對(duì)于在器件例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)光響應(yīng)器件(特別是有機(jī)光伏器件和有機(jī)光傳感器)、有機(jī)晶體管和存儲(chǔ)器陣列器件中的應(yīng)用，含有活性有機(jī)材料的電子器件正引起越來(lái)越多的關(guān)注。含有活性有機(jī)材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的益處。此外，可溶有機(jī)材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋涂。OLED可以包含帶有陽(yáng)極的基底、陰極以及介于陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)發(fā)光層。在器件工作期間空穴通過(guò)陽(yáng)極被注入器件并且電子通過(guò)陰極被注入器件。發(fā)光材料的最高已占分子軌道(HOMO)中的空穴和最低未占分子軌道(LUMO)中的電子結(jié)合從而形成激子，所述激子以光的形式釋放其能量。發(fā)光層可以包含半導(dǎo)電主體材料和發(fā)光摻雜劑，其中能量從主體材料轉(zhuǎn)移至發(fā)光摻雜劑。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989公開(kāi)了用熒光發(fā)光摻雜劑摻雜的主體材料(即，其中通過(guò)單重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光材料)。磷光摻雜劑也是已知的(即，其中通過(guò)三重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光摻雜劑)。可在陽(yáng)極和發(fā)光層之間提供空穴傳輸層?！癝ynthesisandApplicationofPhotolithographicallyPatternableDeepBlueEmittingPoly(3,6-Dimethoxy-9,9-dialkylsilafluorene)s”AppliedMaterials&Interfaces(2014),6(1),83-93公開(kāi)了通過(guò)用光刻法沉積藍(lán)色發(fā)光的聚(硅芴)并使該聚合物的降冰片烯取代基反應(yīng)來(lái)形成圖案化的發(fā)光層。KR2009/093144公開(kāi)了取代有三芳胺基團(tuán)的降冰片烯單體的聚合。ChemistryofMaterials(2007),19(23),5602-5608公開(kāi)了基于降冰片烯的共聚物以及它們?cè)诎l(fā)光二極管中的應(yīng)用，其中在它們的側(cè)鏈中具有銥絡(luò)合物以及二(咔唑基)芴基團(tuán)。WO2013/005026公開(kāi)了取代有苯并環(huán)丁烯基團(tuán)的空穴傳輸聚合物。公開(kāi)了這些聚合物作為OLED的空穴傳輸層的應(yīng)用。使苯并環(huán)丁烯基團(tuán)交聯(lián)以使該層不可溶。苯并環(huán)丁烯基團(tuán)可彼此反應(yīng)或者可與雙鍵基團(tuán)反應(yīng)。本發(fā)明的目的是改善有機(jī)電子器件特別是有機(jī)發(fā)光器件的性能，其中該器件的一個(gè)或多個(gè)層是通過(guò)溶液沉積方法沉積該器件的半導(dǎo)體層形成。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在第一方面，本發(fā)明提供了一種組合物，該組合物包含取代有至少一個(gè)式(I)基團(tuán)的第一材料和取代有選自式(IIa)和(IIb)的至少一個(gè)基團(tuán)的第二材料：其中：Sp1表示第一間隔基團(tuán)；NB在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為降冰片烯基團(tuán)，該降冰片烯基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；n1為0或1；如果n1為0則m1為1，并且如果n1為1則m1為至少1；Sp2表示第二間隔基團(tuán)；n2是0或1；如果n2為0則m2為1，以及如果n2為1則m2為至少1；Ar1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地表示芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；R1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為H或取代基；和*表示至第一或第二材料的連接點(diǎn)。在第二方面，本發(fā)明提供了一種形成有機(jī)電子器件的層的方法，該方法包括使根據(jù)第一方面的組合物反應(yīng)的步驟。在第三方面，本發(fā)明提供了一種形成有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述方法包括以下步驟：在陽(yáng)極上方形成空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層上方形成陰極，其中形成所述空穴傳輸層的步驟包括在所述陽(yáng)極上方沉積取代有至少一個(gè)式(I)基團(tuán)的第一材料的空穴傳輸層，并使所述式(I)基團(tuán)交聯(lián)。該第三方面的第一材料可以是如本文任何地方所述，并且可以通過(guò)本文所述的任何沉積和交聯(lián)方法進(jìn)行沉積和交聯(lián)?？梢酝ㄟ^(guò)形成其中第一材料是唯一可交聯(lián)材料的層并使其交聯(lián)來(lái)形成空穴傳輸層，在這種情形中，該層可以基本上由第一材料組成?？梢酝ㄟ^(guò)形成包含第一材料和第二材料兩者的層并使其交聯(lián)而形成空穴傳輸層，其中第二材料如本文任何地方所述。在第四方面，本發(fā)明提供了一種形成有機(jī)電子器件的層的方法，所述方法包括步驟：形成包含第一材料的層和通過(guò)熱處理使第一層交聯(lián)。任選地，該有機(jī)電子器件是有機(jī)發(fā)光器件。該第四方面的第一材料可以如本文任何地方所述，并且可以通過(guò)本文所述的任何沉積和熱交聯(lián)方法沉積和熱交聯(lián)。該層可以通過(guò)形成其中第一材料是唯一可交聯(lián)材料的層并使其熱交聯(lián)而形成，在這種情形中，該層可以基本上由第一材料組成。該層可通過(guò)形成包含第一材料和第二材料兩者的層并使其熱交聯(lián)而形成，其中第二材料如本文任何地方所述。在第五方面，本發(fā)明提供了包含取代有一個(gè)或多個(gè)式(I)基團(tuán)的核心的非聚合化合物，其中所述一個(gè)或多個(gè)式(I)基團(tuán)與所述核心的芳基結(jié)合。所述核心可以是包含本文所述的一個(gè)或多個(gè)芳族基團(tuán)的任何核心基團(tuán)。在第六方面，本發(fā)明提供了包含取代有一個(gè)或多個(gè)式(I)基團(tuán)的重復(fù)單元的聚合物，其中所述一個(gè)或多個(gè)式(I)基團(tuán)與重復(fù)單元的一個(gè)或多個(gè)芳族基團(tuán)結(jié)合。所述重復(fù)單元可以是本文所述的包含一個(gè)或多個(gè)芳族基團(tuán)的任何重復(fù)單元。第五方面的非聚合化合物和第六方面的聚合物可以反應(yīng)從而形成如本文任何地方所述的有機(jī)電子器件的層，例如有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸層。附圖說(shuō)明現(xiàn)在將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中：圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的OLED；圖2示出了通過(guò)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的組合物的反應(yīng)獲得的產(chǎn)物混合物和通過(guò)比較組合物的反應(yīng)獲得的產(chǎn)物混合物的HPLC跡線；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的聚合物和比較聚合物的在加熱之后除去的可溶材料相對(duì)于加熱溫度的坐標(biāo)圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件和比較器件的電致發(fā)光光譜；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件和比較器件的電流密度相對(duì)于電壓的坐標(biāo)圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件和比較器件的亮度相對(duì)于電壓的坐標(biāo)圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的器件和比較器件的外部量子效率相對(duì)于電壓的坐標(biāo)圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色器件和比較器件的電壓相對(duì)于外部量子效率的坐標(biāo)圖；和圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色器件和比較器件的電流密度相對(duì)于電壓的坐標(biāo)圖。發(fā)明詳述未按任何比例繪制的圖1說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的OLED100，其包含陽(yáng)極103、陰極109、介于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層107以及介于陽(yáng)極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層105。該器件100承載在基底101上，例如玻璃或塑料基底。發(fā)光層107可以是未圖案化的，或者可以是圖案化的以形成離散的像素。每個(gè)像素可以進(jìn)一步分為子像素。發(fā)光層可包含單一發(fā)光材料，例如對(duì)于單色顯示器或其它單色器件，或者可包含發(fā)出不同顏色的材料，特別地對(duì)于全色顯示器而言包含紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料。如果使發(fā)光層107圖案化，則空穴傳輸層105可以按與發(fā)光層相同的方式圖案化，或者可以在未圖案化的空穴傳輸層105上形成圖案化的發(fā)光層107?？昭▊鬏攲?05含有空穴傳輸材料。通過(guò)使含有式(I)基團(tuán)的第一材料與含有式(IIa)或(IIb)基團(tuán)的第二材料反應(yīng)而形成該空穴傳輸層。為了形成空穴傳輸層，在陽(yáng)極上方沉積第一材料和第二材料。然后使式(I)的基團(tuán)與式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)反應(yīng)。然后在空穴傳輸層105上形成發(fā)光層107。優(yōu)選地，通過(guò)如下方式形成發(fā)光層：沉積溶解或分散在溶劑或溶劑混合物中的發(fā)光層的一種或多種材料的配制物，然后蒸發(fā)所述溶劑。優(yōu)選地，通過(guò)如下方式使得空穴傳輸層105不溶：使式(I)的基團(tuán)與式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)反應(yīng)，使得空穴傳輸層幾乎不被或者不被用于形成發(fā)光層的溶劑溶解，并且使得在空穴傳輸層的材料和發(fā)光層的材料之間幾乎不或者不相混。優(yōu)選地，第一材料和第二材料反應(yīng)從而形成交聯(lián)的空穴傳輸層。在另一實(shí)施方案中，第一材料是用于形成空穴傳輸層105的唯一可交聯(lián)材料，在這種情形中，通過(guò)式(I)基團(tuán)之間的反應(yīng)形成空穴傳輸層?？稍陉?yáng)極103和陰極109之間提供一個(gè)或多個(gè)另外的層。所述另外的層可以選自一個(gè)或多個(gè)另外的發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層。優(yōu)選的器件結(jié)構(gòu)包括：陽(yáng)極/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。優(yōu)選地，存在空穴注入層和空穴傳輸層兩者。OLED100的發(fā)光材料可以是熒光材料、磷光材料或者熒光材料與磷光材料的混合物。發(fā)光材料可以選自聚合的發(fā)光材料和非聚合的發(fā)光材料。示例性的發(fā)光聚合物是共軛聚合物，例如聚亞苯基和聚芴，其實(shí)例描述于Bernius,M.T.,Inbasekaran,M.,O'Brien,J.andWu,W.,ProgresswithLight-EmittingPolymers.Adv.Mater.,12:1737–1750,2000，通過(guò)引用將其內(nèi)容并入本文。發(fā)光層107可以包含主體材料以及熒光或磷光發(fā)光摻雜劑。示例性的磷光摻雜劑是第2行或第3行過(guò)渡金屬絡(luò)合物，例如釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑或金的絡(luò)合物。OLED可以是白色發(fā)光OLED。該發(fā)白光的OLED可包含單一的白光發(fā)光層或者可包含發(fā)射不同顏色的兩個(gè)或更多個(gè)層，這些不同顏色結(jié)合產(chǎn)生白光?？梢杂商峁┰趩我话l(fā)光層中或者分布在兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光層內(nèi)的紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料的組合產(chǎn)生白光。在優(yōu)選的配置中，器件具有包含紅色發(fā)光材料的發(fā)光層和包含綠色和藍(lán)色發(fā)光材料的發(fā)光層。優(yōu)選地，白色發(fā)光OLED的所有發(fā)光材料都是磷光的。由白色發(fā)光OLED發(fā)射的光可以具有與黑體在2500-9000K范圍內(nèi)的溫度下發(fā)射的光相當(dāng)?shù)腃IEx坐標(biāo)以及在所述黑體發(fā)射光的CIEy坐標(biāo)的0.05或0.025之內(nèi)的CIEy坐標(biāo)，任選地具有與黑體在2700-4500K范圍內(nèi)的溫度下發(fā)射的光相當(dāng)?shù)腃IEx坐標(biāo)。藍(lán)色發(fā)光材料可具有峰值在420-490nm范圍內(nèi)、更優(yōu)選在420-480nm范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。綠色發(fā)光材料可具有峰值在大于490nm直至580nm、任選地大于490nm直至540nm的范圍內(nèi)的光致發(fā)光光譜。紅色發(fā)光材料可任選地在其光致發(fā)光光譜中具有大于580nm直至630nm、任選地在585-625nm內(nèi)的峰值。發(fā)光層107可以是器件的唯一發(fā)射層，或者可以從器件的一個(gè)或多個(gè)另外的層發(fā)射光?？梢栽诳昭▊鬏攲?05中提供發(fā)光摻雜劑，使得當(dāng)器件處于使用時(shí)空穴傳輸層105和發(fā)光層107一起發(fā)射白光。在另一實(shí)施方案(未示出)中，可以通過(guò)本文所述的組合物的反應(yīng)形成發(fā)光層107，在這種情形中空穴傳輸層105可以存在或者可以不存在。該實(shí)施方案的發(fā)光層107可以是陽(yáng)極和陰極之間的唯一層，或者可以在陽(yáng)極和陰極之間提供一個(gè)或多個(gè)另外的層，例如上述的一個(gè)或多個(gè)另外的層。在另一實(shí)施方案(未示出)中，可以在發(fā)光層107和陰極109之間提供電子傳輸層或電子注入層，其中通過(guò)交聯(lián)第一材料形成電子傳輸層或電子注入層。第一材料可以與自身反應(yīng)，或者可以通過(guò)使包含第一材料和第二材料的組合物反應(yīng)形成電子傳輸或電子注入層。該實(shí)施方案的器件可以包含僅在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層107和電子傳輸層或電子注入層，或者可以在陽(yáng)極和陽(yáng)極之間提供一個(gè)或多個(gè)另外的層，例如上文所述的一個(gè)或多個(gè)另外的層。式(I)式(I)的降冰片烯基團(tuán)NB可以是未取代的或者可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。Sp1可以是式-(R11)t-的基團(tuán)，其中t為至少1，任選地1、2、3、4或5，并且每個(gè)R11獨(dú)立地選自：-C1-20烷基，其中該烷基的一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可以被O、S、SiR22替代，其中R2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地是取代基或芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；和-芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。Sp1可以取代有一個(gè)或多個(gè)降冰片烯基團(tuán)NB。Sp1可以是具有至少兩個(gè)支鏈的支化基團(tuán)，其中所述支鏈中的至少兩個(gè)取代有降冰片烯基團(tuán)NB。R2在每次出現(xiàn)時(shí)可獨(dú)立地為烴基，任選地選自C1-20烷基和苯基的烴基，所述苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基。芳基或雜芳基Sp1或Sp1的構(gòu)成部分優(yōu)選地選自C6-20芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選可以為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基(任選地為一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基)的苯基。示例性的間隔基團(tuán)Sp1包括：C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，苯基-C1-20烷基；苯基-C1-20烷氧基；含聚醚單元的基團(tuán)，例如式-(C2H5O)p-或-苯基-(OC2H5)p-的間隔體，其中p為至少2任選為2-10并且苯基是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選為一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基；-(R10)q-Si(R2)2-(R10)q-，其中R2如上所述，R10在每次出現(xiàn)時(shí)為C1-20烴基，并且q在每次出現(xiàn)時(shí)為0或1。R10在每次出現(xiàn)時(shí)可獨(dú)立地選自選自C1-20烷基和苯基，所述苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基。式(IIa)和(IIb)R1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地是H或取代基。在一個(gè)實(shí)施方案中，每個(gè)R1是H。取代基R1可以增加式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)的反應(yīng)性。在另一實(shí)施方案中，至少一個(gè)R1是取代基(即不是H)。任選地根據(jù)該實(shí)施方案，僅一個(gè)R1是取代基。示例性的取代基R1可以選自：-C1-20烷基；-C1-20烷氧基，-三(烴基)甲硅烷基；-芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選為苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基或C1-10烷氧基。任選地，三(烴基)甲硅烷基的烴基可以選自C1-20烷基和苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基。當(dāng)取代基R1存在時(shí)，其優(yōu)選地選自C1-10烷基。R1可以是直鏈、支化或環(huán)狀的烷基。任選地，Ar1為芳基，任選為C6-20芳基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。優(yōu)選地，Ar1為苯基，該苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基。Sp2在每次出現(xiàn)時(shí)可獨(dú)立地選自上述的基團(tuán)Sp1。Sp2可以取代有一個(gè)或多個(gè)(雜)芳基環(huán)丁烯基團(tuán)。Sp2可以是具有至少兩個(gè)支鏈的支化基團(tuán)，其中所述支鏈中的至少兩個(gè)取代有(雜)芳基環(huán)丁烯基團(tuán)。第一材料和第二材料取代有式(I)的基團(tuán)的第一材料以及取代有式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)的第二材料可各自獨(dú)立地為非聚合材料或者聚合物，該聚合物包含取代有式(I)、(IIa)或(IIb)基團(tuán)的重復(fù)單元。本文所用的“非聚合材料”是指多分散性為1的化合物，并且包括多分散性為1的樹(shù)枝狀化合物或低聚化合物。低聚物包括但不限于二聚物、三聚物、四聚物或五聚物。優(yōu)選地，非聚合材料具有小于約5000道爾頓的分子量。非聚合的第一材料可具有式(IIIa)：其中Core1是非聚合的第一核心基團(tuán)；Sp1是第一間隔基團(tuán)；n1為0或1；NB是可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基的降冰片烯基團(tuán)；如果n1為0則m1為1；如果n1為1則m1為至少1，任選1、2或3；并且p1為至少1，任選地1,2,3或4。非聚合的第一材料可具有式(IIIb)：聚合的第一材料可包含式(IIIc)的重復(fù)單元：其中RU1是第一重復(fù)單元。式(IIIc)的重復(fù)單元可以形成聚合物重復(fù)單元的0.5-25mol％，任選為聚合物重復(fù)單元的1-20mol％。式(IIIc)的重復(fù)單元可以是式(IIId)的重復(fù)單元，式(IIIa)和(IIIc)的降冰片烯基團(tuán)NB可以通過(guò)該降冰片烯基團(tuán)的任何位置直接地或通過(guò)Sp1結(jié)合至Core1或RU1。式(I)、(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)或(IIId)的降冰片烯基團(tuán)可以如(IIIb)和(IIId)所示為未取代的，或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。示例性的取代基是：C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的C原子可以被O、S、S-O、C＝O或COO替換；芳族基團(tuán)，任選為苯基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；雜芳族基團(tuán)，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；腈；和硝基。C1-20烷基可以是直鏈、支化或環(huán)狀的烷基。當(dāng)存在時(shí)，芳族或雜芳族基團(tuán)的取代基可以選自C1-20烷基。非聚合的第二材料可以具有式(IVa)或(IVb)：其中Core2是非聚合的第二核心基團(tuán)；Sp2是第二間隔基團(tuán)；Ar1是可為未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基的芳基或雜芳基；R1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為H或取代基；n2為0或1；如果n2為0則m2為1；如果n2為1則m2為至少1，任選1、2或3；并且p2為至少1，任選地1,2,3或4。在另一實(shí)施方案中，非聚合的第二材料可以取代有一個(gè)或多個(gè)式(IIa)的基團(tuán)和一個(gè)或多個(gè)式(IIb)的基團(tuán)。聚合的第二材料可以包含式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元：其中RU2是第二重復(fù)單元。在另一實(shí)施方案中，第二重復(fù)單元可以取代有一個(gè)或多個(gè)式(IIa)的基團(tuán)和一個(gè)或多個(gè)式(IIb)的基團(tuán)。式(IVa)和(IVc)的Ar1可以通過(guò)Ar1的任何位置直接地或通過(guò)Sp2結(jié)合至Core2或RU2。優(yōu)選地，Ar1不通過(guò)與苯并環(huán)丁烯環(huán)的原子相鄰的環(huán)原子結(jié)合。取代有一個(gè)或多個(gè)式(IIa)或(IIb)基團(tuán)的重復(fù)單元，例如式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元，可以形成聚合物的重復(fù)單元的0.5-25mol％，任選為聚合物的重復(fù)單元的1-20摩爾％。非聚合化合物可以含有至少一個(gè)式(I)的基團(tuán)(p1為至少1)和至少一個(gè)式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)(p2為至少1)，例如式(XI)的化合物，其中Core3是非聚合的第三核心基團(tuán)，其可以選自本文關(guān)于Core1或Core2所述的任何核心基團(tuán)：因此應(yīng)當(dāng)理解，本文所述的組合物可以是取代有至少一個(gè)式(I)的基團(tuán)和至少一個(gè)式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)的單一非聚合化合物。在這種情形中，第一材料和第二材料是式(I)的基團(tuán)和式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)取代至的同一核心材料。本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)式(I)基團(tuán)易于在狄爾斯-阿爾德型反應(yīng)中與式(IIa)或(IIb)基團(tuán)反應(yīng)。不希望受任何理論束縛，據(jù)認(rèn)為式(I)的降冰片烯基團(tuán)的環(huán)應(yīng)變使得該基團(tuán)比雙鍵基團(tuán)(例如鏈中的雙鍵基團(tuán))具有更大反應(yīng)性。在第一材料和第二材料反應(yīng)形成交聯(lián)層的情形中，可以形成高度交聯(lián)的層。如本文所述的組合物可以通過(guò)熱處理和/或通過(guò)照射例如紫外線照射反應(yīng)。優(yōu)選地，該組合物通過(guò)熱處理反應(yīng)。優(yōu)選地，熱處理在小于180℃、更優(yōu)選小于160℃的溫度下進(jìn)行。熱處理可以在至少130℃、任選至少140℃的溫度下進(jìn)行。如果第一材料是僅具有一個(gè)降冰片烯基團(tuán)(m1和p1各自為1)的非聚合材料并且第二材料是僅具有一個(gè)(雜)芳基環(huán)丁烯基團(tuán)(m2和p2各自為1)的非聚合材料，那么這些材料可如方案1所示那樣反應(yīng)產(chǎn)生狄爾斯-阿爾德(Diels-Alder)加合物。方案1如果第一非聚合材料取代有兩個(gè)式(I)基團(tuán)，例如如果m1＝1且p1＝2，并且如果第二非聚合材料取代有兩個(gè)式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)，例如如果m2＝1且p2＝2，那么第一材料和第二材料可以反應(yīng)從而形成具有以下重復(fù)結(jié)構(gòu)的線型聚合物：如果第一非聚合材料含有多于兩個(gè)降冰片烯基團(tuán)和/或如果第二非聚合材料取代有多于兩個(gè)(雜)芳基環(huán)丁烯基團(tuán)，那么第一材料和第二材料可反應(yīng)形成交聯(lián)聚合物。如果第一材料和第二材料中的至少一種是聚合物的重復(fù)單元，則反應(yīng)可以是交聯(lián)反應(yīng)。方案2說(shuō)明了包含式(IIId)重復(fù)單元的聚合物的兩個(gè)鏈與式(IVa)非聚合化合物之間的交聯(lián)反應(yīng)，其中m2為1且p2為2，但是應(yīng)當(dāng)理解，m2可以大于1和/或p2可以大于2，例如3或4：方案2在另一實(shí)施方案中，其中p1為2或更大和/或m1為2或更大的式(IIIa)的非聚合化合物與包含式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元的聚合物反應(yīng)。在另一實(shí)施方案中，用式(IVb)的非聚合化合物代替方案2的式(IVa)的非聚合化合物。方案3說(shuō)明了包含式(IIIc)的重復(fù)單元的聚合物與包含式(IVc)的重復(fù)單元的聚合物之間的交聯(lián)反應(yīng)：方案3應(yīng)當(dāng)理解，方案3的包含式(IVc)重復(fù)單元的聚合物可以被包含式(IVd)重復(fù)單元的聚合物代替。單一聚合物可以含有式(IIIc)重復(fù)單元和式(IVc)或(IVd)重復(fù)單元，在這種情形中第一材料和第二材料是同一聚合物的重復(fù)單元，并且交聯(lián)反應(yīng)可以在該聚合物的鏈之間。因此應(yīng)當(dāng)理解，本文所述的組合物可以是包含式(IIIc)重復(fù)單元和式(IVc)或(IVd)重復(fù)單元的單一聚合物。除該聚合物之外，還可以存在一種或多種另外的交聯(lián)材料，例如帶有一個(gè)或多個(gè)式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)的一種或多種非聚合或聚合的交聯(lián)材料。核心基團(tuán)非聚合的第一材料的Core1可以僅取代有一個(gè)或多個(gè)式(I)的基團(tuán)，或者可以取代有一個(gè)或多個(gè)另外的取代基。非聚合的第二材料的Core2可以僅取代有一個(gè)或多個(gè)選自式(IIa)或(IIb)的基團(tuán)，或者可以取代有一個(gè)或多個(gè)另外的取代基。示例性的另外取代基包括C1-40烴基，例如C1-20烷基，未取代的苯基和取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基?？梢愿鶕?jù)它們將要存在其中的層的功能來(lái)選擇Core1和Core2。任選地，Core1和Core2各自獨(dú)立地選自空穴傳輸基團(tuán)、電子傳輸基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)。優(yōu)選地，Core1和Core2包含至少一個(gè)芳族基團(tuán)或雜芳族基團(tuán)，更優(yōu)選至少一個(gè)芳族基團(tuán)。示例性的Core1和Core2基團(tuán)包括亞芳基(例如苯和芴)和胺基。第一非聚合化合物或第二非聚合化合物可以具有式(V)：其中Ar2、Ar3和Ar4在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基或式(IIa)的基團(tuán)，其中n2＝0；g為0、1或2，優(yōu)選0或1；并且c、d和e各自獨(dú)立地為1、2或3，其中Ar2、Ar3和Ar4中的至少一個(gè)取代有至少一個(gè)式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)和/或Ar2和Ar4中的至少一個(gè)是式(IIa)的基團(tuán)，其中n2＝0。與同一N原子直接結(jié)合的選自Ar2、Ar3、Ar5以及Ar4(如果存在的話)的任何兩個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)可通過(guò)直接鍵或二價(jià)連接原子或基團(tuán)連接。優(yōu)選的二價(jià)連接原子和基團(tuán)包括O、S、取代的N、和取代的C。優(yōu)選地，Ar2、Ar3和Ar4各自獨(dú)立地是除式(I)、(IIa)和/或(IIb)基團(tuán)以外的芳基，該芳基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選為一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基或C1-20烷氧基。優(yōu)選地，Ar2和Ar4各自獨(dú)立地為苯基或式(IIa)的基團(tuán)，其中n2＝0。在g＝1的情況下，Ar3優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)，例如萘、苝、蒽或芴。如果Ar3是多環(huán)芳基，則d優(yōu)選為1。示例性的非聚合的第一化合物和第二化合物包括如下所示的化合物，其中R3在每次出現(xiàn)時(shí)是取代基，任選C1-20烷基，且q是0、1、2、3或4。重復(fù)單元包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物優(yōu)選為包含RU1和/或RU2以及一個(gè)或多個(gè)共聚重復(fù)單元的共聚物。共聚重復(fù)單元優(yōu)選不包含可交聯(lián)基團(tuán)。優(yōu)選地，RU1和RU2包含至少一個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)，更優(yōu)選至少一個(gè)芳族基團(tuán)。優(yōu)選地，包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物是共軛聚合物。任選地，RU1和RU2選自空穴傳輸重復(fù)單元、電子傳輸重復(fù)單元和發(fā)光重復(fù)單元?？梢愿鶕?jù)它們將要存在于其中的層的功能來(lái)選擇RU1和RU2，或者RU1和RU2可以與提供所需功能性的共聚重復(fù)單元組合使用。例如，用于空穴傳輸層的空穴傳輸聚合物可以含有空穴傳輸重復(fù)單元RU1或RU2，或者可以含有空穴傳輸共聚重復(fù)單元。共軛聚合物的示例性重復(fù)單元是亞芳基重復(fù)單元、亞芳基亞乙烯基重復(fù)單元和芳基胺重復(fù)單元，它們各自可以是式(IIIc)、(IIId)、(IVc)或(IVd)的共聚重復(fù)單元或重復(fù)單元，其中RU1或RU2是亞芳基、亞芳基亞乙烯基或芳基胺。一類優(yōu)選的亞芳基重復(fù)單元是亞苯基重復(fù)單元，例如式(VI)的亞苯基重復(fù)單元：其中w在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為0、1、2、3或4，任選地為1或2；n為1、2或3；并且R7在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為取代基。當(dāng)存在時(shí)，各R7可獨(dú)立地選自于由以下構(gòu)成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團(tuán)，所述芳基和雜芳基基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團(tuán)的直鏈或支化鏈，每個(gè)所述基團(tuán)可獨(dú)立地被取代，例如式-(Ar7)r的基團(tuán)，其中各Ar7獨(dú)立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，優(yōu)選為苯基的支化鏈或直鏈，每個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基；和-式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)。在R7包含芳基或雜芳基、或者芳基或雜芳基的直鏈或支化鏈的情形中，所述芳基或雜芳基或者每個(gè)芳基或雜芳基可取代有一個(gè)或多個(gè)選自以下的取代基R8:烷基，例如C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可被O、S、取代的N、C＝O和-COO-替換，并且該烷基的一個(gè)或多個(gè)H原子可被F替換；NR92、OR9、SR9、SiR93，和氟、硝基和氰基；其中各R9獨(dú)立地選自如下：烷基，優(yōu)選C1-20烷基；和芳基或雜芳基，優(yōu)選苯基，任選地取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。取代的N，當(dāng)存在時(shí)，可以為-NR6-，其中R6為取代基并且任選為C1-40烴基，任選為C1-20烷基。優(yōu)選地，各個(gè)R7(當(dāng)存在時(shí))獨(dú)立地選自式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)，以及C1-40烴基。優(yōu)選的C1-40烴基是：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；苯基的直鏈或支化鏈，其中各個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。如果n為1，那么示例性的式(VI)重復(fù)單元包括如下:特別優(yōu)選的式(VI)重復(fù)單元具有式(VIa):式(VIa)的取代基R7與該重復(fù)單元的連接位置鄰近，這可引起式(VIa)重復(fù)單元與鄰近重復(fù)單元之間的空間位阻，從而導(dǎo)致式(VIa)重復(fù)單元相對(duì)于一個(gè)或兩個(gè)鄰近重復(fù)單元扭曲到平面外。當(dāng)n為2或3時(shí)的示例性重復(fù)單元包括以下：優(yōu)選的重復(fù)單元具有式(VIb)：式(VIb)的兩個(gè)R7基團(tuán)可以在它們所結(jié)合至的苯基環(huán)之間引起空間位阻，從而導(dǎo)致兩個(gè)苯基環(huán)相對(duì)于彼此扭曲。另一類亞芳基重復(fù)單元是任選取代的芴重復(fù)單元，例如式(VII)的重復(fù)單元：其中R8在每次出現(xiàn)時(shí)是相同的或不同的并且是取代基，其中兩個(gè)基團(tuán)R8可以連接形成環(huán)；R7為如上所述的取代基；以及d是0、1、2或3。各R8可獨(dú)立地選自于由以下構(gòu)成的組:-烷基，任選地C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、取代的N、C＝O或-COO-替換，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可被F替換；-芳基和雜芳基基團(tuán)，所述芳基和雜芳基基團(tuán)可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，優(yōu)選為取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；-芳基或雜芳基基團(tuán)的直鏈或支化鏈，每個(gè)所述基團(tuán)可獨(dú)立地被取代，例如式-(Ar7)r的基團(tuán)，其中各Ar7獨(dú)立地為芳基或雜芳基并且r為至少2，任選為2或3，優(yōu)選為苯基的支化鏈或直鏈，每個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基；和-式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)。優(yōu)選地，各個(gè)R8獨(dú)立地為式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)或者C1-40烴基。優(yōu)選的C1-40烴基是：C1-20烷基；未取代的苯基；取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基的苯基；和苯基的直鏈或支化鏈，其中各個(gè)苯基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。取代的N(當(dāng)存在時(shí))可以為：-NR6-，其中R6如上所述。芴重復(fù)單元的芳族碳原子可以是未取代的，或者可以取代有一個(gè)或多個(gè)取代基R7，該取代基R7如關(guān)于式(VI)所述。示例性取代基R7是烷基，例如C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可以被如下替換：O、S、C＝O和-COO-，任選取代的芳基，任選取代的雜芳基，烷氧基，烷硫基(alkylthio)，氟，氰基和芳基烷基。特別優(yōu)選的取代基包括C1-20烷基以及取代或未取代的芳基，例如苯基。芳基的任選取代基包括一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基?？赏ㄟ^(guò)以下方式控制式(VII)重復(fù)單元與聚合物骨架中的鄰近重復(fù)單元的芳基或雜芳基的共軛程度：(a)通過(guò)3-和/或6-位置連接重復(fù)單元以限制跨該重復(fù)單元的共軛程度，和/或(b)在鄰近于連接位置的一個(gè)或多個(gè)位置上用一個(gè)或多個(gè)取代基R7取代所述重復(fù)單元以產(chǎn)生與鄰近的一個(gè)或多個(gè)重復(fù)單元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或兩者上帶有C1-20烷基取代基的2,7-連接的芴。式(VII)重復(fù)單元可以為式(VIIa)的2,7-連接的重復(fù)單元:在如下情形中可以提供跨式(VIIa)重復(fù)單元的相對(duì)高的共軛程度：當(dāng)每個(gè)d＝0，或者當(dāng)與式(VIIa)的2-或7-連接位置相鄰的位置上不存在任何取代基R7。在如下情形中可以提供跨式(VIIa)重復(fù)單元的相對(duì)低的共軛程度：當(dāng)至少一個(gè)d為至少1，以當(dāng)與式(VIIa)的2-或7-連接位置相鄰的位置上存在至少一個(gè)取代基R7。任選地，每個(gè)d為1，并且用取代基R7取代式(VIIa)重復(fù)單元的3-和/或6-位置，以便提供相對(duì)低的跨重復(fù)單元的共軛程度。式(VII)重復(fù)單元可以是式(VIIb)的3,6-連接的重復(fù)單元：與相應(yīng)的式(VIIa)重復(fù)單元相比，跨式(VIIb)重復(fù)單元的共軛程度可以是相對(duì)低的。另一種示例性亞芳基重復(fù)單元具有式(VIII)：其中R7、R8和d如關(guān)于上面的式(VI)和(VII)所述。任何R7基團(tuán)可以連接到任一另外R7基團(tuán)以形成環(huán)。如此形成的環(huán)可以是未取代的或者可以取代有一個(gè)取代基，任選一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。式(VIII)的重復(fù)單元可以具有式(VIIIa)或(VIIIb)：所述一個(gè)或多個(gè)共聚重復(fù)單元可以包括共軛中斷重復(fù)單元，該共軛中斷重復(fù)單元是在鄰近于該共軛中斷重復(fù)單元的重復(fù)單元之間不提供任何共軛路徑的重復(fù)單元。示例性的共軛中斷共聚重復(fù)單元包括式(IX)的共聚重復(fù)單元：其中：Ar4在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地表示芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基；和Sp表示包含至少一個(gè)碳或硅原子的間隔基團(tuán)。優(yōu)選地，間隔基團(tuán)Sp包括分隔Ar4基團(tuán)的至少一個(gè)sp3雜化碳原子。優(yōu)選地，Ar4是芳基，并且Ar4基團(tuán)可以相同或不同。更優(yōu)選每個(gè)Ar4是苯基。每個(gè)Ar4可以獨(dú)立地是未取代的或者可以取代有1、2、3或4個(gè)取代基。所述一個(gè)或多個(gè)取代基可以選自：-C1-20烷基，其中該烷基的一個(gè)或多個(gè)不相鄰C原子可以被O、S或COO、C＝O、NR6或SiR62替代，并且該C1-20烷基的一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F替代，其中R6是取代基并且在每次出現(xiàn)時(shí)任選為C1-40烴基，任選為C1-20烷基；和-芳基或雜芳基，任選為苯基，其可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)C1-20烷基。Ar4的優(yōu)選取代基是C1-20烷基，該C1-20烷基在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同。示例性的基團(tuán)Sp包括C1-20烷基鏈，其中該鏈的一個(gè)或多個(gè)非相鄰C原子可以被O、S、-NR6-、-SiR62-、-C(＝O)-或-COO-替代，并且其中R6在每次出現(xiàn)時(shí)為取代基并且任選在每次出現(xiàn)時(shí)為C1-40烴基，任選為C1-20烷基。優(yōu)選地，Sp含有將兩個(gè)基團(tuán)Ar4間隔開(kāi)的至少一個(gè)sp3雜化碳原子。包含重復(fù)單元RU1和/或RU2的聚合物可以包含式(X)的芳基胺重復(fù)單元，作為式(IIIc)、(IIId)、(IVc)或(IVd)的共聚重復(fù)單元或重復(fù)單元：其中Ar8、Ar9和Ar10在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自取代或未取代的芳基或雜芳基，g為0、1或2，優(yōu)選為0或1，R13在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為H或取代基，優(yōu)選取代基，并且c、d和e各自獨(dú)立地為1、2或3。式(X)的重復(fù)單元可以為聚合物提供適用于空穴傳輸層或發(fā)光層的空穴傳輸性能和/或適用于發(fā)光層的發(fā)光性能。當(dāng)g為1或2時(shí)在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同的R13優(yōu)選地選自：烷基(例如C1-20烷基)，Ar11，Ar11基團(tuán)的支化鏈或直鏈，或式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)，其中Ar11在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為任選取代的芳基或雜芳基。直接結(jié)合至同一N原子的選自Ar8、Ar9以及(若存在時(shí)的)Ar10和Ar11中的任意兩個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)可通過(guò)直接鍵或者二價(jià)連接原子或基團(tuán)連接到Ar8、Ar9、Ar10和Ar11中的其它。優(yōu)選的二價(jià)連接原子和基團(tuán)包括O、S、取代的N、和取代的C。Ar8和Ar10優(yōu)選是C6-20芳基，更優(yōu)選苯基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。在g＝0的情形中，Ar9優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選為苯基，其可以是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。在g＝1的情形中，Ar9優(yōu)選為C6-20芳基，更優(yōu)選為苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)，例如萘、苝、蒽或芴，其可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。R13優(yōu)選為Ar11或Ar11基團(tuán)的支化鏈或直鏈。Ar11在每次出現(xiàn)時(shí)優(yōu)選是苯基，該苯基可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基。示例性基團(tuán)R13包括以下基團(tuán)，其每一個(gè)可以是未取代的或者取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，并且其中*表示與N的連接點(diǎn)：c、d和e優(yōu)選各自為1。Ar8、Ar9以及(若存在時(shí)的)Ar10和Ar11各自獨(dú)立地是未取代的或取代有一個(gè)或多個(gè)取代基，任選地1、2、3或4個(gè)取代基。示例性的取代基可以選自：-取代或未取代的烷基，任選地C1-20烷基，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基(優(yōu)選苯基)、O、S、C＝O或-COO-代替，并且一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替；和-式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)。Ar8、Ar9以及(若存在時(shí)的)Ar10和Ar11的優(yōu)選取代基是C1-40烴基，優(yōu)選C1-20烷基或式(I)、(IIa)或(IIb)的基團(tuán)。優(yōu)選的式(IX)重復(fù)單元包括未取代或取代的式1-3單元：優(yōu)選地，式1重復(fù)單元的Ar8、Ar10和Ar11是苯基，并且Ar9是苯基或多環(huán)芳族基團(tuán)。優(yōu)選地，式2和式3重復(fù)單元的Ar8、Ar9和Ar11是苯基。優(yōu)選地，式3重復(fù)單元的Ar8和Ar9是苯基，并且R13是苯基或苯基的支化鏈或直鏈。包含式(X)重復(fù)單元的空穴傳輸聚合物可以是含有式(X)重復(fù)單元和一個(gè)或多個(gè)共聚重復(fù)單元的均聚物或共聚物。可以按約10摩爾％至約95摩爾％、任選約10-75摩爾％或約10-50摩爾％范圍內(nèi)的摩爾量提供式(X)的重復(fù)單元。該聚合物可以含有一種或兩種或更多種不同的式(X)重復(fù)單元。下面說(shuō)明式(IIIc)、(IIId)、(IVc)和(IVd)的示例性聚合重復(fù)單元。如果式(IIIc)的重復(fù)單元和式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元是同一聚合物的重復(fù)單元，那么可以在式(IIIc)的單元和式(IVc)或(IVd)的單元之間提供不包含可交聯(lián)基團(tuán)的共聚重復(fù)單元，以防止同一聚合物鏈的可交聯(lián)取代基彼此反應(yīng)。可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的聚合方法使式(IIIc)重復(fù)單元和式(IVc)或(IVd)重復(fù)單元保持分開(kāi)。在通過(guò)Suzuki聚合形成聚合物的情形中，如果用于形成(IIIc)的重復(fù)單元和式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元的單體包含選自鹵素和硼酸或硼酸酯之一的反應(yīng)性離去基團(tuán)，那么可以通過(guò)非交聯(lián)的共聚重復(fù)單元將(IIIc)的重復(fù)單元與式(IVc)或(IVd)的重復(fù)單元分隔，并且所述共聚重復(fù)單元包含選自鹵素和硼酸或硼酸酯中的另一者的離去基團(tuán)。本文中所述的聚合物適宜地具有在約1×103至1×108的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選在1×103至5×106范圍內(nèi)的通過(guò)凝膠滲透色譜法測(cè)量的聚苯乙烯當(dāng)量數(shù)均分子量(Mn)。本文所述聚合物的聚苯乙烯當(dāng)量重均分子量(Mw)可以為1×103至1×108，且優(yōu)選為1×104至1×107。本文任何地方所述的聚合物適宜地為非晶態(tài)聚合物。聚合物合成制備共軛聚合物的優(yōu)選方法包括“金屬嵌插”，其中將金屬絡(luò)合物催化劑的金屬原子嵌插在芳基或雜芳基基團(tuán)與單體的離去基團(tuán)之間。示例性的金屬嵌插方法是如例如WO00/53656中所述的Suzuki聚合，以及如例如以下文獻(xiàn)中所述的Yamamoto聚合：T.Yamamoto，“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses"，ProgressinPolymerScience1993，17，1153-1205。在Yamamoto聚合的情形中，使用鎳絡(luò)合物催化劑；在Suzuki聚合的情形中，使用鈀絡(luò)合物催化劑。例如，在通過(guò)Yamamoto聚合來(lái)合成線型聚合物中，使用具有兩個(gè)反應(yīng)性鹵素基團(tuán)的單體。類似地，根據(jù)Suzuki聚合方法，至少一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是硼衍生基團(tuán)例如硼酸或硼酸酯，并且另一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是鹵素。優(yōu)選的鹵素為氯、溴和碘，最優(yōu)選溴。因此將意識(shí)到本申請(qǐng)通篇所說(shuō)明的重復(fù)單元可衍生自帶有合適離去基團(tuán)的單體。同樣地，可通過(guò)合適離去基團(tuán)的反應(yīng)將端基或側(cè)基結(jié)合到聚合物。Suzuki聚合可以用來(lái)制備區(qū)域規(guī)則(regioregular)、嵌段和無(wú)規(guī)的共聚物。具體地，當(dāng)一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)為鹵素并且另一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)為硼衍生基團(tuán)時(shí)，可以制備均聚物或無(wú)規(guī)共聚物。作為替代，當(dāng)?shù)谝粏误w的兩個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)均為硼并且第二單體的兩個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)均為鹵素時(shí)，可以制備嵌段或區(qū)域規(guī)則的(特別是AB型)共聚物。作為鹵素的替代，能夠參與金屬嵌插的其它離去基團(tuán)包括甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)和三氟甲磺酸酯(triflate)。空穴注入層可由導(dǎo)電性有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成導(dǎo)電性空穴注入層，該導(dǎo)電性空穴注入層可提供于如圖1所示的OLED的陽(yáng)極103和空穴傳輸層105之間以輔助從陽(yáng)極到一層或多層半導(dǎo)體聚合物中的空穴注入。摻雜的有機(jī)空穴注入材料的實(shí)例包括任選取代的、摻雜的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，尤其是用下列摻雜的PEDT：電荷平衡聚酸(polyacid)，如EP0901176和EP0947123中所公開(kāi)的聚苯乙烯磺酸(PSS)，聚丙烯酸或氟化磺酸，例如如US5723873和US5798170中公開(kāi)的聚苯胺；和任選取代的聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導(dǎo)電性無(wú)機(jī)材料的實(shí)例包括過(guò)渡金屬氧化物，如JournalofPhysicsD：AppliedPhysics(1996)，29(11)，2750-2753中所公開(kāi)的VOx、MoOx和RuOx。陰極陰極109選自于具有容許電子注入到OLED的發(fā)光層內(nèi)的功函數(shù)的材料。其它因素影響陰極的選擇，例如在陰極與發(fā)光材料之間的有害相互作用的可能性。陰極可以由單一材料例如鋁層構(gòu)成。作為替代，其可以包含多種導(dǎo)電材料如金屬，例如低功函數(shù)材料和高功函數(shù)材料的雙層，例如WO98/10621中公開(kāi)的鈣和鋁。陰極可以包含單質(zhì)鋇，如在WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634和WO02/84759中所公開(kāi)的。陰極可在器件的有機(jī)層與一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電陰極層之間包含金屬化合物(特別是堿金屬或堿土金屬的氧化物或氟化物)的薄層(例如1-5nm)，以協(xié)助電子注入，例如在WO00/48258中公開(kāi)的氟化鋰；如在Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中公開(kāi)的氟化鋇；以及氧化鋇。為了提供電子向器件內(nèi)的高效注入，陰極優(yōu)選地具有小于3.5eV、更優(yōu)選地小于3.2eV、最優(yōu)選地小于3eV的功函數(shù)。金屬的功函數(shù)可以參見(jiàn)例如Michaelson，J.Appl.Phys.48(11)，4729，1977。陰極可以是不透明的或透明的。透明陰極對(duì)于有源矩陣器件是特別有利的，因?yàn)榇┻^(guò)此類器件中的透明陽(yáng)極的發(fā)射光至少部分地被位于發(fā)光像素下方的驅(qū)動(dòng)電路阻擋。透明陰極包含電子注入材料的層，該層足夠薄以致是透明的。通常，該層的橫向?qū)щ娦杂捎谄浔《?thinness)而將是低的。在這種情形中，電子注入材料層與透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物的較厚層組合使用。將理解的是，透明陰極器件不需要具有透明陽(yáng)極(當(dāng)然，除非需要完全透明的器件)，并且因此可以用反射材料層例如鋁層替換或補(bǔ)充用于底部發(fā)光器件的透明陽(yáng)極。在例如GB2348316中公開(kāi)了透明陰極器件的實(shí)例。包封有機(jī)光電子器件往往對(duì)水分和氧氣敏感。因此，基底優(yōu)選地具有用于防止水分和氧氣侵入器件內(nèi)的良好阻隔性。基底通常為玻璃，但是可以使用替代性的基底，特別是在器件的柔性為期望的情形中。例如，基底可以包含一個(gè)或多個(gè)塑料層，例如交替的塑料和電介質(zhì)阻擋層的基底，或者薄玻璃和塑料的疊層體?？梢杂冒獠牧?未示出)包封器件以防止水分和氧氣侵入。合適的包封材料包括玻璃片，具有合適的阻擋性質(zhì)的膜，如二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、或聚合物與介電材料的交替疊層，或氣密性容器。在透明陰極器件的情形中，可沉積透明包封層如一氧化硅或二氧化硅達(dá)到微米級(jí)的厚度，但在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，該層的厚度在20-300nm范圍內(nèi)。用于吸收可能滲透穿過(guò)基底或包封材料的任何大氣水分和/或氧氣的吸氣劑材料可被設(shè)置在基底和包封材料之間。配制物加工可以由本發(fā)明的組合物和一種或多種合適的溶劑形成適于形成有機(jī)電子器件的層的配制物，所述層優(yōu)選為OLED的層，更優(yōu)選為OLED的空穴傳輸層。在OLED空穴傳輸層的情形中，可以通過(guò)本文所述的溶液沉積技術(shù)在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。配制物可以是組合物在一種或多種溶劑中的溶液，或者可以是在一種或多種組分不溶解的一種或多種溶劑中的分散體。優(yōu)選地，配制物是溶液。適合于溶解本發(fā)明的組合物(特別是含有包含烷基取代基的聚合物的組合物)的溶劑，包括取代有一個(gè)或多個(gè)C1-10烷基或C1-10烷氧基的苯，例如甲苯、二甲苯和甲基苯甲醚。特別優(yōu)選的溶液沉積技術(shù)包括印刷和涂覆技術(shù)，例如旋涂和噴墨印刷。旋涂特別適合于其中發(fā)光層的圖案化為不必要的器件—例如用于照明應(yīng)用或簡(jiǎn)單的單色分段顯示器。噴墨印刷特別適合于高信息內(nèi)容的顯示器，尤其是全色顯示器?？赏ㄟ^(guò)如下方式來(lái)噴墨印刷器件：在第一電極上方提供圖案化的層，和限定用于印刷一種顏色(單色器件的情況)或多種顏色(多色的情況，尤其是全色器件)的凹坑(well)。圖案化的層優(yōu)選是被圖案化以限定凹坑的光刻膠層，例如EP0880303中所述?？梢酝ㄟ^(guò)將本文所述的材料或組合物噴墨印刷到圖案化層的凹坑中并使該材料反應(yīng)(優(yōu)選交聯(lián))來(lái)形成空穴傳輸層。然后可以將發(fā)光材料噴墨印刷到空穴傳輸層上的凹坑中。作為凹坑的替代，可將墨印刷到圖案化層內(nèi)限定的溝道中。具體而言，可將光刻膠圖案化以形成溝道，與凹坑不同的是，所述溝道在多個(gè)像素上方延伸并且可在溝道末端封閉或開(kāi)放。其它溶液沉積技術(shù)包括浸涂、柔性版印刷和絲網(wǎng)印刷。應(yīng)用本文所述的組合物可用于形成有機(jī)電子器件的一個(gè)或多個(gè)層。優(yōu)選地，本文所述的組合物用于形成交聯(lián)層，在其上通過(guò)溶液沉積法形成另外的層。本文所述的組合物和層形成方法可用于形成OLED的電荷傳輸層或發(fā)光層；有機(jī)光響應(yīng)器件(例如光電傳感器或光伏器件)的半導(dǎo)體層；和有機(jī)薄膜晶體管的半導(dǎo)體層或電介質(zhì)層。有機(jī)光響應(yīng)器件可以包括陽(yáng)極、陰極以及介于陽(yáng)極和陰極之間的由本文所述組合物形成的半導(dǎo)體層。有機(jī)半導(dǎo)體層可以是電子接受層、電子供給層、或介于陽(yáng)極和陰極之間的另外層?？梢蕴峁┌娮咏邮懿牧虾碗娮庸┙o材料的共混物的單層來(lái)代替獨(dú)立的接受層和供給層，并且可以通過(guò)用至少一個(gè)式(I)取代基和任選地至少一個(gè)式(IIa)或(IIb)取代基取代該層的一種或多種組分使該層交聯(lián)。有機(jī)薄膜晶體管可以包括：源電極和漏電極；有機(jī)半導(dǎo)體層，所述有機(jī)半導(dǎo)體層在源電極和漏電極之間延伸并與它們電接觸；柵電極；以及介于所述有機(jī)半導(dǎo)體層和所述柵電極之間的電介質(zhì)層。實(shí)施例化合物實(shí)施例1根據(jù)以下反應(yīng)方案制備非聚合的化合物實(shí)施例1：階段1在室溫下向鎂屑(10.77g，0.45mol)和1,2-二溴乙烷(0.5ml)在乙醚(125mL)中的溶液緩慢地逐滴添加溴苯(46.44g，0.295mol)，并將混合物在該溫度下攪拌另外2小時(shí)。將所得格氏試劑逐滴添加到2,7-二溴芴酮(25g，0.074mol)在0℃的無(wú)水THF(500ml)中的溶液中，并在該溫度下將反應(yīng)攪拌另外5小時(shí)。將混合物用冰冷的水(100ml)淬滅，用EtOAc(2×300ml)萃取并且用鹽水(500ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(Na2SO4)并在真空下濃縮。通過(guò)硅膠柱色譜法(2％EtOAc/己烷)純化，得到階段1產(chǎn)物(23g，75％產(chǎn)率，97.8％HPLC純度)。MS(EI,m/z):416(M+),399,337,258,239,226,167,1511H-NMR(300MHz,DMSO-d6):δH[ppm]6.64(s,1H),7.21-7.29(m,5H),7.33(d,J＝1.32Hz,2H),7.58(dd,J＝1.32,8.08Hz,2H),7.83(d,J＝8.10Hz,2H)。階段2向XL15階段1(23g，0.055mol)在三氟乙酸(230ml)中的溶液逐滴添加三乙基硅烷(32.13g，0.276mol)，并將反應(yīng)混合物在50℃下攪拌2小時(shí)。使混合物冷卻至室溫，在真空下去除三氟乙酸，并將所得固體用NaHCO3水溶液(300ml)處理，用EtOAc(2×300ml)萃取，用鹽水(300ml)洗滌，干燥(Na2SO4)并在真空下濃縮。將固體在甲醇(100ml)上攪拌并隨后過(guò)濾，得到期望的產(chǎn)物階段2產(chǎn)物(19g，86％產(chǎn)率，96.9％HPLC純度)。MS(EI,m/z):400(M+),319,239,163,1201H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]5.02(s,1H),7.05-7.07(m,2H),7.28-7.34(m,3H),7.43(s,2H),7.51-7.54(m,2H),7.64(d,J＝8.12Hz,2H)。階段3向XL15階段2(14g，0.035mol)和5-(5-溴戊-1-基)雙環(huán)[2.2.1]庚-2-烯(19.57g，0.080mol)在THF:ACN(175ml，4:1)中的溶液添加Aliquat-336(0.707g，0.002mol)，隨后加入NaOH水溶液(56ml，10％wt/vol)，并將混合物在70℃加熱5小時(shí)。在冷卻至室溫后，加入水(150ml)并用EtOAc(2×250ml)萃取混合物，將合并的有機(jī)萃取液干燥(Na2SO4)并真空濃縮。通過(guò)硅膠柱色譜法(1％EtOAc/己烷)純化，得到階段3產(chǎn)物(10g，51％產(chǎn)率，97.9％HPLC純度)。MS(EI,m/z):562(M+),496,399,2391H-NMR(300MHz,CDCl3):δH[ppm]0.42-0.46(m,1H),0.80-0.98(m,4H),1.22-1.43(m,5H),1.74-1.93(m,3H),2.37-2.43(m,2H),2.69-2.75(m,2H),5.84-5.87(m,1H),6.05-6.09(m,1H),7.11-7.27(m,7H),7.26-7.27(m,2H),7.31-7.38(m,2H)。化合物實(shí)施例1在密封管中將XL15階段3(8g，0.014mol)、2-(2,5-二乙基苯基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環(huán)硼戊烷(9.2g，0.035mol)、K3PO4·H2O(9.8g，0.043mol)、Pd2(dba)3(0.389g，0.0004mol)和XPhos(0.406g，0.0008mol)在乙醇(160ml)中的混合物用N2吹掃5分鐘，并在60℃加熱12小時(shí)。使反應(yīng)混合物冷卻至室溫，通過(guò)Celite塞；在真空下濃縮濾液，得到棕色固體。通過(guò)硅膠柱色譜法(己烷)、然后反相柱色譜法(6％THF:乙腈)純化，得到透明粘性油狀物形式的化合物實(shí)施例1(4.78g，51％產(chǎn)率，99.4％HPLC純度)。LCMS(APPI,m/z):669(M+)1H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]0.41-0.44(m,1H),0.87-0.96(m,4H),1.06(t,J＝7.20Hz,3H),1.17-1.21(m,4H),1.28(t,J＝7.60Hz,3H),1.31-1.34(m,2H),1.79-1.92(m,2H),2.48-2.53(m,4H),2.65-2.69(m,4H),5.83-5.85(m,1H),6.05-6.07(m,1H),7.12-7.29(m,13H),7.35(d,J＝8.00Hz,2H),7.83(d,J＝7.60Hz,2H)?？梢允褂眠x自以下的側(cè)鏈代替5-(5-溴戊-1-基)雙環(huán)[2.2.1]庚-2-烯按上述方式制備本文公開(kāi)的其它非聚合化合物：5-溴戊烯、3-溴雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯、3-溴-7-甲基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯或3-溴-7-甲氧基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯。單體實(shí)施例1根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體實(shí)施例1：在氮?dú)庀孪?,7-二溴-9H-芴(2g，6.17mmol)在無(wú)水THF(20ml)中的溶液中添加叔丁醇鉀(3.4g，30.86mol)，并在70℃下攪拌混合物2小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，逐滴添加在無(wú)水THF(5ml)中的5-(3-溴丙-1-基)-雙環(huán)[2.2.1]庚-2-烯(3.9g，18.52mol)，然后在75℃下攪拌混合物16小時(shí)。冷卻后，加入水(50ml)并用二氯甲烷(2×50ml)萃取溶液。用水(50ml)、鹽水(50ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(Na2SO4)并在減壓下濃縮從而得到黃色固體。通過(guò)硅膠柱色譜法(己烷)純化，得到固體，在50℃下用MeOH/EtOAc(5ml:3ml)的混合物研制該固體30分鐘。過(guò)濾該固體并用甲醇洗滌從而得到白色固體形式的單體實(shí)施例1(1.16g，32％產(chǎn)率，HPLC純度為99.8％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3):δH[ppm]0.26-0.30(m,2H),0.57-0.63(m,4H),0.82-0.87(m,4H),1.09-1.19(m,2H),1.27-1.29(m,2H),1.64-1.69(m,2H),1.71-1.76(m,2H),1.86-1.92(m,4H),2.50(m,2H,),2.66(m,2H),5.72(dd,J＝2.8Hz,5.6Hz,2H),6.03(dd,J＝2.9Hz,5.6Hz,2H),7.45-7.49(m,4H),7.54-7.56(m,2H)。單體B根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體B：3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(A)在氮?dú)庀掠?78℃向3-溴-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(33.7g，123.8mmol，GC-MS純度為93％，為2種異構(gòu)體的混合物)在無(wú)水THF(400ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰(118ml，164.4mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)的溶液，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并將反應(yīng)混合物在-78℃下攪拌另外1小時(shí)。然后逐滴添加1-溴-4-氯丁烷(13.5ml，117.7mmol)的溶液以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜。然后將其冷卻至0℃，通過(guò)逐滴逐滴添加2MHCl(100ml)淬滅并在真空下濃縮。用己烷(3×120ml)萃取兩相殘余物，用水(3×200ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮至干燥。使用氧化硅塞(己烷，己烷:DCM9:1)純化所得油狀物，得到無(wú)色油形式的3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(28g，87％產(chǎn)率)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.0(s,9H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,1H),1.72-1.84(m,5H),2.61(t,J＝7.6Hz,2H),2.75(dd,J＝2.5Hz,13.9Hz,1H),3.34(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),3.55(t,J＝6.5Hz,2H),6.88(s,1H),6.98(m,2H)。3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(B)將3-(4-氯丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(28.0g，105.7mmol)和碘化鈉(79.2g，528.6mmol)在丙酮(300ml)中的混合物回流25小時(shí)。將混合物冷卻至室溫，加入水(250ml)并將混合物在真空下濃縮。用己烷(3×110ml)萃取兩相的殘余物，用水(5×100ml)洗滌合并的有機(jī)萃取液，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮從而得到3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(36.3g，96％產(chǎn)率，95.8％HPLC純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.0(s,9H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,1H),1.71(五重,2H),1.77(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),1.86(五重,2H),2.60(t,J＝7.6Hz,2H),2.75(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,1H),3.20(t,J＝7.0Hz,2H),3.34(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),6.88(s,1H),6.98(m,2H)。單體B階段1在氮?dú)庀掠?78℃，向1,4-二溴-3,6-(三甲基甲硅烷基)苯(20.0g，52.6mmol)在無(wú)水THF(200ml)中的溶液中逐滴添加仲丁基鋰的溶液(47.8ml，68.4mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。在-78℃下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時(shí)。然后逐滴添加3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(19.7g，55.2mmol)在THF(20ml)中的溶液，同時(shí)保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜。然后使其冷卻至0℃，通過(guò)逐滴添加2MHCl(50ml)淬滅，在真空下濃縮，并用己烷(3×70ml)萃取兩相的殘余物。將合并的有機(jī)萃取液用水(3×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。使用氧化硅塞(己烷)純化所得油狀物，產(chǎn)生無(wú)色油形式的單體B階段1(18.2g，65％產(chǎn)率，85.8％HPLC純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.29(s,9H),0.38(s,9H),1.0(s,9H),1.53-16.3(m,3H),1.71(五重,2H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,1H),2.63(m,4H),2.74(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,1H),3.33(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),3.50(m,1H),6.89(s,1H),6.96(d,J＝7.5Hz,1H),7.00(d,J＝7.5Hz,1H),7.20(s,1H),7.35(s,1H)。單體B階段2在氮?dú)庀掠?78℃，向單體B階段1(18.2g，34.4mmol)在無(wú)水THF(200ml)的溶液中逐滴添加仲丁基鋰(29.4ml，41.2mmol，1.4M，在環(huán)己烷中)，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并在-78℃下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時(shí)。然后逐滴添加3-(4-碘丁基)-7-新戊基雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(12.9g，36.1mmol)在THF(20ml)中的溶液，同時(shí)保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜。然后將其冷卻至0℃，通過(guò)逐滴添加2MHCl(25ml)淬滅，在真空下濃縮并用甲苯(100ml)稀釋。分離各相，將水層用水(50ml)稀釋以及用甲苯(2×50ml)萃取。將合并的有機(jī)萃取液用水(3×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。將所得固體在乙腈(250ml)中攪拌3小時(shí)，過(guò)濾并在40℃的真空烘箱中干燥68小時(shí)，從而產(chǎn)生白色固體形式的單體B階段2(17.8g，76％產(chǎn)率，95.5％HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.28(s,18H),1.0(s,18H),1.56(dd,J＝8.7Hz,13.9Hz,2H),1.63(m,4H),1.72(m,4H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.63(t,J＝7.5Hz,4H),2.67(m,4H),2.75(dd,J＝2.0Hz,13.9Hz,2H),3.33(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.49(m,2H),6.89(s,2H),6.96(d,J＝7.5Hz,2H),7.00(d,J＝7.5Hz,2H),7.35(s,2H)。單體B階段3在避光條件在氮?dú)庀掠?℃，向單體B階段2(17.8g，26.2mmol)在氯仿(180ml)中的溶液逐滴添加乙酸(32ml)，隨后添加DMF(71ml)，以便保持溫度小于10℃。使混合物溫?zé)嶂潦覝夭⒂玫獨(dú)獯祾?0分鐘。在5℃下，將已經(jīng)用氮?dú)獯祾?0分鐘的N-溴代琥珀酰亞胺(9.6g，53.7mmol)在DMF(33ml)中的溶液逐滴添加到單體B階段2的溶液中，并使所得混合物溫?zé)嶂潦覝兀⑶覕嚢枇硗?小時(shí)。在5℃下以固體形式添加另一部分N-溴代琥珀酰亞胺(0.4g，2.25mmol)，并在室溫下攪拌反應(yīng)過(guò)夜。將混合物冷卻至10℃，向反應(yīng)混合物中添加水(170ml)，分離各相，將水層用DCM(2×100ml)萃取，將合并的有機(jī)萃取液用水(5×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮。將所得固體在乙腈(250ml)中攪拌3小時(shí)，過(guò)濾并在50℃的真空烘箱中干燥18小時(shí)，從而產(chǎn)生白色固體形式的單體B階段3(16.7g，92％產(chǎn)率，HPLC純度為95.6％)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,18H),1.57(dd,J＝8.6Hz,13.9Hz,2H),1.65(m,8H),1.77(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.61(t,J＝7.4Hz,4H),2.67(t,J＝7.4Hz,4H),2.75(dd,J＝2.3Hz,13.9Hz,2H),3.34(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.50(m,2H),6.88(s,2H),6.96(d,J＝7.4Hz,2H),7.00(d,J＝7.5Hz,2H),7.33(s,2H)。單體B將單體B階段3(16.7g，24.1mmol)和雙(頻哪醇酯)二硼(13.5g，53.0mmol)在1,2-二甲氧基乙烷(200ml)中的溶液用氮?dú)獯祾?小時(shí)，加入乙酸鉀(14.2g，144.7mmol)，并將混合物吹掃另外20分鐘。加入1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵二氯化鈀二氯甲烷加合物(0.59g，0.72mmol)，并將混合物在100℃下攪拌過(guò)夜。將混合物冷卻至室溫，過(guò)濾通過(guò)氧化硅-Florisil-celite塞(DCM:己烷(1:1))并在真空下濃縮。將所得殘余物溶解在DCM中并加入己烷，在真空下去除DCM從而得到DCM:己烷(1:1)的混合物。將溶液過(guò)濾通過(guò)氧化硅-Florisil塞(DCM:己烷(1:1))，并在減壓下濃縮至干燥。從甲苯:乙腈、甲苯:己烷和甲苯:乙腈:異丙醇中將所得固體反復(fù)地再結(jié)晶，然后通過(guò)柱色譜法(己烷:DCM(7:3)至(6:4))純化，并將所得固體溶解在甲苯中，向混合物中添加乙腈并過(guò)濾所得漿料從而得到白色固體形式的單體B(9.6g，50％產(chǎn)率，HPLC純度為99.8％)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,18H),1.31(s,24H),1.58(m,6H),1.66(五重,4H),1.76(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),2.59(t,J＝7.7Hz,4H),2.74(dd,J＝2.0Hz,13.9Hz,2H),2.84(t,J＝7.9Hz,4H),3.32(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.48(m,2H),6.87(s,2H),6.94(d,J＝7.5Hz,2H),6.99(d,J＝7.5Hz,2H),7.53(s,2H)。單體C單體C階段1在氮?dú)庀掠?78℃，向1,4-二溴-3,6-(三甲基甲硅烷基)苯(24.1g，63.4mmol)在無(wú)水THF(200ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰的溶液(1.4M，在環(huán)己烷中，54.4ml，76.1mmol)，以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并且在該溫度下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時(shí)。然后逐滴添加6-(1-碘戊-5-基)-雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯)(25g，66.6mmol，80％純度)在THF(200ml)中的溶液，同時(shí)保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并且使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜。然后將其冷卻至5℃并通過(guò)逐滴添加2MHCl淬滅，在減壓下去除溶劑，用DCM(3×150ml)萃取所得紅色溶液，將合并的有機(jī)萃取液用水(2×250ml)洗滌，經(jīng)MgSO4干燥并在真空下濃縮從而得到紅色油狀物形式的期望產(chǎn)物。使用氧化硅Florisil塞(己烷)純化，得到單體C階段1(14.4g，38％產(chǎn)率，80％的HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.32(s,9H),0.39(s,9H),1.44-1.54(4H),1.61(m,2H),1.72(m,2H),2.66(m,2H),2.74(dd,J＝2.2Hz,13.9Hz,1H),3.33(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,1H),3.47(m,1H),7.07(m,2H),7.19(m,2H),7.24(s,1H),7.56(s,1H)單體C階段2在氮?dú)庀掠?78℃，向單體C階段1(14.35g，24.2mmol80％HPLC純度)在無(wú)水THF(150ml)中的溶液逐滴添加仲丁基鋰的溶液(1.4M，在環(huán)己烷中，20.8ml，29.1mmol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并且在該溫度下將反應(yīng)混合物攪拌另外1小時(shí)。然后逐滴添加6-(1-碘戊-5-基)-雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯)(9.54g，25.4mmol，80％HPLC純度)在THF(100ml)中的溶液，同時(shí)保持內(nèi)部溫度小于-74℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜。然后將其冷卻至5℃，并通過(guò)逐滴添加HCl(2M，100ml)淬滅，在減壓下去除溶劑，用DCM(3×150ml)萃取所得溶液，將合并的有機(jī)萃取液用水(2×250ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮至干燥從而得紅色油狀物形式的期望產(chǎn)物。使用氧化硅Florisil塞(己烷和10％DCM:己烷)純化，得到透明油形式的單體C階段2(8.25g，48％產(chǎn)率，80％HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.34(s,18H),1.47-1.62(8H),1.65(m,4H),1.75(m,4H),2.70(brt,4H),2.76(d,J＝13.9Hz,2H),3.34(dd,J＝5.1Hz,13.9Hz,2H),3.49(m,2H),7.09(m,4H),7.20(五重,4H),7.31(s,2H)。單體C階段3在氮?dú)庀掠?℃，在避光條件下，向單體C階段2(8.25g，11.64mmol，～80％HPLC純度)在CHCl3(80ml)中的溶液中逐滴添加DMF(33ml)，隨后添加AcOH(15ml)，以保持溫度小于10℃，并使混合物溫?zé)嶂潦覝?。逐滴添加NBS(4.25g，29.8mmol)在DMF(17ml)中的溶液以保持溫度小于26℃，并將混合物在室溫下攪拌過(guò)夜。逐滴添加另一份在DMF(2ml)中的NBS(0.5g，2.8mmol)，并在室溫下將反應(yīng)攪拌另外5小時(shí)。向反應(yīng)混合物中添加水(80ml)，并用DCM(3×60ml)對(duì)其萃取，將合并的有機(jī)萃取液用水(3×100ml)洗滌，干燥(MgSO4)并在真空下濃縮從而得到橙色油狀物。用在DMF(8ml)中的另一份NBS(2.65g，14.89mmol)重復(fù)上述工序，并使用氧化硅Florisil塞(20％DCM:己烷)純化所得油狀物，得到透明油狀物形式的單體C階段3(7.95g，88％產(chǎn)率，75％的HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.45(m,4H),1.48-1.59(4H),1.63(五重,4H),1.72(m,4H),2.67(brt,4H),2.74(dd,J＝2.2Hz,13.9Hz,2H),3.32(dd,J＝5.3Hz,13.9Hz,2H),3.45(m,2H),7.07(m,4H),7.18(五重,4H),7.40(s,2H)。單體C用氮?dú)鈱误wC階段3(7g，9.04mmol，～75％HPLC純度)和雙(頻哪醇酯)二硼(6.75g，26.5mmol)在1,2-二甲氧基乙烷DME(100ml)中的溶液吹掃1小時(shí)，添加乙酸鉀(7.1g，72.4mmol)，將混合物用氮?dú)獯祾吡硗?0分鐘，加入1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵二氯化鈀二氯甲烷加合物(0.3g，0.363mmol)，并將混合物在100℃攪拌過(guò)夜。將深棕色溶液冷卻至室溫，過(guò)濾通過(guò)Florisil-氧化硅-celite塞(DCM:己烷(1:1))并濃縮至干燥。使所得棕色油狀物過(guò)濾通過(guò)另一個(gè)塞(氧化硅-Forisil(DCM:己烷1:1))，得到透明油狀物，該透明油狀物在靜置時(shí)凝固。將所得固體從甲苯:乙腈中反復(fù)再結(jié)晶，從而得到白色固體形式的單體C(1.13g，19％產(chǎn)率，99.4％HPLC純度)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.33(s,24H),1.44(m,4H),1.46-1.60(m,8H),1.70(m,4H),2.73(dd,J＝2.1Hz,13.9Hz,2H),2.83(brt,4H),3.30(dd,J＝5.2Hz,13.9Hz,2H),3.45(m,2H),7.05(brt,4H),7.17(五重,4H),7.51(s,2H)。單體E根據(jù)以下反應(yīng)方案制備單體E：?jiǎn)误wE階段1在氮?dú)庀掠谑覝兀蜴V屑(15.42g，634mmol)和碘(3個(gè)丸粒)在無(wú)水乙醚(10ml)中的懸浮液，于2小時(shí)內(nèi)逐滴添加新戊基溴(77ml，601mmol)在無(wú)水乙醚(290ml)中的溶液，以便保持溫和回流，然后將混合物回流1小時(shí)，并然后冷卻至室溫。將所得格氏試劑逐滴添加到3-溴雙環(huán)[4.2.0]辛-1,3,5-三烯-7-酮(100g，510mmol)在無(wú)水乙醚(1000ml)中的溶液中，以便保持內(nèi)部溫度為～0℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝剡^(guò)夜，然后將其冷卻至0℃，用稀鹽酸(340ml，2M水溶液)淬滅，并使其溫?zé)嶂潦覝亍７蛛x有機(jī)相，用水(3×120ml)洗滌，用MgSO4干燥，并在減壓下去除溶劑從而得到橙色油狀物(134g)。通過(guò)氧化硅塞(用己烷:乙酸乙酯(95:5％)洗脫)純化所述油狀物從而得到橙色油形式的標(biāo)題化合物，其為兩種異構(gòu)體的混合物(111.1g，0.40mol，78％產(chǎn)率，通過(guò)1HNMR測(cè)得91.8％純度)。MS(EI)m/z270((Br81)M+,2％),268((Br79)M+,2),255((Br81)M+-OH,11),253((Br79)M+-OH,11),199((Br81)M+-新戊基,100),197((Br79)M+-新戊基,99)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]1.10(9H,s),1.81(d,J＝14.7Hz,1H),1.94(d,J＝14.7Hz,1H),3.16(d,J＝14.4Hz,1H),3.48(d,J＝14.4Hz,1H),7.07(d,J＝7.6Hz,1H),7.29(s,1H),7.37(d,J＝7.6Hz,1H)。單體E階段2在氮?dú)庀掠?℃，在1小時(shí)的時(shí)段內(nèi)將三氟乙酸(159ml，2062mmol)逐滴添加到單體實(shí)施例1階段1(111g，395mmol)和三乙基硅烷(67ml，416mmol)在己烷(325ml)中的溶液。將反應(yīng)溫?zé)嶂潦覝夭嚢?4小時(shí)。將反應(yīng)混合物倒入冰:水的溶液(2.3L)中并攪拌1小時(shí)直到冰融化并且層分離。用己烷(500ml)萃取水相，將合并的有機(jī)萃取液用水(3×600ml)、乙酸鈉(10％wt:vol，500ml)、水(3×600ml)洗滌，在MgSO4上干燥，并在減壓下去除溶劑，從而得到橙色油狀物(152.7g)。通過(guò)氧化硅塞(用己烷洗脫)純化所述油狀物從而得到黃色油形式的標(biāo)題化合物(103.64g，376mmol，通過(guò)1HNMR得到的純度為91.8％(為兩種異構(gòu)體的混合物并且含有2％的烯烴雜質(zhì)))。將硼烷·THF絡(luò)合物(123ml，123mmol)的溶液緩慢添加到單體實(shí)施例1階段2(103.64g，376mmol)在無(wú)水四氫呋喃(1L)中的溶液中，并將混合物加熱至50℃持續(xù)18小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫，添加二甘醇二甲醚(1.3L)，將混合物冷卻至0℃并逐滴添加乙酸(610ml)(觀察到泡騰)。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌過(guò)夜，然后加熱至110℃，蒸餾除去四氫呋喃，然后在110℃下將混合物加熱另外4小時(shí)，然后將其冷卻至室溫并攪拌過(guò)夜。向反應(yīng)混合物中添加水(200ml)，用己烷(4×1L)對(duì)其萃取，將合并的有機(jī)萃取液用水(6×1L)洗滌，在MgSO4上干燥并在減壓下去除溶劑，從而得到無(wú)色油狀物形式的標(biāo)題化合物。通過(guò)氧化硅塞(用己烷洗脫)純化所述油狀物從而得到無(wú)色油狀物形式的標(biāo)題化合物(92.87g，345mmol，通過(guò)1HNMR得到93.9％純度，為兩種異構(gòu)體的混合物)。MS(EI)m/z254((Br81)M+,3％),252((Br79)M+,2),57(100)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.99(s,9H),1.55(dd,J＝14.0Hz,8.8Hz1H),1.75(dd,J＝14.0Hz,5.2Hz,1H),2.78(dd,J＝14.2Hz,2.5Hz,1H),3.36(dd,J＝14.2Hz,5.2Hz,1H),3.47(dtd,J＝8.8Hz,5.2Hz,2.5Hz,1H),6.93(d,J＝8.0Hz,1H),7.19(s,1H),7.32(d,J＝8.0Hz,1H),單體E階段3在氮?dú)庀掠?78℃，向單體實(shí)施例1階段2(7.2g，26.4mmol)在無(wú)水四氫呋喃(70ml)的溶液中逐滴添加正丁基鋰(2.5M，在己烷中，11.0ml，27.5mmol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。將反應(yīng)混合物攪拌20分鐘并用水淬滅等分試樣，并通過(guò)GC-MS(BCBNp/BrBCBNp80/20)分析。以固體形式分批添加BP甲酯(4.35g，11.7mmol)以保持內(nèi)部溫度小于-74℃。使混合物緩慢升溫至室溫過(guò)夜；然后將其冷卻至5℃并通過(guò)逐滴添加HCl(2M水溶液)淬滅。在減壓下去除溶劑，用己烷萃取殘余物，將合并的有機(jī)萃取液用水洗滌，在MgSO4上干燥并在減壓下濃縮至干燥。在無(wú)任何進(jìn)一步純化的情況下，將粗制的單體E階段3用于下一步驟。單體E在氮?dú)庀掠?℃，向單體實(shí)施例1階段3(9.19g，13.4mmol)在無(wú)水二氯甲烷(40ml)中的溶液逐滴添加三氟化硼二乙基醚合物(8.23ml，66.9mmol)溶液，以維持內(nèi)部溫度小于5℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝?，攪拌過(guò)夜并然后小心地倒入冰:水(200ml)溶液中。一旦冰融化，分離各相，用二氯甲烷萃取水相，并將合并的有機(jī)萃取液在磷酸三鉀溶液(10％wt:vol，40ml)的水溶液上方攪拌30分鐘。分離有機(jī)相，并用水洗滌(50ml×3)，在MgSO4上干燥，過(guò)濾并吸附到上。將干燥的加載到氧化硅/塞上，并用己烷：二氯甲烷(9:1和6:4)的混合物洗脫，從而得到單體實(shí)施例1作為部分1(Frac1)以及單體實(shí)施例1階段3和部分2(Frac2)。在氮?dú)庀掠?℃，向部分2(3.0g，4.3mmol)在無(wú)水二氯甲烷(12ml)的溶液中逐滴添加三氟化硼二乙基醚合物(2.8ml，22.8mmol)的溶液，以保持內(nèi)部溫度小于5℃。使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝?，攪拌過(guò)夜并然后小心地倒入冰:水(50ml)溶液中。一旦冰融化，分離各相，用二氯甲烷萃取水相，將合并的有機(jī)萃取液在磷酸三鉀溶液(10％wt:vol，10ml)的水溶液上方攪拌30分鐘。分離有機(jī)相，并用水(20ml×3)洗滌，用MgSO4干燥，過(guò)濾并吸附到上。將干燥的加載到氧化硅/塞上，并用己烷:二氯甲烷(9:1)的混合物洗脫。將含有單體實(shí)施例1的部分合并，并且在減壓下減至干燥并與部分1合并。將所得固體依次從乙酸正丁酯:甲醇、然后甲苯：甲醇中再結(jié)晶，從而得到白色固體形式的單體E(1.93g，22％產(chǎn)率，通過(guò)HPLC測(cè)定為100％純度，為2種異構(gòu)體的混合物)。1H-NMR(600MHz,CDCl3):δH[ppm]0.97(s,18H).1.56(dd,J＝14.0Hz,8.7Hz,2H),1.75(dd,J＝14.0Hz,5.3Hz,2H),2.71(dd,J＝14.2Hz,2.3Hz,2H),3.28(dd,J＝14.2Hz,5.2Hz,2H),3.48(m,2H),6.79(s,2H),6.92(d,J＝7.8Hz,2H),6.98(dd,J＝7.8Hz,0.96Hz,2H),7.45(dd,J＝8.1Hz,1.6Hz,2H),7.49(d,J＝1.3Hz,2H),7.56(d,J＝8.1Hz,2H)聚合物實(shí)施例通過(guò)表1中所列單體的如WO00/53656中所述的Suzuki聚合制備聚合物。表1非聚合化合物反應(yīng)實(shí)施例1稱量17.7mg化合物實(shí)施例1和18.0mg如下所示的BCB化合物1，放入玻璃盤中。在空氣中將玻璃盤加熱至80℃，使兩種化合物熔化。然后在手套箱中(O2<0.1ppm)將玻璃盤加熱至175℃，并用磁力攪拌棒將混合物攪拌2小時(shí)。將所得混合物溶解并通過(guò)HPLC和LC-MS分析，其中將對(duì)應(yīng)于狄爾斯-阿爾德產(chǎn)物的峰歸一化為100％。非聚合物化合物反應(yīng)比較例1如實(shí)施例1中所述進(jìn)行反應(yīng)，區(qū)別在于使用16.9mg下面所示的比較化合物1代替化合物實(shí)施例1。參考圖2的HPLC跡線，通過(guò)實(shí)施例1的反應(yīng)(實(shí)線)產(chǎn)生的混合物包含比通過(guò)比較例1的反應(yīng)(虛線)產(chǎn)生的混合物顯著更少的起始材料。不希望受任何理論束縛，據(jù)認(rèn)為這是由于與比較化合物1相比化合物實(shí)施例1具有更高的反應(yīng)性。在比較例1的產(chǎn)物混合物中觀察到的保持時(shí)間在約2.5-3分鐘之間的峰歸因于其中BCB化合物1與其自身反應(yīng)形成二聚體的副反應(yīng)。在實(shí)施例1的產(chǎn)物混合物中觀察到很少的這種二聚體形成。再一次，不希望受任何理論束縛，據(jù)認(rèn)為化合物實(shí)施例1的高反應(yīng)性使得化合物實(shí)施例1與BCB化合物1之間的反應(yīng)顯著更順利于BCB化合物1的競(jìng)爭(zhēng)性二聚反應(yīng)。聚合物反應(yīng)實(shí)施例通過(guò)將可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料旋涂在玻璃基板上并退火形成35nm的空穴注入層。通過(guò)在空穴注入層上旋涂形成上表1聚合物的22nm層，并加熱至120℃-230℃的溫度持續(xù)1小時(shí)。然后將聚合物層浸泡在鄰二甲苯溶劑中持續(xù)5分鐘。通過(guò)比較在鄰二甲苯中浸泡之前和之后在376nm下的紫外-可見(jiàn)吸收光譜來(lái)測(cè)定浸泡時(shí)溶解的聚合物量。參考圖3，相比于含有無(wú)環(huán)雙鍵基團(tuán)的比較聚合物1或比較聚合物2的交聯(lián)，含有降冰片烯基團(tuán)的聚合物實(shí)施例1的交聯(lián)導(dǎo)致顯著更不可溶的材料。器件實(shí)施例制備具有以下結(jié)構(gòu)的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件：ITO/HIL(35nm)/HTL(22nm)/LE(65nm)/陰極，其中ITO是銦錫氧化物陽(yáng)極；HIL是空穴注入層；HTL是空穴傳輸層；LE是發(fā)光層；并且所述陰極包含與所述發(fā)光層接觸的氟化鈉層，以及銀層和鋁層。為了形成該器件，使用紫外線/臭氧清潔帶有ITO的基底。通過(guò)旋涂可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料的水性配制物并且加熱所形得層從而形成空穴注入層。通過(guò)旋涂表1的聚合物并通過(guò)加熱使聚合物交聯(lián)從而形成空穴傳輸層。通過(guò)旋涂包含式(VII)、(VIII)和(X)重復(fù)單元的藍(lán)色發(fā)光聚合物的組合物形成發(fā)光層。通過(guò)如下方式形成陰極：蒸鍍氟化鈉的第一層至約2nm的厚度，鋁的第二層至約100nm的厚度以及銀的第三層至約100nm的厚度。將空穴傳輸層在160℃下退火1小時(shí)；比較聚合物2除外，將其在170℃下退火1小時(shí)。參考圖4，使用不同的空穴傳輸層的光譜非常相似。參考圖5，對(duì)于不同的器件，在給定電壓下的電流密度是相似的。在所有情形中，實(shí)現(xiàn)10mA/cm2電流密度所需的電壓為3.7V。參考圖6，器件的亮度相對(duì)于電壓的跡線非常相似。在所有情形中，實(shí)現(xiàn)1000cd/m2的亮度所需的電壓均為3.7V。參考圖7，包含聚合物實(shí)施例1、2或3的器件的外部量子效率高于包含比較聚合物1或2的器件的外部量子效率。表2中提供了器件的壽命，其中Tn是視為壽命的在恒定電流下降至初始亮度的n％的時(shí)間。表2空穴傳輸層聚合物T95％(小時(shí))T90％(小時(shí))T80％(小時(shí))比較聚合物115.159.9269.4比較聚合物210.945.0228.5聚合物實(shí)施例112.249.8244.5聚合物實(shí)施例212.551.1256.6聚合物實(shí)施例313.758.5285.8含有聚合物實(shí)施例1的器件的T95、T90和T80壽命(所述聚合物實(shí)施例1含有降冰片烯交聯(lián)重復(fù)單元)比含有比較聚合物2的器件的T95、T90和T80壽命更長(zhǎng)，在所述比較聚合物2中聚合物實(shí)施例1的降冰片烯基團(tuán)被無(wú)環(huán)雙鍵基團(tuán)代替。白色器件實(shí)施例制備具有以下結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)發(fā)光器件：ITO/HIL/LE(R)/LE(G,B)/ETL/陰極，其中ITO是銦錫氧化物陽(yáng)極；HIL是空穴注入層；LE(R)是紅色發(fā)光層；LE(G,B)是綠色和藍(lán)色發(fā)光層；ETL是電子傳輸層；并且所述陰極包含與所述發(fā)光層接觸的氟化鈉層，鋁層和銀層。為了形成該器件，使用紫外線/臭氧清潔帶有ITO的基底。通過(guò)如下方式形成空穴注入層：旋涂可獲自NissanChemicalIndustries的空穴注入材料ND3202的水性配制物至約35nm的厚度并且加熱所得層。通過(guò)如下方式形成紅色發(fā)光層：將表3的聚合物旋涂至約20nm的厚度并通過(guò)加熱至表3中給出的溫度而使聚合物交聯(lián)。通過(guò)旋涂主體1、綠色磷光發(fā)射體1和藍(lán)色磷光發(fā)射體1的組合物至約75nm的厚度從而形成綠色和藍(lán)色發(fā)光層。通過(guò)旋涂如WO2012/133229中所述的包含電子傳輸單元1的銫鹽的聚合物至10nm的厚度從而形成電子傳輸層。通過(guò)如下方式形成陰極：蒸鍍氟化鈉的第一層至約2nm的厚度，鋁的第二層至約100nm的厚度以銀的第三層銀至約100nm的厚度。表3器件聚合物熱處理溫度(℃)比較器件4A比較聚合物4150比較器件4B比較聚合物4180器件實(shí)施例4聚合物實(shí)施例4150參考圖8和圖9，器件實(shí)施例4A的外部量子效率和電流密度比器件實(shí)施例4的外部量子效率和電流密度差得多。只有通過(guò)在顯著更高的溫度下加熱比較聚合物4才實(shí)現(xiàn)與器件實(shí)施例4相當(dāng)?shù)男屎碗娏髅芏?。雖然關(guān)于具體的示例性實(shí)施方案描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識(shí)到在不偏離下列權(quán)利要求所述的本發(fā)明范圍的情況下，本文所公開(kāi)特征的各種修改、改變和/或組合對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是明顯的。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3