專(zhuān)利名稱(chēng)：電子部件的封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
作為電子部件元件的水晶振動(dòng)板3是通過(guò)AT切割形成 的，例如被加工成了圓盤(pán)形狀。在其表里面上通過(guò)真空蒸鍍法或噴鍍 等手段設(shè)置了未圖示的激勵(lì)電極和引出電極。為了可靠地進(jìn)行電氣連 接，引出電極也可以繞入到水晶振動(dòng)板3的相反主面。即，也可以將 引出電極引出到水晶振動(dòng)板3的任意一個(gè)主面。另外，有關(guān)此圖7所示的方式的突起14的高度(剖面視) 的尺寸被設(shè)定在50fim以下(在圖7所示的突起14中為50nm)。而 且，金屬基座1和金屬帽2被壓接，直至在通過(guò)電阻焊接進(jìn)行接合之 際突起14的高度(剖面視)的尺寸為30 40nm左右，金屬基座1和 金屬帽2的間隙尺寸為3~15nm左右。另外，圖7所示的金屬基座1 和金屬帽2，與圖6所示的方式同樣，凹凸形狀的邊界(例如，基座 主體IO和法蘭13之間的邊界、金屬帽2的法蘭21和其他的部位之間 的邊界)從剖面看分別被形成為曲面。因此，能夠在金屬基座l和金 屬帽2的凹凸形狀的邊界形成間隙，能夠在將金屬基座1和金屬帽2 進(jìn)行電阻焊接之際，將在該間隙中的放電開(kāi)始電壓設(shè)定得高。其結(jié)果， 能夠抑制在該間隙中的放電，抑制飛濺。
[0044根據(jù)此圖7所示的突起14，通過(guò)進(jìn)行電阻焊接，將金屬基 座1和金屬帽2接合來(lái)對(duì)水晶振動(dòng)板3進(jìn)行氣密密封，能夠抑制飛'減 產(chǎn)生，不會(huì)對(duì)水晶振子的特性帶來(lái)不良影響，使氣密密封時(shí)的偏差難 以產(chǎn)生。
[00451另外，如圖7所示，由于突起14的高度(剖面視)的尺 寸被設(shè)定在50nm以下，在將金屬帽2和金屬基座1進(jìn)行接合之際， 突起14的高度(剖面視)的尺寸為30 40nm左右，金屬基座1和金 屬帽2的間隙的尺寸為3~15nm左右，所以，能夠抑制在金屬帽2和 金屬基座1的電阻焊接時(shí)產(chǎn)生的放電現(xiàn)象，其結(jié)果，能夠飛躍性地抑 制飛濺的產(chǎn)生。00461此圖7所示的突起14的法蘭13中的形成位置，是不被P艮 定為圖7所示的法蘭13的外側(cè)附近的，與圖6所示的突起14同樣， 也可以如圖8所示，形成在法蘭13的內(nèi)側(cè)附近。另外，圖8所示的金 屬基座1和金屬帽2，與圖7所示的方式同樣，凹凸形狀的邊界從剖 面看分別被形成為曲面。因此，能夠在金屬基座1和金屬帽2的凹凸 形狀的邊界形成間隙，能夠在將金屬基座1和金屬帽2進(jìn)行電阻焊接 之際，將在該間隙中的放電開(kāi)始電壓設(shè)定得高。其結(jié)果，能夠抑制在 該間隙中的放電，抑制飛濺。
[0047關(guān)于上述的各方式，分別使用附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但有關(guān)各 方式的附圖都不是將金屬帽2和金屬基座1接合地使水晶振子完成的 圖，而是終歸表示金屬帽2和金屬基座1的圖。
[0048因此，下面以圖7所示的方式為例，對(duì)金屬帽2和金屬基 座1的接合進(jìn)行說(shuō)明。
[0049首先，將水晶振動(dòng)板3搭載在金屬基座1的支撐件16、 17 上，以導(dǎo)電樹(shù)脂類(lèi)粘接劑、釬料等導(dǎo)電性接合材料(省略圖示)進(jìn)行 電氣機(jī)械接合。這樣，相對(duì)于搭載了水晶振動(dòng)板3的金屬基座1,蓋 上金屬帽2，將水晶振動(dòng)板3覆蓋，成為圖7所示的金屬基座1和金 屬帽2的配置狀態(tài)。
[0050在將金屬基座1和金屬帽2配置成圖7所示的狀態(tài)后，如 圖9所示，壓接金屬基座1的法蘭13的突起14和金屬帽2的法蘭21。 此時(shí)，在金屬帽2上形成與突起14的形狀一致的凹陷，同時(shí)，突起 14的突起前端被壓壞。通過(guò)在這里所述的突起14的壓壞，突起14的 高度(剖面視)的尺寸成為30~40nm。
[0051然后，如圖8所示，在壓接了金屬基座1的法蘭13的突 起14和金屬帽2的法蘭21后，在此壓接狀態(tài)下進(jìn)行通電，如

圖10 所示，使突起14以及鎳金屬膜15、 22熔化，將金屬基座l和金屬帽 2進(jìn)行電阻焊接地接合來(lái)對(duì)水晶振動(dòng)板3進(jìn)行氣密密封，由此成為完 整的水晶振子。
[0052如上所述，根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施方式，能夠抑制飛濺產(chǎn)生，
15不會(huì)對(duì)作為電子部件的水晶振子的特性帶來(lái)不良影響，進(jìn)而，能夠使
氣密密封時(shí)的偏差難以產(chǎn)生。具體地說(shuō)，在金屬基座1和金屬帽2的 電阻焊接時(shí)，不存在金屬微粒從突起14 (例如突起前端145)飛散的 情況，而且，在焊接區(qū)域不會(huì)產(chǎn)生不均勻。
00531另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，雖然以水晶振子為例進(jìn)行了 說(shuō)明，但是，作為電子部件是不限于此的。其當(dāng)然也可以適用于通過(guò) 電阻焊接進(jìn)行氣密密封的所有的電子部件的封裝體，例如，可以適用 于例如壓電濾波器、壓電振蕩器、陶瓷振子、陶瓷濾波器、SAW諧振 器、SAW濾波器、電容器、電阻器、熱電傳感器、半導(dǎo)體元件這樣的 電子部件。
[0054另外，本發(fā)明可以不脫離其精神或主要的特征地以其他的 各種各樣的形式來(lái)實(shí)施。因此，上述的實(shí)施的方式只不過(guò)是在各種各 樣的方面簡(jiǎn)單的例示，而不是限定性地進(jìn)行解釋。本發(fā)明的范圍是由 權(quán)利要求書(shū)表示的，而不受說(shuō)明書(shū)正文任何約束。進(jìn)而，屬于權(quán)利要 求書(shū)的同等范圍的變形、變更，均是在本發(fā)明的范圍內(nèi)的。
[00551另外，在申請(qǐng)要求以在2006年11月15日在日本申請(qǐng)的 特愿2006-309593號(hào)為基礎(chǔ)的優(yōu)先權(quán)。通過(guò)在此提及，是將其所有的 內(nèi)容編入到本申請(qǐng)。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0056本發(fā)明可以適用于對(duì)電子部件元件進(jìn)行氣密密封的電子 部件，特別是適用于在電子部件元件中使用了壓電振動(dòng)元件的壓電振 動(dòng)裝置。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件的封裝體，將電子部件元件搭載在金屬基座上，將金屬帽蓋在上述金屬基座上來(lái)覆蓋上述電子部件元件，通過(guò)對(duì)上述金屬基座和上述金屬帽進(jìn)行電阻焊接來(lái)對(duì)上述電子部件元件進(jìn)行氣密密封，其特征在于，在上述金屬基座的上述金屬帽抵接的部分上設(shè)置突起，上述突起的突起前端由平坦面構(gòu)成。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子部件的封裝體，其特征在于，在上述 金屬基座的上述金屬帽抵接的部分上設(shè)置突起，將上述突起的截面形 狀形成了等邊的梯形的形狀。
3. 如權(quán)利要求2所述的電子部件的封裝體，其特征在于，將上述 突起的截面形狀形成了等邊的梯形的形狀，將由上述梯形的等邊的延 長(zhǎng)線構(gòu)成的頂角i殳定在60° ~ 90°的范圍內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的電子部件的封裝體，其特 征在于，上述突起的高度被設(shè)定在50nm以下。
5. —種電子部件的封裝體，將電子部件元件搭載在金屬基座上， 將金屬帽蓋在上述金屬基座上以覆蓋上述電子部件元件，通過(guò)對(duì)上述 金屬基座和上述金屬帽進(jìn)行電阻焊接來(lái)對(duì)上述電子部件元件進(jìn)行氣密 密封，其特征在于,在上述金屬基座的上述金屬帽抵接的部分上設(shè)置突起，將上述突 起的截面形狀形成了在等邊的梯形部的上邊上組合了圓弧部的形狀，將由上述梯形部的等邊的延長(zhǎng)線構(gòu)成的頂角設(shè)定在60°~90°的范 圍內(nèi)。
6. 如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的電子部件的封裝體， 其特征在于，在上述金屬基座的表面上以2~6pm的厚度形成了鎳的金屬膜。
全文摘要
一種電子部件的封裝體，其中，將電子部件元件搭載在金屬基座上，將金屬帽蓋在金屬基座上來(lái)覆蓋電子部件元件，通過(guò)對(duì)金屬基座和金屬帽進(jìn)行電阻焊接地使之接合來(lái)對(duì)電子部件元件進(jìn)行氣密密封。在此電子部件的封裝體中，在金屬基座的金屬帽抵接的部分上設(shè)置突起，該突起的突起前端由平坦面構(gòu)成。另外，將突起的截面形狀形成了在等邊的梯形部的上邊上組合了圓弧部的形狀。
文檔編號(hào)H01L23/02GK101536180SQ20078004257
公開(kāi)日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2007年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月15日
發(fā)明者中村孝志, 中村直敏, 小笠統(tǒng)嗣, 熊谷一彥, 飯塚實(shí), 高野義久 申請(qǐng)人:株式會(huì)社大真空