專利名稱：密集存儲器陣列的過渡區(qū)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及超密集非易失性存儲器陣列，更為具體地，涉及它們到外圍的連接。
背景技術(shù)：
2位存儲器單元在本領(lǐng)域是公知的。一個此種存儲器單元是NR0M(氮化物只讀存 儲器)單元10，如圖IA所示。參照圖1A，該NROM單元10在夾在多晶硅字線18和溝道20 之間的基于氮化物的層16(比如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆棧)上存儲兩個位12 和14。溝道20由每側(cè)上的掩埋位線擴散區(qū)22限定，該掩埋位線擴散區(qū)22通過熱生長或淀 積氧化物層沈與位線18絕緣，該生長或淀積氧化物層沈是在植入位線22之后生長或淀 積的。在熱驅(qū)動期間，位線22可以從一邊擴散，由此從植入?yún)^(qū)擴展。雙多晶硅工藝(DPP)可以用來產(chǎn)生NROM單元。參見圖1B，圖IB示出了此種單元。 在基于氮化物的層16上淀積第一多晶硅層，并在其間植入位線22的列19中對第一多晶硅 層進行蝕刻。隨后，淀積字線18作為第二多晶硅層，從而將第一多晶硅層的列19切割為位 線22之間的島。在產(chǎn)生第二多晶硅層之前，在多晶硅列19之間淀積位線氧化物沈，而不是 如先前所進行的那樣生長出位線氧化物26。在許多專利中描述了 NROM單元，例如，在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的共同受讓人的美國專 利6，649，972。在可適用的情況下，包括NROM的描述特別意在包括相關(guān)氧化物-氮化物 技術(shù)，其包括SONOS (硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)、MNOS (金屬-氮化物-氧化 物-硅)、MONOS (金屬-氧化物-氮化物-氧化物-硅)和用于NVM器件的其他類似物。 可以在賽芬(Saifun)半導(dǎo)體 2005 年出版的 “Non Volatile Memory Technology，，、在或 者通過 http://siliconnexus. com 呈現(xiàn)的材料中、在 http://klabs. orR/richcontent/ MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/presentations/bu white sonos IehiRh univ. pdf 上找至Ij 的"Design Considerations inScaled SONOS Nonvolatile Memory Devices”、在 http://klabs. orfi/richcontent/MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/ paapers/adams d. pdf Jl 找至Ij 的"S0N0S Nonvolatile Semiconductor Memories for Spaceand Military Applications”、在 http://research, philips, com/technoloRies/ ics/nvmemories/index, html 上找至Ij 的"Philips Research-Technologies-Embedded Nonvolatile Memories，，以及在 http://ece. nus. edu. sr/stfpaRe/elezhucx/myweb/NVM. Mf 上找到的“Semiconductor Memory =Non-Volatile Memory (NVM) ”，所有這些在這里全文 引入，作為參考。
簡單地參考圖2，如圖2中所示，NROM技術(shù)使用虛擬地陣列體系結(jié)構(gòu)，其中字線18 和位線22成密集十字形交叉。字線18和位線22最佳可以允許4F2大小的單元，其中F表 示其中構(gòu)建陣列的技術(shù)的芯片的元件的最小特征尺寸。例如，65nm技術(shù)的特征尺寸為F = 65nm。美國專利申請11/489，327和11/489，747描述了一種新的體系結(jié)構(gòu)和制造過程， 其用于生成具有非常密集間隔的字線的非常密集陣列。在該陣列中，單元的尺寸小于4F2。 單元的最小理論尺寸是2F2。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于對現(xiàn)有技術(shù)作出改進。因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，提供了一種非易失性存儲器芯片，其具有以亞 F(低于最小特征尺寸F)的寬度間隔開的字線，以及在至少兩個過渡區(qū)中的字線的延伸部 分，其中所述過渡區(qū)中的至少一個中的相鄰所述延伸部分以至少F的距離間隔開。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，還提供了一種非易失性存儲器芯片，其包括存儲器陣 列中的字線以及在至少兩個過渡區(qū)中的具有字線的延伸部分，其中相鄰字線的間隔小于所 述字線中之一的寬度的一半，所述過渡區(qū)中的至少一個中的相鄰延伸部分以大于一個字線 寬度的距離間隔開。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述過渡區(qū)位于字線陣列的不同側(cè)上。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。另外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述延伸部分通過利用電介質(zhì)填充物來彼此絕緣。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述延伸部分與外圍晶體管相連。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述電介質(zhì)填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述延伸部分由導(dǎo)電材料形成，比如鎢、自對準 硅化物(salicide)或硅化物。此外，根據(jù)本發(fā)明的替換實施例，所述延伸部分由多晶硅形成。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述延伸部分與所述字線集成在一起。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，還提供了一種非易失性存儲器芯片，其具有密集封裝 陣列、松散封裝外圍以及至少兩個過渡區(qū)，在該密集封裝陣列中，相鄰字線之間的間隔小于 所述字線中之一的寬度的一半，所述至少兩個過渡區(qū)將密集封裝陣列的字線與松散封裝外 圍相連，其中每個過渡區(qū)僅僅連接字線的一部分。
此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，每個部分是每個其他字線。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述每個其它字線的延伸部分與所述字線集成 在一起。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，還提供了一種用于對非易失性存儲器芯片進行字線圖 案化的方法，所述方法包括根據(jù)其寬度至少為最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在 過渡區(qū)中具有延伸部分的亞F字線，所述延伸部分用于連接到外圍晶體管。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述生成包括根據(jù)所述掩膜生成的元件生成第一組行，以及根據(jù)所述第一組行生成第二組行，所述第二組行被交替插入在所述第一組行 中。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，第一生成包括產(chǎn)生氮化物硬掩膜行，其中，每行 的寬度大于IF ；在所述行之間淀積字線材料；蝕刻第一過渡區(qū)中的所述字線材料；蝕刻第 二過渡區(qū)中的所述行；以及將氧化物淀積到所述蝕刻區(qū)域中。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述第二生成包括蝕刻所述氮化物硬掩膜；取代 所述氮化物行，淀積氮化物間隔物；以及在所述間隔物之間淀積字線材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述第二過渡區(qū)通常位于字線的與所述第一過 渡區(qū)相對的側(cè)上。


在說明書的結(jié)尾部分中特別指出和明顯地要求關(guān)于本發(fā)明的主題。然而，通過參 考結(jié)合附圖閱讀的下述詳細描述，將更好理解關(guān)于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和操作方法以及本發(fā)明的 目的、特征和優(yōu)點。在附圖中圖IA和IB是兩種類型的NROM單元的示意圖；圖2是現(xiàn)有非易失性存儲器陣列的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例構(gòu)建和操作的新的非易失性存儲器陣列的示意 圖；圖4是產(chǎn)生圖3的陣列的流程圖；和圖5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H和51是在圖4A和4B的方法期間處于不同階段的陣列的示意圖。將會明白的是，為了使得例示簡化和清楚，附圖中示出的元件不必按比例繪出。例 如，為了清楚，可以相對于其他元件夸大部分元件的尺寸。此外，在合適考慮的情況下，在附 圖中，參考標記可以重復(fù)以表示相同或類似的元件。
具體實施例方式在下面詳述中，為了提供對本發(fā)明全面的理解，闡述了許多具體的細節(jié)。然而，將 會理解的是，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可以在不需要這些具體細節(jié)的情況下實現(xiàn)本發(fā)明。 在其它場合，為了不使本發(fā)明產(chǎn)生混淆，不對公知方法、過程和組件進行詳細描述。申請人:已經(jīng)認識到，盡管密集封裝字線可以提供小單元，但是它們難以與外圍晶 體管相連，這是因為外圍晶體管通常非常大，并且由此，所述外圍通常是非常松散的封裝。參見圖3，其示意性地例示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例構(gòu)建和操作的示例性非易 失性存儲器芯片觀，其具有密集封裝存儲器陣列30。存儲器陣列30包括與字線32交叉的位線22，其具有“扇出”區(qū)35_E和35_0?！吧?出”區(qū)35可以是過渡區(qū)，在過渡區(qū)中，比如字線32的陣列元件可以與外圍區(qū)域中的與它們 相關(guān)的晶體管(未示出)相連。在示例陣列30中，字線32的寬度可以是0. 7F，且其間隔距 離為0. 3F。這些寬度和間隔僅僅是例示性的，如USSN 11/489，327和11/489，747中所討論 的，許多其它寬度和間隔也是可以的，所有這些為亞F( S卩，小于最小特征尺寸F)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可以從行31中形成字線32，其中行31可以包括字線32、活性(active)延伸部分33和絕緣延伸部分34。延伸部分33和34可以延伸到它們各 自的扇出區(qū)，如下面更為詳細的描述。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，每個扇出區(qū)可以控制字線32的一部分。例如，扇出區(qū) 35-E可以控制偶數(shù)字線行，被標為32-E，扇出區(qū)35-0可以控制奇數(shù)字線行，被標為32_0。如 圖3中所示，僅僅偶數(shù)字線行32-E可以延伸到具有活性延伸部分33-E的偶數(shù)扇出區(qū)35-E， 而僅僅奇數(shù)字線行32-0可以延伸到具有活性延伸部分33-0的奇數(shù)扇出區(qū)35-0。由于交替 的字線32，在扇出區(qū)35-E和35-0內(nèi)，活性延伸部分33之間的間隔可以大于最小特征尺寸 IF(在圖3中，示出的間隔為1. 3F)，由此確保外圍晶體管可以容易地與它們要控制的字線 32相連。如USSN 11/489，327和11/489，747中所討論的，可以彼此生成字線。在光刻過程 中可以鋪設(shè)僅僅一組字線，例如偶數(shù)字線?？梢酝ㄟ^一序列自對準過程，根據(jù)所述第一組字 線生成第二組字線，例如奇數(shù)字線。在本發(fā)明中，可以以相似的方式來鋪設(shè)行31，其中以光 刻的方式鋪設(shè)一組行，并且根據(jù)所述第一組行來生成第二組行。根據(jù)如下討論的本發(fā)明的優(yōu)選實施例，可以在并不延伸到每個扇出區(qū)35的那些 字線32的末端生成由比如氧化物或氧氮化物的絕緣材料形成的絕緣延伸部分34。因此，偶 數(shù)字線32-E可以在奇數(shù)扇出區(qū)35-0中具有絕緣延伸部分34-E，而奇數(shù)字線32-0可以在偶 數(shù)扇出區(qū)35-E中具有絕緣延伸部分34-0。本申請的余下部分將描述如何在產(chǎn)生密集封裝存儲陣列30時產(chǎn)生扇出區(qū)35。參見圖4，其例示了如何將扇出區(qū)35的產(chǎn)生包括為用于產(chǎn)生存儲器陣列30的 過程的一部分，其被描述在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的共同受讓人的美國專利申請11/489，327和 11/489，747中。參見圖5A-5I，其例示了圖4的過程中的各個步驟。在步驟100，所述過程開始于字線圖案化之前的處理步驟。適合的DPP型處理步驟 可以在美國專利申請11/489，327和11/489，747以及轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的共同受讓人的下述申 請中找到2005年10月11日提交的美國專利申請11Λ47，733，2006年1月20日提交的 美國專利申請11/336，093以及2006年5月M日提交的美國專利申請11/440，624，所有這 些申請在這里全文引入作為參考。圖5Α中例示了步驟100的結(jié)果。多晶硅M和位線氧化物52的交替列可以是可 視的。這些列被扇出區(qū)35-Ε和35-0包括住，其可以是氧化物或活性材料或兩者。根據(jù)本 發(fā)明的優(yōu)選實施例，位線氧化物52的寬度可以為IF且可以覆蓋先前植入的位線(圖3)。 多晶硅列M的寬度可以為1. 6F且扇出區(qū)35的寬度可以大于或等于位線間距。對于圖5， 扇出區(qū)35的寬度約為3F。所述芯片還可以被平面化來提供平坦均勻的表面，以進行字線處 理。如圖5Β中所示，隨后可以在通常與位線氧化物52和多晶硅M的列垂直的平行行 中淀積氮化物硬掩膜40。根據(jù)本發(fā)明的示例實施例，氮化物行40 (在氮化物間隔物形成后) 的寬度可以為1. 3F，且它們之間的間隔42的寬度可以為0. 7F，由此導(dǎo)致合并間距2F，而不 會與光刻操作的限制相沖突。隨后可以在氮化物40之間的間隔42中淀積材料，以便產(chǎn)生陣30中的行31 (稍后 變?yōu)樽志€32和它們的延伸部分33和34)和扇出區(qū)35。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述材 料可以是導(dǎo)電的，比如鎢。然而，還可以使用其它合適的材料，導(dǎo)電或半導(dǎo)電的，其例如包括鈷-自對準硅化物，多晶硅或其它自對準硅化物、鎢或硅化物。圖5C例示了步驟104的結(jié) 果?？梢栽诘镄?0之間的間隔42 (圖5B)中淀積偶數(shù)行31-E。隨后可以對存儲器芯片進行平面化來提供平滑表面，并執(zhí)行一組扇出步驟(步驟 106-206)。這些步驟可以生成扇出區(qū)35，在扇出區(qū)35中，絕緣延伸部分34 (圖3)可以與 字線32的延伸部分交替。偶數(shù)扇出區(qū)35-E可以僅僅具有偶數(shù)字線32-E的活性延伸部分， 奇數(shù)扇出區(qū)35-0可以僅僅具有奇數(shù)字線32-0的活性延伸部分(圖3)。因此，扇出區(qū)35-E 和35-0中的絕緣延伸部分34-0和34-E分別可以彼此傾斜(askew)。首先，可以產(chǎn)生第一扇出掩膜(步驟106)?？梢员┞冻雠紨?shù)扇出區(qū)35-E，同時覆 蓋存儲器芯片的余下部分(包括存儲器陣列30和扇出區(qū)35-0)?？梢詧?zhí)行氮化物蝕刻(步 驟108)，其可以在暴露出的扇出區(qū)35-E中蝕刻掉出氮化物行40中的元件，留下行31-E的 活性延伸部分33-E。圖5D例示了步驟108的結(jié)果。暴露出的扇出區(qū)44(其可以是扇出區(qū) 35-E的暴露出的元件(圖5A))現(xiàn)在可以是可視的，其中從扇出區(qū)35-E中蝕刻掉氮化物行 40的一部分。被蝕刻的氮化物行的剩余部分現(xiàn)在被標為40’。隨后可以移除第一扇出掩膜(步驟110)，并產(chǎn)生第二扇出掩膜(步驟112)?？梢?暴露出扇出區(qū)35-0，同時覆蓋芯片的剩下部分?？梢詧?zhí)行字線蝕刻(步驟114)，其蝕刻行 31所用的材料，但不蝕刻氮化物，該字線蝕刻可以蝕刻掉延伸到暴露出的扇出區(qū)35-0的行 31-E的元件。圖5E例示步驟114的結(jié)果。暴露出的扇出區(qū)45(其可以是扇出氧化物35-0 的暴露出的元件(圖5A))現(xiàn)在可以是可視的，其中從扇出區(qū)35-0蝕刻掉行31-E的延伸元 件。將會明白的是，已經(jīng)產(chǎn)生字線32-E和它們的活性延伸部分33-E，其中將區(qū)域45作為它 們的絕緣延伸部分34-E。還將明白的是，在步驟108和114期間可以對暴露出的扇出區(qū)44和45的一部分 進行部分蝕刻。然而，如同下面將描述的，現(xiàn)在可以利用氧化物來覆蓋暴露出的扇出區(qū)44 和45，并且相應(yīng)地，將不再支持此種部分蝕刻的效果。如上所述，隨后可以淀積氧化物填充物(步驟116)，從而完全地覆蓋存儲器芯片 且填充暴露的扇出區(qū)44和45，由此分別產(chǎn)生絕緣延伸部分34-0和34-E。隨后可以對存儲 器芯片平面化到字線32-E、它們的活性延伸部分33-E和氮化物行40’的水平。圖5F例示 了步驟116的結(jié)果。絕緣延伸部分34-0現(xiàn)在可以覆蓋在扇出區(qū)35-E中偶數(shù)活性延伸部分 33-E之間的暴露的扇出區(qū)44 (圖5D)。類似地，絕緣延伸部分34-E現(xiàn)在可以覆蓋扇出區(qū) 35-0中的氮化物40’之間的暴露的扇出區(qū)45 (圖5E)。隨后，所述過程可以繼續(xù)進行非扇出步驟?？梢詽袷絼冸x來移除氮化物行40’(步 驟118)。圖5G可以例示步驟118的結(jié)果。已經(jīng)暴露先前被覆蓋的位線氧化物52的元件、 多晶硅列討和扇出區(qū)35-0的元件46?，F(xiàn)在可以在由氮化物行40先前占據(jù)的區(qū)域中淀積氮化物內(nèi)襯(liner)(步驟 120)，從而覆蓋先前暴露的位線氧化物52、暴露的扇出區(qū)46和多晶硅列M。可以執(zhí)行氮化 物間隔物蝕刻(步驟12 ，從而再次暴露出位線氧化物52的元件、暴露的扇出區(qū)46以及多 晶硅列M。圖5H例示了步驟120和122的結(jié)果。氮化物間隔物70可以沿由氮化物行40， 所占據(jù)的區(qū)域形成界線，并且可以形成周界內(nèi)襯字線32-E，它們的絕緣延伸部分34-E和部 分奇數(shù)絕緣延伸部分34-0。將明白的是，間隔物70的寬度可以是0. 3F。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，由間隔物70定義的“槽”的寬度為0. 7F，其通常等于偶數(shù)字線32-E的寬度。間隔物70的其 它寬度也是可以的，其被并入本發(fā)明中。隨后，可以在間隔物70之間淀積字線行材料(步驟124)。如上所討論的，所述材 料可以是半導(dǎo)電(比如，多晶硅)或?qū)щ姷?比如，鎢、自對準硅化物或硅化物)。隨后可 以對存儲器芯片進行平面化(步驟126)以提供光滑表面。圖51例示了步驟122-126的結(jié) 果?？梢栽谟砷g隔物70限定的“槽”內(nèi)部形成奇數(shù)字線32-0和它們的活性延伸部分33-0， 由此覆蓋位線氧化物52的先前暴露出的元件、多晶硅列M和扇出區(qū)35-0(圖5G)。在此點上，可以完成用于產(chǎn)生密集封裝存儲器單元30所需要的扇出區(qū)的過程。美 國專利申請11/489，327和11/489，747可以詳細描述完成存儲器芯片的產(chǎn)生所需要的進一 步步驟。將會明白的是，圖51中表示的存儲器芯片可以是密集封裝存儲器單元。在本實例 中，字線32-E和32-0的寬度可以都為0. 7F，它們可以利用寬度為0. 3F的間隔物70來彼此 分離。相應(yīng)地，對于每個1F，存儲器陣列30可以具有一個字線的字線間距。如上所述，這些 寬度和間隔僅僅是示例性的；許多其它寬度和間距是可以的，所有這些是亞F( 即，小于最 小特征尺寸F)。還將明白的是，盡管偶數(shù)字線32-E延伸到具有活性延伸部分33-E的扇出區(qū)35_E， 但是它們不能延伸到扇出區(qū)35-0。類似地，奇數(shù)偶數(shù)字線32-0延伸到具有活性延伸部分 33-0的扇出區(qū)35-0，但是它們不能延伸到扇出區(qū)35-E。因此，每組字線32具有足夠的空間 來合適地與外圍晶體管相連。盡管這里已經(jīng)例示和描述了本發(fā)明的特定特征，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言， 將會想到許多修改、替換、變化和等價物。因此，應(yīng)該理解的是，所附權(quán)利要求意在覆蓋落在 本發(fā)明的真實精神內(nèi)的所有此種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲器芯片，包括以亞F(低于最小特征尺寸F)的寬度間隔開的字線；以及至少兩個過渡區(qū)中的所述字線的延伸部分，其中所述過渡區(qū)中的至少之一中的相鄰所 述延伸部分以至少F的距離間隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述過渡區(qū)位于所述字線的陣列的不同側(cè)上。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片，其中，所述陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分通過利用電介質(zhì)填充物彼此絕緣。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分與外圍晶體管相連。
6.如權(quán)利要求4所述的芯片，其中，所述電介質(zhì)填充物是氧化物和氧氮化物中至少之ο
7.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由下述導(dǎo)電材料中至少 之一形成鎢、自對準硅化物和硅化物。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由多晶硅形成。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分與所述字線集成在一起。
10.一種非易失性存儲器芯片，包括密集封裝陣列，其中相鄰字線之間的間隔小于所述字線中之一的寬度的一半； 松散封裝外圍；以及至少兩個過渡區(qū)，其將所述密集封裝陣列的字線與所述松散封裝外圍相連，其中每個 過渡區(qū)僅僅連接所述字線的一部分。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片，其中，每個所述部分是每個其它字線。
12.如權(quán)利要求11所述的芯片，其中，所述每個其它字線的延伸部分與所述字線集成在一起。
13.如權(quán)利要求10所述的芯片，其中，所述過渡區(qū)位于所述字線的陣列的不同側(cè)上。
14.如權(quán)利要求13所述的芯片，其中，所述陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。
15.如權(quán)利要求10所述的芯片，其中，所述延伸部分通過利用電介質(zhì)填充物彼此絕緣。
16.如權(quán)利要求15所述的芯片，其中，所述電介質(zhì)填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。
17.如權(quán)利要求10所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由下述導(dǎo)電材料中至 少之一形成鎢、自對準硅化物和硅化物。
18.如權(quán)利要求10所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由多晶硅形成。
19.一種用于對非易失性存儲器芯片進行字線圖案化的方法，包括根據(jù)其寬度至少為最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在過渡區(qū)中具有延伸部分 的亞F字線，所述延伸部分用于連接到外圍晶體管。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述生成包括 根據(jù)所述掩膜生成的元件，生成第一組行；以及根據(jù)所述第一組行來生成第二組行，所述第二組行被交替插入在所述第一組行中。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第一生成包括 產(chǎn)生氮化物硬掩膜行，其中，每行的寬度大于IF ；在所述行之間淀積字線材料； 蝕刻第一過渡區(qū)中的所述字線材料； 蝕刻第二過渡區(qū)中的所述行；以及 將氧化物淀積到所述蝕刻區(qū)域中。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第二生成包括 蝕刻所述氮化物硬掩膜；取代所述氮化物行，淀積氮化物間隔物；以及 在所述間隔物之間淀積字線材料。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第二過渡區(qū)通常位于所述字線的與所述第 一過渡區(qū)相對的側(cè)上。
24.一種非易失性存儲器芯片，包括存儲器陣列中的字線，其中相鄰字線之間的間隔小于所述字線中之一的寬度的一半；以及至少兩個過渡區(qū)中的所述字線的延伸部分，其中所述過渡區(qū)中的至少一個中的相鄰所 述延伸部分以大于一個字線寬度的距離間隔開。
25.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述過渡區(qū)位于所述字線的陣列的不同側(cè)上。
26.如權(quán)利要求25所述的芯片，其中，所述陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。
27.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述延伸部分通過電介質(zhì)填充物彼此絕緣。
28.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述延伸部分與外圍晶體管相連。
29.如權(quán)利要求27所述的芯片，其中，所述電介質(zhì)填充物是氧化物和氧氮化物中之ο
30.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由下述導(dǎo)電材料中至 少之一形成鎢、自對準硅化物和硅化物。
31.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由多晶硅形成。
32.如權(quán)利要求M所述的芯片，其中，所述延伸部分與所述字線集成在一起。
全文摘要
一種非易失性存儲器芯片，其具有以亞F(低于最小特征尺寸F)的寬度間隔開的字線；以及至少兩個過渡區(qū)中的所述字線的延伸部分，其中所述過渡區(qū)中的至少之一中的相鄰的所述延伸部分以至少F的距離間隔開。本發(fā)明還包括一種用于對非易失性存儲器芯片進行字線圖案化的方法，所述方法包括根據(jù)其寬度至少為最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在過渡區(qū)中具有延伸部分的亞F字線，所述延伸部分用于連接到外圍晶體管。
文檔編號H01L49/00GK102047460SQ200680051735
公開日2011年5月4日 申請日期2006年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者博阿茲·埃坦, 拉斯托姆·伊拉尼, 阿薩夫·沙皮爾 申請人:賽芬半導(dǎo)體有限公司