專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法和粘接薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將在表面上多個(gè)分割道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè)分割 道劃出的多個(gè)區(qū)域上形成有器件的晶片的背面上安裝的粘接薄膜，沿著器 件斷開(kāi)的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法和粘接薄膜。
背景技術(shù)：
例如，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表
面上通過(guò)形成格子狀的稱(chēng)為分割道(street)的分割預(yù)定線劃出的多個(gè)區(qū)域 上形成IC、 LSI等的器件，沿著分割道對(duì)形成有該器件的各區(qū)域進(jìn)行分割 來(lái)制造各個(gè)器件。
分割為個(gè)體的器件的背面上安裝有環(huán)氧樹(shù)脂等形成的厚度為20~40 y m的稱(chēng)為芯片粘結(jié)薄膜(,< 7夕7 * 7 ^ a厶die attach fiim)的用于
管芯焊接(, < 求 > 亍'^ >夕"die bonding)的粘接薄膜，通過(guò)在經(jīng)由該粘 接薄膜支撐器件的管芯焊接框架上進(jìn)行加熱壓焊來(lái)實(shí)施管芯焊接。作為在 器件背面安裝用于管芯焊接的粘接薄膜的方法，可以在半導(dǎo)體晶片的背面 貼附粘接薄膜，經(jīng)由該粘接薄膜將半導(dǎo)體晶片貼附到切割帶(dicingtape) 上，然后沿著在半導(dǎo)體晶片表面上形成的分割道用切削刀具將半導(dǎo)體晶片 與粘接薄膜一起切斷，從而形成背面安裝有粘接薄膜的器件(例如，參照 專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)2000-182995號(hào)公報(bào)
但是，在通過(guò)切削刀具將半導(dǎo)體晶片和粘接薄膜一起切斷時(shí)，會(huì)在切 削刀具上纏繞粘接薄膜，在切斷的器件的切斷面上產(chǎn)生缺損或裂紋，并且 在粘接薄膜上產(chǎn)生須狀毛刺而導(dǎo)致在引線接合(wirebonding)時(shí)發(fā)生斷線。
近年來(lái)，手機(jī)和個(gè)人電腦等電子設(shè)備需求更輕量化和小型化，要求更 薄的器件。作為對(duì)更薄的器件進(jìn)行分割的技術(shù)，例如稱(chēng)為先分割法的分割 技術(shù)獲得了實(shí)用化。該先分割法是這樣的技術(shù)從晶片表面沿著分割道形
3成規(guī)定深度(與器件的精加工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，然后對(duì)表面上 形成有分割槽的晶片的背面進(jìn)行磨削，在該背面上露出分割槽而分離為各
個(gè)器件；這種技術(shù)能夠?qū)⑵骷暮穸燃庸?0 U m以下。
但是，在使用先分割法將晶片分割為各個(gè)器件的情況下，從晶片表面 沿著分割道形成規(guī)定深度的分割槽，然后對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削，在該背 面上顯露出分割槽，因此無(wú)法預(yù)先在晶片背面安裝用于管芯焊接的粘接薄 膜。因此，在將通過(guò)先分割法分割的器件接合到管芯焊接框架上時(shí)，必須 在器件和管芯焊接框架之間插入接合劑來(lái)進(jìn)行接合，存在無(wú)法順暢進(jìn)行接 合作業(yè)的問(wèn)題。
為了克服上述問(wèn)題，有人提出如下的方法在通過(guò)先分割法分割為各 個(gè)器件的晶片的背面安裝用于管芯焊接的粘接薄膜，在經(jīng)由該粘接薄膜將 晶片貼附到切割帶上之后擴(kuò)張切割帶，從而沿著分割槽斷開(kāi)粘接薄膜(例 如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2004-193241號(hào)公報(bào)
另外，近年來(lái)也在對(duì)激光加工方法進(jìn)行研究，即使用波長(zhǎng)對(duì)晶片具有 穿透性的脈沖激光束向待分割區(qū)域的內(nèi)部聚焦來(lái)進(jìn)行照射脈沖激光。使用 該激光加工方法的分割方法，從晶片背面向內(nèi)部聚焦，照射對(duì)晶片具有穿 透性波長(zhǎng)(例如1064nm)的脈沖激光束，在晶片內(nèi)部沿著分割道連續(xù)地形 成變質(zhì)層，沿著由于形成該變質(zhì)層而強(qiáng)度降低的分割道施加外力，從而分
害U晶片o
另外，還有一種實(shí)用化的晶片分割方法，對(duì)晶片沿著分割道照射波長(zhǎng)
(例如355nm)具有吸收性的脈沖激光束，沿著分割道形成激光加工槽， 然后沿著分割道施加外力來(lái)分割晶片。
使用上述激光加工方法，在沿著分割道形成變質(zhì)層或激光加工槽的晶 片的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜，經(jīng)由該粘接薄膜將晶片貼附到 切割帶上，然后通過(guò)對(duì)切割帶進(jìn)行擴(kuò)張，沿著由于形成了變質(zhì)層或激光加 工槽而強(qiáng)度降低的分割道，將晶片分割為各個(gè)器件，并且沿著分割的各器 件的外周緣斷開(kāi)粘接薄膜(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2004-273895號(hào)公報(bào)
用于管芯焊接的粘接薄膜，為了確保在晶片的整個(gè)背面上安裝而形成為外徑大于晶片的外徑。因此，在對(duì)貼附著粘接薄膜的切割帶進(jìn)行擴(kuò)張而 沿著各器件斷開(kāi)粘接薄膜時(shí)，從晶片的外周緣超出的粘接薄膜會(huì)破裂飛散， 其碎片會(huì)附著到器件表面上。該附著于器件表面的粘接薄膜的碎片難以除 去，從而導(dǎo)致器件品質(zhì)降低。
本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題而做出，其主要技術(shù)課題是提供晶片背面上安裝 的粘接薄膜的斷開(kāi)方法和粘接薄膜，從而在對(duì)貼附著粘接薄膜的切割帶進(jìn) 行擴(kuò)張而沿著各器件斷開(kāi)粘接薄膜時(shí)，不會(huì)在器件表面附著粘接薄膜的碎 片。_

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述主要課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種在晶片背面安裝的粘 接薄膜的斷開(kāi)方法，將在表面上多個(gè)分割道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè) 分割道劃出的多個(gè)區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的 外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的 狀態(tài)下沿著器件斷開(kāi)，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部上的從晶片的 外周緣超出的區(qū)域上形成放射狀的多個(gè)分割槽，然后擴(kuò)張?jiān)撉懈顜亩?著器件斷開(kāi)粘接薄膜，并且將該粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣超 出的區(qū)域沿著該放射狀的多個(gè)分割槽分離。
另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法， 將在表面上多個(gè)分割道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè)分割道劃出的多個(gè)區(qū) 域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接 薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開(kāi)， 其特征在于，在該粘接薄膜的外周部上形成放射狀的多個(gè)分割槽，在將該 粘接薄膜安裝到晶片背面上并且貼附在該切割帶表面上的狀態(tài)下，擴(kuò)張?jiān)?切割帶從而將粘接薄膜沿著器件斷開(kāi)，并且將該粘接薄膜的外周部上的從 晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個(gè)分割槽分離。
另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種粘接薄膜，安裝在晶片背面，其特征在 于，具有比晶片外徑大的外徑，在外周部形成有放射狀的多個(gè)分割槽。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣 超出的區(qū)域上形成放射狀的多個(gè)分割槽之后，或者在將外周部上形成有放射狀的多個(gè)分割槽的粘接薄膜安裝到晶片背面上并且貼附在切割帶表面上 的狀態(tài)下，擴(kuò)張切割帶從而沿著器件斷開(kāi)粘接薄膜，并且將粘接薄膜的外 周部上的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著放射狀的多個(gè)分割槽分離，從而 將粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣超出的區(qū)域分離為扇狀的薄膜 片，不會(huì)由于粘接薄膜的無(wú)規(guī)則破損而飛散碎片，從而避免粘接薄膜的碎 片附著到器件表面上。因此能夠防止由于器件表面附著粘接薄膜的碎片而 導(dǎo)致器件品質(zhì)降低。


圖1是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第1實(shí)施方式的立體圖。
圖2是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第2實(shí)施方式的立體圖。
圖3是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第3實(shí)施方式的立體圖。
圖4是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法的分割槽形 成工序的說(shuō)明圖。
圖5是表示實(shí)施圖4所示分割槽形成工序的粘接帶經(jīng)由切割帶支撐在 環(huán)狀框架上的狀態(tài)的立體圖。
圖6是表示實(shí)施本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法的帶擴(kuò) 張工序的帶擴(kuò)張裝置的立體圖。
圖7是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法的帶擴(kuò)張工 序的說(shuō)明圖。
圖8是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法的拾取工序 的說(shuō)明圖。
圖9是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法中使用的粘 接薄膜和將粘接薄膜安裝到半導(dǎo)體晶片背面上并且在安裝于環(huán)狀框架的切 割帶上貼附的工序的說(shuō)明圖。
圖IO是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法中使用的粘 接薄膜的其它實(shí)施方式和在粘接薄膜上安裝半導(dǎo)體晶片的背面的工序的說(shuō)明圖。 符號(hào)說(shuō)明
2:半導(dǎo)體晶片；21:分割道；22:器件；3:粘接薄膜；31:分割槽; 4:保護(hù)帶；5:激光加工裝置；51:卡盤(pán)臺(tái)；52:聚光器；6:帶擴(kuò)張裝置; 6h框架保持機(jī)構(gòu)；611:框架保持部件；62:帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)；62h擴(kuò)張鼓; 63:支撐機(jī)構(gòu)；631:氣缸；F:環(huán)狀框架；T:切割帶
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法和粘 接薄膜的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行具體說(shuō)明。
這里，對(duì)背面安裝有粘接薄膜的晶片的形式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1 (a)和圖1 (b)表示了在通過(guò)所謂先分割法分割為各個(gè)器件的半 導(dǎo)體晶片2的背面安裝有用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘接薄膜3 一側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上，而半導(dǎo)體晶片2的表 面上貼附的保護(hù)帶4被剝離的狀態(tài)。圖l (a)和圖l (b)所示的半導(dǎo)體晶 片2的多個(gè)分割道21在表面2a上形成為格子狀，并且在通過(guò)該多個(gè)分割 道21劃出的多個(gè)區(qū)域上形成器件22。為了通過(guò)所謂先分割法將該半導(dǎo)體晶 片2分割為各個(gè)器件，使用切削裝置沿著在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上形成 的分割道21形成規(guī)定深度(與器件的精加工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽23 (分割槽形成工序)。接著，在形成了分割槽23的半導(dǎo)體晶片2的表面上 貼附保護(hù)帶4，磨削半導(dǎo)體晶片2的背面，使分割槽在背面露出而分割為各 個(gè)器件22 (分割槽露出工序)。這樣，在分割為各個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片 2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè) 貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。接著，如圖l (a)所示， 將半導(dǎo)體晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
上述粘接薄膜3由厚度為20~40ii m的環(huán)氧樹(shù)脂薄膜構(gòu)成，以80 200 'C的溫度加熱而按壓安裝到半導(dǎo)體晶片2的背面2b上。該粘接薄膜3為了 確保在半導(dǎo)體晶片2的整個(gè)背面上安裝而形成為外徑大于半導(dǎo)體晶片2的 外徑。因此，如圖1 (a)所示，粘接薄膜3的外周部30成為從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的狀態(tài)。另外，可以使用在切割帶表面預(yù)先貼附粘接薄膜的 帶有粘接薄膜的切割帶。此時(shí)，將如上所述通過(guò)先分割法分割為各個(gè)器件
的半導(dǎo)體晶片2的背面載置到安裝于環(huán)狀框架的帶有粘接薄膜的切割帶的 粘接薄膜上，以80 200'C的溫度加熱而將粘接薄膜3按壓安裝到半導(dǎo)體晶 片20的背面20b上。上述環(huán)狀框架F例如由厚度為lmm的不銹鋼形成為 環(huán)狀。上述切割帶T，在圖示的實(shí)施方式中是通過(guò)在厚度為70ym的聚氯 乙烯(PVC)的片材表面上涂布厚度為5um左右的粘著劑而制成的。
在圖2 (a)和圖2 (b)中表示，在沿著分割道21在內(nèi)部形成有變質(zhì) 層24的半導(dǎo)體晶片2的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘 接薄膜3 —側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上的狀態(tài)。為了 在半導(dǎo)體晶片2的內(nèi)部沿著分割道21形成變質(zhì)層24，從半導(dǎo)體晶片2的背 面2b —側(cè)向內(nèi)部聚焦而沿著分割道21照射對(duì)晶片具有穿透性波長(zhǎng)(例如 1064nm)的脈沖激光束，在半導(dǎo)體晶片2的內(nèi)部沿著分割道21連續(xù)地形 成變質(zhì)層24 (變質(zhì)層形成工序)。這樣，在沿著分割道21在內(nèi)部形成了變 質(zhì)層24的半導(dǎo)體晶片2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且 將該粘接薄膜3 —側(cè)貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。
在圖3 (a)和圖3 (b)中表示，在沿著分割道21形成有激光加工槽 25的半導(dǎo)體晶片2的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘接 薄膜3 —側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上的狀態(tài)。為了在 半導(dǎo)體晶片2上沿著分割道21形成激光加工槽25，例如在半導(dǎo)體晶片2 的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè)貼 附到安裝于上述環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。接著，從半導(dǎo)體晶片2 的表面2a —側(cè)沿著分割道21照射對(duì)晶片具有吸收性波長(zhǎng)(例如355nm) 的脈沖激光束，沿著分割道21形成激光加工槽25 (激光加工槽形成工序)。
如上所述，若是在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接 薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè)貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的 表面上，則實(shí)施在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出 的區(qū)域30上，形成放射狀的多個(gè)分割槽的分割槽形成工序。參照?qǐng)D4 (a) 和圖4 (b)，對(duì)該分割槽形成工序進(jìn)行說(shuō)明。圖4 (a)和圖4 (b)所示實(shí) 施方式是使用激光加工裝置5實(shí)施分割槽形成工序的例子。g卩，在激光加工裝置5的卡盤(pán)臺(tái)51上載置安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T，驅(qū)動(dòng)未圖示的 吸附機(jī)構(gòu)并經(jīng)由切割帶T將用于管芯焊接的粘接薄膜3和半導(dǎo)體晶片2吸 附保持在卡盤(pán)臺(tái)51上。并且，將環(huán)狀框架F通過(guò)在卡盤(pán)臺(tái)41上設(shè)置的未 圖示的夾子進(jìn)行固定。接著，如圖4 (a)所示移動(dòng)卡盤(pán)臺(tái)51，使粘接薄膜 3上與半導(dǎo)體晶片2的外周緣交界的部分位于激光束照射機(jī)構(gòu)的聚光器52 的正下方。然后，從聚光器42照射脈沖激光束，并且將卡盤(pán)臺(tái)51沿著箭 頭XI所示的方向移動(dòng)，如圖4 (b)所示，當(dāng)粘接薄膜3的外周緣(圖4 (b)中左端)到達(dá)聚光器52正下方時(shí)，則停止照射激光束，并且停止移 動(dòng)卡盤(pán)臺(tái)51。從而，如圖4 (b)所示，在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo) 體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上沿著放射方向(徑向)形成分割槽31。
上述分割槽形成工序例如按照以下加工條件進(jìn)行。
激光束的光源YV04激光器或者YAG激光器
波長(zhǎng)355腦
往復(fù)頻率50kHz
平均功率1W
聚光點(diǎn)直徑05um
實(shí)施上述分割槽形成工序后，則將卡盤(pán)臺(tái)51轉(zhuǎn)動(dòng)規(guī)定的角度(例如10 度)(分度工序)，實(shí)施上述分割槽形成工序。此后，反復(fù)執(zhí)行分度工序和 分割槽形成工序，從而如圖5所示，在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體 晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上形成放射狀的多個(gè)分割槽31。
另外，雖然在上述實(shí)施方式中表示了通過(guò)激光加工實(shí)施分割槽形成工 序的例子，但是也可以使用刀具實(shí)施分割槽形成工序。
另外，在如圖3所示沿著半導(dǎo)體晶片2的分割道21形成激光加工槽25 的情況下，上述分割槽形成工序也可以在實(shí)施激光加工槽形成工序之前實(shí) 施。
如上所述，實(shí)施了分割槽形成工序后，則實(shí)施對(duì)安裝于環(huán)狀框架F的 切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張而使粘接薄膜3沿著各器件斷開(kāi)，并且使粘接薄膜3的 外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30沿著形成為放射狀的多 個(gè)分割槽31分離的帶擴(kuò)張工序。該帶擴(kuò)張工序在圖示實(shí)施方式中使用圖6 所示的帶擴(kuò)張裝置6來(lái)實(shí)施。圖6所示的帶擴(kuò)張裝置6具有保持上述環(huán)200 及帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62，其對(duì)在該框架保持機(jī)構(gòu) 61上保持的環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張?？蚣鼙３謾C(jī)構(gòu)61構(gòu)
成為包括環(huán)狀的框架保持部件611;在該框架保持部件611的外周上設(shè)置
的作為固定機(jī)構(gòu)的多個(gè)夾子612?？蚣鼙３植考?11的上表面形成有載置環(huán) 狀框架F的載置面611a，該載置面611a上能夠載置環(huán)狀框架F。另外，載 置面611a上載置的環(huán)狀框架F，通過(guò)夾子612固定在框架保持部件611上。 這種結(jié)構(gòu)的框架保持機(jī)構(gòu)61，被帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62支撐為能夠沿著上下方向進(jìn) 退。
帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62具有在上述環(huán)狀的框架保持部件611的內(nèi)側(cè)設(shè)置的擴(kuò)張 鼓621。該擴(kuò)張鼓621具有比環(huán)狀框架F的內(nèi)徑小而比在安裝于該環(huán)狀框 架F的切割帶T上貼附的粘接薄膜3的外徑大的內(nèi)徑和外徑。另外，擴(kuò)張 鼓621下端具有支撐凸緣622。圖示實(shí)施方式中的帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62具有能夠 使上述環(huán)狀的框架保持部件611沿著上下方向進(jìn)退的支撐機(jī)構(gòu)63。該支撐 機(jī)構(gòu)63由在上述支撐凸緣622上配置的多個(gè)氣缸631構(gòu)成，其活塞桿632 與上述環(huán)狀的框架保持部件611的下表面聯(lián)結(jié)。這樣，由多個(gè)氣缸631構(gòu) 成的支撐機(jī)構(gòu)63，能夠選擇性地在如圖6和圖7 (a)所示使環(huán)狀的框架保 持部件611在載置面611a與擴(kuò)張鼓621的上端處于大致相同高度的基準(zhǔn)位 置，以及如圖7 (b)所示使環(huán)狀的框架保持部件611在載置面611a低于擴(kuò) 張鼓621的上端的圖中規(guī)定量的下方的擴(kuò)張位置之間移動(dòng)。
圖示實(shí)施方式中的帶擴(kuò)張裝置6具有上述結(jié)構(gòu)，下面主要參照?qǐng)D7對(duì) 使用該帶擴(kuò)張裝置6，對(duì)上述環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張，使 粘接薄膜3沿著器件斷開(kāi)，并且將粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2 的外周緣超出的區(qū)域30沿著形成為放射狀的多個(gè)分割槽31分離的帶擴(kuò)張 工序進(jìn)行說(shuō)明。
將經(jīng)由貼附有如上述圖5所示實(shí)施了分割槽形成工序的粘接薄膜3(安 裝在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上)的切割帶T支撐的環(huán)狀框架F，如圖7 (a) 所示載置到構(gòu)成框架保持機(jī)構(gòu)61的框架保持部件611的載置面611a上， 并且通過(guò)夾子612固定在框架保持部件611上(框架保持工序)。此時(shí)，框 架保持部件611定位于圖7 (a)所示基準(zhǔn)位置。
接著，驅(qū)動(dòng)多個(gè)氣缸631，使框架保持部件611下降到圖7 (b)所示
10的擴(kuò)張位置。因此，在框架保持部件611的載置面611a上固定的環(huán)狀框架 F也下降，因此如圖7 (b)所示，環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T與擴(kuò)張鼓 621的上端緣抵接而進(jìn)行擴(kuò)張(帶擴(kuò)張工序)。其結(jié)果是，對(duì)切割帶T上貼 附的粘接薄膜3放射狀地施加張力。這樣，當(dāng)切割帶T上貼附的粘接薄膜 3被施加放射狀的張力后，在如上述圖1所示將半導(dǎo)體晶片2分割為各個(gè)器 件22的情況下，器件22之間的間隔增大。其結(jié)果是，粘接薄膜3沿著各 器件22的外周緣斷開(kāi)，并且粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外 周緣超出的區(qū)域30，如圖7 (c)放大所示，其分割槽31擴(kuò)展并在半導(dǎo)體 晶片2的外周緣部斷開(kāi)而分離為扇狀的薄膜片300，并保持在切割帶T上 貼附的狀態(tài)。
另外，在如上述圖2或圖3所示，沿著半導(dǎo)體晶片2的分割道21形成 變質(zhì)層24或激光加工槽25的情況下，當(dāng)如上所述對(duì)切割帶T上貼附的粘 接薄膜3施加放射狀的張力時(shí)，則半導(dǎo)體晶片2沿著由于形成了變質(zhì)層24 或激光加工槽25而強(qiáng)度降低的分割道21分割為各個(gè)器件22。另外，粘接 薄膜3沿著分割的各器件22的外周緣斷開(kāi)，并且粘接薄膜3的外周部上的 從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30，與上述圖7(c)同樣地在半導(dǎo)體 晶片2的外周緣部斷開(kāi)，并保持在分離為扇狀的薄膜片的切割帶T上貼附 的狀態(tài)。
在上述帶擴(kuò)張工序中將粘接薄膜3沿著各器件22的外周緣斷開(kāi)時(shí)，在 粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上形成放 射狀的多個(gè)分割槽31，從而由于分離為扇狀的薄膜片300，因此粘接薄膜3 不會(huì)無(wú)規(guī)則地破裂而碎片飛散，并且不會(huì)在器件22的表面上附著粘接薄膜 3的碎片。
在如上所述實(shí)施了帶擴(kuò)張工序后，如圖8所示驅(qū)動(dòng)拾取裝置7，通過(guò)拾 取夾71拾取處于規(guī)定位置的器件22 (拾取工序)，向未圖示的托盤(pán)或管芯 焊接工序輸送。
接著，參照?qǐng)D9和圖IO對(duì)本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方 法的其它實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
在圖9所示實(shí)施方式中，使用外周部形成有放射狀的多個(gè)分割槽的粘 接薄膜。S卩，如圖9 (a)所示，粘接薄膜3具有比半導(dǎo)體晶片2的外徑大的外徑，在其外周部上形成有放射狀的多個(gè)分割槽31。另外，放射狀的多 個(gè)分割槽31可以通過(guò)激光加工形成，或者使用刀具等形成。另外，放射狀 的多個(gè)分割槽31可以形成到中心部。將這樣形成的粘接薄膜3，如圖9 (b) 所示貼附到例如通過(guò)上述先分割法分割為各個(gè)器件的半導(dǎo)體晶片2的背面 2b上，以80 20(TC的溫度加熱而安裝到半導(dǎo)體晶片2的背面2b上。接著， 如圖9 (c)所示貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T上。然后，將半導(dǎo)體 晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
圖IO所示的實(shí)施方式，使用在切割帶的表面上預(yù)先貼附有粘接薄膜的 帶有粘接薄膜的切割帶。即，如圖10 (a)所示，在安裝于環(huán)狀框架F的切 割帶T上貼附的粘接薄膜3的外周部上，與上述圖9所示的粘接薄膜3同 樣地預(yù)先形成有放射狀的多個(gè)分割槽31。在這樣貼附于切割帶T的粘接薄 膜3上，如圖10 (b)所示貼附例如通過(guò)上述先分割法分割為各個(gè)器件的半 導(dǎo)體晶片2的背面2b，以80 20(TC的溫度加熱來(lái)安裝半導(dǎo)體晶片2的背面 2b。然后，將半導(dǎo)體晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
如上所述，如果在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T上經(jīng)由粘接薄膜3 (外 周部上形成有放射狀的多個(gè)分割槽31)貼附半導(dǎo)體晶片2的背面2b，則使 用上述帶擴(kuò)張裝置6實(shí)施上述的帶擴(kuò)張工序。其結(jié)果，使粘接薄膜3與上 述圖1至圖7所示的實(shí)施方式同樣地沿著各器件22的外周緣斷開(kāi)，并且粘 接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域分離成為扇狀 的薄膜片，并保持在切割帶T上貼附的狀態(tài)。因此，具有與上述圖l至圖 7所示的實(shí)施方式同樣的作用效果。
權(quán)利要求
1. 一種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法，將在表面上多個(gè)分割道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè)分割道劃出的多個(gè)區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開(kāi)，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域形成放射狀的多個(gè)分割槽，然后擴(kuò)張?jiān)撉懈顜亩刂骷嚅_(kāi)粘接薄膜，并且將該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個(gè)分割槽分離。
2. —種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法，將在表面上多個(gè)分割 道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè)分割道劃出的多個(gè)區(qū)域上形成器件的晶片 的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀 框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開(kāi)，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部形成有放射狀的多個(gè)分割槽，在將該粘接薄膜 安裝到晶片背面上并且貼附在該切割帶表面上的狀態(tài)下，擴(kuò)張?jiān)撉懈顜?而將粘接薄膜沿著器件斷開(kāi)，并且將該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周 緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個(gè)分割槽分離。
3. —種粘接薄膜，安裝在晶片背面，其特征在于，具有比晶片外徑大 的外徑，在外周部形成有放射狀的多個(gè)分割槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在晶片背面上安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法和粘接薄膜，在對(duì)貼附有粘接薄膜的切割帶進(jìn)行擴(kuò)張從而沿著各器件斷開(kāi)粘接薄膜時(shí)，不會(huì)在器件表面附著粘接薄膜的碎片。在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開(kāi)方法，將在表面上多個(gè)分割道形成格子狀并且在通過(guò)該多個(gè)分割道劃出的多個(gè)區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開(kāi)。在粘接薄膜的外周部形成放射狀的多個(gè)分割槽，擴(kuò)張切割帶從而沿著器件斷開(kāi)粘接薄膜，并且將粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著放射狀的多個(gè)分割槽分離。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101447411SQ200810182179
公開(kāi)日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者中村勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科