專利名稱：具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，更具體地說，涉及一種具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)具有許多有用的商業(yè)應(yīng)用。由于它們是單色的，所以LED燈具有比白光燈功率大的優(yōu)點(diǎn)，特別是在需要特殊顏色光的應(yīng)用中。與白光燈不同，LED不需要吸收所發(fā)射的大部分白光的濾色器。由于LED燈本身是有色的并可在寬顏色范圍中應(yīng)用，所以LED已經(jīng)成為許多照明應(yīng)用的首選。
例如，最新提出的顏色之一是滿足交通信號(hào)和導(dǎo)航燈要求的翡翠綠或藍(lán)綠LED(大約500nm)。同樣，在其他電子應(yīng)用中，LED也具有許多應(yīng)用。
但是，由于電子應(yīng)用變得更復(fù)雜和苛刻，所以存在減慢或阻止發(fā)光二極管(LED)退化的需要。LED的退化可能是由發(fā)光二極管中的缺陷引起的。這些缺陷包括晶體缺陷、微裂紋導(dǎo)致的缺陷和二極管中的劃痕導(dǎo)致的缺陷。因此，光電器件(例如，LED)可能不再按所設(shè)計(jì)的執(zhí)行并可能導(dǎo)致失效或器件質(zhì)量的降低。
光電工業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)做了這樣的嘗試，通過著手這些問題的根本原因來減少這些失效。例如，可通過制造更純的晶片錠(wafer ingot)來減少晶體缺陷。類似地，可通過在晶片處理過程中引入更昂貴的處理設(shè)備或通過設(shè)立更有力的質(zhì)量測(cè)試和質(zhì)量檢查(例如，更徹底的目視檢查)來減少劃痕和缺陷。
不幸地是，雖然上述方法減少了失效的數(shù)量，但是并不能防止或消除在離開制造廠之后的實(shí)地發(fā)生的失效。例如，在LED的實(shí)地使用期間，由于器件上的電應(yīng)力，潛在的缺陷可能增長(zhǎng)和擴(kuò)散。換句話說，在實(shí)地碰到的應(yīng)力可能促使LED中的缺陷擴(kuò)散。首先，缺陷區(qū)域不產(chǎn)生光(例如，變成暗區(qū))。其次，并且可能是更有害的，缺陷區(qū)域提供從產(chǎn)生光的區(qū)域(即，未損壞的區(qū)域)拉走了(draw away)有用電流的電流漏泄路徑。最終結(jié)果是，對(duì)于等量的供電電流，LED產(chǎn)生的光顯著減少。
基于上述，需要克服上述缺點(diǎn)的具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管和制造這種發(fā)光二極管的方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，描述了一種具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)的發(fā)光二極管及其制造方法。所形成的發(fā)光二極管包括第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)。缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)相對(duì)于該第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)而設(shè)置。該缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)防止第一發(fā)光區(qū)或者第二發(fā)光區(qū)中的缺陷擴(kuò)散到另一發(fā)光區(qū)中。


借助附圖中的實(shí)例而不是限制來說明本發(fā)明，其中類似的參考數(shù)字表示相似的元件。
圖1示出了具有第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)的光電器件的框圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管的頂視圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例具有四個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管的頂視圖。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例圖2和3的發(fā)光二極管沿線4-4的剖面圖。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例具有兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管的頂視圖。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例圖5的發(fā)光二極管沿線6-6的剖面圖。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制造具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
將描述具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)的發(fā)光二極管(LED)和制造該LED的方法。為了說明的目的，在以下描述中，將闡述多個(gè)具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。但是，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，不用這些具體的細(xì)節(jié)也可以實(shí)施本發(fā)明。在其他實(shí)例中，以框圖的形式示出公知的結(jié)構(gòu)和器件以便避免不必要地難以理解本發(fā)明。
光電器件100圖1示出了具有第一發(fā)光區(qū)120和第二發(fā)光區(qū)130的光電器件110的框圖。光電器件110可以是例如發(fā)光二極管(LED)，該發(fā)光二極管包括摻雜或注入有雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料以產(chǎn)生通常稱作pn結(jié)的結(jié)構(gòu)。電荷載流子(例如，電子和空穴)從具有不同電壓的電極流入該結(jié)。當(dāng)電子遇見空穴時(shí)，電子落入較低能級(jí)并以光子形式釋放能量，從而發(fā)光。
例如，當(dāng)pn結(jié)兩端的電壓具有正確的極性時(shí)，顯著的電流流經(jīng)該pn結(jié)，且該LED被稱為是“正向偏置”。在這種情況下，LED兩端的電壓是固定的并與所發(fā)射的光子的能量成比例。然而，當(dāng)電壓具有不正確的極性時(shí)，該LED被稱為是“反向偏置”，并且流經(jīng)該pn結(jié)的電流非常少，且沒有光發(fā)射。
所發(fā)射的光的波長(zhǎng)，以及由此它的顏色，取決于形成該pn結(jié)的材料的帶隙能量。例如，用于LED的材料具有對(duì)應(yīng)于近紅外光、可見光或近紫外光的帶隙能量。
發(fā)光二極管110包括發(fā)光區(qū)域108，當(dāng)將電壓電勢(shì)施加到LED 110時(shí)，該發(fā)光區(qū)域108發(fā)光。在一個(gè)例子中，該發(fā)光區(qū)域108包括pn結(jié)，當(dāng)在該pn結(jié)兩端施加電壓時(shí)，該pn結(jié)產(chǎn)生光。該發(fā)光二極管(LED)110是半導(dǎo)體二極管，當(dāng)其pn結(jié)是正向偏置時(shí)，該半導(dǎo)體二極管將電能轉(zhuǎn)換成預(yù)定頻率(例如，可見和近紅外頻率)的電磁輻射。
該發(fā)光區(qū)域108可能包括缺陷，例如第一發(fā)光區(qū)120中的缺陷124。聽其自然，缺陷124可能沿一個(gè)或多個(gè)方向增長(zhǎng)、擴(kuò)展或擴(kuò)散。例如，缺陷124可能沿著第一方向(例如，沿著x軸)、第二方向(例如，沿著y軸)、第三方向(例如，沿著z軸)或其結(jié)合擴(kuò)散。
光電器件110包括缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)(DPCM)140。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)發(fā)光區(qū)域108的特定部分損壞時(shí)，光電器件110利用缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)(DPCM)140來降低LED失效的危險(xiǎn)。例如，該損壞可能是由于例如晶體缺陷、劃痕導(dǎo)致的缺陷或微裂紋導(dǎo)致的缺陷引起的。
缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)(DPCM)140將發(fā)光區(qū)域108分成至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)(例如，第一發(fā)光區(qū)120和第二發(fā)光區(qū)130)。此外，DPCM 140將缺陷124的擴(kuò)散限制在該缺陷所在的特定區(qū)并防止該缺陷擴(kuò)散或增長(zhǎng)到發(fā)光區(qū)域108的另一區(qū)。通過將缺陷隔離并不準(zhǔn)其擴(kuò)展到發(fā)光區(qū)域108中的其它區(qū)，DPCM 140有效地控制該缺陷可能增長(zhǎng)到的大小或程度，從而減小該缺陷對(duì)光輸出和發(fā)光二極管的正常操作的不利影響。
在一個(gè)實(shí)施例中，DPCM 140形成至少第一發(fā)光區(qū)120的邊界的一部分和第二發(fā)光區(qū)130的邊界的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，DPCM 140在至少一個(gè)方向上限制或阻止缺陷的增長(zhǎng)或擴(kuò)散。在另一實(shí)施例中，DPCM 140在第一方向、第二方向或其結(jié)合上限制或阻止缺陷的增長(zhǎng)或擴(kuò)散。下文中，將參考圖2-6更詳細(xì)地描述不同大小、形狀和數(shù)量的發(fā)光區(qū)。
具有兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一實(shí)施例圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具有兩個(gè)發(fā)光區(qū)域230、240的發(fā)光二極管210的頂視圖。發(fā)光二極管210包括有源區(qū)域(例如，發(fā)光區(qū)域)220。發(fā)光區(qū)域220包括由缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)244分開的第一發(fā)光區(qū)或區(qū)域230和第二發(fā)光區(qū)或區(qū)域240。
發(fā)光二極管210包括導(dǎo)電層250(例如，金屬化)和互連焊盤260(例如，用于連接至外部接觸的焊盤)。導(dǎo)電層250包括電連接到發(fā)光區(qū)230、240的環(huán)形部分252和將環(huán)形部分252電連接到焊盤260的橋接部分254。參考圖4來描述發(fā)光二極管210沿線4-4的剖面圖。
具有四個(gè)發(fā)光區(qū)域的第二實(shí)施例圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例具有四個(gè)發(fā)光區(qū)域330、340、350、360的發(fā)光二極管310的頂視圖。
發(fā)光二極管310包括有源區(qū)域(例如，發(fā)光區(qū)域)320。有源區(qū)域320包括第一發(fā)光區(qū)域330、第二發(fā)光區(qū)域340、第三發(fā)光區(qū)域350和第四發(fā)光區(qū)域360。由缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)364將每個(gè)發(fā)光區(qū)域彼此分開。
發(fā)光二極管310包括導(dǎo)電層(例如，金屬化)370和互連焊盤380(例如，用于連接至外部接觸的焊盤)。導(dǎo)電層370包括電連接到發(fā)光區(qū)330、340、350、360的環(huán)形部分372和將環(huán)形部分372電連接到焊盤380的橋接部分374。參考圖4來描述發(fā)光二極管310沿線4-4的剖面圖。
參考圖4，LED包括襯底410。金屬層470(例如，背面接觸金屬)形成在襯底410的一側(cè)上。具有第一類型的雜質(zhì)的層420形成在襯底502的另一側(cè)上。在一個(gè)實(shí)施例中，層420是外延n型層。層440是其中開有用于結(jié)形成的窗口的第一鈍化層。例如，利用第一鈍化層440中的窗口來用p型雜質(zhì)注入或摻雜層420中的區(qū)域以形成pn結(jié)。例如，區(qū)域430可以是已經(jīng)被注入了p型雜質(zhì)的區(qū)域。區(qū)域424可以是根據(jù)本發(fā)明的缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)(DPCM)140。
層460是其中開有用于形成與LED的接觸(例如，頂部接觸金屬層)的窗口的第二鈍化層。例如，導(dǎo)電層450(例如，圖2和3中的250，370)通過金屬化和焊盤將發(fā)光區(qū)電耦接到外部接觸。
其中每個(gè)發(fā)光區(qū)域都具有單獨(dú)的互連焊盤的第三實(shí)施例圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例具有兩個(gè)發(fā)光區(qū)域510、520的發(fā)光二極管504的頂視圖。第一發(fā)光區(qū)域510具有相應(yīng)的互連焊盤540。類似地，第二發(fā)光區(qū)域520具有相應(yīng)的互連焊盤550。該實(shí)施例中需要注意的是，每個(gè)發(fā)光區(qū)域都具有單獨(dú)的和相應(yīng)的互連焊盤540、550。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例圖5的發(fā)光二極管504沿線6-6的剖面圖。
參考圖6，LED 504包括襯底502。金屬層570(例如，背面接觸金屬)形成在襯底502的一側(cè)上。具有第一類型的雜質(zhì)的層504形成在襯底502的另一側(cè)上。在一個(gè)實(shí)施例中，層504是外延n型層。層534是其中開有用于結(jié)形成的窗口的第一鈍化層。例如，利用第一鈍化層534中的窗口來用p型雜質(zhì)注入或摻雜層504中的區(qū)域以形成pn結(jié)。例如，區(qū)域510、520可以是已經(jīng)被注入了p型雜質(zhì)的區(qū)域。區(qū)域530可以是根據(jù)本發(fā)明的缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)(DPCM)140。
層538是其中開有用于形成與LED的接觸(例如，頂部接觸金屬層)的窗口的第二鈍化層。例如，導(dǎo)電層540(例如，圖5中的560，570)通過金屬化和焊盤將發(fā)光區(qū)電耦接到外部接觸。
發(fā)光區(qū)域的數(shù)量要注意的是，可以改變、調(diào)整或修改每單位管芯(例如，每一LED管芯)的發(fā)光區(qū)域(LEA)的數(shù)量以適應(yīng)特殊應(yīng)用的需要。還要注意的是，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，由于發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)增加了發(fā)光區(qū)域或區(qū)的數(shù)量，所以采用較快的方式隔離了發(fā)光二極管中的缺陷。例如，倘若所有發(fā)光區(qū)域總的大小保持恒定，當(dāng)LED設(shè)計(jì)利用或采用單個(gè)管芯中多個(gè)發(fā)光區(qū)域或區(qū)時(shí)，由于在遇到缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)之前，缺陷增長(zhǎng)或擴(kuò)散的距離較小，所以限制或隔離所述區(qū)之一中的缺陷的時(shí)間降低。
發(fā)光區(qū)域的形狀要注意的是，可以改變、調(diào)整或修改發(fā)光區(qū)域(LEA)的形狀或幾何形狀以適應(yīng)特殊應(yīng)用的需要。還要注意的是，發(fā)光區(qū)域可都具有一致的或相似的形狀，所有具有不同的形狀，或者兩個(gè)或更多的發(fā)光區(qū)域可具有相同或相似的形狀且剩余的發(fā)光區(qū)域可具有不同的形狀。要注意的是，不同發(fā)光區(qū)的大小可以不同或基本相同。
制造具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)的發(fā)光二極管的工藝制造具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)的LED的處理包括四種主要類別1)鈍化沉積和掩模；2)結(jié)形成；3)金屬沉積和掩模；和4)背面金屬沉積。在處理之前，通過外延工藝制造層(例如，420，504)，通過其在單晶襯底(例如，410，502)上沉積單晶材料的薄層。例如，外延生長(zhǎng)可以以下述方式進(jìn)行，即在生長(zhǎng)材料中再現(xiàn)襯底的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。
在步驟710中，執(zhí)行鈍化沉積和掩模。例如，對(duì)應(yīng)于兩個(gè)發(fā)光區(qū)限定至少兩個(gè)窗口。在步驟720中，執(zhí)行結(jié)形成。例如，形成對(duì)應(yīng)于兩個(gè)發(fā)光區(qū)的至少兩個(gè)pn結(jié)。
在步驟730中，執(zhí)行頂部金屬沉積和掩模。例如，形成用于兩個(gè)或更多發(fā)光區(qū)的公共互連或形成用于每一個(gè)發(fā)光區(qū)的單獨(dú)互連。在步驟740中，執(zhí)行背面金屬沉積。
具有多個(gè)LEA的LED的應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的LED可以用在許多不同的應(yīng)用中，這些應(yīng)用包括，但不限于，在多種類型的嵌入系統(tǒng)中的信息指示器、消息顯示器(例如，在機(jī)場(chǎng)和火車站，其他場(chǎng)合中的公共信息標(biāo)志)、狀態(tài)指示器(例如，作為專業(yè)儀器和用戶音頻/視頻設(shè)備上的開/關(guān)燈)、在(用于TV，VCR等的)遙控中的紅外LED中、在交通信號(hào)中、作為汽車指示器燈、在自行車照明中、在計(jì)算器和測(cè)量?jī)x器顯示器中、在照明(例如，閃光燈)中、作為用于LCD屏的背光、作為信令/緊急情況標(biāo)志和閘門(strobe)、在運(yùn)動(dòng)傳感器應(yīng)用(例如，在機(jī)械和光學(xué)計(jì)算機(jī)鼠標(biāo)和跟蹤球中)中以及在LED打印機(jī)中。
當(dāng)與其他光源比較時(shí)，LED提供維護(hù)和安全方面的優(yōu)點(diǎn)。包括燈泡的器件的典型工作壽命是十年，這比大多數(shù)其他光源的壽命長(zhǎng)得多。此外，LED是隨著時(shí)間變暗而失效，而不是白熾燈泡的突然燒壞。另外，LED比白熾燈泡發(fā)出的熱量少并且不如熒光燈易碎。由于單個(gè)器件長(zhǎng)度小于一厘米，所以可以利用數(shù)十個(gè)器件組構(gòu)建用于照明和室外信號(hào)的LED基光源。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)將缺陷的增長(zhǎng)或其擴(kuò)散限制到存在潛在缺陷的最大發(fā)光區(qū)域或區(qū)。例如，當(dāng)缺陷因?yàn)閼?yīng)力連續(xù)增長(zhǎng)時(shí)，因?yàn)橥ㄟ^根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)將發(fā)光區(qū)域或區(qū)與其他發(fā)光區(qū)域或區(qū)隔離，從而將缺陷限定或限制在該發(fā)光區(qū)域。用這種方式，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有兩個(gè)或更多發(fā)光區(qū)或區(qū)域的發(fā)光二極管提供了單個(gè)LED中的分布危險(xiǎn)管理能力。當(dāng)發(fā)光區(qū)域的特定部分損壞時(shí)，由于剩余的發(fā)光區(qū)域、部分或區(qū)與缺陷隔離并且被保護(hù)以免缺陷擴(kuò)散到剩余發(fā)光區(qū)中，所以可顯著地降低LED失效的危險(xiǎn)。
在上述說明中，已經(jīng)參考本發(fā)明的具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了描述。然而，明顯的是在不脫離本發(fā)明的較寬的范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明作出多種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說明性的，而不是限制性的。
權(quán)利要求
1.一種制造具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)的發(fā)光二極管的方法，包括形成第一發(fā)光區(qū)；形成第二發(fā)光區(qū)；以及形成缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)，該缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)相對(duì)于第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)來設(shè)置，并且防止第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)之一中的缺陷擴(kuò)散到另一個(gè)發(fā)光區(qū)。
2.權(quán)利要求1的方法，其中第一發(fā)光區(qū)包括表面；其中第二發(fā)光區(qū)包括表面；其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)的表面和第二發(fā)光區(qū)的表面之間，并在至少第一方向上防止缺陷擴(kuò)散。
3.權(quán)利要求1的方法，其中該缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)包括摻雜有第一類型的雜質(zhì)的區(qū)域和摻雜有第二類型的雜質(zhì)的區(qū)域之一。
4.權(quán)利要求3的方法，其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)包括摻雜有n型雜質(zhì)的區(qū)域和摻雜有p型雜質(zhì)的區(qū)域之一。
5.權(quán)利要求1的方法，其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)之間，并沿著至少第一方向防止缺陷擴(kuò)散。
6.一種制造具有至少兩個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管的方法，包括提供襯底；用第一類型的雜質(zhì)沉積該襯底以形成第一半導(dǎo)體區(qū)域；在第一半導(dǎo)體層上形成第一鈍化層；在第一鈍化層中形成至少兩個(gè)窗口；沉積第二類型的雜質(zhì)以在限定在第一鈍化層中的窗口中形成第二半導(dǎo)體區(qū)域；形成第二鈍化層；在第二鈍化層中形成至少兩個(gè)窗口；以及在限定在第二鈍化層中的窗口中沉積導(dǎo)電材料。
7.一種發(fā)光二極管，包括第一發(fā)光區(qū)；其中該第一發(fā)光區(qū)響應(yīng)于第一電流產(chǎn)生第一光輸出并包括缺陷；第二發(fā)光區(qū)，該第二發(fā)光區(qū)響應(yīng)于第二電流產(chǎn)生第二光輸出；以及缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)，該缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)防止第一發(fā)光區(qū)中的缺陷擴(kuò)散到第二發(fā)光區(qū)并影響第二發(fā)光區(qū)域的光產(chǎn)生。
8.權(quán)利要求7的二極管，其中第一發(fā)光區(qū)包括摻雜有第一類型的雜質(zhì)的第一區(qū)域和摻雜有第二類型的雜質(zhì)的第二區(qū)域；其中該第一區(qū)域和第二區(qū)域形成第一結(jié)。
9.權(quán)利要求8的二極管，其中第一區(qū)域摻雜有p型雜質(zhì)以及第二區(qū)域摻雜有n型雜質(zhì)；其中該第一區(qū)域和第二區(qū)域形成第一pn結(jié)。
10.權(quán)利要求7的二極管，其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)包括摻雜有第一類型的雜質(zhì)的區(qū)域和摻雜有第二類型的雜質(zhì)的區(qū)域之一。
11.權(quán)利要求7的二極管，其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)沿著至少第一方向使第一發(fā)光區(qū)與第二發(fā)光區(qū)隔離。
12.權(quán)利要求7的二極管，其中第一發(fā)光區(qū)包括表面；其中第二發(fā)光區(qū)包括表面；其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)設(shè)置在第一發(fā)光區(qū)的表面和第二發(fā)光區(qū)域的表面之間。
13.權(quán)利要求7的二極管，其中缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)包括摻雜有n型雜質(zhì)的區(qū)域和摻雜有p型雜質(zhì)的區(qū)域之一。
全文摘要
一種發(fā)光二極管包括第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)。相對(duì)于第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)設(shè)置缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)。該缺陷擴(kuò)散限制機(jī)構(gòu)防止在第一發(fā)光區(qū)或者第二發(fā)光區(qū)的任一個(gè)中的缺陷擴(kuò)散到另一發(fā)光區(qū)中。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1933197SQ20061011017
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2006年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月13日
發(fā)明者C·H·夏, S·K·侯, T·S·G·泰, L·I·K·譚, S·H·李, S·A·A·卜 申請(qǐng)人:阿瓦戈科技Ecbuip(新加坡)股份有限公司