一種正裝led發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種正裝LED發(fā)光二極管，涉及LED發(fā)光二極管的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。在襯底的同一側(cè)包括依次設(shè)置的N?GaN層、量子阱層、P?GaN層和透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上設(shè)置P電極，在N?GaN層上連接N電極，在N電極與N?GaN層之間包裹式設(shè)置透明導(dǎo)電層、P?GaN層和量子阱層。本實(shí)用新型保留了N電極下方的部分P?GaN及量子阱層，能夠減少N?GaN層直接暴露于LED發(fā)光二極管表面的面積，進(jìn)而減少ICP刻蝕完后的黑點(diǎn)現(xiàn)象的發(fā)生，并提高產(chǎn)品的良率，并且本實(shí)用新型有利于增加電流的橫向擴(kuò)展能力，提高電流的分布均勻性。
【專利說明】
一種正裝LED發(fā)光二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及LED發(fā)光二極管的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的芯片大部分是正裝結(jié)構(gòu)，P電極通過透時(shí)導(dǎo)電層直接形成于P-GaN層上，為了將N電極與N-GaN層直接連接，刻蝕時(shí)僅保留P電極下方的P-GaN層、量子阱層，其余部分的P-GaN層和量子阱層全部刻蝕去除，直接完全露出N-GaN層。這種結(jié)構(gòu)大量的N-GaN層直接暴露于LED發(fā)光二極管表面，在進(jìn)行ICP刻蝕作N臺(tái)階時(shí)容易受到外延表面因素的影響，再蒸鍍完電極之后，容易出現(xiàn)ICP黑點(diǎn)及LED發(fā)光二極管良率低的缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型目的是提出一種可有效減少出現(xiàn)ICP黑點(diǎn)，并提高LED發(fā)光二極管良率的LED發(fā)光二極管。
[0004]本實(shí)用新型在襯底的同一側(cè)包括依次設(shè)置的N-GaN層、量子阱層、P-GaN層和透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上設(shè)置P電極，在N-GaN層上連接N電極，其特征在于在N電極與N-GaN層之間包裹式設(shè)置透明導(dǎo)電層、P-GaN層和量子阱層。
[0005]本實(shí)用新型保留了N電極下方的部分P-GaN及量子阱層，能夠減少N-GaN層直接暴露于LED發(fā)光二極管表面的面積，進(jìn)而減少ICP刻蝕完后的黑點(diǎn)現(xiàn)象的發(fā)生，并提高產(chǎn)品的良率，并且本實(shí)用新型有利于增加電流的橫向擴(kuò)展能力，提高電流的分布均勻性。
【附圖說明】
[0006]圖1至圖2為本實(shí)用新型制作工藝過程圖。
[0007]圖3為本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]—、正裝芯片制作工藝如下:
[0009]1、在常規(guī)襯底I的上方依次外延生長(zhǎng)形成N-GaN層2、量子阱層3和P-GaN層4。
[0010]2、在黃光光刻工藝中，利用感應(yīng)偶和等離子(ICP)調(diào)節(jié)刻蝕氣體BC13和C12的比例圖形化地刻蝕去除各元胞的P-GaN層和量子阱層部分區(qū)域，直至暴露出N-GaN層，刻蝕深度約 10000 A?16000 Ao
[0011]形在的半制品如圖1所示。
[0012]3、在外延片表面利用濺射法蒸鍍氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電層5，通過光刻工藝，采用化學(xué)蝕刻方法，僅保留P-GaN層上的ΙΤ0，使電流在P-GaN層表面分布的均勻性更好。如圖2所示。
[0013]4、在相鄰的兩個(gè)元胞中的一個(gè)元胞的透明導(dǎo)電層上制作形成厚度大約10000 A?12000 A的P電極。
[0014]在相鄰的兩個(gè)元胞中的另一個(gè)元胞的透明導(dǎo)電層、P-GaN層和量子阱層外包裹式制作形成厚度大約10000 A?12000 A的N電極，并使N電極的下端連接在N-GaN層上。
[0015]二、制成的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
[0016]如圖3所示，在襯底I的同一側(cè)包括依次設(shè)置的N-GaN層2、量子阱層3、P_GaN層4和透明導(dǎo)電層5，在透明導(dǎo)電層5上設(shè)置P電極，在N電極7與N-GaN層2之間包裹式設(shè)置透明導(dǎo)電層5、P-GaN層4和量子阱層3。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種正裝LED發(fā)光二極管，在襯底的同一側(cè)包括依次設(shè)置的N-GaN層、量子阱層、P-GaN層和透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上設(shè)置P電極，在N-GaN層上連接N電極，其特征在于在N電極與N-GaN層之間包裹式設(shè)置透明導(dǎo)電層、P-GaN層和量子阱層。
【文檔編號(hào)】H01L33/42GK205645852SQ201620343301
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月22日
【發(fā)明人】蔡立鶴, 張永, 陳凱軒, 李俊賢, 劉英策, 陳亮, 魏振東, 吳奇隆, 周弘毅, 鄔新根, 黃新茂
【申請(qǐng)人】廈門乾照光電股份有限公司