專利名稱：薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其多層電路卷帶結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜覆晶封裝(Chip-On-Film packaging)技術(shù)，特別是 涉及一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其多層電路巻帶結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜廈晶封裝(Chip-On-Film， COF packaging)是一種能取代巻帶承載 封裝(Tape Carrier Package, TCP)的新一代技術(shù)，除了晶片接合技術(shù)的進 步之外，其余制程大致相同，.亦能以巻帶對巻帶傳輸(reel-to-reel)方式 移動適用薄膜覆晶封裝的電路巻帶。通常需要薄膜覆晶封裝的晶片具有更 微小的尺寸與更多數(shù)量的凸塊(即輸出/輸入電極端)，然而通常薄膜覆晶封 裝的電路巻帶僅為單層線路的結(jié)構(gòu)，即所有引腳皆是排列在同一層，故巻 帶內(nèi)引腳的設(shè)計空間有限，并且受限于機臺精準(zhǔn)度使《1腳間距不能無限制 縮小，因此只能加大變更晶片的尺寸，或是僅可封裝較低解析度的顯示器 驅(qū)動晶片。請參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖?，F(xiàn) 有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，是將一具有凸塊ll的晶片IO覆晶接合至一 單層電路巻帶100上，并令一封膠體30形成于該晶片10與該單層電路巻 帶100之間，以密封該些凸塊ll。請參閱圖2及圖3所示，圖2是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的電路 巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖，圖3是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的電路巻帶 結(jié)構(gòu)與晶片結(jié)合的透視示意圖。該單層電路巻帶100，具有復(fù)數(shù)個位于一覆 晶接合區(qū)101兩側(cè)的單排引腳120,該些引腳120是形成在一介電層110上 且被一防焊層130所局部覆蓋，該些引腳120顯露于該防焊層130的部位 則作為供該些凸塊11接合的凸塊接合端121，通常其接合處是為金-金 (Au-AuM建合較為常見。由于該些凸塊接合端121是低于該防焊層130，故該 防焊層130必須具有一尺寸略大于該覆晶接合區(qū)101的開孔131 (如圖3所 示)，以顯露所有的該些凸塊接合端121,否則該防焊層130在印刷時會流入 該覆晶接合區(qū)101而污染至該些凸塊接合端121,且會導(dǎo)致在覆晶接合時該 些凸塊11與該些凸塊接合端121無法順利鍵合。因此，該些引腳120位于 該覆晶接合區(qū)101內(nèi)的部位是被該開孔131全部棵露，當(dāng)延伸長度越長，顯 露部位也越多，該些引腳120容易在封裝制程中發(fā)生電性橋接與被微粒污
染的問題。故該些引腳120的可設(shè)計空間受限，存在有無法封裝高解析度 與高性能C0F產(chǎn)品的晶片的問題。中國臺灣專利公告第505315號"薄膜覆晶封裝構(gòu)造"即揭示了一種薄 膜覆晶封裝的單層電路巻帶，仍會遭遇上述相同的問題。另外，中國臺灣 專利公告第483076號"多層構(gòu)造的軟性電路板的制造方法"揭示了一種可 供覆晶接合的多層軟性電路板，不同層的金屬配線是以內(nèi)埋的金屬突起相 互電性連接，供晶片凸塊接合的表面顯露的金屬被膜仍是低于一位在最表 面的防焊層，配線復(fù)雜導(dǎo)致整體多層軟性電路板的成本甚高，并且對于凸 塊的鍵合力亦不佳。再者，中國臺灣新型專利第M269571號"多晶片薄膜 封裝構(gòu)造及其可撓性多層電路板"揭示了一種多層軟性電路板，在一介電 層上下表面的兩線路層分別可供復(fù)數(shù)個晶片的覆晶接合與打線接合，無法 整合作為單一 晶片的覆晶接合，仍然無法接合具有矩陣排列或兩排以上排 列的凸塊的晶片。由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝的電路巻帶結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上， 顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的 問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用 的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此 顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解^的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的薄膜覆晶封裝 構(gòu)造及其多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界 極需改進的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝的電路巻帶結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明 人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué) 理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其 多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝的電路巻帶結(jié)構(gòu)， 使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進 后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝的電路巻帶結(jié)構(gòu)存 在的缺陷，而提供一種新的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，所要解決 的技術(shù)問題是使其能接合一晶片的矩陣排列或多排(兩排以上)排列的凸 塊，在內(nèi)引腳間距可縮小的制程能力內(nèi)可以在覆晶接合區(qū)內(nèi)增加凸塊接合 端的數(shù)量或間距，在現(xiàn)行巻帶引腳制作能力下使該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)能夠 應(yīng)用于更高解析度或更高性能的薄膜覆晶封裝(COF)產(chǎn)品，從而更加適于實 用。本發(fā)明的次一目的在于，提供一種新的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶
結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其中在不同層引腳的第一凸塊接合端與第 二凸塊接合端是為條狀且均具有突出于防焊層的高度,使得防焊能夠簡單 印刷形成而不需要曝光顯影(無黃光制勒^Jl不需要使用貼附的孔對位，故可 達到該防烊層的低成本形成，不同層引腳各連接有突出的第 一 凸塊接合端 與第二凸塊接合端，在覆晶接合時有利于凸塊的接合，從而更加適于實用。本發(fā)明的另 一 目的在于，提供一種新的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶 結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其中該些第一層引腳與該些第二層引腳各 具有復(fù)數(shù)個第 一外接合端與第二外接合端，如同第 一 凸塊接合端與第二凸 塊接合端亦顯露于防焊層之外的同一表面，而可供封裝高密度顯示器驅(qū)動 晶片，從而更加適于實用。本發(fā)明的還一目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其電路巻帶具 有多層引腳，以達到高密度微間距的覆晶接合在電路薄膜上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其上表面是定義有一覆晶接合區(qū)，該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)包含 一第一介電層；復(fù)數(shù)個第一層 引腳，其形成于該第一介電層上； 一第二介電層，其形成于該第一介電層 上并覆蓋該些第一層引腳；復(fù)數(shù)個第二層引腳，其形成于該第二介電層上 且與該些第一層引腳為電性隔離；以及一防焊層，其形成于該第二介電層 上并覆蓋該些第二層引腳；其中，該些第一層引腳與該些第二層引腳各具 有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第 一凸塊接合端與第二凸塊接合端，其形成于該覆晶接合 區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其中所述的該些第一凸塊 接合端與該些第二凸塊接合端是為條狀且均具有突出于該防焊層的高度。 前述的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其中所述的該些第一層引 腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個第 一外接合端與第二外接合端，其顯露 于該防焊層之外。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其包含 一多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其上表 面定義有一覆晶接合區(qū)； 一晶片，其具有復(fù)數(shù)個凸塊并接合至該覆晶接合 區(qū)；以及一封膠體，其形成于該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)與該晶片之間；其中，該 多層電路巻帶結(jié)構(gòu)包含 一第一介電層；復(fù)數(shù)個第一層引腳,其形成于該 第一介電層上； 一第二介電層，其形成于該第一介電層上并覆蓋該些第一層 引腳；復(fù)數(shù)個第二層引腳，其形成于該第二介電層上且與該些第一層引腳 為電性隔離；以及一防焊層，其形成于該第二介電層上并覆蓋該些第二層
引腳；其中，該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第一凸塊接合端與第二凸塊接合端，其形成于該覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層 之外。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一凸塊接合端與該些第 二凸塊接合端是為條狀，且均具有突出于該防焊層的高度。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一層引腳與該些第二層 弓1腳各具有復(fù)數(shù)個第 一外接合端與第二外接合端，其顯露于該防焊層之外。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達 到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其上表 面定義有一覆晶接合區(qū)，復(fù)數(shù)個第一層引腳是形成于一第一介電層上，一第 二介電層是形成于該第一介電層上并覆蓋該些第一層引腳，復(fù)數(shù)個第二層 引腳是形成于該第二介電層上且與該些第一層引腳為電性隔離， 一防焊層 是形成于該第二介電層上并覆蓋該些第二層引腳。其中，該些第一層引腳 與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第 一 凸塊接合端與第二凸塊接合端，其是形成于該覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點1、 本發(fā)明的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，利用一介電層是電性 隔離復(fù)數(shù)個第一層引腳與復(fù)數(shù)個第二層引腳，且該些第一層引腳與該些第 二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第 一 凸塊接合端與第二凸塊接合端，其是形 成于一覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于一防焊層之外，故能接合一晶片的矩陣排列 或多排(兩排以上)排列的凸塊，在內(nèi)引腳間距可縮小的制程能力內(nèi)可以在 覆晶接合區(qū)內(nèi)增加凸塊接合端的數(shù)量或間距，在現(xiàn)行巻帶引腳制作能力下 可使該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)能夠應(yīng)用于更高解析度或更高性能的薄膜覆晶封裝(C0F)產(chǎn)品，非常適于實用。2、 本發(fā)明的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其中在不同層引腳的 第一凸塊接合端與第二凸塊接合端是為條狀且均具有突出于防焊層的高 度，使得防焊層能簡單印刷形成而不需要曝光顯影(無黃光制程)或是不需 要使用貼附的孔對位，故連接不同層引腳且突出的第一凸塊接合端與第二 凸塊接合端可達到該防焊層的低成本形成又在覆晶接合時有利于凸塊的接 合。3、 本發(fā)明的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其中該些第一層引腳 與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個第 一外接合端與第二外接合端，如同第一 凸塊接合端與第二凸塊接合端亦顯露于防焊層之外的同一表面，可供封裝 高密度顯示器驅(qū)動晶片。 4、本發(fā)明的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，利用一介電層是電性隔離復(fù)數(shù)個第一 層引腳與復(fù)數(shù)個第二層引腳以組成多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，每一層引腳各連接有突出在同一防焊層表面之一凸塊接合端，以達到高密度微間距^a晶接綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，主要 包含有一第一介電層、復(fù)數(shù)個形成于一第一介電層上的第一層引腳、 一覆蓋該些第一層引腳的第二介電層、復(fù)數(shù)個形成于該第二介電層上的第二層 引腳、以及一覆蓋該些第二層引腳防焊層的防焊層。其中，該些第一層引 腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第一凸塊接合端與第二凸塊接合 端，其是形成于一覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外，而可以提升薄膜覆 晶封裝產(chǎn)品的解析度或性能。較佳地，第一凸塊接合端與第二凸塊接合端 是為條狀且均具有突出于防焊層的高度，可以降低防焊層的成本。本發(fā)明 具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改 進，在技術(shù)上有顯著的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)具有增進的突出功效，從而更加適于實用，并 具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細i兌明如下。


圖i是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖2是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的電路巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖。 圖3是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的電路巻帶結(jié)構(gòu)與晶片結(jié)合的透視示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例， 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造的多層電路 巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)與一晶片結(jié)合 的透視示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例， 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造使用該多層 電路巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖。102030晶片11:凸塊的片 21:凸塊封膠體 4G:封膠體100:單層電路巻帶 101:覆晶接合區(qū) 110:介電層121:凸塊接合端 131:開孔201:覆晶接合區(qū) 220:第一層引腳 222:第一外接合端 240:第二層引腳 242:第二外接合端120:引腳 130:防焊層200:多層電路巻帶結(jié)構(gòu) 210:第一介電層 221:第一凸塊接合端 230:第二介電層 241:第二凸塊接合端 250:防焊層具體實施方式
為更進一步闡迷本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜覆晶封裝的多層 電路巻帶結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。依據(jù)本發(fā)明的一具體實施例，請參閱圖4、圖5所示，圖4是一種薄膜 覆晶封裝構(gòu)造的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖，圖5是該多層電路巻帶 結(jié)構(gòu)與一晶片結(jié)合的透視示意圖。請參閱圖5所示，本發(fā)明具體較佳實施例的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200,在 其上表面是定義有一覆晶接合區(qū)201，其尺寸約略等同一晶片20的主動面 (如圖6所示)。并且請結(jié)合參閱圖4所示，該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200包含 有一第一介電層210、復(fù)數(shù)個第一層引腳220、 一第二介電層230、復(fù)數(shù)個 第二層引腳240以及一防焊層250;其中該第一介電層210與該笫二介電層230,是作為該些第一層引腳220與 該些第二層引腳240的載體，其材質(zhì)可為聚酰亞胺(polyimide， PI)。該些第一層引腳220,是形成于該第一介電層210上，大部份的每一第 一層引腳220具有一第一凸塊接合端221與一第一外接合端222。該第二介電層230,是形成于該第一介電層210上并覆蓋該些第一層引 腳220。該些第二層引腳240,是形成于該第二介電層230上，并且藉由該第二 介電層230的間隔使該些第二層引腳240與該些第一層引腳220為電性隔 離。其中，大部份的每一第二層引腳具有一第二凸塊M端241與一第 二外接合端242。該防焊層250，是形成于該第二介電層230上，并覆蓋該些第二層引腳240。其中，該些第一凸塊接合端221與該些第二凸塊接合端241，均是形成 于該覆晶接合區(qū)201內(nèi)，且顯露于該防焊層250之外。此外，在本實施例中，上述該些第一外接合端222與該些第二外接合端242，是扇出狀介軟并顯露于該防焊層250之外，如同該些第一凸塊接合 端221與該些第二凸塊接合端241這般均顯露在該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200 的上表面，以供封裝高密度顯示器驅(qū)動晶片20。請再參閱圖4所示，較佳地，該些第一凸塊接合端221與該些第二凸 塊接合端241是為條狀且均具有突出于該防焊層250的高度，例如可利用 電鍍制程形成該些第一凸塊接合端221與該些第二凸塊接合端241的增厚 突出部位。因此，該防焊層250能夠選用非感光性不導(dǎo)電油墨，以網(wǎng)板印 刷或鋼板印刷等方式簡單形成于該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200的上表面(即覆晶 接合面)，不需要曝光顯影(無黃光制程)以形成開孔(如圖5所示)，或是不 需要使用貼附方式的孔對位，即可顯露預(yù)定面積的該些第一凸塊接合端221 與該些第二凸塊接合端241，并能夠防止該些第一凸塊接合端221與該些第 二凸塊接合端241間的橋接導(dǎo)致電性短路，且能避免微粒污染至該覆晶接 合區(qū)201引起的電信干擾。故利用連接不同層引腳且突出的第一凸塊接合 端221與第二凸塊接合端241，自然可外露在該防焊層250之表面，不需要 曝光顯影的工程，并可在覆晶接合時有利于凸塊21的內(nèi)接腳接合，故可以 達到該防焊層250的低成本形成，。請參閱圖5及圖6所示，圖5是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，該多層 電路巻帶結(jié)構(gòu)與一晶片結(jié)合的透視示意圖，圖6是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實 施例， 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造使用該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)的截面示意圖。 一晶 片20，是具有矩陣排列或多排(兩排以上)排列的凸塊21，可覆晶接合于該 多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200的該覆晶接合區(qū)201，該些凸塊21是接合至該些連 接于不同層引腳且突出的第一凸塊接合端221與第二凸塊接合端241。在本 實施例中，該些第一凸塊接合端221與該些第二凸塊接合端241的增厚突 出部位是為短條狀，其長度可略大于該些凸塊21，而其寬度是可略小于該 些凸塊21。并且，可以點涂或其它方式將一封膠體40形成于該多層電路巻帶結(jié)構(gòu) 200與該晶片20之間，以制成一薄膜覆晶封裝構(gòu)造(如圖6所示)。因此，在 內(nèi)引腳間距可縮小的制程能力內(nèi)可以在覆晶接合區(qū)201內(nèi)增加凸塊接合端 221、 241的數(shù)量或間距，即在同一覆晶接合區(qū)201的區(qū)域內(nèi)可容納更多凸 塊接合端"l、 241的數(shù)量，而使得該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)200能夠應(yīng)用于更 高解析度或更高性能的COF(薄膜覆晶封裝)產(chǎn)品?；蛘撸?dāng)凸塊21接合端 的數(shù)量固定時，引腳設(shè)計空間變大，故利用位于不同層的第一層引腳220 與第二層引腳240，可使該些第一凸塊接合端221與該些第二凸塊接合端 241的間隔亦隨之變大，不需要使用高精度機臺即可進行覆晶接合作業(yè)，非 常適于實用。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式
上的限制，雖然本發(fā)明已以專炎佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜覆晶封裝的多層電路卷帶結(jié)構(gòu)，其特征在于其上表面是定義有一覆晶接合區(qū)，該多層電路卷帶結(jié)構(gòu)包含一第一介電層；復(fù)數(shù)個第一層引腳，其形成于該第一介電層上；一第二介電層，其形成于該第一介電層上并覆蓋該些第一層引腳；復(fù)數(shù)個第二層引腳，其形成于該第二介電層上且與該些第一層引腳為電性隔離；以及一防焊層，其形成于該第二介電層上并覆蓋該些第二層引腳；其中，該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第一凸塊接合端與第二凸塊接合端，其形成于該覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外。
2、 根椐權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其特征 在于其中所述的該些第一凸塊接合端與該些第二凸塊接合端是為條狀且均具有突出于該防焊層的高度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝的多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個第一外接 合端與第二外接合端，其顯露于該防焊層之外。
4、 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其包含 一多層電路巻帶結(jié)構(gòu)，其上表面定義有一覆晶接合區(qū)； 一晶片，其具有復(fù)數(shù)個凸塊并接合至該覆晶接合區(qū)；以及 一封膠體，其形成于該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)與該晶片之間； 其中，該多層電路巻帶結(jié)構(gòu)包含一第一介電層；復(fù)數(shù)個第一層引腳，其形成于該第一介電層上；一第二介電層，其形成于該第一介電層上并覆蓋該些第一層引腳；復(fù)數(shù)個第二層引腳，其形成于該第二介電層上且與該些第一層引腳為電性隔離；以及一防焊層，其形成于該第二介電層上并覆蓋該些第二層引腳；其中，該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第一凸塊接合端與第二凸塊接合端，其形成于該覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 該些第一凸塊接合端與該些第二凸塊接合端是為條狀，且均具有突出于該 防焊層的高度。
6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個第一外接合端與第二外接 合端，其顯露于該防焊層之外。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造及其多層電路卷帶結(jié)構(gòu)，多層電路卷帶結(jié)構(gòu)主要包含有一第一介電層、復(fù)數(shù)個形成于一第一介電層上的第一層引腳、一覆蓋該些第一層引腳的第二介電層、復(fù)數(shù)個形成于該第二介電層上的第二層引腳、以及一覆蓋該些第二層引腳防焊層的防焊層。其中，該些第一層引腳與該些第二層引腳各具有復(fù)數(shù)個對應(yīng)的第一凸塊接合端與第二凸塊接合端，其是形成于一覆晶接合區(qū)內(nèi)且顯露于該防焊層之外，可以提升薄膜覆晶封裝產(chǎn)品的解析度或性能。較佳地，第一凸塊接合端與第二凸塊接合端是為條狀且均具有突出于防焊層的高度，可以降低防焊層的成本。
文檔編號H01L23/498GK101131987SQ20061011127
公開日2008年2月27日 申請日期2006年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者劉孟學(xué), 王豪勛 申請人:南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司