甲基阻礙硅氧垸鍵的生成至必需以上，且接合膜中產(chǎn)生必需且充分的數(shù)量的活性鍵，所以接合膜產(chǎn)生足夠的粘接性。另外，接合膜呈現(xiàn)起因于甲基的足夠的耐氣候性與耐化學(xué)藥品性。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方優(yōu)選至少存在于其膜表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離后具有活性鍵。由此，能得到將接合膜彼此基于化學(xué)鍵合牢固地接合而得到的接合體。另外，本發(fā)明的接合體中，所述活性鍵優(yōu)選為未結(jié)合鍵或羥基。由此，接合膜彼此被特別牢固地接合。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方優(yōu)選通過等離子體聚合法形成。由此，能得到將接合膜彼此特別牢固地接合而得到的接合體。另外，用等離子體聚合法形成的接合膜由于比較長時(shí)間維持被賦予能量而脫離基發(fā)生脫離的狀態(tài)(活化狀態(tài))，所以所得接合體的制造過程可以簡便化、有效化。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方優(yōu)選以聚有機(jī)硅氧垸為主要材料而構(gòu)成。由此，能得到粘接性更優(yōu)異的接合膜。另外，該接合膜是耐氣候性以及耐化學(xué)藥品性優(yōu)異的接合膜，例如，有效用于制作長期暴露于藥品類等的接合體。另外，本發(fā)明的接合體中，所述聚有機(jī)硅氧烷優(yōu)選以八甲基三硅氧烷的聚合物為主要成分。由此，能得到粘接性特別優(yōu)異的接合膜。另外，本發(fā)明的接合體中，在所述等離子體聚合法中，產(chǎn)生等離子體時(shí)的高頻輸出密度優(yōu)選為0.01100W/cm2。由此，可以防止高頻的輸出密度過高而對(duì)原料氣賦予必需以上的等離子體能量，同時(shí)可以確實(shí)地形成具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方的平均厚度優(yōu)選為l1000nm。由此，可以防止將接合膜彼此接合得到的接合體的尺寸精度顯著降低，同時(shí)可以更牢固地將它們接合。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方優(yōu)選是不具有流動(dòng)性的固體狀接合膜。由此，接合體的尺寸精度格外高于現(xiàn)有的接合體。另外，與現(xiàn)有接合體相比，能短時(shí)間牢固地接合。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方的折射率優(yōu)選為1.351.6。上述接合膜由于其折射率比較接近于水晶或石英玻璃的折射率，所以優(yōu)選用于例如制造貫穿接合膜之類的結(jié)構(gòu)的光學(xué)構(gòu)件。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一基材與所述第二基材中的至少一方優(yōu)選形成板狀。由此，基材容易撓曲，基材能沿著其他基材的形狀充分變形，所以進(jìn)一步提高它們的密接性。另外，利用基材撓曲，可以一定程度緩和接合界面所產(chǎn)生的應(yīng)力。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一基材的至少形成所述第一接合膜的部分與所述第二基材的至少形成所述第二接合膜的部分中的至少一方優(yōu)選以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料而構(gòu)成。由此，即使不實(shí)施表面處理，也能得到充分的接合強(qiáng)度。另外，本發(fā)明的接合體中，所述第一基材的具有所述第一接合膜的面與所述第二基材的具有所述第二接合膜的面中的至少一方面優(yōu)選預(yù)先被實(shí)施了提高與所述各接合膜的密接性的表面處理。由此，將基材的表面清潔化以及活化，可以提高基材與接合膜的接合強(qiáng)度。另外，本發(fā)明的接合體中，所述表面處理優(yōu)選是等離子體處理。由此，為了形成接合膜，可以將基材的表面特別最佳化。另外，本發(fā)明的接合體中，優(yōu)選在所述第一基材與所述第一接合膜之間以及所述第二基材與所述第二接合膜之間中的至少一方中插入中間層。由此，可以得到可靠性高的接合體。另外，本發(fā)明的接合體中，所述中間層優(yōu)選以氧化物系材料為主要材料而構(gòu)成。由此，可以特別提高基材與接合膜之間的接合強(qiáng)度。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是一種接合方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備第一粘附體和第二粘附體的工序，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且具有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧垸(Si—O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)；所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜，分別對(duì)所述第一接合膜的表面的至少一部分區(qū)域以及所述第二接合膜表面的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；和以使所述第一接合膜表面的所述區(qū)域和所述第二接合膜表面的所述區(qū)域密接的方式將所述第一粘附體與所述第二粘附體接合，得到接合體的工序。根據(jù)上述本發(fā)明，可以將2個(gè)基材彼此在低溫下有效地接合。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是一種接合方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備第一粘附體和第二粘附體的工序，所述第一粘附體包含第一基材12和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧垸(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)；所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜；以使所述第一接合膜與所述第二接合膜密接的方式將所述第一粘附體與所述第二粘附體重合，得到臨時(shí)接合體的工序；通過分別對(duì)所述臨時(shí)接合體中的所述第一接合膜的至少一部分區(qū)域與所述第二接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，從而將所述第一粘附體與所述第二粘附體接合，得到接合體的工序。根據(jù)上述本發(fā)明，可以將2個(gè)基材彼此在低溫下有效地接合。另外，在臨時(shí)接合體的狀態(tài)下，由于接合膜彼此未被接合，所以重合第一粘附體與第二粘附體后，可以容易地微調(diào)它們的位置。其結(jié)果是，可以提高接合膜的表面方向的位置精度。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述能量的賦予優(yōu)選通過對(duì)所述各接合膜照射能量線的方法、加熱所述各接合膜的方法、以及對(duì)所述各接合膜賦予壓縮力的方法中的至少l種方法來進(jìn)行。由此，可以比較簡單有效地對(duì)接合膜賦予能量。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述能量線優(yōu)選為波長是150300nm的紫外線。由此，由于賦予接合膜的能量為最佳，所以可以防止接合膜中的Si骨架被破壞至必需以上，并可以選擇性切斷Si骨架與脫離基之間的鍵。其結(jié)果是，可以防止接合膜的特性(機(jī)械特性、化學(xué)特性等)降低，同時(shí)可以使接合膜呈現(xiàn)粘接性。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述加熱溫度優(yōu)選為2510(TC。由此，可以確實(shí)地防止接合體因熱變質(zhì)*劣化，同時(shí)可以確實(shí)地提高接合強(qiáng)度。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述壓縮力優(yōu)選為0.210MPa。由此，可以防止壓力過高而在基板或粘附體上產(chǎn)生損傷等，同時(shí)可以確實(shí)地提高接合體的接合強(qiáng)度。另外，本發(fā)明的接合方法中，所述能量的賦予優(yōu)選在大氣氛圍中進(jìn)行。由此，控制氣氛時(shí)無需花費(fèi)時(shí)間和成本，從而可以更簡單地賦予能量。另外，本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選還包括對(duì)所述接合體進(jìn)行提高其接合強(qiáng)度的處理的工序。由此，可以獲得接合體的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步提高。另外，本發(fā)明的接合方法中，進(jìn)行所述提高接合強(qiáng)度的處理的工序優(yōu)選通過對(duì)所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法、以及對(duì)所述接合體賦予壓縮力的方法中的至少l種方法來進(jìn)行。由此，可以容易地獲得接合體的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步提高。圖l是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第一實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。圖2是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第一實(shí)施方案(縱截面圖)。圖3是表示本發(fā)明的接合體中接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的部分放大圖。圖4是表示本發(fā)明的接合體中接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的部分放大圖。圖5是模式地表示用于本發(fā)明接合方法的等離子體聚合裝置的縱截面圖。圖6是用于說明在基板上制作接合膜的方法的圖(縱截面圖)。圖7是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第二實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。圖8是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第3實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。圖9是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第4實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。圖10是表示應(yīng)用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解主視圖。圖1l是表示圖IO所示的噴墨式記錄頭的主要部分構(gòu)成的截面圖。圖12是表示具有圖10所示的具有噴墨式記錄頭的噴墨打印機(jī)的實(shí)施方案的簡圖。具體實(shí)施例方式以下，基于附圖所示的優(yōu)選實(shí)施方案詳細(xì)說明本發(fā)明的接合體以及接合方法。本發(fā)明的接合體具有2個(gè)基板(基材)21、22和設(shè)置于上述基板21、22間的2層接合膜31、32，借助這2層接合膜31、32接合2個(gè)基板21、22而得到。該接合體中，各接合膜31、32包含Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基，所述Si骨架含有硅氧烷(Si—0)鍵且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。上述接合膜31、32中，通過對(duì)其俯視圖中的至少一部分區(qū)域、即俯視圖中的接合膜31、32的整面或一部分區(qū)域賦予能量，接合膜31、32的至少存在于表面附近的脫離基從Si骨架脫離。并且該接合膜31、32具有下述特征利用脫離基的脫離，其表面賦予了能量的區(qū)域呈現(xiàn)相互的粘接性。具有上述特征的各接合膜31、32能將2個(gè)基板21、22以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效地接合。并且，通過使用上述接合膜31、32，能得到基板21與對(duì)置基板22(2個(gè)基板)牢固接合而得到的可靠性高的接合體?！吹谝粚?shí)施方案〉首先，說明本發(fā)明的接合體以及接合方法的各第一實(shí)施方案。圖1與圖2是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第一實(shí)施方案的圖(縱截面圖)，圖3是表示本發(fā)明的接合體中接合膜的能量賦予前的狀態(tài)的部分放大圖，圖4是表示本發(fā)明的接合體中接合膜的能量賦予后的狀態(tài)的部分放大圖。需要說明的是，以下的說明中，將圖1至圖4中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。本實(shí)施方案的接合方法包括下述工序準(zhǔn)備在基板21的一方的面形成接合膜31而得到的帶有接合膜的基材1a的王序；對(duì)帶有接合膜的基材1a的接合膜31賦予能量，使脫離基從接合膜31中脫離，由此使接合膜31活化的工序；準(zhǔn)備在對(duì)置基板22的一方的面形成與所述接合膜31相同的接合膜32而得到的帶有接合膜的基材lb(其他的帶有接合膜的基材)，以使各帶有接合膜的基材la、lb所具有的接合膜31、32彼此密接的方式將它們貼合，得到接合體5的工序。以下，依次說明本實(shí)施方案的接合方法的各工序。[1]首先，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材la。帶有接合膜的基材la如圖l(a)所示，具有呈板狀的基板(基材)21和設(shè)置于基板21上的接合膜31。其中，基板21只要具有支撐接合膜31的程度的剛性，就可以用任意材料構(gòu)成。具體而言，基板21的構(gòu)成材料可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯基酯共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-l)、離聚物、丙烯酸類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚羧醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟類樹脂、苯乙烯類、聚烯烴類、聚氯乙烯類、聚氨酯類、聚酯類、聚酰胺類、聚丁二烯類、反式聚異戊烯類、氟橡膠類、氯化聚乙烯類等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、蜜胺樹脂、芳族聚酰胺類樹脂、不飽和聚酯、硅酮樹脂、聚氨酯等或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚?、摻雜體、聚合物混合物(求IJ7—7口/f)等樹脂類材料，F(xiàn)e、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm之類的金屬，或包含上述金屬的合金、碳鋼、不銹鋼、銦錫氧化物(ITO)、砷化鎵之類的金屬類材料，單晶硅、多晶硅、非晶硅之類的硅系材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃之類玻璃系材料，氧化鋁、氧化鋯、鐵素體、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢之類的陶瓷系材料，石墨之類的碳系材料，或組合上述各材料的1種或2種以上得到的復(fù)合材料等。另外，基板21可以是對(duì)其表面實(shí)施了鍍Ni之類鍍敷處理、鉻酸處理之類的鈍態(tài)化處理、或氮化處理等的基板。另外，基板(基材)21的形狀只要具有支撐接合膜31的面那樣的形狀即可，不限于板狀。S卩，基材的形狀例如可以為塊狀(block)、棒狀等。需要說明的是，本實(shí)施方案中，由于基板21為板狀，所以基板21容易撓曲，能沿著對(duì)置基板22的形狀充分變形，所以它們的密接性變得更高。另外，在帶有接合膜的基材la中，基板21與接合膜31的密接性提高，同時(shí)基板21撓曲，由此，可以一定程度緩和接合界面所產(chǎn)生的應(yīng)力。此時(shí)，基板21的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.0110mm左右，更優(yōu)選為0.13mm左右。需要說明的是，下述的對(duì)置基板22的平均厚度也優(yōu)選在與上述基板21的平均厚度相同的范圍內(nèi)。另一方面，接合膜31位于基板21與下述的對(duì)置基板22之間，承擔(dān)接合上述基板21、22的功能。上述接合膜31如圖3、4所示，具有Si骨架301和鍵合于該Si骨架301的脫離基303，所述Si骨架301含有硅氧烷(Si—O)鍵302且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的接合體主要在該接合膜31上具有特征。另外，該接合膜31如17下所述。另外，優(yōu)選對(duì)基板21的至少要形成接合膜31的區(qū)域，根據(jù)基板21的構(gòu)成材料在形成接合膜31前預(yù)先實(shí)施提高基板21與接合膜31的密接性的表面處理。作為上述表面處理，例如可以舉出濺射處理、噴丸處理之類物理表面處理、使用氧等離子體、氮等離子體等的等離子體處理、電暈放電處理、蝕刻處理、電子線照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理之類化學(xué)表面處理、或組合上述處理的處理等。通過實(shí)施上述處理，可以清潔基板21的要形成接合膜31的區(qū)域，同時(shí)可以使該區(qū)域活化。由此，可以提高基板21與接合膜31的接合強(qiáng)度。另外，通過使用在上述各表面處理中的等離子體處理，形成接合膜31，因此，可以將基板21的表面特別最佳化。需要說明的是，在實(shí)施表面處理的基板21由樹脂材料(高分子材料)構(gòu)成時(shí)，特別優(yōu)選使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。另外，根據(jù)基板21的構(gòu)成材料，即使不實(shí)施上述表面處理，也可以充分提高接合膜31的接合強(qiáng)度。作為能得到上述效果的基板21的構(gòu)成材料，例如，可以舉出以上述各種金屬類材料、各種硅類材料、各種玻璃類材料等為主要材料的材料。由上述材料構(gòu)成的基板21因其表面被氧化膜覆蓋，該氧化膜的表面鍵合有活性較高的羥基。因此，如果使用由上述材料構(gòu)成的基板21，則即使不實(shí)施上述表面處理，也可以提高基板21與接合膜31的密接強(qiáng)度。需要說明的是，此時(shí)，基板21的整體也可以不由上述材料構(gòu)成，只要至少要形成接合膜31的區(qū)域的表面附近由上述材料構(gòu)成即可。另外，代替表面處理，優(yōu)選在基板21的至少要形成接合膜31的區(qū)域預(yù)先形成中間層。該中間層可以具有任意功能，例如，優(yōu)選具有提高與接合膜31的密接性的功能、緩沖性(緩沖功能)、緩和應(yīng)力集中的功能等。經(jīng)由上述中間層接合基板21與接合膜31，可以得到可靠性高的接合體。作為上述中間層的構(gòu)成材料，例如可以舉出鋁、鈦之類金屬類材料，金屬氧化物、硅氧化物之類氧化物系材料，金屬氮化物、硅氮化物之類氮化物類材料，石墨、類金剛石碳(diamondlikecarbon)之類的碳類材料，硅垸偶聯(lián)劑、硫醇類化合物、金屬醇鹽、金屬-鹵素化合物之類自組織化膜材料，樹脂類粘接劑、樹脂膜、樹脂涂材、各種橡膠材料、各種彈性體之類樹脂類材料等，可以組合其中的1種或2種以上進(jìn)行使用。另外，由上述各材料構(gòu)成的中間層中，根據(jù)由氧化物系材料構(gòu)成的中間層，也可以特別提高基板21與接合膜31間的接合強(qiáng)度。然后，對(duì)帶有接合膜的基材la的接合膜31的表面351賦予能量。賦予能量時(shí)，接合膜31中，脫離基303從Si骨架301脫離。然后，脫離基303脫離后，在接合膜31的表面351以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵。由此，接合膜31的表面351呈現(xiàn)與其他帶有接合膜的基材lb的粘接性。結(jié)果，帶有接合膜的基材la基于由活性鍵得到的化學(xué)結(jié)合而能與帶有接合膜的基材lb牢固地接合。此處，賦予接合膜31的能量可以用任意方法賦予，例如，可以舉出照射能量線的方法、加熱接合膜31的方法、對(duì)接合膜31賦予壓縮力(物理能量)的方法、暴露于等離子體(賦予等離子體能量)的方法、暴露于臭氧氣體(賦予化學(xué)能量)的方法等。另外，本實(shí)施方案中，作為對(duì)接合膜31賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用對(duì)接合膜31照射能量線的方法。上述方法可以對(duì)接合膜31較簡單有效地賦予能量，所以作為能量賦予方法是優(yōu)選的。其中，作為能量線，例如，可以舉出紫外線、激光之類的光、X線、Y線、電子線、離子束之類的粒子線等、或組合上述能量線得到的能量線。上述能量線中，也特別優(yōu)選使用波長為150300nm左右的紫外線(參見圖l(b))。根據(jù)上述紫外線，被賦予的能量被最佳化，所以可以防止接合膜31中的Si骨架301破壞至必需以上，同時(shí)可以選擇性地切斷Si骨架301與脫離基303間的鍵。由此，可以防止接合膜31的特性(機(jī)械特性、化學(xué)特性等)降低，同時(shí)使接合膜31呈現(xiàn)粘接性。另外，根據(jù)紫外線，可以沒有不均地在短時(shí)間內(nèi)對(duì)寬范圍進(jìn)行處理，所以可以有效進(jìn)行脫離基303的脫離。進(jìn)而，紫外線也有下述優(yōu)點(diǎn)，例如，可以用uv燈等簡單的設(shè)備產(chǎn)生。需要說明的是，紫外線的波長較優(yōu)選為160200nm左右。另外，使用UV燈時(shí)，其輸出根據(jù)接合膜31的面積而不同，但優(yōu)選為lmW/cm2lW/cm2左右，較優(yōu)選為5mW/cm250mW/cm2左右。需要說明的是，此時(shí)，UV燈與接合膜31的離開距離優(yōu)選為33000mm左右，較優(yōu)選為101000mm左右。另外，照射紫外線的時(shí)間是能將接合膜31的表面351附近的脫離基303脫離的程度的時(shí)間，即不使接合膜31內(nèi)部的脫離基303大量脫離的程度的時(shí)間。具體而言，紫外線的光量根據(jù)接合膜31的構(gòu)成材料等而稍有不同，但優(yōu)選為0.530分鐘左右，更優(yōu)選為110分鐘左右。另外，紫外線可以經(jīng)時(shí)連續(xù)照射，也可以間歇(脈沖狀)照射。另一方面，作為激光，例如，可以舉出準(zhǔn)分子激光(飛秒激光)、Nd-YAG激光、Ar激光、C02激光、He-Ne激光等。另外，對(duì)于接合膜31的能量線的照射可以在任意氛圍中進(jìn)行，具體而言，可以舉出大氣、氧之類氧化性氣體氣氛、氫之類還原性氣體氣氛、氮、氬之類惰性氣體氣氛、或?qū)⑸鲜鰵怏w的氣氛減壓得到的減壓(真空)氣氛等，特別優(yōu)選在大氣氛圍中進(jìn)行。由此，控制氣氛時(shí)無需花費(fèi)時(shí)間和成本，可以更簡單地進(jìn)行能量線的照射。如上所述，根據(jù)照射能量線照射的方法，由于容易進(jìn)行對(duì)接合膜31選擇地賦予能量，所以例如可防止能量賦予造成的基板21變質(zhì)劣化。另外，根據(jù)照射能量線的方法，可以精度良好、簡單地調(diào)整賦予的能量的大小。因此，能調(diào)整從接合膜31脫離的脫離基303的脫離量。如上所述，通過調(diào)整脫離基303的脫離量，可以容易地控制帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb之間的接合強(qiáng)度。S卩，通過增加脫離基303的脫離量，在接合膜31的表面351以及內(nèi)部生成較多的活性鍵，所以可以進(jìn)一步提高接合膜31所呈現(xiàn)的粘接性。另一方面，通過減少脫離基303的脫離量，可以減少接合膜31的表面以及內(nèi)部產(chǎn)生的活性鍵，從而可以抑制接合膜31所呈現(xiàn)的粘接性。需要說明的是，為了調(diào)整賦予的能量的大小，例如，只要調(diào)整能量線的種類、能量線的輸出、能量線的照射時(shí)間等條件即可。進(jìn)而，根據(jù)照射能量線的方法，可以在短時(shí)間內(nèi)賦予較大的能量，所以可以更有效地進(jìn)行能量賦予。此處，賦予能量前的接合膜31如圖3所示，具有Si骨架301與脫離基303。對(duì)上述接合膜31賦予能量時(shí)，脫離基303(本實(shí)施方案中甲基)從Si骨架301脫離。由此，如圖4所示，在接合膜31的表面351產(chǎn)生活性鍵304，被活化。其結(jié)果是，在接合膜31的表面呈現(xiàn)粘接性。此處，所謂使接合膜31"活化"，是指接合膜31的表面351以及內(nèi)部的脫離基303脫離，在Si骨架301中產(chǎn)生未被終端化的結(jié)合鍵(以下，也稱為"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵")的狀態(tài)或該未結(jié)合鍵被羥基(OH基)終端化的狀態(tài)、或上述狀態(tài)混雜的狀態(tài)。因此，所謂活性鍵304，是指未結(jié)合鍵(懸空鍵)或未結(jié)合鍵被羥基終端化的鍵。根據(jù)上述活性鍵304，能對(duì)帶有接合膜的基材lb特別牢固的接合o需要說明的是，后者的狀態(tài)(未結(jié)合鍵被羥基終端化的狀態(tài))通過如下所述而容易產(chǎn)生，即例如通過對(duì)接合膜31在大氣氛圍中照射能量線，由此大氣中的水分將未結(jié)合鍵終端化。另外，本實(shí)施方案中，說明在將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合前，預(yù)先對(duì)帶有接合膜的基材la的接合膜31賦予能量的情況，但上述能量賦予可以在將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合(重合)時(shí)或貼合(重合)后進(jìn)行。對(duì)于上述情況，在下述的第二實(shí)施方案中說明。下面，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材lb。然后，如圖l(c)所示，以使活化的接合膜31與帶有接合膜的基材lb密接的方式貼合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb。由此，得到圖l(d)所示的接合體5。如上所述得到的接合體5中，如現(xiàn)有的接合方法中所用的粘接劑那樣，主要不是基于錨定效果之類物理結(jié)合的粘接，而是基于共價(jià)鍵之類在短時(shí)間產(chǎn)生牢固的化學(xué)結(jié)合來接合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb。因此，接合體5可以在短時(shí)間形成，且極難剝離，也難以產(chǎn)生接合不均等。另外，根據(jù)使用上述帶有接合膜的基材la得到的接合體5的方法，如現(xiàn)有的固體接合那樣，由于無需在高溫(例如，700。C以上)下的熱處理，所以也可以將由耐熱性低的材料構(gòu)成的基板21以及對(duì)置基板22供接合使用。另外，由于借助各接合膜31、32接合基板21與對(duì)置基板22，所以也具有對(duì)基板21或?qū)χ没?2的構(gòu)成材料沒有限制的優(yōu)點(diǎn)。由以上內(nèi)容可知，根據(jù)本發(fā)明，可以分別擴(kuò)大基板21以及對(duì)置基板22的各構(gòu)成材料的選擇范圍。另外，固體接合由于不借助接合層，所以在基板21與對(duì)置基板22之間的熱膨脹率具有較大差，此時(shí)基于該差的應(yīng)力容易集中于接合界面，有可能產(chǎn)生剝離等，但接合體(本發(fā)明的接合體)5中，可通過各接合膜31、32緩和應(yīng)力的集中，從而可以防止剝離。此處，準(zhǔn)備的對(duì)置基板22與基板21相同，可以由任意材料構(gòu)成。具體而言，對(duì)置基板22由與基板21的構(gòu)成材料相同的材料構(gòu)成。另外，對(duì)置基板22的形狀也與基板21相同，只要是具有與接合膜32密接的面的形狀即可，沒有特別限定，例如為板狀(層狀)、塊狀(block狀)、棒狀等。但是，對(duì)置基板22的構(gòu)成材料可以與基板21不同，也可以相同。另外，優(yōu)選基板21與對(duì)置基板22的各熱膨脹率大致相等。如果基板21與對(duì)置基板22的熱膨脹率大致相等，則貼合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb時(shí)，在其接合界面難以發(fā)生伴隨熱膨脹的應(yīng)力。其結(jié)果是，在最終得到的接合體5中，可以確實(shí)地防止剝離等不良情況發(fā)生。另外，如下面所述，即使在基板21與對(duì)置基板22的各熱膨脹率彼此不同的情況下，也優(yōu)選將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合時(shí)的條件如下所述地最佳化，可以將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb以高尺寸精度牢固地接合。艮P，基板21與對(duì)置基板22的熱膨脹率彼此不同時(shí)，優(yōu)選盡可能在低溫下進(jìn)行接合。通過在低溫下進(jìn)行接合，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)生在接合界面的熱應(yīng)力的進(jìn)一步降低。具體而言，雖然也取決于基板21與對(duì)置基板22的熱膨脹率差，但優(yōu)選在基板21以及對(duì)置基板22的溫度為255(TC左右的狀態(tài)下貼合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb，較優(yōu)選在254(TC左右的狀態(tài)下貼合。如果為上述溫度范圍，則即使基板21與對(duì)置基板22的熱膨脹率差增大一定程度，也可以充分降低發(fā)生于接合界面的熱應(yīng)力。其結(jié)果是，可以確實(shí)地防止接合體5的翹曲或剝離等發(fā)生。另外，此時(shí)，基板21與對(duì)置基板22之間的熱膨脹類數(shù)差為5xl0—5/K以上時(shí)，如上所述，特別推薦盡可能在低溫下進(jìn)行接合。另外，基板21與對(duì)置基板22優(yōu)選彼此剛性不同。由此，可以更牢固地接合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb。另外，基板21與對(duì)置基板22中，至少一方構(gòu)成材料優(yōu)選由樹脂材料構(gòu)成。樹脂材料利用其柔軟性，接合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb時(shí)，可以緩和發(fā)生于其接合界面的應(yīng)力(例如，伴隨熱膨脹的應(yīng)力等)。因此，接合界面難以破壞，結(jié)果可以得到接合強(qiáng)度高的接合體5。需要說明的是，在要形成對(duì)置基板22的接合膜32也與所述基板21的情況相同預(yù)先實(shí)施提高對(duì)置基板22與接合膜32的密接性的表面處理或形成中間層。另外，根據(jù)對(duì)置基板22的構(gòu)成材料，即使不實(shí)施上述表面處理，也可以充分提高對(duì)置基板22與接合膜32的密接強(qiáng)度。能得到上述效果的對(duì)置基板22的構(gòu)成材料可使用與上述基板21的構(gòu)成材料相同的材料，即各種金屬類材料、各種硅類材料、各種玻璃類材料等。此處，本工序中，對(duì)帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb被接23合的機(jī)制進(jìn)行說明。推測該接合基于以下的2個(gè)機(jī)制(i)、(ii)的兩種或一種。(0例如，以羥基露出于各接合膜31、32表面351、352的情況為例進(jìn)行說明時(shí)，在本工序中，以使各接合膜31、32彼此密接的方式將2張帶有接合膜的基材la、lb貼合時(shí)，存在于各帶有接合膜的基材la、lb的接合膜31、32的表面351、352的羥基彼此在氫鍵的作用下互相吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推測在該引力的作用下，2張帶有接合膜的基材la、lb彼此被接合。另外，通過該氫鍵互相吸引的羥基彼此因溫度條件等而發(fā)生脫水縮合。其結(jié)果是，2張帶有接合膜的基材la、lb之間，鍵合有羥基的結(jié)合鍵彼此借助氧原子鍵合。由此，推測2張帶有接合膜的基材la、lb被牢固地接合。(ii)將2張帶有接合膜的基材la、lb彼此貼合時(shí)，各接合膜31、32的表面351、352或內(nèi)部產(chǎn)生的未被終端化的結(jié)合鍵(未結(jié)合鍵)之間再結(jié)合。該再結(jié)合在接合膜31與接合膜32之間以彼此重合(絡(luò)合)的方式復(fù)雜地產(chǎn)生，所以在接合界面形成網(wǎng)絡(luò)狀的結(jié)合。由此，構(gòu)成各接合膜31、32的各個(gè)母材(Si骨架301)彼此直接接合，各接合膜31、32彼此一體化。通過以上的機(jī)制(i)或(ii)，能得到圖l(d)所示的接合體5。需要說明的是，所述工序[2]中被活化的各接合膜31、32的表面351、352，其活性狀態(tài)經(jīng)時(shí)地緩和。因此，優(yōu)選所述工序[2]結(jié)束后，盡可能早地進(jìn)行本工序[3]。具體而言，優(yōu)選在所述工序[2]結(jié)束后60分鐘以內(nèi)進(jìn)行本工序[3]，較優(yōu)選在5分鐘以內(nèi)進(jìn)行。如果在上述時(shí)間內(nèi)，則由于各接合膜31、32的表面維持充分的活性狀態(tài)，所以在本工序中將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合時(shí)，在它們之間得到充分的接合強(qiáng)度。換言之，活化前的各接合膜31、32是具有Si骨架301的接合膜，所以化學(xué)上比較穩(wěn)定，耐氣候性優(yōu)異。因此，活化前的各接合膜31、32適合長期保存。因此，例如，如果預(yù)先大量制造或購入具備上述接合膜31的帶有接合膜的基材la并進(jìn)行保存，在進(jìn)行本工序的貼合之前，只要對(duì)需要的個(gè)數(shù)進(jìn)行所述工序[2]記載的能量賦予，從接合體5的制造效率的觀點(diǎn)來看是有效的。如以上所述地操作，可以得到圖l(d)所示的接合體(本發(fā)明的接合體)5。需要說明的是，圖l(d)中，以覆蓋帶有接合膜的基材la的接合膜31的整面的方式重合帶有接合膜的基材lb，但它們的相對(duì)的位置可以彼此錯(cuò)開。即，也可以以帶有接合膜的基材lb從接合膜31伸出的方式將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb重合。如上所述得到的接合體5優(yōu)選基板21與對(duì)置基板22之間的接合強(qiáng)度為5MPa(50kgf/cm2)以上，較優(yōu)選為10MPa(100kgf/cm2)以上。具有上述接合強(qiáng)度的接合體5能充分防止其剝離。然后，如下所述，使用接合體5構(gòu)成例如液滴噴頭時(shí)，能得到耐久性優(yōu)異的液滴噴頭。另外，根據(jù)帶有接合膜的基材la，可以有效制作將基板21與對(duì)置基板22以上述較大的接合強(qiáng)度接合的接合體5。需要說明的是，在現(xiàn)有的硅直接接合的固體接合中，即使將供接合的基板表面活化，其活性狀態(tài)也只能在大氣中維持?jǐn)?shù)秒數(shù)十秒左右的極短時(shí)間。因此，存在著在進(jìn)行了表面的活化后，無法充分確保使接合的2個(gè)基板21、22貼合等作業(yè)所需時(shí)間的問題。相對(duì)于此，根據(jù)本發(fā)明，由于使用具有Si骨架301的接合膜31進(jìn)行接合，所以可以將活性狀態(tài)維持?jǐn)?shù)分鐘以上的比較長的時(shí)間。因此，可以充分確保貼合作業(yè)所需的時(shí)間，并可以提高接合作業(yè)的效率。需要說明的是，得到接合體5后，對(duì)于該接合體5，可以根據(jù)需要進(jìn)行以下的3個(gè)工序([4A]、[4B]以及[4C])中的至少l個(gè)工序(提高接合體5的接合強(qiáng)度的工序)。由此，可以實(shí)現(xiàn)接合體5的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步提咼。如圖2(e)所示，將所得的接合體5在基板21與對(duì)置基板22在彼此接近的方向加壓。25由此，基板21的表面以及對(duì)置基板22的表面更進(jìn)一步接近接合膜31的表面以及接合膜32的表面，可以進(jìn)一步提高接合體5的接合強(qiáng)度。另外，通過將接合體5加壓，壓破接合體5中的接合界面殘留的間隙，可以進(jìn)一步擴(kuò)大接合面積。由此，可以進(jìn)一步提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)，將接合體5加壓時(shí)的壓力為接合體5不受到損傷的程度的壓力，優(yōu)選盡可能高。由此，可以與該壓力成比例地提高接合體5的接合強(qiáng)度。需要說明的是，該壓力只要根據(jù)基板21與對(duì)置基板22的各構(gòu)成材料、各厚度、接合裝置等條件適當(dāng)調(diào)整即可。具體而言，雖然根據(jù)基板21與對(duì)置基板22的各構(gòu)成材料或各厚度等稍有不同，但優(yōu)選為0.210MPa左右，更優(yōu)選為l5MPa左右。由此，可以確實(shí)提高接合體5的接合強(qiáng)度。需要說明的是，該壓力可以超過所述上限值，但根據(jù)基板21與對(duì)置基板22的各構(gòu)成材料，存在在基板21以及對(duì)置基板22上產(chǎn)生損傷等的顧慮。另外，加壓的時(shí)間沒有特別限定，但優(yōu)選為10秒30分鐘左右。需要說明的是，加壓的時(shí)間根據(jù)加壓時(shí)的壓力可以適當(dāng)變更。具體而言，將接合體5加壓時(shí)的壓力越高，即使縮短加壓時(shí)間，也可以實(shí)現(xiàn)接合強(qiáng)度的提高。如圖2(e)所示，對(duì)所得的接合體5進(jìn)行加熱。由此，可以進(jìn)一步提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)，加熱接合體5時(shí)的溫度高于室溫，只要低于接合體5的耐熱溫度，就沒有特別限定，但優(yōu)選為25100。C左右，較優(yōu)選為50100。C左右。如果在上述范圍的溫度下加熱，則可以確實(shí)防止接合體5因熱而變質(zhì)，劣化，同時(shí)可以確實(shí)地提高接合強(qiáng)度。另外，加熱時(shí)間沒有特別限定，優(yōu)選為130分鐘左右。另外，在進(jìn)行所述工序[4A]、[4B]的兩個(gè)工序時(shí)，優(yōu)選同時(shí)進(jìn)行上述工序。即，如圖2(e)所示，優(yōu)選將接合體5加壓的同時(shí)進(jìn)行加熱。由此，協(xié)同地發(fā)揮加壓獲得的效果和加熱獲得的效果，促進(jìn)各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合和未結(jié)合鍵之間的再結(jié)合。并且，進(jìn)一步進(jìn)行各接合膜31、32之間的一體化。其結(jié)果是，如圖2(f)所示，能得到大致完全一體化的接合膜30?！?C]對(duì)所得的接合體5照射紫外線。由此，增加接合膜31與基板21以及對(duì)置基板22之間形成的化學(xué)結(jié)合，可以分別提高基板21與接合膜31之間、對(duì)置基板22與接合膜32之間以及接合膜31與接合膜32之間的接合強(qiáng)度。其結(jié)果是，可以特別提高接合體5的接合強(qiáng)度。此時(shí)照射的紫外線的條件為與所述工序[2]所示的紫外線的條件相同即可。另外，進(jìn)行本工序[4C]時(shí)，需要基板21與對(duì)置基板22中任一個(gè)具有透光性。并且，通過從具有透光性的基板側(cè)照射紫外線，可以對(duì)接合膜31確實(shí)地照射紫外線。通過進(jìn)行以上的工序，可以容易實(shí)現(xiàn)接合體5的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步提咼。此處，如上所述，本發(fā)明的接合體在各接合膜31、32上具有特征。由于接合膜31與接合膜32相同，所以以下作為代表詳細(xì)說明接合膜31。如上所述，接合膜31如圖3、4所示，具有Si骨架301和鍵合于該Si骨架301的脫離基303，所述Si骨架含有硅氧烷(Si-0)鍵302且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。上述接合膜31因含有硅氧烷鍵302、具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架301的影響，形成難以變形的牢固的膜。認(rèn)為這是由于Si骨架301的結(jié)晶性降低，所以難以產(chǎn)生晶界轉(zhuǎn)位或錯(cuò)位等缺陷。因此，接合膜31本身是接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度高的接合膜，在最終得到的接合體5中，也能得到接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度高的接合膜。上述接合膜31被賦予能量時(shí)，脫離基303從Si骨架301脫離，如圖4所示，在接合膜31的表面351以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304。并且，由此，接合膜31的表面351呈現(xiàn)粘接性。呈現(xiàn)上述粘接性時(shí)，具備接合膜31的帶有接合膜的基材la對(duì)于帶有接合膜的基材lb能以高尺寸精度、牢固有效地接合。另外，上述接合膜31呈不具有流動(dòng)性的固體狀。因此，與目前使用的具有流動(dòng)性的液狀或粘液狀的粘接劑相比，粘接層(接合膜31)的厚度或形狀基本不變化。由此，使用帶有接合膜的基材la得到的接合體5的尺寸精度比現(xiàn)有技術(shù)高很多。并且，由于無需粘接劑固化所需的時(shí)間，所以能短時(shí)間牢固地接合。作為上述接合膜31，特別是從構(gòu)成接合膜31的全體原子除去H原子后的原子中，Si原子的含有率與O原子的含有率總計(jì)優(yōu)選為1090原子X左右，較優(yōu)選為2080原子％左右。如果以所述范圍的含有率含有Si原子與O原子，則接合膜31中，Si原子與O原子形成牢固的網(wǎng)絡(luò)，接合膜31本身成為牢固的接合膜。另外，上述接合膜31對(duì)基板21與帶有接合膜的基材lb顯示特別高的接合強(qiáng)度。另外，接合膜31中的S源子與0原子的存在比優(yōu)選為3:77:3左右，較優(yōu)選為4:66:4左右。通過將Si原子與O原子的存在比設(shè)定在所述范圍內(nèi)，接合膜31的穩(wěn)定性提高，可以更牢固地接合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb。需要說明的是，接合膜31中的Si骨架301的結(jié)晶度優(yōu)選為45X以下，較優(yōu)選為40%以下。由此，Si骨架301充分含有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。因此，上述Si骨架301的特性明顯化，接合膜31的尺寸精度與粘接性更為優(yōu)異。另外，接合膜31優(yōu)選在其結(jié)構(gòu)中含有Si-H鍵。認(rèn)為該Si-H鍵是硅烷利用等離子體聚合法發(fā)生聚合反應(yīng)時(shí)在聚合物中產(chǎn)生的，但此時(shí)，Si-H鍵抑制硅氧垸鍵的生成有規(guī)則地進(jìn)行。因此，避開Si-H鍵地形成硅氧烷鍵，Si骨架301的原子結(jié)構(gòu)的規(guī)則性降低。如上所述，根據(jù)等離子體聚合法，可以有效形成結(jié)晶度低的Si骨架301。另一方面，并不是說接合膜31中的Si-H鍵的含有率越多結(jié)晶度越低。具體而言，接合膜31的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰的強(qiáng)度為l時(shí)，歸屬于Si-H鍵的峰的強(qiáng)度優(yōu)選為0.0010.2左右，較優(yōu)選為0.0020.05左右，更優(yōu)選為0.0050.02左右。Si-H鍵相對(duì)于硅氧垸鍵的比例在所述范圍內(nèi)，由此接合膜31中的原子結(jié)構(gòu)相對(duì)地最無規(guī)。因此，Si-H鍵的峰強(qiáng)度相對(duì)于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度處于所述范圍內(nèi)時(shí)，接合膜31具有特別優(yōu)異的接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度。另外，鍵合于Si骨架301的脫離基303如上所述，從Si骨架301脫離，以使接合膜31產(chǎn)生活性鍵地活動(dòng)。因此，通過對(duì)脫離基303賦予能量，比較簡單且均勻地脫離，但未被賦予能量時(shí)，必須使其不脫離地確實(shí)地鍵合于Si骨架301。從上述觀點(diǎn)考慮，脫離基303優(yōu)選使用包含選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子以及鹵素類原子或含有上述各原子且以上述各原子鍵合于Si骨架301的方式配置的原子團(tuán)構(gòu)成的組中選擇的至少l種的脫離基。上述脫離基303的利用能量賦予進(jìn)行的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)異。因此，上述脫離基303能充分滿足上述必要性，可以進(jìn)一步提高帶有接合膜的基材la的粘接性。需要說明的是，作為以上述各原子鍵合于Si骨架301的方式配置的原子團(tuán)(基團(tuán))，例如，可以舉出甲基、乙基之類的垸基、乙烯基、烯丙基之類的鏈烯基、醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、鹵代烷基、巰基、磺酸基、氰基、異氰酸酯基等。上述各基團(tuán)中，脫離基303特別優(yōu)選為垸基。烷基由于化學(xué)穩(wěn)定性高，所以含有烷基的接合膜31具有優(yōu)異的耐氣候性以及耐化學(xué)藥品性。此處，脫離基303為甲基(-CH3)時(shí)，其優(yōu)選的含有率由紅外光吸收光譜的峰強(qiáng)度如下規(guī)定。艮P，接合膜31的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度為l時(shí)，歸屬于甲基的峰的強(qiáng)度優(yōu)選為0.050.45左右，較優(yōu)選為0.10.4左右，更優(yōu)選為0.20.3左右。通過甲基的峰強(qiáng)度相對(duì)于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度的比例在所述范圍內(nèi)，可以防止甲基將硅氧烷鍵的生成抑制必需以上，同時(shí)在接合膜31中產(chǎn)生必需且足夠數(shù)量的活性鍵，所以接合膜31產(chǎn)生充分的粘接性。另外，接合膜31呈現(xiàn)起因于甲基的充分的耐氣候性以及耐化學(xué)藥品性。作為具有上述特征的接合膜31的構(gòu)成材料，例如，可以舉出聚有機(jī)硅氧烷之類的含有硅氧烷鍵的聚合物等。由聚有機(jī)硅氧垸構(gòu)成的接合膜31其本身具有優(yōu)異的機(jī)械特性。另外，對(duì)于多數(shù)材料顯示特別優(yōu)異的粘接性。因此，由聚有機(jī)硅氧垸構(gòu)成的接合膜31特別牢固地粘附于基板21，并且對(duì)帶有接合膜的基材lb也顯示特別強(qiáng)的被粘附力，其結(jié)果是，可以牢固地接合基板21與對(duì)置基板22。另外，聚有機(jī)硅氧烷通常顯示疏水性(非粘接性)，但通過賦予能量，可以容易地使有機(jī)基團(tuán)脫離，轉(zhuǎn)化為親水性，呈現(xiàn)粘接性，具有容易且確實(shí)地控制該非粘接性與粘接性的優(yōu)點(diǎn)。需要說明的是，該疏水性(非粘接性)主要是利用聚有機(jī)硅氧烷中所含的烷基獲得的作用。因此，由聚有機(jī)硅氧烷構(gòu)成的接合膜31通過賦予能量，在表面351呈現(xiàn)粘接性，同時(shí)在表面351以外的部分中，也具有能得到由所述烷基獲得的作用，效果的優(yōu)點(diǎn)。因此，接合膜31具有優(yōu)異的耐氣候性以及耐化學(xué)藥品性，例如，能有效用于接合長期暴露于藥品類等的基板的情況。由此，例如，制造使用容易腐蝕樹脂材料的有機(jī)類墨液的工業(yè)用噴墨打印機(jī)的液滴噴頭時(shí)，通過使用具備由聚有機(jī)硅氧垸構(gòu)成的接合膜31的帶有接合膜的基材la，可以得到耐久性以及耐化學(xué)藥品性高的液滴噴頭。另外，在聚有機(jī)硅氧垸中，特別優(yōu)選以八甲基三硅氧烷的聚合物為主要成分。以八甲基三硅氧垸的聚合物為主要成分的接合膜31由于粘接性特別優(yōu)異，所以可以特別優(yōu)選適用于本發(fā)明的接合體。另外，以八甲基三硅氧垸為主要成分的原料在常溫下呈液狀，具有適度的粘度，所以具有容易操作的優(yōu)點(diǎn)。另外，接合膜31的平均厚度優(yōu)選為l1000nm左右，較優(yōu)選為2800nm左右。通過將接合膜31的平均厚度設(shè)定在所述范圍內(nèi)，可以防止將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb接合得到的接合體5的尺寸精度顯著降低，同時(shí)可以更牢固地接合上述基材。艮P，在接合膜31的平均厚度低于所述下限值時(shí)，可能得不到充分的接合強(qiáng)度。另一方面，接合膜31的平均厚度超過所述上限值時(shí)，接合體5的尺寸精度可能顯著降低。進(jìn)而，如果接合膜31的平均厚度在所述范圍內(nèi)，則確保接合膜31的一30定程度的形狀追隨性。因此，例如在基板21的接合面(鄰接于接合膜31的面)上存在凹凸的情況下，根據(jù)該凹凸的高度，也可以按照追隨凹凸的形狀的方式粘附接合膜31。其結(jié)果是，接合膜31可吸收凹凸并可以緩和其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。并且，將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合時(shí)，可以提高接合膜31與接合膜32的密接性。需要說明的是，上述形狀追隨性的程度是接合膜31的厚度越厚越顯著。因此，為了充分確保形狀追隨性，可以盡可能地增加接合膜31的厚度。上述接合膜31可以用任意方法制作，也可以通過等離子體聚合法、CVD法、PVD法之類各種氣相成膜法或各種液相成膜法等來制作，但其中，優(yōu)選用等離子體聚合法制作的接合膜。根據(jù)等離子體聚合法，可以有效制作致密且均質(zhì)的接合膜31。由此，用等離子體聚合法制作的接合膜31能特別牢固地接合于帶有接合膜的基材lb。進(jìn)而，用等離子體聚合法制作的接合膜31能比較長時(shí)間維持被賦予能量而活化的狀態(tài)。因此，可以實(shí)現(xiàn)接合體5的制造過程的簡單化、效率化。以下，作為一例，說明用等離子體聚合法制作接合膜31的方法。首先，在說明接合膜31的制作方法之前，對(duì)在基板21上進(jìn)行等離子體聚合法制作接合膜31時(shí)所用的等離子體聚合裝置進(jìn)行說明。圖5是模式地表示用于本發(fā)明接合方法的等離子體聚合裝置的縱截面圖。需要說明的是，以下的說明中，將圖5中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。圖5所示的等離子體聚合裝置100具備腔室101、支撐基板21的第一電極130、第二電極140、在各電極130、140間施加高頻電壓的電路180、向腔室IOI內(nèi)供給氣體的氣體供給部190以及將腔室101內(nèi)的氣體進(jìn)行排氣的排氣泵170。上述各部分中，第一電極130與第二電極140設(shè)置于腔室101內(nèi)。以下，詳細(xì)說明各部分。腔室101是能保持內(nèi)部氣密的容器，由于將內(nèi)部設(shè)定為減壓(真空)狀態(tài)進(jìn)行使用，所以具有能耐受內(nèi)部與外部的壓力差的耐壓性能。圖5所示的腔室101由軸線沿著水平方向配置的大致形成圓筒形的腔室本體、將腔室本體的左側(cè)開口部密封的圓形側(cè)壁與將右側(cè)開口部密封的圓形側(cè)壁構(gòu)成。于腔室101的上方設(shè)置供給口103，于下方設(shè)置排氣口104。然后，于供給口103連接氣體供給部190，于排氣口104連接排氣泵170。需要說明的是，本實(shí)施方案中，腔室101由導(dǎo)電性高的金屬材料構(gòu)成，經(jīng)由接地線102電接地。第一電極130呈板狀，支撐基板21。該第一電極130沿著鉛直方向設(shè)置于腔室101側(cè)壁的內(nèi)壁面，由此，第一電極130經(jīng)由腔室101電接地。需要說明的是，第一電極130如圖5所示，與腔室本體設(shè)置成同心狀。于支撐第一電極130的基板21的面設(shè)置靜電吸盤(吸附機(jī)構(gòu))139。利用該靜電吸盤139，如圖5所示，可以沿著鉛直方向支撐基板21。另外，基板21即使具有一些翹曲，也能使其吸附于靜電吸盤139，由此可以在矯正其翹曲的狀態(tài)下將基板21供于等離子體處理。第二電極140經(jīng)由基板21與第一電極130對(duì)向地設(shè)置。需要說明的是，第二電極140以從腔室101的側(cè)壁的內(nèi)壁面離開的(絕緣的)狀態(tài)設(shè)置。于該第二電極140經(jīng)由配線184連接高頻電源182。另外，在配線184的中途設(shè)置匹配箱(整合器)183。由上述配線184、高頻電源182以及匹配箱183構(gòu)成電路180。利用該電路180，第一電極130被接地，所以在第一電極130與第二電極140之間施加高頻電壓。由此，在第一電極130與第二電極140的間隙誘發(fā)在高頻率下朝向反轉(zhuǎn)的電場。氣體供給部190向腔室101內(nèi)供給規(guī)定的氣體。圖5所示的氣體供給部190具有貯存液狀膜材料(原料液)的貯液部191、將液狀膜材料氣化使其變化為氣體的氣化裝置192、貯存載氣的氣罐193。另夕卜，上述各部分與腔室101的供給口103分別用配管194連接，構(gòu)成為將氣體狀膜材料(原料氣)與載氣的混合氣體從供給口103向腔室101內(nèi)供給。貯存于貯液部191的液狀膜材料是利用等離子體聚合裝置100聚合，在基板21的表面形成聚合膜的原材料。上述液狀膜材料利用氣化裝置192氣化，形成氣體狀膜材料(原料氣)，供給于腔室101內(nèi)。需要說明的是，關(guān)于原料氣，在下面詳細(xì)說明。貯存在氣罐193的載氣是在電場的作用下放電以及為了維持該放電而導(dǎo)入的氣體。作為上述載氣，例如可以舉出Ar氣、He氣等。另外，在腔室101內(nèi)的供給口103附近設(shè)置擴(kuò)散板195。擴(kuò)散板195具有促進(jìn)供給于腔室101內(nèi)的混合氣體擴(kuò)散的功能。由此，混合氣體可以在腔室101內(nèi)以大致均勻的濃度分散。排氣泵170將腔室101內(nèi)排氣，例如，由油旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等構(gòu)成。如上所述將腔室101內(nèi)進(jìn)行排氣來減壓，由此可以容易地將氣體等離子體化。另外，可以防止因與大氣氣氛接觸而導(dǎo)致基板21污染*氧化等，同時(shí)可以將因等離子體處理產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物有效地從腔室101內(nèi)除去。另外，于排氣口104設(shè)置調(diào)整腔室101內(nèi)壓力的壓力控制機(jī)構(gòu)171。由此，根據(jù)氣體供給部190的工作狀況適當(dāng)設(shè)定腔室101內(nèi)的壓力。然后，對(duì)使用上述等離子體聚合裝置IOO，在基板21上制作接合膜31的方法進(jìn)行說明。圖6是用于說明在基板21上制作接合膜31的方法的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖6中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。在強(qiáng)電場中通過供給原料氣和載氣的混合氣體，使原料氣中的分子聚合，使聚合物堆積于基板21上，由此可以得到接合膜31。以下，進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，準(zhǔn)備基板21，根據(jù)需要對(duì)基板21的上表面251實(shí)施上述表面處理。然后，將基板21收納于等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，處于密封狀態(tài)后，利用排氣泵170的工作將腔室101內(nèi)設(shè)定為減壓狀態(tài)。然后，使氣體供給部190工作，在腔室101內(nèi)供給原料氣與載氣的混合氣體。供給的混合氣體被填充于腔室101內(nèi)(參見圖6(a))。此處，原料氣在混合氣體中所占的比例(混合比)因原料氣或載氣種類或目標(biāo)成膜速度等而稍有不同，但例如優(yōu)選將原料氣在混合氣體中的比例設(shè)定為2070%左右，較優(yōu)選設(shè)定為3060%左右。由此，可以實(shí)現(xiàn)聚合膜的形成(成膜)條件的最佳化。另外，供給的氣體的流量根據(jù)氣體種類或目標(biāo)成膜速度、膜厚等適當(dāng)確定，沒有特別限定，但通常優(yōu)選將原料氣與載氣的流量分別設(shè)定為1100ccm左右，較優(yōu)選設(shè)定為1060ccm左右。然后，使電路180工作，在一對(duì)電極130、140間施加高頻電壓。由此，存在于一對(duì)電極130、140間的氣體分子電離，產(chǎn)生等離子體。利用該等離子體的能量，原料氣中的分子發(fā)生聚合，如圖6(b)所示，聚合物在基板21粘附《堆積。由此，在基板21上形成由等離子體聚合膜構(gòu)成的接合膜31(參見圖6(c))。另外，在等離子體的作用下，基板21的表面被活化*清潔化。因此，原料氣的聚合物容易在基板21的表面堆積，能穩(wěn)定地成膜接合膜31。如上所述根據(jù)等離子體聚合法，不取決于基板21的構(gòu)成材料，可以進(jìn)一步提高基板21與接合膜31的密接強(qiáng)度。作為原料氣，例如，可以舉出甲基硅氧烷、八甲基三硅氧垸、十甲基四硅氧垸、十甲基環(huán)五硅氧烷、八甲基環(huán)四硅氧垸、甲基苯基硅氧垸之類有機(jī)硅氧烷等。使用上述原料氣得到的等離子體聚合膜、即接合膜31由上述原料聚合得到的(聚合物)、即聚有機(jī)硅氧垸構(gòu)成。等離子體聚合時(shí)，施加在一對(duì)電極130、140間的高頻頻率沒有特別限定，優(yōu)選為lkHz100MHz左右，更優(yōu)選為1060MHz左右。另夕卜，高頻的輸出密度沒有特別限定，優(yōu)選為0.01100W/cn^左右，較優(yōu)選為0.150W/cn^左右，更優(yōu)選為l40W/cn^左右。通過將高頻的輸出密度設(shè)定在所述范圍內(nèi)，可以防止高頻的輸出密度過高而對(duì)原料氣施加必需以上的等離子體能量，同時(shí)可以確實(shí)地形成具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架301。g卩，高頻的輸出密度低于所述下限值時(shí)，原料氣中的分子無法發(fā)生聚合反應(yīng)，有可能無法形成接合膜31。另一方面，高頻的輸出密度34超過所述上限值時(shí)，原料氣分解等，能形成脫離基303的結(jié)構(gòu)從Si骨架301分離，在所得的接合膜31中，脫離基303的含有率顯著降低，Si骨架301的無規(guī)性有可能降低(規(guī)則性提高)。另外，成膜時(shí)的腔室101內(nèi)的壓力優(yōu)選為133.3xl0—s1333Pa(lxlO一510Torr)左右，較優(yōu)選為133.3x10—4133.3Pa(lxl(T4lTorr)左右。原料氣流量優(yōu)選為0.5200sccm左右，較優(yōu)選為l100sccm左右。另一方面，載氣流量優(yōu)選為5750sccm左右，較優(yōu)選為10500sccm左右。處理時(shí)間優(yōu)選為110分鐘左右，較優(yōu)選為47分鐘左右。另外，基板21的溫度優(yōu)選為25。C以上，較優(yōu)選為25100'C左右。如以上所述地操作，可以得到接合膜31，同時(shí)可以得到帶有接合膜的基材la。另外，與帶有接合膜的基材la相同地操作，可以得到帶有接合膜的基材lb。需要說明的是，接合膜31可以使光透過。另外，通過適當(dāng)設(shè)定接合膜31的形成條件(等離子體聚合時(shí)的條件和原料氣的組成等)，可以調(diào)整接合膜31的折射率。具體而言，通過提高等離子體聚合時(shí)的高頻輸出密度，可以提高接合膜31的折射率，相反，通過降低等離子體聚合時(shí)的高頻輸出密度，可以降低接合膜31的折射率。具體而言，根據(jù)等離子體聚合法，能得到折射率的范圍為1.351.6左右的接合膜31。上述接合膜31由于其折射率接近于水晶或石英玻璃的折射率，所以例如優(yōu)選用于制造光路貫穿接合膜31之類結(jié)構(gòu)的光學(xué)構(gòu)件。另外，由于可以調(diào)整接合膜31的折射率，所以可以制作所希望的折射率的接合膜31。〈第二實(shí)施方案〉然后，說明本發(fā)明的接合體與接合方法的各第二實(shí)施方案。圖7是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第二實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖7中的上側(cè)稱為"上"，下側(cè)稱為"下"。以下，說明第二實(shí)施方案的接合方法，但以與所述第一實(shí)施方案的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于相同的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方案的接合方法除在重合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb后，對(duì)各接合膜31、32賦予能量之外，與所述第一實(shí)施方案相同。艮口，本實(shí)施方案的接合方法包括下述工序準(zhǔn)備帶有接合膜的基材la的工序；準(zhǔn)備與帶有接合膜的基材la相同的帶有接合膜的基材lb，以使帶有接合膜的基材la具有的接合膜31與帶有接合膜的基材lb具有的接合膜32密接的方式重合上述接合膜的工序；對(duì)重合得到的臨時(shí)接合體中的各接合膜31、32賦予能量，使各接合膜31、32活化，由此得到將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb接合而成的接合體5的工序。以下，依次說明本實(shí)施方案的接合方法的各工序。首先，與所述第一實(shí)施方案相同地操作，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材la(參見圖7(a))。然后，如圖7(a)所示，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材lb，以使接合膜31的表面351與接合膜32的表面352密接的方式重合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb，得到臨時(shí)接合體。需要說明的是，在該臨時(shí)接合體的狀態(tài)下，由于帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb之間未被接合，所以可以調(diào)整帶有接合膜的基材la相對(duì)于帶有接合膜的基材lb的相對(duì)位置。由此，重合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb后，彼此挪動(dòng)，從而可以容易地微調(diào)它們的位置。其結(jié)果是，可以提高帶有接合膜的基材la相對(duì)于帶有接合膜的基材lb的位置精度。然后，如圖7(b)所示，對(duì)臨時(shí)接合體中的各接合膜31、32賦予能量。對(duì)各接合膜31、32賦予能量時(shí)，各接合膜31、32呈現(xiàn)粘接性。由此，帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb被接合，得到圖7(c)所示的接合體5。此處，對(duì)各接合膜31、32賦予的能量可以用任意方法賦予，例如，用所述第一實(shí)施方案舉出的方法賦予。另外，本實(shí)施方案中，作為對(duì)各接合膜31、32賦予能量的方法，特別36優(yōu)選使用對(duì)各接合膜31、32照射能量線的方法、加熱各接合膜31、32的方法以及對(duì)各接合膜31、32賦予壓縮力(物理能量)的方法中的至少l種方法。上述方法由于可以比較簡單、有效地對(duì)各接合膜31、32賦予能量，所以作為能量賦予方法是優(yōu)選的。其中，作為對(duì)各接合膜31、32照射能量線的方法，可以使用與所述第一實(shí)施方案相同的方法。需要說明的是，此時(shí)，能量線透過基板21或?qū)χ没?2照射各接合膜31、32。因此，基板21或?qū)χ没?2優(yōu)選具有透光性。另一方面，通過將各接合膜31、32加熱，對(duì)各接合膜31、32賦予能量時(shí)，優(yōu)選將加熱溫度設(shè)定為2510(TC左右，較優(yōu)選設(shè)定為5010(TC左右。如果在上述范圍的溫度下加熱，則可以確實(shí)地防止基板21因熱而變質(zhì)，劣化，同時(shí)可以確實(shí)地使各接合膜31、32活化。另外，加熱時(shí)間為能將各接合膜31、32的脫離基303脫離的程度的時(shí)間即可，具體而言，加熱溫度如果在所述范圍內(nèi)，則優(yōu)選為130分鐘左右。另外，各接合膜31、32可以用任意方法加熱，例如，可以用使用加熱器的方法、照射紅外線的方法、使其接觸火炎的方法等各種方法進(jìn)行加熱。需要說明的是，使用照射紅外線的照射的方法時(shí)，基板21或?qū)χ没?2優(yōu)選由具有光吸收性的材料構(gòu)成。由此，照射了紅外線的基板21或?qū)χ没?2有效發(fā)熱。其結(jié)果是，可以有效加熱各接合膜31、32。另外，采用使用加熱器的方法或使其接觸火炎的方法時(shí)，基板21或?qū)χ没?2優(yōu)選由導(dǎo)熱性優(yōu)異的材料構(gòu)成。由此，經(jīng)由基板21或?qū)χ没?2，可以有效對(duì)各接合膜31、32傳導(dǎo)熱，從而可以有效地將各接合膜31、32加執(zhí)。"、、o另外，通過對(duì)各接合膜31、32賦予壓縮力來對(duì)各接合膜31、32賦予能量時(shí)，優(yōu)選在帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb彼此接近的方向用0.210MPa左右的壓力壓縮，較優(yōu)選用l5MPa左右的壓力壓縮。由此，僅簡單壓縮就可以對(duì)各接合膜31、32簡單地賦予適度的能量，各接合膜31、32呈現(xiàn)充分的粘接性。需要說明的是，該壓力可以超過所述上限值，但因基板21與對(duì)置基板22的各構(gòu)成材料，有可能在基板21以及對(duì)置基板22上產(chǎn)生損傷等。另外，賦予壓縮力的時(shí)間沒有特別限定，優(yōu)選為10秒30分鐘左右。需要說明的是，賦予壓縮力的時(shí)間可以根據(jù)壓縮力的大小適當(dāng)變更。具體而言，壓縮力的大小越大，越可以縮短賦予壓縮力的時(shí)間。如以上所述地操作，可以得到接合體5。需要說明的是，得到接合體5后，可以根據(jù)需要對(duì)該接合體5進(jìn)行所述第一實(shí)施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一種工序。〈第3實(shí)施方案〉然后，說明本發(fā)明的接合體以及接合方法的各第3實(shí)施方案。圖8是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明接合方法的第3實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖8中的上側(cè)稱為"上"、下側(cè)稱為"下"。以下，說明第3實(shí)施方案的接合方法，但以與所述第一實(shí)施方案或所述第二實(shí)施方案的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于相同的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方案的接合方法中，準(zhǔn)備2張帶有接合膜的基材la、lb，在帶有接合膜的基材la中，使接合膜31的表面351的整面活化，同時(shí)，在帶有接合膜的基材lb中，僅選擇性地使接合膜32的一部分規(guī)定區(qū)域350活化后，以使各接合膜31、32彼此接觸的方式重合帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb，由此將2張帶有接合膜的基材la、lb彼此在所述規(guī)定區(qū)域350中局部地接合，除此之外，與所述第一實(shí)施方案相同。艮P，本實(shí)施方案的接合方法包括下述工序準(zhǔn)備帶有接合膜的基材la的工序；準(zhǔn)備與帶有接合膜的基材la相同的帶有接合膜的基材lb，對(duì)于各接合膜31、32，對(duì)分別不同的區(qū)域賦予能量，使該區(qū)域活化的工序；將2張帶有接合膜的基材la、lb彼此貼合，得到2張帶有接合膜的基材la、lb彼此在所述規(guī)定區(qū)域350被局部地接合而成的接合體5a的工序。以下，依次說明本實(shí)施方案的接合方法的各工序。38[1]首先，與所述第一實(shí)施方案相同地操作，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材la(參見圖8(a))。然后，如圖8(b)所示，對(duì)帶有接合膜的基材la的接合膜31的表面351整體賦予能量。由此，接合膜31的表面351整體呈現(xiàn)粘接性。另一方面，準(zhǔn)備帶有接合膜的基材lb，在帶有接合膜的基材lb的接合膜32的表面352，選擇性地對(duì)一部分規(guī)定區(qū)域350賦予能量。作為選擇性地對(duì)規(guī)定區(qū)域350賦予能量的方法，可以為任意方法，特別優(yōu)選使用對(duì)接合膜32照射能量線的方法。該方法由于可以比較簡單有效地對(duì)接合膜32賦予能量，所以作為能量賦予方法是優(yōu)選的。另外，本實(shí)施方案中，作為能量線，特別優(yōu)選使用激光、電子線之類指向性高的能量線。如果是上述能量線，則通過朝向目標(biāo)方向進(jìn)行照射，可以選擇性且簡單地對(duì)規(guī)定區(qū)域照射能量線。另外，即使是指向性低的能量線，在接合膜32的表面352中，如果以覆蓋(遮蔽)要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域的方式進(jìn)行照射，則可以選擇性地對(duì)規(guī)定區(qū)域350照射能量線。具體而言，如圖8(b)所示，只要在接合膜32的表面352上方設(shè)置掩模6，所述掩模6具有形成與要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350的形狀對(duì)應(yīng)的形狀的窗部61，并經(jīng)由該掩模6照射能量線即可。據(jù)此，可以容易地對(duì)規(guī)定區(qū)域350選擇性地照射能量線。對(duì)各接合膜31、32分別賦予能量時(shí)，各接合膜31、32中，脫離基303從Si骨架301脫離(參見圖3)。并且，脫離基303脫離后，各接合膜31、32的表面351、352以及內(nèi)部產(chǎn)生活性鍵304(參見圖4)。由此，接合膜31的表面351的整面與接合膜32的表面352的規(guī)定區(qū)域350分別呈現(xiàn)粘接性。另外，另一方面，接合膜32的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域基本不呈現(xiàn)該粘接性。上述狀態(tài)的帶有接合膜的基材la以及帶有接合膜的基材lb能在規(guī)定區(qū)域350中局部粘接。然后，如圖8(c)所示，以使呈現(xiàn)了粘接性的各接合膜31、32彼此密接的方式將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合。由此，得到圖8(d)所示的接合體5a。如上所述得到的接合體5a不是將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb對(duì)置面整個(gè)面接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部地接合而成。并且，進(jìn)行該接合時(shí)，只通過控制對(duì)接合膜32賦予能量的區(qū)域，就可以簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如可以容易地調(diào)整接合體5a的接合強(qiáng)度。另外，通過適當(dāng)控制圖8(d)所示的帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積和形狀，可以緩和在接合部產(chǎn)生的應(yīng)力的局所集中。由此，例如即使在基板21與對(duì)置基板22之間熱膨脹率差較大的情況下，也可以確實(shí)地將帶有接合膜的基材la和帶有接合膜的基材lb接合。進(jìn)而，接合體5a中，在帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb的間隙中接合的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域產(chǎn)生(殘留)微小間隙。因此，通過適當(dāng)調(diào)整該規(guī)定區(qū)域350的形狀，可以容易地在帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb之間形成封閉空間和流路等。需要說明的是，如上所述，通過控制帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積，能調(diào)整接合體5a的接合強(qiáng)度，同時(shí)，能調(diào)整分離接合體5a時(shí)的強(qiáng)度(割裂強(qiáng)度)。從上述觀點(diǎn)出發(fā)，在制作能容易分離的接合體5a時(shí)，接合體5a的接合強(qiáng)度優(yōu)選為人手能容易分離的程度的大小。由此，在將接合體5a分離時(shí)，可不使用裝置等簡單地進(jìn)行。如上所述地操作，可以得到接合體5a。需要說明的是，得到接合體5a后，根據(jù)需要可以對(duì)該接合體5a進(jìn)行所述第一實(shí)施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少一方工序。例如，通過將接合體5a邊加壓邊加熱，接合體5a的各基板21、22彼此更為接近。由此，促進(jìn)各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合和未結(jié)合鍵之間的再結(jié)合。并且，在形成于規(guī)定區(qū)域350的接合部，進(jìn)一步一體化，最終大致完全一體化。需要說明的是，此時(shí)，接合膜31的表面351與接合膜32的表面352的界面中規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)中，各表面351、352間產(chǎn)生(殘留)少量間隙。因此，將接合體5a邊加壓邊加熱時(shí)，優(yōu)選在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，在各接合膜31、32未被接合的條件下進(jìn)行。另外，考慮上述情況，在進(jìn)行所述第一實(shí)施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少l個(gè)工序時(shí)，優(yōu)選對(duì)規(guī)定區(qū)域350選擇性地進(jìn)行上述工序。由此，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域中，可以防止各接合膜31、32無意地被接合。〈第4實(shí)施方案〉下面，說明本發(fā)明的接合體以及接合方法的各第4實(shí)施方案。圖9是用于說明接合基板與對(duì)置基板的本發(fā)明的接合方法的第4實(shí)施方案的圖(縱截面圖)。需要說明的是，在以下的說明中，將圖9中的上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。以下，說明第4實(shí)施方案的接合方法，但以與所述第一實(shí)施方案至所述第3實(shí)施方案的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于相同的事項(xiàng)，省略其說明。本實(shí)施方案的接合方法中，通過在各基板2K22的上表面251、252中，只選擇性地分別在一部分規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a、3b，由此將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb經(jīng)由各接合膜3a、3b局部地接合，除此之外，與所述第一實(shí)施方案相同。艮P，本實(shí)施方案的接合方法包括準(zhǔn)備具有各基板21、22與形成于該基板21、22的各規(guī)定區(qū)域350的接合膜3a、3b的帶有接合膜的基材la以及帶有接合膜的基材lb的工序；對(duì)各帶有接合膜的基材la、lb的接合膜3a、3b賦予能量，使各接合膜3a、3b活化的工序；將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合，得到帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb在所述規(guī)定區(qū)域350局部接合而成的接合體5b的工序。以下,依次說明本實(shí)施方案的接合方法的各工序。[1]首先，如圖9(a)所示，在各基板21、22的上方分別設(shè)置掩模6，所述掩模6具有形成與規(guī)定區(qū)域350的形狀對(duì)應(yīng)的形狀的窗部61。然后，經(jīng)由掩模6在各基板21、22的上表面251、252分別形成接合膜3a、3b。例如如圖9(a)所示，經(jīng)由掩模6通過等離子體聚合法形成接合膜3a、3b時(shí)，用等離子體聚合法生成的聚合物堆積于各基板21、22的上表面251、252上，此時(shí)，經(jīng)由掩模6，僅在各個(gè)規(guī)定區(qū)域350堆積聚合物。其結(jié)果是，在各基板21、22的上表面251、252的一部分規(guī)定區(qū)域350分別形成接合膜3a、3b。然后，如圖9(b)所示，對(duì)各接合膜3a、3b賦予能量。由此，接合膜3a、3b呈現(xiàn)粘接性。需要說明的是，在本工序中賦予能量時(shí)，可以選擇性對(duì)各接合膜3a、3b賦予能量，也可以對(duì)具有各接合膜3a、3b的基板21、22的上表面251、252的整體分別賦予能量。另外，賦予各接合膜3a、3b的能量可以用任意方法賦予，例如，可以用所述第一實(shí)施方案舉出的方法賦予。然后，如圖9(c)所示，以使呈現(xiàn)粘接性的各接合膜3a、3b彼此密接的方式將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb貼合。由此，得到圖9(d)所示的接合體5b。如上所述操作得到的接合體5b不是將帶有接合膜的基材la與帶有接合膜的基材lb在對(duì)置面整個(gè)面上接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部接合。并且，進(jìn)行該接合時(shí)，只通過控制形成各接合膜31、32的區(qū)域，可以簡單選擇接合的區(qū)域。由此，例如可以容易調(diào)整接合體5b的接合強(qiáng)度。另外，接合體5b的各基板21、22間，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域形成分開距離與接合膜3a與接合膜3b的總厚度相當(dāng)?shù)拈g隙3c(參見圖9(d))。因此，通過適當(dāng)調(diào)整規(guī)定區(qū)域350的形狀或各接合膜3a、3b的厚度，可以容易地在各基板21、22間形成所希望形狀的封閉空間和流路等。如上所述地操作，可以得到接合體5b。需要說明的是，得到接合體5b后，可以根據(jù)需要對(duì)該接合體5b進(jìn)行所述第一實(shí)施方案的工序[4A]、[4B]以及[4C]中的至少l個(gè)工序。例如，通過將接合體5b加壓的同時(shí)進(jìn)行加熱，接合體5b的各基板21、22彼此更為接近。由此，促進(jìn)各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合或未結(jié)合鍵彼此的再結(jié)合。然后，在形成于規(guī)定區(qū)域350的接合部，進(jìn)一步一體化，最終大致完全一體化。以上的所述各實(shí)施方案的接合方法可以用于將各種多個(gè)部件彼此接入作為供上述接合的部件，例如可以舉出晶體管、二極管、存儲(chǔ)器之類的半導(dǎo)體元件，水晶振蕩器之類壓電元件，反射鏡、光學(xué)透鏡、衍射光柵、光學(xué)過濾器之類光學(xué)元件，太陽電池之類光電變換元件，半導(dǎo)體基板和搭載于其上的半導(dǎo)體元件，絕緣性基板與配線或電極、噴墨式記錄頭、微反應(yīng)器、微反射鏡之類的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)構(gòu)件、壓力傳感器、加速度傳感器之類傳感器構(gòu)件、半導(dǎo)體元件或電子構(gòu)件的封裝構(gòu)件，磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)之類記錄介質(zhì)，液晶顯示元件、有機(jī)EL元件、電泳顯示元件之類顯示元件用構(gòu)件，燃料電池用構(gòu)件等。〈液滴噴頭〉此處，說明將本發(fā)明的接合體適用于噴墨式記錄頭時(shí)的實(shí)施方案。圖10是表示適用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解主視圖，圖11是表示圖10所示的噴墨式記錄頭的主要部分構(gòu)成的截面圖，圖12是表示具備圖IO所示噴墨式記錄頭的噴墨打印機(jī)的實(shí)施方案的簡圖。需要說明的是，圖10與通常使用的狀態(tài)上下顛倒所示。圖10所示的噴墨式記錄頭10搭載于圖12所示的噴墨打印機(jī)9。圖12所示的噴墨打印機(jī)9具有裝置本體92，在上部后方設(shè)置記錄用紙P的托盤921，在下部前方設(shè)置排出記錄用紙P的排紙口922和在上部面設(shè)置操作面板97。操作面板97例如由液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、LED燈等構(gòu)成，具備顯示錯(cuò)誤信息等的顯示部(未圖示)與由各種開關(guān)等構(gòu)成的操作部(未圖示)。另外，裝置本體92的內(nèi)部主要具有具有往復(fù)移動(dòng)的頭單元93的印刷裝置(印刷機(jī)構(gòu))94、將每一張記錄用紙P送入印刷裝置94的送紙裝置(送紙機(jī)構(gòu))95與控制印刷裝置94以及送紙裝置95的控制部(控制機(jī)構(gòu))96。利用控制部96的控制，送紙裝置95間歇地遞送每一張記錄用紙P。該記錄用紙P通過頭單元93的下部附近。此時(shí)，頭單元93在與記錄用紙P的遞送方向大致正交的方向上往復(fù)移動(dòng)，在記錄用紙P上進(jìn)行印刷。即，頭單元93的往復(fù)移動(dòng)與記錄用紙P的間歇遞送為印刷中的主掃描及副掃描，進(jìn)行噴墨方式的印刷。印刷裝置94具有頭單元93、成為頭單元93的驅(qū)動(dòng)源的滑架馬達(dá)941、接受滑架馬達(dá)941的旋轉(zhuǎn)使頭單元93往復(fù)移動(dòng)的往復(fù)移動(dòng)機(jī)構(gòu)942。頭單元93在其下部具有具有多個(gè)噴嘴孔111的噴墨式記錄頭10(以下簡單稱為"頭10"。)、向頭10供給墨液的墨盒931和搭載頭10及墨盒931的滑架932。需要說明的是，作為墨盒931，通過使用填充黃、青、品紅、黑(黑)的4種顏色的墨液的墨盒，可以進(jìn)行全色印刷。往復(fù)移動(dòng)機(jī)構(gòu)942具有利用框架(未圖示)支撐其兩端的滑架導(dǎo)軸943和與滑架導(dǎo)軸943平行延在的同步帶944?；?32被滑架導(dǎo)軸943以自由往復(fù)移動(dòng)的方式支撐，同時(shí)被固定于同步帶944的一部分。如果通過使滑架馬達(dá)941工作，借助滑輪使同步帶944正反行進(jìn)，則頭單元93在滑架導(dǎo)軸943的引導(dǎo)下往復(fù)移動(dòng)。并且，在進(jìn)行該往復(fù)移動(dòng)時(shí)，適當(dāng)?shù)貜念^10噴出墨液，在記錄用紙P上進(jìn)行印刷。送紙裝置95具有成為其驅(qū)動(dòng)源的送紙馬達(dá)951和利用送紙馬達(dá)951的工作進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的送紙輥952。送紙輥952由夾持記錄用紙P的遞送途徑(記錄用紙P)上下對(duì)置的從動(dòng)輥952a與驅(qū)動(dòng)輥952b構(gòu)成，驅(qū)動(dòng)輥952b與送紙馬達(dá)951連結(jié)。由此，送紙輥952向印刷裝置94送入每一張?jiān)O(shè)置于托盤921的多張記錄用紙P。需要說明的是，也可以構(gòu)成為用能夠裝卸自由地安裝收納記錄用紙P的送紙盒來代替托盤921?？刂撇?6是例如通過基于從個(gè)人電腦或數(shù)碼相機(jī)等主控計(jì)算機(jī)輸入的印刷數(shù)據(jù)，控制印刷裝置94或送紙裝置95等進(jìn)行印刷的部分?？刂撇?6均未圖示，主要具有通信電路和CPU，所述通信電路從記憶控制各部分的控制程序等的存儲(chǔ)器、驅(qū)動(dòng)壓電元件(振動(dòng)源)14并控制墨液的噴出時(shí)間的壓電元件驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)印刷裝置94(滑架馬達(dá)941)的驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)送紙裝置95(送紙馬達(dá)951)的驅(qū)動(dòng)電路以及主控計(jì)算機(jī)獲得印刷數(shù)據(jù)，所述CPU與上述各部件電連接并對(duì)各部分進(jìn)行各種控制。另外，CPU與能檢測例如墨盒931的墨液殘量、頭單元93的位置等的各種傳感器等分別電連接?？刂撇?6經(jīng)由通信電路獲得印刷數(shù)據(jù)并存入存儲(chǔ)器。CPU處理該印刷數(shù)據(jù)并基于該處理數(shù)據(jù)以及來自各種傳感器的輸入數(shù)據(jù)，向各驅(qū)動(dòng)電路輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在該驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用下，壓電元件14、印刷裝置94以及送紙裝置95分別工作。由此，在記錄用紙P上進(jìn)行印刷。以下，參照?qǐng)D10及圖11詳細(xì)說明頭10。頭10具有頭本體17和收納該頭本體17的基體16，其中，頭本體17具有噴嘴板ll、墨液室基板12、振動(dòng)板13和與振動(dòng)板13接合的壓電元件(振動(dòng)源)14。此外，該頭10構(gòu)成隨需應(yīng)變形的壓電噴射式頭。噴嘴板ll由例如Si02、SiN、石英玻璃之類硅類材料，Al、Fe、Ni、Cu或含有它們的合金之類的金屬類材料，氧化鋁、氧化鐵之類的氧化物系材料，炭黑、石墨之類的碳類材料等構(gòu)成。在該噴嘴板ll形成用于噴出墨液滴的多個(gè)噴嘴孔lll。對(duì)應(yīng)于印刷精度適當(dāng)設(shè)定上述噴嘴孔111間的間距。于噴嘴板ll粘固(固定)墨液室基板12。利用噴嘴板ll、側(cè)壁(隔壁)122以及后述的振動(dòng)板13將墨液室基板12劃分形成多個(gè)墨液室(腔室、壓力室)121、貯存從墨盒931供給的墨液的貯存室123和從貯存室123向各墨液室121分別供給墨液的供給口124。各墨液室121分別形成長條狀(直方體狀)，并對(duì)應(yīng)于各噴嘴孔lll而45配設(shè)。各墨液室121可以通過下述的振動(dòng)板13的振動(dòng)來改變?nèi)莘e，構(gòu)成為利用該容積變化來噴出墨液。作為用于得到墨液室基板12的母材，例如可以使用硅單晶基板、各種玻璃基板、各種樹脂基板等。上述基板均為通用的基板，所以通過使用上述基板，可以降低頭10的制造成本。另一方面，在墨液室基板12的與噴嘴板11相反側(cè)接合振動(dòng)板13，進(jìn)而在振動(dòng)板13的墨液室基板12的相反側(cè)設(shè)置多個(gè)壓電元件14。另外，在振動(dòng)板13的規(guī)定位置，貫穿振動(dòng)板13的厚度方向形成連通孔131。經(jīng)由該連通孔131，能從所述的墨盒931向貯存室123供給墨液。各壓電元件14分別在下部電極142與上部電極141之間插入壓電體層143而成，并對(duì)應(yīng)各墨液室121的大致中央部而配設(shè)。各壓電元件14構(gòu)成為與壓電元件驅(qū)動(dòng)電路電連接，基于壓電元件驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)工作(振動(dòng)、變形)。各壓電元件14分別發(fā)揮振動(dòng)源的功能，振動(dòng)板13的功能是隨著壓電元件14的振動(dòng)而振動(dòng)，瞬間提高墨液室121的內(nèi)部壓力?；w16由例如各種樹脂材料、各種金屬材料等構(gòu)成，噴嘴板ll被該基體16固定、支撐。g口，在基體16具有的凹部161收納頭本體17的狀態(tài)下，利用在凹部161的外周部形成的階梯差162支撐噴嘴板11的邊緣部。在如上所述的噴嘴板11與墨液室基板12的接合、墨液室基板12與振動(dòng)板13的接合以及接合噴嘴板11與基體16時(shí)，接合至少一方部位時(shí)應(yīng)用本發(fā)明的接合方法。換言之，在噴嘴板11與墨液室基板12的接合體、墨液室基板12與振動(dòng)板13的接合體、以及噴嘴板11與基體16的接合體中的至少一方部位適用本發(fā)明的接合體。上述頭10中，接合部的接合界面的接合強(qiáng)度以及耐化學(xué)藥品性提高，由此對(duì)貯存于各墨液室121的墨液的耐久性以及液密性提高。其結(jié)果是，頭10的可靠性提高。另外，由于可以在非常低的溫度下進(jìn)行可靠性高的接合，所以即使是線膨脹系數(shù)不同的材料，也可以形成大面積的頭，在這點(diǎn)上是有利的。上述頭10在沒有經(jīng)由壓電元件驅(qū)動(dòng)電路輸入規(guī)定的噴出信號(hào)的狀態(tài)、即沒有向壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加電壓的狀態(tài)下，壓電體層143不會(huì)變形。因此，振動(dòng)板13也沒有產(chǎn)生變形，墨液室121沒有發(fā)生容積變化。因此，不從噴嘴孔lll噴出墨液滴。另一方面，在經(jīng)由壓電元件驅(qū)動(dòng)電路輸入規(guī)定的噴出信號(hào)的狀態(tài)、即向壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加一定電壓的狀態(tài)下，壓電體層143發(fā)生變形。由此，振動(dòng)板13極大撓曲，墨液室121的容積產(chǎn)生變化。此時(shí)，墨液室121內(nèi)的壓力瞬間提高，從噴嘴孔lll噴出墨液滴。如果l次墨液噴出結(jié)束，則壓電元件驅(qū)動(dòng)電路停止向下部電極142與上部電極141之間施加電壓。由此，壓電元件14恢復(fù)成大致原來的形狀，墨液室121的容積増大。需要說明的是，此時(shí)，從墨盒931向噴嘴孔111的壓力(向正方向的壓力)作用于墨液。因此，可以防止空氣從噴嘴孔lll進(jìn)入到墨液室121，與墨液噴出量相稱的量的墨液從墨盒931(貯存室123)供給到墨液室121。如上所述地操作，在頭10中，通過向欲印刷的位置的壓電元件14依次借助壓電元件驅(qū)動(dòng)電路輸入噴出信號(hào)，可以印刷任意的(所希望的)文字或圖形等。另外，頭10也可以具有電熱轉(zhuǎn)化元件來代替壓電元件14。也就是說，頭10也可以構(gòu)成為利用電氣熱變換元件的材料的熱膨脹來噴出墨液(所謂的"氣泡噴射方式"("bubblejet"是注冊(cè)商標(biāo)))。上述構(gòu)成的頭10中，于噴嘴板ll設(shè)置為了賦予疏液性而形成的被膜114。由此，在噴嘴孔lll噴出墨液滴時(shí)，可以確實(shí)地防止在該噴嘴孔lll的周邊殘留墨液滴。其結(jié)果是，可以使從噴嘴孔lll噴出的墨液滴確實(shí)地著落于目標(biāo)區(qū)域。以上基于附圖的實(shí)施方案說明了本發(fā)明的接合體以及接合方法，但本發(fā)明不限定于此。例如，在本發(fā)明的接合方法中，可以組合所述各實(shí)施方案中任意l個(gè)或2個(gè)以上。另外，本發(fā)明的接合方法中，也可以根據(jù)需要追加l個(gè)以上任意的目的工序。另外，所述各實(shí)施方案中，說明將基板與對(duì)置基板的2張基材接合的方法，但接合3張以上基材的情況下，也可以使用本發(fā)明的接合方法。實(shí)施例然后，說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。l.接合體的制造以下，在各實(shí)施例以及各比較例中，分別制作20個(gè)接合體。需要說明的是，各實(shí)施例1623以及各比較例1620、2426中得到的接合體分別是將基板以及對(duì)置基板的對(duì)置面中的一部分局部接合而得到的。(實(shí)施例l)首先，作為基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對(duì)置基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的玻璃基板。然后，將單晶硅基板收納于圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進(jìn)行表面處理。接著，在進(jìn)行了表面處理的面形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件如下所示?！闯赡l件〉原料氣的組成八甲基三硅氧垸原料氣的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時(shí)間15分鐘基板溫度20°C如上所述成膜的等離子體聚合膜包括八甲基三硅氧烷(原料氣)的聚合物構(gòu)成，具有含硅氧烷鍵且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架和垸基(脫離基)。由此，得到在單晶硅基板上形成等離子體聚合膜而成的帶有接合膜的基材。另外，與其相同地操作，對(duì)玻璃基板進(jìn)行表面處理后，在進(jìn)行該表面處理的面形成等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。然后，在以下所示的條件下對(duì)所得的各等離子體聚合膜照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉■氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm■紫外線的照射時(shí)間5分鐘然后，照射紫外線l分鐘后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面彼此接觸的方式重合單晶硅基板與玻璃基板。由此，得到接合體。接著，將所得的接合體在3MPa下加壓的同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)接合體的接合強(qiáng)度提高。(實(shí)施例2)除將加熱溫度從8(TC改變?yōu)?5"C以外，與所述實(shí)施例l相同地操作，得到接合體。(實(shí)施例312)除將基板的構(gòu)成材料與對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸韑所示的材料以外，與所述實(shí)施例l相同地操作，得到接合體。(實(shí)施例n)首先，與所述實(shí)施例l相同地操作，準(zhǔn)備單晶硅基板與玻璃基板(基板以及對(duì)置基板)，分別用氧等離子體進(jìn)行表面處理。然后，對(duì)于硅基板的進(jìn)行了表面處理的面，與所述實(shí)施例l相同地操作，成膜等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。另外，對(duì)于玻璃基板的進(jìn)行了表面處理的面，與所述實(shí)施例l相同地操作，形成等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。然后，以使等離子體聚合膜之間接觸的方式重合帶有接合膜的基材。由此，得到臨時(shí)接合體。并且，對(duì)于臨時(shí)接合體，在以下所示的條件下從玻璃基板側(cè)照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm紫外線的照射時(shí)間5分鐘由此，接合各基板，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓的同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)了接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例14)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?50W(高頻輸出密度為37.5W/cm2)以外，與所述實(shí)施例l相同地得到接合體。(實(shí)施例15)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?00W(高頻輸出密度為50W/cm2)以外，與所述實(shí)施例l相同地得到接合體。(比較例l)首先，作為基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對(duì)置基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的玻璃基板。然后，將單晶硅基板收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進(jìn)行表面處理。50然后，對(duì)于進(jìn)行了表面處理的面，形成平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件如以下所示?！闯赡l件〉原料氣的組成八甲基三硅氧烷原料氣的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時(shí)間15分鐘'基板溫度20°C然后，在以下所示的條件下對(duì)所得的等離子體聚合膜照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm紫外線的照射時(shí)間5分鐘然后，照射紫外線l分鐘后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面與玻璃基板的實(shí)施了表面處理的面接觸的方式重合各基板。由此，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓，同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)了接合體的接合強(qiáng)度提高。(比較例2)除將加熱溫度從8(TC改變?yōu)?5"C以外，與所述比較例l相同地操作，得到接合體。(比較例312)51除將基板的構(gòu)成材料以及對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸韑所示的材料以外，與所述比較例l相同地得到接合體。(比較例13)首先，與所述比較例l相同地操作，準(zhǔn)備單晶硅基板與玻璃基板(基板以及對(duì)置基板)，分別用氧等離子體迸行表面處理。然后，對(duì)硅基板的進(jìn)行了表面處理的面與所述比較例l相同地操作成膜等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。然后，以使等離子體聚合膜與玻璃基板的實(shí)施了表面處理的面接觸的方式重合硅基板與玻璃基板，得到臨時(shí)接合體。然后，對(duì)于臨時(shí)接合體，在以下所示的條件下從玻璃基板側(cè)照射紫外線?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm■紫外線的照射時(shí)間5分鐘由此，接合各基板，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加熱的同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，獲得了接合體的接合強(qiáng)度的提高。(比較例14)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?50W(高頻輸出密度為37.5W/cm2)以外，與所述比較例l相同地操作，得到接合體。(比較例15)除將高頻電力的輸出改變?yōu)?00W(高頻輸出密度為50W/cm2)以外，與所述比較例l相同地操作，得到接合體。(實(shí)施例16)首先，作為基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對(duì)置基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mrnx平均厚度lmm的玻璃基板。然后，將單晶硅基板與玻璃基板的兩者收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進(jìn)行表面處理。然后，對(duì)于單晶硅基板與玻璃基板的進(jìn)行了表面處理的各面分別成膜平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。需要說明的是，成膜條件如以下所示。〈成膜條件〉原料氣的組成八甲基三硅氧烷原料氣的流量50sccm載氣的組成氬載氣的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時(shí)間15分鐘■基板溫度20°C然后，對(duì)于所得的等離子體聚合膜，分別在以下所示的條件下照射紫外線。需要說明的是，照射紫外線的區(qū)域是形成于單晶硅基板的等離子體聚合膜的表面整體與形成于玻璃基板的等離子體聚合膜的表面中周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域?！醋贤饩€照射條件〉氣氛氣體的組成大氣(空氣)氣氛氣體的溫度20°C氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線的波長172nm紫外線的照射時(shí)間5分鐘然后，以使各等離子體聚合膜的照射了紫外線的面彼此接觸的方式重合單晶硅基板與玻璃基板。由此，得到接合體。然后，將所得的接合體在3MPa下加壓的同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)了接合體的接合強(qiáng)度的提高。(實(shí)施例17)除將加熱的溫度從8(TC改變?yōu)?5"C以外，與所述實(shí)施例16相同地操作，得到接合體。(實(shí)施例1823)除將基板的構(gòu)成材料以及對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸?所示的材料以外，與所述實(shí)施例16相同地操作，得到接合體。(比較例16)首先，作為基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對(duì)置基板，準(zhǔn)備縱20mmx橫20mmx平均厚度lmm的不銹鋼基板。然后，將硅基板收納在圖5所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，用氧等離子體進(jìn)行表面處理。然后，于進(jìn)行表面處理的面成膜平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。需要說明的是，成膜條件與所述實(shí)施例16相同。接著，與所述實(shí)施例16相同地操作，對(duì)等離子體聚合膜照射紫外線。需要說明的是，照射紫外線的區(qū)域是形成于硅基板的等離子體聚合膜的表面中周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域。然后，對(duì)于不銹鋼基板，也與硅基板相同地操作，用氧等離子體進(jìn)行表面處理。然后，以使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面與不銹鋼基板的進(jìn)行了表面處理的面接觸的方式重合硅基板與不銹鋼基板。由此，得到接合體。接下來，將所得的接合體在3MPa下加熱，同時(shí)在8(TC下加熱，維持15分鐘。由此，實(shí)現(xiàn)了接合體的接合強(qiáng)度的提高。(比較例17)除將加熱的溫度從80。C改變?yōu)?5。C以外，與所述比較例16相同地操作，得到接合體。(比較例1820)除將基板的構(gòu)成材料與對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸?所示的材料以外，與所述比較例16相同地操作，得到接合體。(比較例2123)除基板的構(gòu)成材料與對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別為表l所示的材料，將各基材間用環(huán)氧類粘接劑粘接以外，與所述實(shí)施例l相同地操作，得到接合體。(比較例2426)除基板的構(gòu)成材料與對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別為表2所示的材料，在周邊部的寬度3mm的框狀區(qū)域中用環(huán)氧類粘接劑局部粘接各基材間以外，與所述實(shí)施例16相同地操作，得到接合體。(比較例27)代替等離子體聚合膜，如以下所示地操作形成接合膜，除此以外，與所述實(shí)施例l相同地操作，得到接合體。首先，準(zhǔn)備含有具有聚二甲基硅氧垸骨架的物質(zhì)作為硅酮材料，含有甲苯以及異丁醇作為溶劑的液狀材料(信越化學(xué)工業(yè)公司制、"KR—251":粘度(25°C)18.0mPas)。然后，用氧等離子體對(duì)單晶硅基板的表面進(jìn)行表面處理后，于該面涂布液狀材料。然后，將所得的液狀被膜在常溫(25°C)下干燥24小時(shí)。由此，得到接合膜。另外，與其相同地操作，用氧等離子體對(duì)玻璃基板進(jìn)行表面處理后，于該面得到接合膜。然后，對(duì)各接合膜照射紫外線。接著，將硅基板與玻璃基板加壓的同時(shí)加熱。由此，得到硅基板與玻璃基板借助接合膜接合的接合體。(比較例2833)除將基板的構(gòu)成材料以及對(duì)置基板的構(gòu)成材料分別改變?yōu)楸韑所示的材料以外，與所述比較例27相同地操作，得到接合體。(比較例34)代替等離子體聚合膜，如以下所示地操作，形成接合膜，除此以外，與所述實(shí)施例l相同地操作，得到接合體。首先，用氧等離子體對(duì)單晶硅基板的表面迸行表面處理后，使該面接觸六甲基二氧雜硅烷(HMDS)的蒸氣，由此得到由HMDS構(gòu)成的接合膜。另外，與其相同地操作，用氧等離子體對(duì)玻璃基板進(jìn)行表面處理后，于該面得到由HMDS構(gòu)成的接合膜。然后，對(duì)各接合膜照射紫外線。接著，將硅基板與玻璃基板在加壓的同時(shí)加熱。由此，得到硅基板與玻璃基板借助接合膜接合的接合體。2.接合體的評(píng)價(jià)2.1接合強(qiáng)度(割裂強(qiáng)度)的評(píng)價(jià)對(duì)于各實(shí)施例與各比較例中得到的接合體，分別測定接合強(qiáng)度。接合強(qiáng)度的測定通過將各基材剝離時(shí)測定剛剝離前的強(qiáng)度來進(jìn)行。另外，在剛接合后與接合后重復(fù)100次-4(TC125'C的溫度循環(huán)后分別測定接合強(qiáng)度。然后，根據(jù)以下的基準(zhǔn)評(píng)價(jià)接合強(qiáng)度。需要說明的是，局部接合所成的接合體(表2記載的接合體)與接合整面所成的接合體(表l所記載的接合體)相比，接合強(qiáng)度均較大?！唇雍蠌?qiáng)度的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉◎:lOMPa(100kgf/cm2)以上o:5MPa(50kgf/cm2)以上、小于10MPa(100kgf/cm2)△:lMPa(10kgf/cm2)以上、小于5MPa(50kgf/cm2)x:小于lMPa(10kgf/cm2)2.2尺寸精度的評(píng)價(jià)對(duì)于各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體，分別測定厚度方向的尺寸精度。尺寸精度的測定通過測定正方形的接合體的各角部的厚度，算出4處厚度的最大值與最小值的差來進(jìn)行。然后，根據(jù)以下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)該差。56〈尺寸精度的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉〇小于10(imx:10jim以上2.3耐化學(xué)藥品性的評(píng)價(jià)將各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體中的10個(gè)在維持8(TC的噴墨打印機(jī)用墨液(愛普生公司制、HQ4)中在以下的條件下浸漬3周。然后，剝離各基材，確認(rèn)墨液是否未浸入接合界面。另外，將余下的10個(gè)接合體在相同的墨液中浸漬100天。然后，剝離各基材，確認(rèn)墨液是否未浸入接合界面。然后，根據(jù)以下的基準(zhǔn)評(píng)價(jià)該結(jié)果?！茨突瘜W(xué)藥品性的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉完全不浸入o:略浸入角部沿邊緣部浸入x:浸入內(nèi)側(cè)2.4結(jié)晶度的評(píng)價(jià)對(duì)于各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別測定Si骨架的結(jié)晶度。然后，根據(jù)以下的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)結(jié)晶度?！唇Y(jié)晶度的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉結(jié)晶度為30%以下o:結(jié)晶度為超過30%、45%以下結(jié)晶度為超過45%、55%以下x:結(jié)晶度超過55%2.5紅外線吸收(FT-IR)的評(píng)價(jià)對(duì)于各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別獲得紅外吸收光譜。然后，對(duì)于各光譜，算出(1)歸屬于Si-H鍵的峰相對(duì)于歸屬于硅氧烷(Si-0)鍵的峰的相對(duì)強(qiáng)度與(2)歸屬于CH3鍵的峰相對(duì)于歸屬于硅氧垸鍵的峰的相對(duì)強(qiáng)度。2.6折射率的評(píng)價(jià)57對(duì)于各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體中的接合膜，分別測定折射率。2.7光透過率的評(píng)價(jià)對(duì)于各實(shí)施例以及各比較例中得到的接合體中能測定光透過率的接合體，測定光透過率。然后，根據(jù)以下的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)所得的光透過率。〈光透過率的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉超過95%o:超過90%小于95%超過85%小于90%x:小于85%2.8形狀變化的評(píng)價(jià)關(guān)于各實(shí)施例1623以及各比較例1620、2426得到的接合體，測定各個(gè)接合體的接合前后的形狀變化。具體而言，在接合前后測定接合體的翹曲量，根據(jù)以下的基準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。〈翹曲量的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)〉接合前后翹曲量基本沒有變化O:接合前后翹曲量略微變化接合前后翹曲量稍有大幅變化x:接合前后翹曲量較大變化以上的2.12.8的各評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1、2。<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>由表l、2明確，各實(shí)施例中得到的接合體在接合強(qiáng)度、尺寸精度、耐化學(xué)藥品性以及光透過率的任一項(xiàng)中均顯示優(yōu)異的特性。另外，各實(shí)施例中得到的接合體中，從紅外吸收光譜的解析確認(rèn)接合膜中含有Si-H鍵。另外，明確含有Si-H鍵的接合膜結(jié)晶度低。認(rèn)為上述各實(shí)施例的優(yōu)異特性的原因是接合膜利用等離子體聚合法形成，由此接合膜中含有Si-H鍵，同時(shí)接合膜的結(jié)晶度降低(接合膜的結(jié)構(gòu)的無規(guī)性提高)。另外，各實(shí)施例中得到的接合體中，通過將接合膜彼此貼合，接合界面的密接性提高，接合強(qiáng)度以及耐化學(xué)藥品性比將接合膜與對(duì)置基板貼合所得的接合體(各比較例115)優(yōu)異。進(jìn)而確認(rèn)，各實(shí)施例中得到的接合體中，通過改變接合膜形成時(shí)的高頻輸出密度，折射率發(fā)生變化。另一方面，各比較例中得到接合體中，耐化學(xué)藥品性、接合強(qiáng)度以及光透過率不充分。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的接合體的特征在于具有第一粘附體和第二粘附體，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧垸(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜，并且分別對(duì)所述第一接合膜的至少一部分區(qū)域以及所述第二接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述第一接合膜以及所述第二接合膜的至少存在于表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離，由此，所述第一接合膜的表面的所述區(qū)域以及所述第二接合膜的表面的所述區(qū)域分別呈現(xiàn)粘接性，所述第一粘附體與所述第二粘附體利用該粘接性接合。因此，能得到以高尺寸精度、牢固且在低溫下有效地將2個(gè)基材接合所成的可靠性高的接合體。另外，所述第一接合膜以及第二接合膜因含有硅氧烷鍵且具有無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)的Si骨架的影響而成為難以變形、牢固的膜。因此，第一接合膜以及第二接合膜本身是接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度高的接合膜，在接合體中也能得到接合強(qiáng)度、耐化學(xué)藥品性以及尺寸精度高的接合體。因此，本發(fā)明的接合體具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。權(quán)利要求1、一種接合體，其特征在于，具有第一粘附體和第二粘附體，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)，所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜，并且所述接合體中利用下述粘接性接合有所述第一粘附體和所述第二粘附體，所述粘接性是分別對(duì)所述第一接合膜的至少一部分區(qū)域以及所述第二接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，所述第一接合膜與所述第二接合膜的存在于至少表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離，從而所述第一接合膜表面的所述區(qū)域以及所述第二接合膜的表面的所述區(qū)域分別呈現(xiàn)出的粘接性。2、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，從構(gòu)成的全體原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率與O原子的含有率總計(jì)為1090原子％。3、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，在所述第一接合膜以及所述第二接合膜中的至少一方中，Si原子與O原子的存在比為3:77:3。4、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述Si骨架的結(jié)晶度為45X以下。5、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方含有Si-H鍵。6、如權(quán)利要求5所述的接合體，其中，在所述含有Si-H鍵的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度為1時(shí)，歸屬于Si-H鍵的峰強(qiáng)度為0.0010.2。7、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述脫離基包含選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及鹵素類原子或以所述各原子鍵合于所述Si骨架的方式配置的原子團(tuán)構(gòu)成的組中的至少1種。8、如權(quán)利要求7所述的接合體，其中，所述脫離基為烷基。9、如權(quán)利要求8所述的接合體，其中，在含有甲基作為所述脫離基的接合膜的紅外吸收光譜中，以歸屬于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度為l時(shí)，歸屬于甲基的峰強(qiáng)度為0.050.45。10、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方中，至少存在于其膜表面附近的所述脫離基從所述Si骨架脫離后具有活性鍵。11、如權(quán)利要求10所述的接合體，其中，所述活性鍵為未結(jié)合鍵或羥基。12、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方是通過等離子體聚合法形成的。13、如權(quán)利要求12所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方以聚有機(jī)硅氧烷為主要材料而構(gòu)成。14、如權(quán)利要求13所述的接合體，其中，所述聚有機(jī)硅氧烷以八甲基三硅氧垸的聚合物為主要成分。15、如權(quán)利要求12所述的接合體，其中，在所述等離子體聚合法中，產(chǎn)生等離子體時(shí)的高頻輸出密度為0.01100W/cm2。16、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方的平均厚度為11000nm。17、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方是不具有流動(dòng)性的固體狀膜。18、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一接合膜與所述第二接合膜中的至少一方的折射率為1.351.6。19、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一基材與所述第二基材中的至少一方呈板狀。20、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一基材的至少形成所述第一接合膜的部分與所述第二基材的至少形成所述第二接合膜的部分中的至少一方以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料而構(gòu)成。21、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，所述第一基材的具有所述第一接合膜的面與所述第二基材的具有所述第二接合膜的面中的至少一方預(yù)先被實(shí)施了提高與所述各接合膜的密接性的表面處理。22、如權(quán)利要求21所述的接合體，其中，所述表面處理是等離子體處理。23、如權(quán)利要求l所述的接合體，其中，在所述第一基材與所述第一接合膜之間以及所述第二基材與所述第二接合膜之間的至少一方中插入有中間層。24、如權(quán)利要求23所述的接合體，其中，所述中間層以氧化物系材料為主要材料而構(gòu)成。25、一種接合方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備第一粘附體和第二粘附體的工序，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且具有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si—O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)；所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜，分別對(duì)所述第一接合膜的表面的至少一部分區(qū)域以及所述第二接合膜表面的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；和以使所述第一接合膜表面的所述區(qū)域和所述第二接合膜表面的所述區(qū)域密接的方式將所述第一粘附體與所述第二粘附體接合，得到接合體的工序。26、一種接合方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備第一粘附體和第二粘附體的工序，所述第一粘附體包含第一基材和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)；所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上且與所述第一接合膜相同的第二接合膜；以使所述第一接合膜與所述第二接合膜密接的方式將所述第一粘附體與所述第二粘附體重合，得到臨時(shí)接合體的工序；通過分別對(duì)所述臨時(shí)接合體中的所述第一接合膜的至少一部分區(qū)域與所述第二接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，從而將所述第一粘附體與所述第二粘附體接合，得到接合體的工序。27、如權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，所述能量的賦予是通過對(duì)所述各接合膜照射能量線的方法、加熱所述各接合膜的方法以及對(duì)所述各接合膜賦予壓縮力的方法中的至少l種方法來進(jìn)行的。28、如權(quán)利要求27所述的接合方法，其中，所述能量線是波長為150300nm的紫外線。29、如權(quán)利要求27所述的接合方法，其中，所述加熱溫度為25100'C。30、如權(quán)利要求27所述的接合方法，其中，所述壓縮力為0.210MPa。31、如權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，所述能量的賦予在大氣氛圍中進(jìn)行。32、如權(quán)利要求25所述的接合方法，其中，還包括對(duì)所述接合體進(jìn)行提高其接合強(qiáng)度的處理的工序。33、如權(quán)利要求32所述的接合方法，其中，所述進(jìn)行提高接合強(qiáng)度的處理的工序通過對(duì)所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法以及對(duì)所述接合體賦予壓縮力的方法中的至少1種方法來進(jìn)行。全文摘要本發(fā)明的接合體具有第一粘附體和第二粘附體，所述第一粘附體包括第一基材和設(shè)置于該第一基材上且含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基的第一接合膜，所述第二粘附體包括第二基材和設(shè)置于該第二基材上的第二接合膜，所述第二接合膜含有Si骨架和鍵合于該Si骨架的脫離基。該第一接合膜與第二接合膜中，Si骨架具有含硅氧烷鍵的無規(guī)的原子結(jié)構(gòu)。并且，對(duì)第一接合膜與第二接合膜賦予能量時(shí)，呈現(xiàn)粘合性，由此，第一粘附體與第二粘附體之間被接合，得到接合體。文檔編號(hào)H01L27/12GK101688084SQ20088002389公開日2010年3月31日申請(qǐng)日期2008年7月2日優(yōu)先權(quán)日2007年7月11日發(fā)明者大塚賢治,松尾泰秀,樋口和央,若松康介申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社