專利名稱：增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及制造方法
增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及制造方法 技術(shù)領(lǐng)城
本發(fā)明涉及一種薄化與可簡(jiǎn)化制程的板上晶片型(Chip~0n-Board, COB) 封裝構(gòu)造，特別是涉及一種增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造 及其制造方法。
在大宗量制化的^M^^封裝構(gòu)造中，特別是記憶體晶片的封裝,持續(xù)追 求的先進(jìn)封裝技術(shù)是希望能以簡(jiǎn)化的制程封裝更高頻、運(yùn)算速度更快的集 成電路晶片。目前針對(duì)第二代高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DDR II)及更 先進(jìn)的記憶體晶片是采用板上晶片型(Chip-0n-Board， COB)封裝(或可稱為 B0C或window BGA等)，晶片直接貼附于基板上，以打線形成的焊線(bonding wire)通過(guò)基板的槽孔以電性連接晶片與基板，再在基板下方接上焊球以供 對(duì)外表面接合，才瞎t于以往^Ml導(dǎo)線架的薄型小尺寸封裝(TSOP)封裝產(chǎn)品，不需 要由封膠體側(cè)邊延伸的外接腳，故有著更短的電傳導(dǎo)路徑。請(qǐng)參閱

圖1所示，是一種現(xiàn)有習(xí)知的板上晶片(COB)型集成電路封裝構(gòu) 造的截面示意圖?，F(xiàn)有習(xí)知的板上晶片(COB)型集成電路封裝構(gòu)造100，主要 包舍一基板110、 一晶片120、復(fù)數(shù)個(gè)焊線140、 一封膠體150以及復(fù)數(shù)個(gè) 焊球160。請(qǐng)配合參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知的板上晶片型集成電路封裝構(gòu)造的 制作流程方塊圖?，F(xiàn)同時(shí)說(shuō)明現(xiàn)有習(xí)知的板上晶片(COB)集成電路封裝構(gòu)造 IOO的制造流程。在"提供基板"的步驟ll中，該基板110具有一第一^ 111、 一第J^^面112及一可供焊線140通過(guò)的狹長(zhǎng)槽孔113，通常該基板110 是為硬質(zhì)印刷電路板。接著，在"粘晶"的步驟12中，利用一膠膜型粘晶層130將該晶片120 的一主動(dòng)面121粘貼于該基板110的該第一表面111，其中該晶片120的該 主動(dòng)面121是形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊122,該狹長(zhǎng)槽孔13顯露出所有的該些焊 墊122。之后，在"打線電性連接"的步驟13中，利用打線技術(shù)使該些焊線140 是通過(guò)該狹長(zhǎng)槽孔113電性連接該晶片120的該些焊墊122與該基板110 的線路層14的內(nèi)接墊。之后，在"封膠"步驟14中.以壓模技術(shù)形成該封膠體150,以密封 該晶片120與該些焊線140
最后，在"植球"步驟15中，該些焊球160是接合于該基板U0的該 線路層114的復(fù)數(shù)個(gè)球墊而設(shè)置該基板110的該第二表面112。在切割單離之后制得的該封裝構(gòu)造100，為可對(duì)外表面接合(Surface Mount Technology,)至一外部印刷電路板，例如主機(jī)板、通訊板或記憶體模 組基板。然而，該些焊線140的長(zhǎng)度不利于高頻傳輸，且制程步驟較多。此外，希 望封裝產(chǎn)品能更加薄化、輕量化與適用高頻封裝。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制 造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了 解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以 來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu) 及方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何 能創(chuàng)設(shè)一種新的增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方 法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法存在的缺陷，本發(fā) 明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合 學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的 高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的集成電路封裝 構(gòu)造及其制造方法，使其更具有實(shí)用.1^經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試 作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法 存在的缺陷，而提供一種新的高頻集成電絲^封裝構(gòu)造及其制造方法，所要 解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以達(dá)到降低制程復(fù)雜度及增加量產(chǎn)速度，且具有 電性傳導(dǎo)路徑短、防止沖線以及封裝薄化的功效，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新的高頻集成電路封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其利用內(nèi) 接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)懸空于凸塊容置孔的一端，而可以利于晶片的凸塊接合，從 而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的再一目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新的高頻集成電路封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以達(dá) 到嵌埋凸塊低溫鍵結(jié)的功效，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種高頻集成電路封裝構(gòu)造，其包含 一基板.其具有一第 一表面， 一第二表面以及復(fù)敖個(gè)凸塊容置孔，其中每一凸塊容置孔在第二表
面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)； 一晶片，其具 有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊，該晶片設(shè)置于該基板的該第 一表面上，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)； 一封膠體，其局部 形成于該基板的該第二表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；以及復(fù)數(shù)個(gè)外 接端子，其設(shè)置于該基板的該第二表面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的該些內(nèi)接墊具有一環(huán)形框 以及復(fù)數(shù)個(gè)由該環(huán)形框延伸至該些凸塊容置孔內(nèi)的網(wǎng)線部位，且該些內(nèi)接 墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是為懸空。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其另包含有一焊接物質(zhì)，以接合該些凸 塊與該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的基板的該第二表面形成有 一線路層與一防焊層，該線路層包含有該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，該防焊 層局部覆蓋該線路層。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造,其中所述的該些外接端子包含焊球，其 設(shè)置于該線路層的該些外接墊上。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的基板是為一單層可撓性電 路基板。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其包括以下步驟提供 一基板，其具有一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中每 一凸塊容置孔在第二表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng) 狀結(jié)構(gòu)；設(shè)置一晶片于該基板的該第一表面上，該晶片具有一主動(dòng)面以及復(fù) 數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)；局部 形成一封膠體于該基板的該第二表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；以及 設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)外接端子于該基板的該第二表面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路去t^^i6々,腿方法，其中在進(jìn)行粘晶步驟，藉由一 粘晶層是結(jié)合該晶片的該主動(dòng)面與該基板的該第 一表面。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其中在粘晶同時(shí)或之前，一 焊接物質(zhì)是為熔融以電性連接該些凸塊與該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板的該第二 表面是形成有一線路層，以連接該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，并且該些外接 端子包舍焊球，以設(shè)置于該些外接墊上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下枝十:方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依 椐木發(fā)明提出的一種高頻集成電路封裝構(gòu)造，其包含 一基板，其具有一第
一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中每一凸塊容置孔的底部設(shè)有一內(nèi)接墊，在該些內(nèi)接墊的表面形成有一軟焊層； 一晶片，其具有一主動(dòng) 面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊；以及一粘晶物質(zhì)，其是結(jié)合該晶片的 該主動(dòng)面與該基板的該第一表面，并且該些凸塊是容置千對(duì)應(yīng)的該些凸塊 容置孔內(nèi)，并藉由該軟焊層電性連接該些凸塊與該些內(nèi)接墊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的的該些內(nèi)接墊是為懸空金 屬墊，且具有延伸至該些凸塊容置孔內(nèi)的部位。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的基板的該第二表面形成有 一線路層與 一防焊層，該線路層包舍有該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，該防焊層 局部覆蓋該線路層。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造,其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊球,其設(shè)置于該線 路層的復(fù)數(shù)個(gè)外接墊上且位于該基板的該第二表面。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中所述的基板是為一單層可撓性電 路基板。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其另包含有一第一封膠體，其形成于該 基板的該第二表面，以密封該軟焊層與該些內(nèi)接墊。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含有一第二封膠體，其形成于該基 板的該第一表面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外再采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其包括以下的步 驟:提供一基板，其具有一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其 中每一凸塊容置孔的底部設(shè)有一內(nèi)接墊，在該些內(nèi)接墊的表面形成有一軟 焊層；提供一晶片，其具有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊；以及 進(jìn)行一粘晶步驟，藉由一粘晶物質(zhì)是結(jié)合該晶片的該主動(dòng)面與該基板的該 第一表面，并且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔內(nèi)，在粘晶同時(shí) 或之前，該軟焊層是熔融以電性連接該些凸塊與該些內(nèi)接墊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其另包含有一封膠步驟，是 形成一第一封膠體于該基板的該第二表面，以密封該軟焊層。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的該些內(nèi)接墊是 為懸空金屬墊，且具有延伸至該些凸塊容置孔內(nèi)的部位,.前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板的該第二 表面形成有一線路層，其包含有該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，并另包含有 一植球步驟，其設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)焊球于該線路層的復(fù)數(shù)個(gè)外接墊上且位于該基 板的該第二表面.
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果?，F(xiàn)結(jié)合技術(shù)方案 說(shuō)明如下。由以上的技術(shù)方案可知，依據(jù)本發(fā)明一種高頻集成電路封裝構(gòu) 造，主要包含一基板、 一晶片、 一封膠體以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子。該基板具有 一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中每一凸塊容置孔在 第二表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。該晶片 具有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊，該晶片設(shè)置于該基板的該 第一表面上，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)。該封膠體是局部 形成于該基板的該第二表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。該些外接端 子設(shè)置于該基板的該第二表面。本發(fā)明另揭示了前述的高頻集成電路封裝 構(gòu)造的制造方法，其能夠在一晶片設(shè)置步驟中同時(shí)電性連接該晶片與該基 板，可以簡(jiǎn)化制程步驟，并可確保凸塊嵌埋的薄型外觀。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該些內(nèi)接墊具有一環(huán)形框以及復(fù) 數(shù)個(gè)由該環(huán)形框延伸至該些凸塊容置孔內(nèi)的網(wǎng)線部位。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含一粘晶層，其是結(jié)合該晶片的該 主動(dòng)面與該基板的該第 一表面。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含有一焊接物質(zhì)，以接合該些凸塊 與該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是為懸空。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板的該第二表面形成有一線 路層，其包含有該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板的該第二表面形成有一防 焊層，以局部覆蓋該線路層。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該些外接端子包含焊球，其是設(shè)置 于該線路層的該些外接墊上。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板是為一單層可撓性電路基板。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該晶片是為一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶 體晶片。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)形狀是選 自于中心收斂網(wǎng)狀、方格網(wǎng)狀與同心圓網(wǎng)狀的其中之一。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例變4t另揭示了4高頻集成電路封裝構(gòu)造，主要包 含一基板、 一晶片以及一粘晶物質(zhì)p該基板具有一第一表面、 一第二表面 以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中每一凸塊容置孔的底部設(shè)有一內(nèi)接墊，在該些 內(nèi)接墊的表面形成有一軟焊層，該晶片M—主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上 的凸塊，該粘晶物質(zhì)是結(jié)合!'玄晶片的該主動(dòng)面與該基板的該第 一 表面，并且 該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔內(nèi)，并藉由該軟焊層電性連接該 些凸塊與該些內(nèi)接墊。本發(fā)明另揭示了前述的板上晶片型封裝構(gòu)造的制造 方法，其能夠在一粘晶步驟中同時(shí)電性連接該晶片與該基板，可以簡(jiǎn)化制 程步驟，并確保凸塊嵌埋的薄型外觀。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造,其中該些內(nèi)接墊是為環(huán)形且具有延伸 至該些凸塊容置孔內(nèi)的部位。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該些內(nèi)接墊是為懸空金屬墊。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板的該第二表面形成有一線 路層，其包含有該些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板的該第二表面形成有一防 焊層，以局部覆蓋該線路層。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其是設(shè)置于該線 路層的復(fù)數(shù)個(gè)外接墊上且位于該基板的該第二表面。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其中該基板是為 一單層可撓性電路基板。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含有一第一封膠體，其是形成于該 基板的該第二表面，以密封該軟焊層與該些內(nèi)接墊。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，另包含有一第二封膠體，其是形成于該 基板的該第一表面。前述的高頻集成電路封裝構(gòu)逸，其中該晶片是為 一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶 體晶片。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、 本發(fā)明高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法，可以達(dá)到降低制程復(fù) 雜度及增加量產(chǎn)速度，且具有電性傳導(dǎo)路徑短、防止沖線以及封裝薄化的 功效，從而更加適于實(shí)用。2、 本發(fā)明的高頻集成電路封裝構(gòu)造，借由利用內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)懸空 于凸塊容置孔的一端，而可有利于晶片的凸塊接合，從而更加適于實(shí)用。3、 本發(fā)明的高頻集成電路封裝構(gòu)造，可以達(dá)到嵌埋凸塊低溫鍵結(jié)的功 效，從而更加適于實(shí)用,，綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封 裝構(gòu)造及其制造方法。該增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造，主 要包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔的基板、 一設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的晶片， 一封 膠體以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子。其中每一凸塊容置孔在其中一表面的一端設(shè)冇 一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或一軟焊縣，該晶片是設(shè)置于該
基板上，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)。該封膠體是局部覆蓋該 基板的表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。藉由上述懸空的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以 易于低溫接合晶片的凸塊，而能夠降低制程復(fù)雜度，且具有電性傳導(dǎo)路徑短、防止沖線以及去樣薄化的功^L ^明M上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其 不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在^U^上有顯著的進(jìn) 步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造及其制造方 法具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng) 為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。附困說(shuō)明圖1是現(xiàn)有習(xí)知的板上晶片(COB)型集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。 圖2是現(xiàn)有習(xí)知的板上晶片型集成電路封裝構(gòu)造的制作流程方塊圖。 圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，一種高頻集成電路封裝構(gòu)造的截 面示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的制作流程方塊圖。 圖6是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，制作該封裝構(gòu)造在粘晶步驟中的 截面示意圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種高頻集成電路封裝構(gòu)造的 截面示意圖。圖8是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。圖9是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例， 一種增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻 集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖10是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。圖11是依據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例，另一種增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的 高頻集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖12A是依據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。圖1 2B是依據(jù)木發(fā)明的第四異休實(shí)拖例，該封裝構(gòu)造的基H內(nèi)接墊的
一變化示意圖1113 15 22 24 110: 112: 114 121: 130 150 200 211 213提供基板打線電性連接植球粘晶同時(shí)接合凸塊植球基板第二表面線路層主動(dòng)面粘晶層封膠體板上晶片型封裝構(gòu)造 第一表面 凸塊容置孔 214A:內(nèi)延伸部位 216:線路 220:軟焊層 231:主動(dòng)面 233:凸塊 251:第一封膠體 260:焊球 310:基板 312:第二表面 314:內(nèi)接墊 315:外接墊 320:軟焊層 331:主動(dòng)面 333:凸塊 350:封膠體400:高頻集成電路封裝構(gòu)造411:第一表面413:凸塊容置孔414A:環(huán)形框415:外接墊417:防焊罷2:祐晶 4:封膠1:提供基板 3:封膠00: COB集成電路封裝構(gòu)造 ll:第一表面 13:狹長(zhǎng)槽孔 20:晶片 22:焊墊 40:焊線 60:外接端子 10:基板 212:第二表面 214:內(nèi)接墊 215:外接墊 217:防焊層 230:晶片 232:焊墊 240:粘晶物質(zhì) 252:第二封膠體 300:板上晶片型封裝構(gòu)造 311:第一表面 313:凸塊容置孔 314A:系桿 316:防焊層 330:晶片 332:焊墊 340:粘晶物質(zhì) 360:焊球 410:基板 412:第二表面 414:內(nèi)接墊 414B:網(wǎng)線部位 416:線路 420:晶片421:主動(dòng)面422:焊墊423:凸塊430:封膠體440:外接端子450:粘晶層460:第二封膠體500:高頻集成電路封裝構(gòu)造510:基板511:第一表面512:第二表面513:凸塊容置孔514:內(nèi)接墊514A:網(wǎng)線部位515:外接墊520:晶片521:主動(dòng)面522:焊墊523:凸塊530:封膠體540:外接端子550:第二封膠體560:焊接物質(zhì)具體實(shí)施方式
為了更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及其 功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的增進(jìn)嵌埋凸塊接合 性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方 法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。請(qǐng)參閱圖3所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例， 一種高頻集成電 路封裝構(gòu)造的截面示意圖。在本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中，該高頻集成電路 封裝構(gòu)造200，主要包含一形成有軟焊層220的基板210、 一凸塊化晶片230 以及一粘晶物質(zhì)240。該基板210，具有一第一表面211、 一第二表面212以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容 置孔213。在本實(shí)施例中，該基板210的該第二表面212是形成有一線路層 216，其包含有復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接墊214與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊215，其中該些內(nèi)接墊214 的位置是設(shè)于對(duì)應(yīng)凸塊容置孔213在朝向該第二表面212的底部。此外，在 該些內(nèi)接墊2M的表面形成有一軟焊層220，例如錫、錫鉛、無(wú)鉛錫骨等熔 點(diǎn)在攝氏四百度以下的焊接劑，而該軟焊層220的形成方法則可采用電鍍 或是印刷技術(shù)據(jù)以實(shí)施。另外，在該基板210的該第二表面212可形成有一 防焊層217，以局部覆蓋該線路層216,但至少顯露該些內(nèi)接墊214的其中 一部分與該些外接墊215的其中一部分(如圖3所示)。較佳地，該基板210 是為一單層可撓性電路基板，有利于封裝薄化與輕量化,.該晶片230,具有一主動(dòng)面23以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面231上的凸塊233。 而該些凸塊233是電性接至該晶片230內(nèi)部的集成電路元件(圖未繪出)，作 為該晶H 23()的對(duì)外電極端.在本實(shí)施例中，該晶片230可為一動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取記憶體晶H 230,如第二代高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體①DR in 、第 三代高速同步動(dòng)態(tài)隨才幾存取記憶體(DDR III)、新型高速記憶體結(jié)構(gòu) (Rambus)等頻率超過(guò)400MHz的高頻記憶體晶片230。另外，該些凸塊233 可為打線形成的結(jié)線凸塊233 (stud bump)，直接接合于該晶片230的復(fù)數(shù) 個(gè)焊墊232 (可為中央焊墊或周邊焊墊)，而該些結(jié)線凸塊233的線尾截?cái)喽?是可往對(duì)應(yīng)的該些內(nèi)接墊214靠近，以利于該軟焊層220的軟焊接合。該粘晶物質(zhì)240，是結(jié)合該晶片230的該主動(dòng)面231與該基板210的該 第一表面211。該粘晶物質(zhì)240可選自于多階固化膠、聚酰亞胺(PI)粘性 膠膜、環(huán)氧粘歐的其中一。其中，較佳地，該粘晶物質(zhì)240是為多階固化膠可 先以液態(tài)印刷于該基板210的第一表面211上；經(jīng)預(yù)烘烤后，成為B階粘膠 層(&"Stage adhesive);在^^合下可粘性結(jié)合該晶片230的該主動(dòng)面231。并 且，該些凸塊233是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔213內(nèi)，并藉由該軟焊層 220電性連接該些凸塊233與該些內(nèi)接墊214。由于該軟焊層220利用粘晶時(shí) 的加熱溫度即可達(dá)到熔融，完成該晶片230與該基板210之間的電性連接，故 可省略以往的打線電性連接步驟，而具有制程簡(jiǎn)化的方便性。此外，該些 凸塊233能嵌埋于該些凸塊容置孔213并直接焊接于該基板210的該線路 層216 (內(nèi)接墊214),使該板上晶片230型封裝構(gòu)造200具有較薄厚度、更輕 量^^^i的電性傳導(dǎo)路徑，特別適用于低成本大量封裝高頻記憶體晶片230 的應(yīng)用。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3所示，在前述的板上晶片230型封裝構(gòu)造200中可另包含 有一第一封膠體251、 一第二封膠體252以及復(fù)數(shù)個(gè)焊球260。該第一封膠 體251是可點(diǎn)膠形成于該基板210的該第^r^面212，以密去til^U^層220。該 第二封膠體252是形成于該基板210的該第一表面211，其是圍繞該晶片230的 四周，以P方j(luò)h7jc氣侵入至該粘晶物質(zhì)240產(chǎn)生水解；在不同的實(shí)施例中，當(dāng)該 粘晶物質(zhì)240具有防水性時(shí)，則可不需要形成該第二封膠體252。該些焊球 260是設(shè)置于該線路層216的該些外接墊215上且位于該基板210的該第二 表面212，以供對(duì)外接合；在不同的實(shí)施例中，可利用錫骨、金屬球、金屬 栓或異方性導(dǎo)電膜(ACF)導(dǎo)電膠置換該些焊球260。請(qǐng)參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板 內(nèi)接墊示意圖。較佳地，該些內(nèi)接墊214，是為環(huán)形且每一內(nèi)接墊214具有 一內(nèi)延伸部位214A,其是延伸至對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔213內(nèi)，以利于在其 表面的軟焊層220在粘晶時(shí)濕潤(rùn)接合至該些凸塊233。在本實(shí)施例中，該些 內(nèi)接墊214的內(nèi)延伸部位214A是為內(nèi)環(huán)狀，也就是說(shuō)，該些內(nèi)接墊214的 開(kāi)孔是小于該些凸塊容置孔213的孔徑。請(qǐng)參閱圖5所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的制作 流程方塊圖,.關(guān)于前述的板上晶片23()型去樣構(gòu)造200的制造方法，其制造流 程主要包舍"提供基板"步驟21,"帖晶同時(shí)焊接"步驟22、"封收"步 驟23與"植球"步驟24。請(qǐng)配合參閱圖3及圖6所示，閨6是^t;^L明的第一具體實(shí)施例，制作 該封裝構(gòu)造在粘晶步驟中的截面示意圖。在"提供基板"步驟21，提供該 基板210，該軟焊層220已預(yù)洗形成fi玄絲210上"實(shí)施例中，在"粘晶同 時(shí)焊接'，步驟22，再圖6所示，該粘晶物質(zhì)240是形成于該基板210的該 第一表面211，并熱壓合該晶片230至該基板210，使該晶片230的該主動(dòng) 面231壓接該粘晶物質(zhì)240，并使該些凸塊233嵌埋于該些凸塊容置孔213 內(nèi)。利用粘晶壓力與加熱溫度，該粘晶物質(zhì)240能粘性結(jié)合該晶片230與該 基板210，同時(shí)，該軟焊層220是熔融以電性連接該些凸塊233與該些內(nèi)接墊 214，故能省卻現(xiàn)有習(xí)知的打線電性連接步驟。在本實(shí)施例中，該軟焊層220 的材質(zhì)是為錫(Sn)，該些凸塊233的材質(zhì)是為金(Au)，能在粘晶時(shí)的低溫 溫度下達(dá)到金-錫共晶，電性接合良好。此外，在"封膠"步驟23中，以涂 膠方式形成該第一封膠體251與第^t膠體252。并在"植球"步驟24中，設(shè) 置該些焊球260。較佳地，在"粘晶同時(shí)焊接"步驟22中，加熱該晶片230的溫度是高 于加熱該基板210的溫度，使該軟焊層220能快速移動(dòng)并濕潤(rùn)于較高溫的 該些凸塊233，進(jìn)而填充于該些凸塊容置孔213，減少該軟焊層220突出于 該基板210的該第二表面212的突出高度，使得該一封膠體251能少量且 在較低高度下密封該軟焊層220。請(qǐng)參閱圖7所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種高頻集成電 路封裝構(gòu)造的截面示意圖。在本發(fā)明第二具體實(shí)施例中揭示的另一種高頻 集成電路封裝構(gòu)造300，主要包含一預(yù)形成有軟焊層320的基板310、 一凸 塊化晶片330以及一粘晶物質(zhì)340。該基板310，具有一第一表面311、 一第二表面312以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容 置孔313，其中每一凸塊容置孔313的底部設(shè)有一內(nèi)接墊314，在該些內(nèi)接 墊314的表面形成有該軟焊層320。而該些內(nèi)接墊314是可為該基板310的 一線路層的一部份，該線路層是形成在該基板310的該第二表面312處并 可另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接墊315，并以一防焊層316局部覆蓋該線路層。該晶片330，具有一主動(dòng)面331以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面331的焊墊332 上的凸塊333,在本實(shí)施例中，該些凸塊333是為電鍍形成且呈柱狀的金凸 塊。該粘晶物質(zhì)340，是結(jié)合該晶片330的該主動(dòng)面331與該基板310的第 一表面311，并且該些凸塊333是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔313內(nèi)，在本 實(shí)施例中，該粘晶物質(zhì)340可為一底部填充膠(underfi 11 material)或是 非導(dǎo)電膠體(Non-C(川ductivc Paste, NCP),可在該軟焊層320的形成同時(shí) 或之后.才熟化以粘著該晶片330，并藉由該軟焊層32()電性連接該些凸塊
333與該些內(nèi)接墊314。在本實(shí)施例的更具體架構(gòu)中，該板上晶片330型封裝構(gòu)造300可另包 含有一封膠體350與復(fù)數(shù)個(gè)焊球360，該封膠體350是能以涂膠或是壓模技 術(shù)形成，以密封該軟焊層320與該些內(nèi)接墊314，而該些焊球360是設(shè)置于 該些外接墊315,而位于該基板310的該第二表面312。較佳地，請(qǐng)參閱圖8所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，該封裝 構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。該些內(nèi)接墊314是為懸空金屬墊，其是懸空于 該些凸塊容置孔313處，可利用復(fù)數(shù)個(gè)系桿314A連接至該基板310的線路 層。因此，在該些內(nèi)接墊314表面的軟焊層320能夠順利濕潤(rùn)焊接至該些 凸塊333。而在該些內(nèi)接墊314周邊的空隙將有利于粘晶時(shí)揮發(fā)性氣體的排 出，且有利于該封膠體350填滿該些凸塊容置孔313，以密封該些內(nèi)接墊 314。請(qǐng)參閱圖9所示，是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，一種增進(jìn)嵌埋凸塊 接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。本發(fā)明第三具體實(shí)施例的 該高頻集成電路封裝構(gòu)造400，主要包^-基板410、一晶片420、 一封膠體430 以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子440。該基板410，具有一第一表面411、 一第二表面412以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容 置孔413，該些凸^:置孔413是貫穿該第一表面411與第二表面412。每一凸塊 容置孔413在第二表面412的一端設(shè)有一內(nèi)接墊414,且每一內(nèi)接墊414形 成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，以使該些內(nèi)接墊414變得更有彈性與^性，可以提升 凸塊的接合能力。例如，如圖10所示，是依據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例，該 封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。該每一內(nèi)接墊414，具有一環(huán)形框414A以及 復(fù)數(shù)個(gè)由該環(huán)形框414A延伸至該些凸塊容置孔413內(nèi)的網(wǎng)線部位414B,以 構(gòu)成上述懸空于該些凸塊容置孔413 —端的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。該些網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可為 中心收斂網(wǎng)狀、方格網(wǎng)狀與同心圓網(wǎng)狀等形狀。在本實(shí)施例中，如圖10中所 示，該些網(wǎng)^^構(gòu)是為中心收斂網(wǎng)狀，以利于晶片凸塊的低溫接合。較佳地， 該基板410是為一單層可撓性電路基板，有利于封裝薄化與輕量化。在本 實(shí)施例中，該基板410的該第二表面412是形成有一線路層，其包含有該些 內(nèi)接墊414、復(fù)數(shù)個(gè)外接墊415以及連接該些內(nèi)接墊414與該些外接墊415 的線路416。此外，該基板410的該第二表面412可形成有一防焊層417，以 局部覆蓋該線路層的線路416。該晶片420,具有一主動(dòng)面421以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面421上的焊墊 422。復(fù)數(shù)個(gè)凸塊423是設(shè)置在該些焊墊422上。在本實(shí)施例中，該晶片420 是為一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體晶片，如新型高速記憶體結(jié)構(gòu)(Rambus)、高速 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體([H)R HK第三代高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體 ,im等頻率超過(guò)4(H歸z的高頻記憶體晶片。該晶片420是設(shè)置干該
基板410的該第一表面411上，且該些凸塊423是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置 孔413內(nèi)。在本實(shí)施例中，該高頻集成電路封裝構(gòu)造400可另包含一粘晶 層450，其是結(jié)合該晶片420的該主動(dòng)面421與該基板410的該第一表面 411。該封膠體430,是局部形成于該基板410的該第二表面412，以密封該 些內(nèi)接墊414的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其中該封膠體430是可利用點(diǎn)膠技術(shù)形成于該 基板410的該第二表面412,以密封該些內(nèi)接墊414。此外， 一第二封膠體460可形成于該基板410的該第一表面411,其是 圍繞該晶片420的四周，以防止水氣侵入至該粘晶層450產(chǎn)生水解；在不 同的實(shí)施例中，當(dāng)該粘晶層440具有防水性時(shí)，則可不需要形成該第二封 膠體460。該些外接端子440，是設(shè)置于該基板410的該第二表面412，以供對(duì)外 接合。在本實(shí)施例中，該些外接端子440包含焊球(solder ball)，其設(shè)置于 該些外接墊415上，以^t外4^^。在不同實(shí)施例中，可利用錫骨、金屬球、金 屬栓或異方性導(dǎo)電膜(ACF)導(dǎo)電膠置換焊球而成該些外接端子440。藉由該些懸空的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，有利于該些凸塊423對(duì)該些內(nèi)接墊414產(chǎn) 生低溫鍵合或彈性電性接觸。甚至于利用粘晶時(shí)的加熱溫度即可使該些凸 塊423在該基板410的凸塊容置孔413內(nèi)形成金屬鍵合，如金-金鍵合或是 金-錫鍵合，達(dá)成該晶片420與該基板410之間的電性連接，可以省略以往的 打線電性連接步驟，而具有制程簡(jiǎn)化的方便性。較佳地，該基板410是為一 單層可撓性電路基板，有利于封裝薄化與輕量化.該粘晶層450,是可選自于多階固化膠、^SblE胺(PI)粘性膠膜、環(huán)氧 粘肢的其中一。較佳地，該粘晶層450是為多階固化膠可先以液態(tài)印刷 于該基板410的第一表面411上經(jīng)預(yù)烘烤后，成為B階粘膠層；在熱壓合下 可粘性結(jié)合該晶片420的該主動(dòng)面421。并且，該些凸塊423是容置于對(duì)應(yīng) 的該些凸塊容置孔413內(nèi)，此外，該些凸塊423能嵌埋于該些凸塊容置孔 413并直接接合于該些內(nèi)接墊414的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使該高頻集成電路封裝構(gòu)造 400具有較薄厚度、更輕量化與更短的電性傳導(dǎo)路徑，特別適用于低成本大 量封裝高頻記憶體晶片420的應(yīng)用。請(qǐng)參閱圖5所示，是^f^居本發(fā)明的該封裝構(gòu)造的制作流程方塊圖,.關(guān)于前 述的高頻集成電路封裝構(gòu)造400,其制造流程主要包含"提供基板"步驟 21、"粘晶同時(shí)接合凸塊，，步驟22、"封膠"步驟23以及"才i^"步驟24。該 基板410具有一第一表面411、 一第J1^面412以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔413,其 中每一凸塊容置孔413在第二表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊414，且每一內(nèi)接墊 414形成冇一網(wǎng);^吉構(gòu)'.較佳地，該基板410是可為一單罷可撓性電路基板。在 "粘晶同時(shí)接合凸塊"步驟22、請(qǐng)配會(huì)參鬩圖9所示、該粘晶層450是形成干
該基板410的該第一表面411，并熱壓合該晶片420至該基板410，使該晶 片420的該主動(dòng)面421壓接該粘晶層450，并使該些凸塊423嵌埋于該些凸 塊容置孔413內(nèi)。利用粘晶壓力與加熱溫度，該粘晶層450肯WWi^合該晶片 420與該基板410，同時(shí)，受到粘晶溫度與壓力，該些內(nèi)接墊414會(huì)在凸塊容置 孔231內(nèi)變形，使得該些凸塊423與該些內(nèi)接墊414的網(wǎng)線部位414B形成 金屬鍵合或電性彈性接觸，故能省卻現(xiàn)有習(xí)知的打線電.fiil接步歉此外，在 "封膠"步驟23中，以涂膠方式形成該封膠體430與該第二封膠體460。并 在"植球"步驟24中，設(shè)置該些外接端子440在該些外接墊415上。請(qǐng)參閱圖ll所示，是依據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例，另一種增進(jìn)嵌埋 凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。本發(fā)明第四具體實(shí)施 例揭示的另一種高頻集成電路封裝構(gòu)造500，主要包含一基板510、 一晶片 520、 一封膠體530以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子540。該基板510，具有一第一表面511、 一第二表面512以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容 置孔513，該些凸塊容置孔513是貫穿該第一表面511與第二表面512。每一凸 塊容置孔513在該第二表面512的一端設(shè)有一內(nèi)接墊514,且每一內(nèi)接墊 514形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)514A(如圖12A所示)。該些網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可為中心收斂 網(wǎng)狀、方格網(wǎng)狀與同心圓網(wǎng)狀等形狀。如圖12A所示，是依據(jù)本發(fā)明第四具 體實(shí)施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊示意圖。在一實(shí)施例中，該些內(nèi)接墊514 的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)514A是為方格網(wǎng)狀；如圖12B所示，是依據(jù)本發(fā)明第四具體實(shí) 施例，該封裝構(gòu)造的基板內(nèi)接墊的另 一變化示意圖。在另 一實(shí)施例中，該些 內(nèi)接墊514是具有同心圓網(wǎng)狀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)514B，以利于晶片凸塊的低溫鍵 合或彈性電性接觸。該基板510的該第二表面512是形成有一線路層，其包 含有該些內(nèi)接墊514、復(fù)數(shù)個(gè)外接墊515以及連接該些內(nèi)接墊514與該些外 接墊515的線路。此外，在該些內(nèi)接墊514的表面形成設(shè)有一焊接物質(zhì)560， 以接合該些凸塊523與該些內(nèi)接墊514的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)514A。而該焊接物質(zhì)560 是可為一種錫鉛焊料或無(wú)鉛焊料，其形成方法則可采用基板電鍍或是印刷 技術(shù)據(jù)以實(shí)施。該晶片520,具有一主動(dòng)面521以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面521上的焊墊 522。復(fù)數(shù)個(gè)凸塊523是設(shè)置在該些焊墊522上，可為打線形成的結(jié)線凸塊 (suid bump)或是電鍍凸塊。在本實(shí)施例中，該晶片520是設(shè)置于該基板510 的第一表面511上，且該些凸塊523是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔513內(nèi)。該 些凸塊523是可藉由該焊接物質(zhì)560接合至該些內(nèi)接墊514.該封膠體530，是局部形成于該基板510的該第二表面512，以密封該 些內(nèi)接墊514的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)514A 此外，一第二封膠體55()，是形成于該基板5]()的該第一表面5H.以增 加該基板51 0與該晶片、5 2 0的結(jié)合性 該些外接端子540,是設(shè)置于該基板510的第二表面512,以供對(duì)外接 合。該些外接端子540，如焊球，是設(shè)置于該些外接墊515上，以供對(duì)外接合。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上 的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明， 任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述 揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例， 但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施 例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范 圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其包含一基板，其具有一第一表面、一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中每一凸塊容置孔在第二表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；一晶片，其具有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊，該晶片設(shè)置于該基板的該第一表面上，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)；一封膠體，其局部形成于該基板的該第二表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子，其設(shè)置于該基板的該第二表面。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的該些內(nèi)接墊具有一環(huán)形框以及復(fù)數(shù)個(gè)由該環(huán)形框延伸至該些凸塊容置 孔內(nèi)的網(wǎng)線部位，且該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是為懸空。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其另包 含有一焊接物質(zhì)，以接合該些凸塊與該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的基板的該第二表面形成有一線路層與一防焊層，該線路層包含有該些 內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，該防焊層局部覆蓋該線路層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的該些外接端子包含焊球，其設(shè)置于該線路層的該些外接墊上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的基板是為一單層可撓性電路基板。
7、 一種高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其包括以下步覷.提供一基板，其是具有一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置 孔，其中每一凸塊容置孔在第二表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形 成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；設(shè)置一晶片于該基板的該第一表面上，該晶片具有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù) 個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)；局部形成一封肢體于該基板的該第二表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀 結(jié)構(gòu)；以及設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)外接端子于該基板的該第二表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特征 在于粘晶步驟是藉由一粘晶層結(jié)合該晶片的該主動(dòng)面與該基板的該第一表 面。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所迷的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特征 在于其中在粘晶同時(shí)或之前， 一焊接物質(zhì)是為熔融以電性連接該些凸塊與 該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所迷的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的基板的該第二表面是形成有一線路層，以連接該些內(nèi)接 墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，并且該些外接端子包含焊球，以設(shè)置于該些外接墊上。
11、 一種高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其包含一基板，其具有一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔，其中 每一凸塊容置孔的底部設(shè)有一內(nèi)接墊，在該些內(nèi)接墊的表面形成有一軟焊層；一晶片，其具有一主動(dòng)面以及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊；以及 一粘晶物質(zhì)，其是結(jié)合該晶片的該主動(dòng)面與該基板的該第一表面，并且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔內(nèi)，并藉由該軟焊層電性連接該些凸塊與該些內(nèi)接墊。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的該些內(nèi)接墊是為懸空金屬墊，且具有延伸至該些凸塊容置孔內(nèi)的部 位。
13、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的基板的該第二表面形成有一線路層與一防焊層，該線路層包含有該 些內(nèi)接墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，該防焊層局部覆蓋該線路層。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其另 包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其設(shè)置于該線路層的復(fù)數(shù)個(gè)外接墊上且位于該基板的 該第二表面。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造,其特征在于其中 所述的基板是為一單層可撓性電路基板。
16、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造,其特征在于其另 包含有一第一封膠體，其形成于該基板的該第二表面，以密封該軟焊層與 該些內(nèi)接墊。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造，其特征在于其另 包舍有一第二封膠體，其形成于該基板的該第一表面。
18、 —種高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法,其特征在于其包括以下步驟提供一基板，其是具有一第一表面、 一第二表面以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置 孔，其中每一凸塊容置孔的底部設(shè)有一內(nèi)接墊，在該些內(nèi)接墊的表面形成有 一軟焊層；提供一晶片.其具有一主動(dòng)面"及復(fù)數(shù)個(gè)在該主動(dòng)面上的凸塊以及進(jìn)行一粘晶步驟，藉由一粘晶物質(zhì)是結(jié)合該晶片的該主動(dòng)面與該基板 的該第一表面，并且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的該些凸塊容置孔內(nèi)，在粘晶 同時(shí)或之前，該軟焊層是熔融以電性連接該些凸塊與該些內(nèi)接墊。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其另包含有一封膠步驟，是形成一第一封膠體于該基板的該第二表 面，以密封該軟焊層。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的該些內(nèi)接墊是為懸空金屬墊，且具有延伸至該些凸塊容 置孔內(nèi)的部位。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的高頻集成電路封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的基板的該第二表面形成有一線路層，其包含有該些內(nèi)接 墊與復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，并另包含有一植球步驟，其設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)焊球于該線路 層的復(fù)數(shù)個(gè)外接墊上且位于該基板的該第二表面。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造及其制造方法。該增進(jìn)嵌埋凸塊接合性的高頻集成電路封裝構(gòu)造，主要包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊容置孔的基板、一設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的晶片、一封膠體以及復(fù)數(shù)個(gè)外接端子。其中每一凸塊容置孔在其中一表面的一端設(shè)有一內(nèi)接墊，且每一內(nèi)接墊形成有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或一軟焊層。該晶片是設(shè)置于該基板上，且該些凸塊是容置于對(duì)應(yīng)的凸塊容置孔內(nèi)。該封膠體是局部覆蓋該基板的表面，以密封該些內(nèi)接墊的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。藉由上述懸空的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可易于低溫接合晶片的凸塊，而能降低制程復(fù)雜度，且具有電性傳導(dǎo)路徑短、防止沖線以及封裝薄化的功效。
文檔編號(hào)H01L23/31GK101131977SQ200610111278
公開(kāi)日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2006年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者劉安鴻, 李宜璋, 林勇志, 黃祥銘 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司