專利名稱：透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種透過粗糙 面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖l所示，其為公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程圖。由 流程圖中可知，公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法，其步驟包括首先，提
供多個封裝完成的發(fā)光二極管(packagedLED) (S800);接著，提供條狀 基板本體(stripped substrate body)，其上具有正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡
(S802);最后，依次將每一個封裝完成的發(fā)光二極管(packagedLED)設(shè) 置在該條狀基板本體上，并將每一個封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED) 的正、負(fù)極端分別電連接于該條狀基板本體的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡(S804)。 請參閱圖2所示，其為公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程圖。由 流程圖中可知，公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法，其步驟包括首先，提 供條狀基板本體(stripped substrate body)，其上具有正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo) 電軌跡(S900);接著，依次將多個發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該條狀基板本體 上，并且將每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端分別電連接于該條狀基板本 體的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡(S902);最后，將條狀封裝膠體覆蓋于該條狀基板 本體及所述發(fā)光二極管芯片上，以形成帶有條狀發(fā)光區(qū)域(stripped light-emitting area)的光棒(light bar) (S904)。
然而，關(guān)于上述公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法，由于每一顆封裝完 成的發(fā)光二極管(packaged LED)必須先從一整塊發(fā)光二極管封裝切割下來， 然后再以表面粘著技術(shù)(SMT)工藝，將每一顆封裝完成的發(fā)光二極管
(packaged LED)設(shè)置于該條狀基板本體上，因此無法有效縮短其工藝時間， 再者，發(fā)光時，所述封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED)之間會有暗帶
(darkband)現(xiàn)象存在，對于使用者視線仍然產(chǎn)生不佳效果。 另外，關(guān)于上述公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法，由于所完成的光棒
帶有條狀發(fā)光區(qū)域，因此第二種封裝方法將不會產(chǎn)生暗帶(darkband)的問 題。然而，因為該條狀封裝膠體被激發(fā)的區(qū)域不均，因而使得光棒的光效率 不佳(亦即，靠近發(fā)光二極管芯片的封裝膠體區(qū)域會產(chǎn)生較強的激發(fā)光源， 而遠離發(fā)光二極管芯片的封裝膠體區(qū)域則產(chǎn)生較弱的激發(fā)光源)。
請參閱圖3所示，其為公知發(fā)光二極管應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。由圖 中可知，當(dāng)公知的發(fā)光二極管芯片D應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光時(例如使用于筆記 型電腦熒幕的導(dǎo)光板M的側(cè)向光源)，由于筆記型電腦熒幕的導(dǎo)光板M非 常薄的關(guān)系，該發(fā)光二極管芯片D的基座S1的長度LA則必須相對的縮短。 換言之，由于該基座Sl的長度LA太短的關(guān)系，公知的發(fā)光二極管芯片D 將無法得到有效的散熱效果，進而產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片D因過熱而燒壞的情 形。
因此，由上可知，目前公知的發(fā)光二極管的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，顯然 具有不便與缺陷存在，而待加以改善。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向 發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在發(fā)光時， 形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)域，而無暗帶(darkband)及光衰減(decay)的情況發(fā)生， 并且本實用新型透過芯片直接封裝(Chip On Board, COB)工藝并利用壓模 (die mold)的方式，以使得本實用新型可有效地縮短其工藝時間，而能進 行大量生產(chǎn)。再者，本實用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計更適用于各種光源，諸如背光模 塊、裝飾燈條、照明用燈、或是掃描器光源等應(yīng)用，皆為本實用新型所應(yīng)用 的范圍與產(chǎn)品。
另外，本實用新型的封裝膠體透過特殊模具的壓模過程，以使得本實用 新型的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)在直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效 果，因此本實用新型不會有散熱不足的情況發(fā)生。換言之，本實用新型不僅 可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，還能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本實用新型的其中一種方案，提供一種透
過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板單元、 發(fā)光單元、及封裝膠體單元。
其中，該基板單元具有基板本體及分別形成于該基板本體上的正極導(dǎo)電 軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡。該發(fā)光單元具有多個設(shè)置于該基板本體上的發(fā)光二極 管芯片，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電連接于該基板單元的正、負(fù) 極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端。該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于所述發(fā) 光二極管芯片上的封裝膠體，其中每一個半封裝膠體的上表面及前表面分別 具有膠體弧面及粗糙膠體出光面。
另外，本實用新型的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，可進一步包括下列兩種 結(jié)構(gòu)
第一種框架單元，其為一層覆蓋于該基板本體上并包覆每一個半封裝 膠體而只露出所述粗糙膠體出光面的框架層。
第二種框架單元，其具有多個分別覆蓋所述封裝膠體而只露出每一個 半封裝膠體的粗糙膠體出光面的框體，其中所述框體彼此分離地設(shè)置于該基 板本體上。
因此，本實用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在發(fā)光時，形成連續(xù)的發(fā)光區(qū)域，
而無暗帶(darkband)及光衰減(decay)的情況發(fā)生。并且，本實用新型透 過芯片直接封裝(Chip On Board, COB)工藝并利用壓模(die mold)的方 式，以使得本實用新型可有效地縮短其工藝時間，而能進行大量生產(chǎn)。再者， 由于本實用新型的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向 發(fā)光的效果。因此，本實用新型不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更能顧到應(yīng)用 于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了能更進一步了解本實用新型為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及 功效，請參閱以下有關(guān)本實用新型的詳細(xì)說明與附圖，相信本實用新型的目 的、特征與特點，當(dāng)可由此得以深入且具體之了解，然而所附附圖僅提供參 考與說明用，并非用來對本實用新型加以限制。


圖1為公知發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程圖； 圖2為公知發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程圖3為公知發(fā)光二極管應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意圖4a至圖4f分別為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程立體 示意圖4A至圖4F分別為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程剖面 示意圖5為本實用新型發(fā)光二極管芯片透過倒裝芯片(flip-chip)的方式達
成電連接的示意圖6為本實用新型圖4C未灌入封裝膠體前的示意圖7a至圖7b分別為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程
立體示意圖7A至圖7B分別為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程 剖面示意圖8a為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分封裝流程立體示意圖； 圖8A為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分封裝流程剖面示意 圖；以及
圖9為本實用新型發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意
其中，附圖標(biāo)記說明如下
公
知技術(shù)
D 發(fā)光二極管芯片 M 導(dǎo)光板 Sl 基座 LA長度 本實用新型 1基板單元
1'基板單元
10基板本體 10A金屬層 10B電木層 11正極導(dǎo)電軌跡 12負(fù)極導(dǎo)電軌跡 11'正極導(dǎo)電軌跡2縱向發(fā)光二極管芯片排
條狀封裝膠體
3'條狀封裝膠體 4框架單元
4'條狀框架層 w導(dǎo)線 B錫球
Ml第一模具單元
M2第二模具單元
M3第三模具單元
M4第四模具單元
12'負(fù)極導(dǎo)電軌跡
20發(fā)光二極管芯片
201正極端
202負(fù)極端
20'發(fā)光二極管芯片 201'正極端
202'負(fù)極端
30封裝膠體
300半封裝膠體
30S膠體弧面 300S半膠體弧面 301S粗糙膠體出光面 30S'模具弧面 40框架層 40'框體
Mll第一上模具 M110第一通道 M12第一下模具 G 凹槽 G10模具弧面 M21第二上模具 M210第二通道 M22第二下模具 M31第三上模具 M310第三通道 M32第三下模具 M41第四上模具 M410第四通道M42第四下模具
Ll 光棒
L2 光棒
D 發(fā)光二極管芯片
M 導(dǎo)光板
S2 基座
Lb 長度
具體實施方式
本實用新型的第一實施例提供一種透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光
二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其包括下列步驟
首先，請配合圖4a及圖4A所示，提供基板單元l，其具有基板本體IO 及分別形成于該基板本體IO上的多個正極導(dǎo)電軌跡11與多個負(fù)極導(dǎo)電軌跡 12 (S100)。該基板本體IO包括金屬層IOA及成形在該金屬層10A的之電 木層(bakelite layer) 10B (如圖4a及圖4A所示)，再者，依不同的設(shè)計需 求，該基板本體IO可為印刷電路板(PCB)、軟基板(flexible substrate)、 鋁基豐反(aluminum substrate)、陶瓷基板(ceramic substrate )、或銅基豐反(copper substrate)。此夕卜，該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡11、 12可采用鋁線路(aluminumcircuit) 或銀線路(silver circuit)，并且該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡11、 12的布局(layout) 可隨著不同的需要而有所改變。
接著，請配合圖4b及圖4B所示，透過矩陣的方式，分別設(shè)置多個發(fā)光 二極管芯片20于該基板本體10上，以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排2， 其中每一個發(fā)光二極管芯片20具有分別電連接于該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo) 電軌跡ll、 12的正極端201與負(fù)極端202 (S102)。
此外，以本實用新型的第一實施例而言，每一個發(fā)光二極管芯片20的 正、負(fù)極端201、 202透過兩條相對應(yīng)的導(dǎo)線W并以打線(wire-bounding) 的方式，以與該基板單元l的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡ll、 12產(chǎn)生電連接。再者， 每一排縱向發(fā)光二極管芯片排2以直線的排列方式設(shè)置于該基板單元1的基 板本體10上，并且每一個發(fā)光二極管芯片20可為藍色發(fā)光二極管芯片(blue LED)。 當(dāng)然，上述所述發(fā)光二極管芯片20的電連接方式并非用以限定本實用
新型，例如請參閱圖5所示(本實用新型發(fā)光二極管芯片透過倒裝芯片的
方式達成電連接的示意圖)，每一個發(fā)光二極管芯片20'的正、負(fù)極端201 '、202'透過多個相對應(yīng)的錫球B并以倒裝芯片(flip-chip)的方式，以與 該基板單元l'的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡ll' 、 12'產(chǎn)生電連接。另外，依據(jù)不 同的設(shè)計需求，所述發(fā)光二極管芯片(圖未示)的正、負(fù)極端可以串聯(lián) (parallel)、并聯(lián)(serial)、或串聯(lián)加并聯(lián)(parallel/serial)的方式，以與 該基板單元(圖未示)的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電連接。
然后，請配合圖4c及圖4C所示，透過第一模具單元M1，將多個條狀 封裝膠體3縱向地分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排2上，其中每一 個條狀封裝膠體3的上表面具有多個相對應(yīng)所述發(fā)光二極管芯片20的膠體 弧面30S (S104)。
請參閱圖6所示，該第一模具單元M1由第一上模具Mll及用于承載該 基板本體10的第一下模具M12所組成，并且該第一上模具Mil具有多條相 對應(yīng)所述縱向發(fā)光二極管芯片排2的第一通道Ml 10。其中每一個第一通道 Ml 10具有多個凹槽G，而每一個凹槽G的上表面系具有一個相對應(yīng)該膠體 弧面30S的模具弧面(mold CAmbered surfACe) GIO。
此外，所述第一通道MllO的尺寸與所述條狀封裝膠體3的尺寸相同。 再者，每一個條狀封裝膠體3可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為由硅膠 (siliCon)與熒光粉(fluorescent powder )所混合形成的熒光膠體(fluoresCent resin)、或由環(huán)氧樹脂(epoxy)與熒光粉(fluoresCentpowder)所混合形成 的熒光膠體(fluoresCentresin)。
緊接著，請配合圖4d及圖4D所示，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片 20之間，橫向地切割所述條狀封裝膠體3，以形成多個彼此分開地覆蓋于每 一個發(fā)光二極管芯片20上的封裝膠體30，其中每一個半封裝膠體30的上表 面為該膠體弧面30S (S106)。
然后，請配合圖4e及圖4E所示，透過第二模具單元(second mold unit) M2，將框架單元4覆蓋于該基板本體10及所述封裝膠體30上并且填充于所 述封裝膠體30之間(S108)。其中，該第二模具單元M2由第二上模具M21 及用于承載該基板本體10的第二下模具M22所組成，并且該第二上模具
M21具有一條相對應(yīng)該框架單元4的第二通道M210,此外該第二通道M210 的高度與所述封裝膠體30的高度相同，而該第二通道M210的寬度與該框架 單元4的寬度相同。
最后，請再參閱圖4e，并配合圖4f及圖4F所示，沿著每兩個縱向發(fā)光 二極管芯片20之間，橫向地切割該框架單元4、所述封裝膠體30、及該基 板本體IO，以形成多條光棒L1，并且每一個半封裝膠體30被對切成兩個半 封裝膠體300，每一個半封裝膠體300具有半膠體弧面300S及形成于該半膠 體弧面300S前端的粗糙膠體出光面301S，該框架單元4被切割成多個只讓 每一條光棒Ll上的所有半封裝膠體300的所述粗糙膠體出光面301S露出的 框架層40 (S110)。其中，所述框架層40可為不透光框架層，例如白色 框架層。
此外，第二實施例的步驟S200至S206分別與第一實施例的步驟S100 至S106相同。亦即，步驟S200為等同于第一實施例的圖4a及圖4A的示意 圖說明；步驟S202等同于第一實施例的圖4b及圖4B的示意圖說明；步驟 S204等同于第一實施例的圖4c及圖4C的示意圖說明；步驟S206等同于第 一實施例的圖4d及圖4D的示意圖說明。
再者，在步驟S206之后，本實用新型的第二實施例更進一步包括首 先，請參閱圖7a及圖7A所示，透過第三模具單元M3，將多條條狀框架層 (stripped frAme 1Ayer) 4'覆蓋于該基板本體10及所述封裝膠體30上并且 縱向地填充于每兩個封裝膠體30之間(S208)。
其中，該第三模具單元M3由第三上模具M31及用于承載該基板本體 10的第三下模具M32所組成，并且該第三上模具M31具有多條相對應(yīng)所述 縱向發(fā)光二極管芯片排2的第三通道M310，并且該第三通道M310的高度 與所述封裝膠體30的高度相同，而該第三通道M310的寬度大于每一個半封 裝膠體30的寬度。
最后，請再參閱圖7a，并配合圖7b及圖7B所示，沿著每兩個縱向發(fā)光 二極管芯片20之間，橫向地切割所述條狀框架層(stripped frame layer) 4'、 所述封裝膠體30及該基板本體10，以形成多條光棒L2，并且每一個半封裝 膠體30被對切成兩個半封裝膠體300，每一個半封裝膠體300具有半膠體弧 面300S及形成于該半膠體弧面300S前端的粗糙膠體出光面301S，所述條
狀框架層(stripped frame layer) 4'被切割成多個只讓每一個半封裝膠體300 的粗糙膠體出光面301S露出的框體40' (S210)。其中，所述框體40'系 可為不透光框體，例如白色框體。
請參閱圖8a及圖8A所示。圖8a為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例 的部分封裝流程示意圖，圖8A為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的部分 封裝流程剖面示意圖。由圖8a和圖8A的流程圖可知，第三實施例與第一、 二實施例的差異在于第一實施例的步驟S104與第二實施例的步驟S204在 第三實施例中皆更改為"沿著每兩個橫向(transverse)發(fā)光二極管芯片20 之間，縱向地切割所述條狀封裝膠體3'"。
再者，第四模具單元M4由第四上模具M41及用于承載該基板本體10 的第四下模具M42所組成。此外，該第四模具單元M4與該第一模具單元 Ml最大的不同在于每一個第四通道M410的上表面及前表面分別具有模 具弧面(mold cambered surface) 30S'。所以，多個條狀封裝膠體3'橫向 地分別覆蓋在縱向的(longitudinal)發(fā)光二極管芯片2上。
請參閱圖9所示，其為本實用新型發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于側(cè) 向發(fā)光的示意圖。由圖中可知，當(dāng)本實用新型的發(fā)光二極管芯片D應(yīng)用于側(cè) 向發(fā)光時(例如使用于筆記型電腦熒幕的導(dǎo)光板M的側(cè)向光源)，該發(fā)光 二極管芯片D的基座S2的長度Lb可依散熱的需要而加長(不像公知一樣受 導(dǎo)光板M厚度的限制)。換言之，由于該基座S2的長度Lb可依散熱的需 要而加長，因此本實用新型的發(fā)光二極管芯片D將可得到有效的散熱效果， 進而可避免發(fā)光二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
綜上所述，本實用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在發(fā)光時，形成連續(xù)的發(fā)光區(qū) 域，而無暗帶及光衰減的情況發(fā)生，并且本實用新型透過芯片直接封裝工藝 并利用壓模的方式，以使得本實用新型可有效地縮短其工藝時間，而能進行 大量生產(chǎn)。再者，由于本實用新型的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)在直立的情況 下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此，本實用新型不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功 能，更能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
以上所述僅為本實用新型最優(yōu)選之一的具體實施例的詳細(xì)說明與附圖， 但本實用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本實用新型，本實用新型 的所有范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)，凡是符合于本實用新型權(quán)利要求書的精神與其類似變化的實施例，皆應(yīng)包含于本實用新型的范圍 中，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本實用新型的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可 涵蓋在以下本實用新型的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板單元；發(fā)光單元，其具有多個電性地設(shè)置于該基板單元上的發(fā)光二極管芯片；及封裝膠體單元，其具有多個分別覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片上的半封裝膠體，其中每一個半封裝膠體的上表面及前表面分別具有半膠體弧面及粗糙膠體出光面。
2、 如權(quán)利要求1所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板單元具有基板本體及分別形成于該基板本體 上的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡。
3、 如權(quán)利要求2所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板本體包括金屬層及成形在該金屬層上的電木 層，并且該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡為鋁線路或銀線路。
4、 如權(quán)利要求2所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電連接于該基板單 元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端。
5、 如權(quán)利要求1所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個半封裝膠體為由硅膠與熒光粉所混合形成的 熒光膠體。
6、 如權(quán)利要求1所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個半封裝膠體為由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形 成的熒光膠體。
7、 如權(quán)利要求1所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括框架單元，其為一層覆蓋于該基板 本體上并包覆每一個半封裝膠體而只露出所述粗糙膠體出光面的框架層。
8、 如權(quán)利要求7所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該框架層為不透光框架層。
9、 如權(quán)利要求1所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進一步包括框架單元，其具有多個分別覆蓋所 述封裝膠體而只露出每一個半封裝膠體的粗糙膠體出光面的框體，其中所述 框體彼此分離地設(shè)置于該基板本體上。
10、如權(quán)利要求9所述的透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片 封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述框體為不透光框體。
專利摘要本實用新型提供一種透過粗糙面以產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板單元、發(fā)光單元、及封裝膠體單元。該基板單元具有基板本體及分別形成于該基板本體上的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡。該發(fā)光單元具有多個設(shè)置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電連接于該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端。該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片上的半封裝膠體，其中每一個半封裝膠體的上表面及前表面分別具有膠體弧面及粗糙膠體出光面。本實用新型可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
文檔編號H01L25/00GK201185188SQ20082000848
公開日2009年1月21日 申請日期2008年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月24日
發(fā)明者吳文逵, 巫世裕, 汪秉龍 申請人:宏齊科技股份有限公司