專利名稱：用于使用重新分配基板制造晶片層芯片尺寸封裝的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體封裝技術，尤指一種用以晶片層芯片尺寸封裝『water level chip scale package(W1-CSP)』的方法。
背景技術：
如業(yè)界中已知的，大量集成電路(IC)裝置制造于一半導體晶片中，且被劃分成分開的芯片。該芯片接著自該晶片分離，且以欲用于電子系統(tǒng)或產(chǎn)品的封裝形式組合。所述封裝，一般是提供機械支撐該芯片的結(jié)構(gòu)，是保護該芯片不受環(huán)境損害的有形殼體，自與該芯片的電氣連接，并移除由該芯片產(chǎn)生的熱。
最近，多媒體、信息、通訊、及數(shù)字相關產(chǎn)業(yè)的快速成長需要具有小型因素、高整合性、及高效能的更新與更進階的IC產(chǎn)品。此市場潮流反應于減小的芯片大小、增加的電氣終端等等中，其導致對該封裝的結(jié)構(gòu)與電氣設計而非對該芯片許多的新挑戰(zhàn)。今日的封裝技術對于影響電子端應用的價格、效能、及可靠度愈形重要。
一廣泛已知初始形式的封裝已經(jīng)使用具有周圍環(huán)繞該芯片邊緣的鉛終端的一鉛框。之后，已經(jīng)研發(fā)透過一印刷電路板使用錫球區(qū)域分配的一球柵數(shù)組(BGA)封裝，以給予更大量終端，且又已經(jīng)研發(fā)一芯片尺寸封裝(CSP)，以滿足業(yè)界對最小(即芯片大小)形狀因素的成長需求。此外，已經(jīng)引入一晶片層封裝(WLP)技術，以實現(xiàn)于芯片分離前該晶片上有成本效益的封包制造。
一傳統(tǒng)WLP與其制造顯示于圖1A至圖1K中。該示范傳統(tǒng)WLP已熟知為由以色列Shellcase有限公司所研發(fā)的“ShellBGA”。
圖1A顯示一硅晶片1，其中形成一些IC芯片10a與10b。一劃線區(qū)域13區(qū)分該相鄰芯片10a與10b。各芯片10a與10b具有復數(shù)個芯片墊12于其激活表面11上。除了該芯片墊12之外，該激活表面11覆蓋有一被動層16。一墊延伸層14連接且延伸自該芯片墊12。
圖1B顯示附加一第一玻璃基板20至該硅晶片1的一步驟。對于其間的附加來說，涂覆一環(huán)氧化物18于該被動層16與該墊延伸層14上。
圖1C顯示形成球墊22于該第一玻璃基板20上的一步驟。該球墊22是錫球?qū)⑿纬蔀樵摲庋b之外不連接終端之處。
圖1D顯示藉由沿著該劃線區(qū)域13自該第一玻璃基板20部分移除該晶片1至該芯片10a與10b的上部分形成一刻痕24的一部分。結(jié)果，暴露該墊延伸層14的一側(cè)端至該刻痕24。
圖1E顯示形成一圖案化鉛層26的一步驟，其配置自該刻痕24的一表面至該球墊22。該鉛層26因此連接至暴露至該刻痕24的墊延伸層14。
圖1F顯示形成一焊料罩層30的一步驟，除了該球墊22上的部分外，其覆蓋大部分該鉛層26。
圖1G顯示形成錫球32于該個別球墊22上的一步驟。該球墊22上的鉛層26因此電氣耦合至該錫球32。
圖1H顯示一晶片背磨步驟。于此步驟中，機械研磨該晶片1的下部分，因此各芯片10a與10b減少厚度。
圖1T顯示自該晶片1的背表面沿著該刻劃區(qū)域13蝕刻該晶片1的一步驟。
圖1J顯示透過一環(huán)氧化物36附加一第二玻璃基板34至該晶片1的背表面的一步驟。
圖1K顯示一晶片菱形化步驟。于此步驟中，沿著該刻劃區(qū)域13中的一菱形區(qū)域38切割該晶片1，因此獲得制造于該個別芯片10a與10b上的WLP。如于上文中所討論般，該傳統(tǒng)WLP實施沿著該刻劃區(qū)域形成的刻痕，以允許透過該刻痕形成該圖案劃鉛層。相應地，為了形成該刻痕，該傳統(tǒng)WLP需要增加該刻劃區(qū)域的寬度，而非該菱形區(qū)域。很不幸地，此可能導致單一晶片中的芯片數(shù)減少。
此外，由于該圖案劃鉛層形成于該芯片的外部上，該傳統(tǒng)WLP可能到達封裝大小中減小的一限制。并且，直接執(zhí)行于該芯片邊緣上的圖案化鉛層僅可限制該圖案設計彈性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用以使用重新分配基板制造晶片層芯片尺寸封裝的方法。
本發(fā)明的范例非限制實施例提供一種用以制造一晶片層芯片尺度封裝，而不增加一晶片中一刻劃區(qū)域的寬度的方法。本發(fā)明的范例非限制實施例另提供一種用以制造一晶片層芯片尺度封裝，不僅有利減少封裝大小，亦具有絕佳圖案設計彈性的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例，該方法包含(a)生產(chǎn)具有一透明絕緣基板與形成于該透明絕緣基板上的重新分配線的一重新分配基板；(b)提供具有含一激活表面與至少一非激活表面的一半導體基板的一晶片，該晶片另具有形成于該激活表面上的芯片墊；(c)結(jié)合該重新分配基板至該晶片，使得該重新分配線的第一部分連接該芯片墊；(d)于該晶片中形成自該激活表面延伸至該非激活表面的孔，使得該重新分配線的第二部分暴露至該孔；(e)形成傳導線于該孔中與該非激活表面上；(f)形成外部連接終端于形成于該非激活表面上的傳導在線；及(g)沿著一刻劃線區(qū)分該重新分配基板與該晶片。于本發(fā)明的方法中，該步驟(a)包含(a-1)提供該透明絕緣基板；(a-2)提供一絕緣層于該透明絕緣基板上；(a-3)藉由圖案化該絕緣層形成凸塊；及(a-4)形成該重新分配線于該凸塊上。
該透明絕緣基板可由玻璃、石英、或丙烯酸樹脂制成。該步驟(a-3)可另具有藉由圖案化該絕圓層形成屏障。亦，該步驟(a-3)可形成凸塊對，各對具有連接該芯片墊的一第一凸塊與暴露至該孔的一第二凸塊。該絕緣層可由聚合物制成。
該重新分配線可由銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、或其合成物制成。該步驟(a-4)可使用濺鍍、電鍍、沉積、無電電鍍、絲網(wǎng)印刷、或噴墨加以實施。
該晶片可另具有形成于該激活表面上的一影像感應區(qū)域。另外，該晶片可另具有形成于該芯片墊上的至少一墊金屬層。該墊金屬層可由金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、或其合成物制成。
該步驟(c)中的重新分配基板與晶片間的結(jié)合是使用一光敏性膠黏劑加以建立。該步驟(c)中的重新分配線與芯片墊間的連接是使用一銦(In)型膠黏劑加以作成?；蛘?，該步驟(c)中的重新分配基板與晶片間的結(jié)合是使用異向性傳導材料或納米互連糊狀物加以作成。
本發(fā)明的方法可另包含于步驟(c)之后，機械研磨該晶片的一底表面，以減小該晶片的厚度。該晶片可藉由該研磨步驟變細至約50～150μm的厚度。該步驟(d)可使用雷射鉆孔、機械鉆孔、等離子體乾蝕刻、或反應離子蝕刻加以實施。
該步驟(e)可包含形成至少一傳導層于該孔中及于該非激活表面上，及選擇性移除該傳導層，以產(chǎn)生該傳導線?；蛘?，該步驟(e)可包含形成對應至該非激活表面上的傳導線的一光阻圖案，及透過該光阻圖案執(zhí)行一選擇電鍍，以產(chǎn)生該傳導線。
該傳導線可具有第一傳導線與形成于該第一傳導在線的第二傳導線。該第一傳導線可由鎢(W)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鋯(Zr)、鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)、或其合成物加以形成。該第二傳導線可由選自鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、及鎢化鈦(TiW)中的一合成物加以形成。
本發(fā)明的方法可另包含于該步驟(e)之后，形成一介電保護層于該傳導在線，以保護該傳導線及定義終端位置。
該步驟(f)中之外部連接終端可形成于該半導體基板的一底表面上，或者于該半導體基板的至少一橫向側(cè)表面上。


圖1A至圖1K是顯示用以制造一傳統(tǒng)晶片層封裝的一方法的剖面圖；圖2A至圖2D是顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例用以生產(chǎn)一重新分配基板的一方法的剖面圖；圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例的一晶片的一剖面圖；圖4A至圖4I是顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例用以制造一晶片層芯片尺度封裝的一方法的剖面圖；圖5A至圖5E是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一范例實施例用以制造一晶片層芯片尺度封裝的一方法的剖面圖。
附圖標號說明1-硅晶片；10a-IC芯片；10b-IC芯片；11-激活表面；12-芯片墊；13-劃線區(qū)域；14-墊延伸層；16-被動層；18-環(huán)氧化物；20-第一玻璃基板；22-球墊；24-刻痕；26-圖案化鉛層；32-錫球；34-第二玻璃基板；36-環(huán)氧化物；38-菱形區(qū)域；100-重新分配基板；110-透明基板；112-絕緣層；114-周圍屏障；116-圖案化凸塊；118-重新分配線；120-光敏性膠黏劑；122-銦(In)型膠黏劑；200-晶片；201-半導體基板；202-激活表面；204-非激活表面；212-影像感應區(qū)域；214-芯片墊；216-被動層；218-墊金屬層；220-孔；222-第一傳導層；223-第一傳導線；224-第二傳導層；225-第二傳導線；226-光阻罩；228-介電保護層；230-外部連接終端；232-劃線區(qū)域；240-光阻層；242-熱固樹脂。
具體實施例方式
現(xiàn)在開始將參照附圖更完整說明本發(fā)明的范例非限制實施例。然而，本發(fā)明可實施于許多不同形式中，且不應解釋為限制于在此提出的范例實施例。而是提供該公開實施例，使得此公開將徹底且完整，且將完全傳達本發(fā)明的范疇至熟悉該領域的普通一般技術人員。本發(fā)明的原則與特征可于不超出本發(fā)明的權(quán)利要求保護范疇外實施于各種各樣與許多實施例中。
應注意不詳細描述或示范已知結(jié)構(gòu)與制程，以避免混淆本發(fā)明的本質(zhì)。亦應注意附圖并非依比例尺繪制。而是為了示范的簡化與澄清的目的，相對其他組件夸張某些組件的尺寸。類似組件符號用于不同附圖的類似與對應部分。
于剖面圖中，第2A至圖2D顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例用以生產(chǎn)一重新分配基板的一方法。
圖2A顯示提供一透明絕緣基板110做為該重新分配基板100的基底的一步驟。該透明基板110具有約300～500μm的一厚度，且如由玻璃制成。該透明基板110可由其它材料制成，例如石英、丙烯酸樹脂、及具有良好光透射率的許多其它適當材料。此外，若有需要，該透明基板110可涂上氧化銦錫(ITO)。
圖2B顯示提供一絕緣層112于該透明基板110的一表面上的一步驟。該絕緣層112具有約10～100μm的一厚度，且將于一后續(xù)步驟中制造至圖案化凸塊及周圍屏障中。該絕緣層112是由聚合物制成，例如聚亞酰胺。然而，該絕緣層112的材料僅為示范，且其它適當材料或可使用為該絕緣層112。
圖2C顯示形成該圖案化凸塊116與該周圍屏障114的一步驟。該絕緣層112使用業(yè)界中已知的光蝕刻技術圖案化，因此獲得該凸塊116與該屏障114。如稍后所述般，當該重新分配基板100結(jié)合至一晶片時，該凸塊116將同時接觸該晶片的一芯片墊與一傳導線。因此可能想要該凸塊16成對。
本發(fā)明的晶片層芯片尺度封裝可有利應用至一光電子裝置，例如一影像傳感器芯片，其具有由配置于一芯片激活表面上的一像素數(shù)組與一微米透鏡所組成的一影像感應區(qū)域。該屏障114將環(huán)繞該影像感應區(qū)域，以避免不想要的微粒污染該影像感應區(qū)域。
圖2D顯示形成重新分配線118的一步驟，其各連接一對凸塊116。若有必要，該重新分配線118可形成于該屏障114上。該重新分配線118可由銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、及其合成物所制成，包含鉻/銅/鈦(Cr/Cu/Ti)、鈦/銅/鎳(Ti/Cu/Ni)、鉻/銅/鎳(Cr/Cu/Ni)、及鈦/鎢/鎳(Ti/W/Ni)。然而，應了解上列金屬僅經(jīng)由示范加以呈現(xiàn)，且并非作為本發(fā)明之一限制。各金屬層可具有范圍自約50至約25μm的一厚度。
濺鍍或電鍍可用以形成該重新分配線118，且一足夠光阻罩可另用以圖案化該重新分配線118。應了解該公開技術僅為范例，且并非視為本發(fā)明之一限制。業(yè)界中已知的許多其它適當技術或者可用以形成該重新分配線118，例如沉積、無電電鍍、絲網(wǎng)印刷、及噴墨。
上文中所討論的重新分配基板100將結(jié)合至該晶片，且用于該晶片層芯片尺度封裝的制造。
于一剖面圖中，圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例的一晶片200。
該晶片是由半導體材料制成，例如單晶硅，且基于具有約700～800μm的一厚度的一薄碟型基板201。該半導體基板201可具有一激活表面202與一非激活表面204。于下方該非激活表面204將指該激活表面的相對表面或側(cè)表面其中之一。
該半導體基板201的激活表面202具有復數(shù)個芯片墊214使用為芯片內(nèi)部電路(未顯示)的電氣連接終端。除了該芯片墊214之外，該激活表面202覆蓋著一被動層216。該芯片墊214主要由鋁(Al)形成。然而，該芯片墊214可由其它適當材料形成，例如鋁(Al)與銅(Cu)的合金。該鈍化層216可由氧化硅或氮化硅形成。
可想要該芯片墊214以致少一金屬層涂覆，其于下方將稱為一墊金屬層218。該墊金屬層218可由與用于上述重新分配層的相同金屬或其它金屬形成。最好，金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、或銅(Cu)可用于該墊金屬層218，且沉積約1～3μm的一厚度。另外，防氧化金屬，例如金(Au)，或傳導氧化金屬，例如錫(Sn)，可另沉積介于約100與約5μm間的一厚度。該墊金屬層218可使用已知技術加以形成，包含例如(但非限制于)蒸發(fā)或濺鍍脫除(sputterlift-off)。
如上所討論般，于具有光電子裝置的晶片的情況中，該半導體基板201的激活表面202亦可具有該影像感應區(qū)域212。
上文中所述的晶片200結(jié)合至該重新分配基板，于圖2D中為100，且該晶片層芯片尺度封裝制造自此。
于剖面圖中，圖4A至圖4I顯示根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例用以制造一晶片層芯片尺度封裝的一方法。
圖4A顯示結(jié)合該重新分配基板100至該晶片200的一步驟。舉例來說，該結(jié)合是使用一光敏性膠黏劑120加以建立，例如環(huán)氧化物。該光敏性膠黏劑120選擇性涂覆于該晶片200或該重新分配基板100上，不覆蓋該晶片200的影像感應區(qū)域212。再者，舉例來說，一銦(In)型膠黏劑122使用雷射焊接連接該晶片200的芯片墊214與該重新分配基板100的凸塊116的對應者。
于其它實施例中，該重新分配基板100與該晶片200間的結(jié)合可使用異向性傳導材料、納米互連糊狀物、或業(yè)界中已知的任何其它材料加以作成。
圖4B顯示一晶片背磨步驟。于該晶片200結(jié)合至該重新分配基板100的后，若有需要，可機械研磨該半導體基板201，以減小該晶片200的厚度。該晶片200可由該研磨步驟變細至約50～150μm的厚度。
圖4C顯示形成孔220于該晶片200中的一步驟。如上所討論般，該重新分配基板100的圖案化凸塊116成對。另外，各凸塊對同晶片200的芯片墊214相接觸。各孔220與各凸塊的另一個相應和一致。該孔220可藉由鉆孔，例如雷射鉆孔或機械鉆孔、蝕刻，例如等粒子體乾蝕刻或反應離子蝕刻、或業(yè)界中已知的其它傳統(tǒng)孔形成技術加以形成。
蝕刻孔的一范例情況示范于圖5A至圖5E中。參照圖5A至圖5E，一開始，該半導體基板201的底表面204涂上一光阻層240(圖5A)。接著，實施暴露與顯影，以產(chǎn)生一光阻圖案241(圖5B)。然后，使用該光阻圖案241實施一工序，以選擇性蝕刻該半導體基板201(圖5C)。舉例來說，該工序可使用一六氟化硫(SF6)氣體作為一蝕刻劑氣體。其后，移除該光阻圖案，且該半導體基板201的底表面204涂上一熱固樹脂242，例如環(huán)氧化物(圖5D)。組合或噴灑技術可用以涂覆該熱固樹脂242。然后，藉由選擇性蝕刻該熱固樹脂242，該孔形成于該樹脂242中，而非該半導體基板201中(圖5E)。
于該孔220形成于該晶片200中之后，形成一傳導層222。圖4D顯示形成該傳導層222于該孔220中及于該半導體基板201的底表面204上的一步驟。該傳導層222可由具有高傳導性的金屬或瑕疵金屬形成。舉例來說，該傳導層222可實施鎢(W)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鋯(Zr)、鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)、或其合成物。最好，鉻(Cr)、銅(Cu)及鎳(Ni)可一個接著一個電鍍，以形成該傳導層222。
于該傳導層222(于下方稱為該第一傳導層)形成之后，若有需要，可另形成一第二傳導層。第4E圖顯示作為一黏著層、一種子層、一擴散阻擋層、及一焊料淋濕層的第二傳導層224的一步驟。該第二傳導層224可由選自鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、及鎢化鈦(TiW)中的合成物加以形成。舉例來說，可能使用鈦/銅/鎳/金(Ti/Cu/Ni/Au)、鉻/銅/鎳/金(Cr/Cu/Ni/Au)、或鎢化鈦/鎳(TiW/Ni)。然而，應了解為該第一與第二傳導層222與224的上列材料僅經(jīng)由示范加以呈現(xiàn)，且并非作為本發(fā)明之一限制。
圖4F顯示形成第一傳導線223與第二傳導線225的一步驟，兩著皆可藉由透過一光阻罩226選擇性移除該第一與第二傳導層222與224加以產(chǎn)生。該傳導層222與224的選擇性移除可使用業(yè)界中已知的蝕刻或雷射整修。
代替選擇性移除該傳導層，傳統(tǒng)圖案鍍敷可用以形成該傳導線223與225。該圖案鍍敷包含事先形成對應至該傳導線的一光阻圖案，及接著透過該光阻圖案執(zhí)行一選擇性電鍍。
圖4G顯示形成一介電保護層228的一步驟，舉例來說，其可由傳動光焊阻(PSR)材料制成。該介電保護層228不只保護該傳導線223與225的大部分，但亦暴露該傳導線223與225的一些部分，以定義終端位置。
圖4H顯示形成外部連接終端230的一步驟。不同種類的焊料、金(Au)、或其它替代材料可形成塑形為凸塊或球的外部連接終端230。該外部連接終端230配置于該半導體基板201的非激活表面上。也就是該終端230可如所述般形成于該半導體基板201的底表面204上，或者于該半導體基板201的至少一橫向側(cè)表面上。
最后，圖4I顯示一晶片菱形化步驟。該晶片200與該重新分配基板100沿著一劃線區(qū)域232分割，因此獲得制造于該個別芯片上的WLP。此步驟可使用一鉆石輪或一雷射切割工具。
如上文中所完整討論般，根據(jù)本發(fā)明的方法使用該重新分配基板以電氣連接該激活表面上的芯片墊與該非激活表面上的封裝終端。該重新分配基板可與該晶片分離生產(chǎn)，且接著結(jié)合至該晶片，因此整個制程變得較簡單且改進該生產(chǎn)力。
本發(fā)明的方法不但用該重新分配基板而且用該孔實施電氣連接，其兩者皆位于該芯片區(qū)域中，而非于該劃線區(qū)域中。因此不需要增加該晶片的一劃線區(qū)域，亦不需使用具有減少芯片數(shù)的一不利晶片。
再者，使用位于該芯片區(qū)域中而非該劃線區(qū)域中的孔的電氣連接對于減少封裝大小較有利。
此外，使用該凸塊對上的重新分配線的電氣連接提供絕佳圖案設計彈性，而不考慮該芯片墊與該孔的位置。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參照其范例實施例特別顯示與描述，熟悉該項技術的普通一般技術人員應了解于不超出所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明精神與范疇外于其中可做不同形式與細節(jié)的變更。
權(quán)利要求
1.一種用以制造一晶片層芯片尺寸封裝的方法，其特征在于，該方法包含(a)生產(chǎn)具有一透明絕緣基板與形成于該透明絕緣基板上的重新分配線的一重新分配基板；(b)提供具有含一激活與至少一未激活表面的一半導體基板的一晶片，該晶片另具有形成于該激活表面上的芯片墊；(c)結(jié)合該重新分配基板至該晶片，使得該重新分配線的第一部分連接該芯片墊；(d)于該晶片中形成自該激活表面延伸至該非激活表面的孔，使得該重新分配線的第二部分暴露至該孔；(e)形成傳導線于該孔中與該非激活表面上；(f)形成外部連接終端于形成于該非激活表面上的傳導在線；及(g)沿著一刻劃線劃分該重新分配基板與該晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(a)包含(a-1)提供該透明絕緣基板；(a-2)提供一絕緣層于該透明絕緣基板上；(a-3)藉由圖案化該絕緣層形成凸塊；及(a-4)形成該重新分配線于該凸塊上。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該透明絕緣基板是由玻璃、石英、或丙烯酸樹脂制成。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該步驟(a-3)另具有藉由圖案化該絕緣層形成屏障。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該步驟(a-3)形成凸塊對，各對具有連接該芯片墊的一第一凸塊與暴露至該孔的一第二凸塊。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該絕緣層是由聚合物制成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該重新分配線是由銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、或其合成物制成。
8.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該步驟(a-4)使用濺鍍、電鍍、沉積、無電電鍍、絲網(wǎng)印刷、或噴墨加以實施。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該晶片另具有形成于該激活表面上的一影像感應區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該晶片另具有形成于該芯片墊上的至少一墊金屬層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該墊金屬層是由金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、或其合成物制成。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(c)中的重新分配基板與晶片間的結(jié)合是使用一光敏性膠黏劑加以建立。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(c)中的重新分配線與芯片墊間的連接是使用一銦(In)型膠黏劑加以作成。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(c)中的重新分配基板與晶片間的結(jié)合是使用異向性傳導材料或納米互連糊狀物加以作成。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其另包含于步驟(c)之后，機械研磨該晶片的一底表面，以減小該晶片的厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該晶片藉由該研磨步驟變細至約50～150μm的厚度。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(d)使用雷射鉆孔、機械鉆孔、等離子體乾蝕刻、或反應離子蝕刻加以實施。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(e)包含形成至少一傳導層于該孔中及于該非激活表面上，及選擇性移除該傳導層，以產(chǎn)生該傳導線。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(e)包含形成對應至該非激活表面上的傳導線的一光阻圖案，及透過該光阻圖案執(zhí)行一選擇電鍍，以產(chǎn)生該傳導線。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該傳導線具有第一傳導線與形成于該第一傳導在線的第二傳導線。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，該第一傳導線是由鎢(W)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鋯(Zr)、鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)、或其合成物加以形成。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，該第二傳導線是由選自鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、及鎢化鈦(TiW)中的一合成物加以形成。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其另包含于該步驟(e)之后，形成一介電保護層于該傳導在線，以保護該傳導線及確定終端位置。
24.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該步驟(f)中的外部連接終端形成于該半導體基板的一底表面上，或者于該半導體基板的至少一橫向側(cè)表面上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用以使用一重新分配基板制造一晶片層芯片尺寸封裝的方法，其具有由重新分配線所連接且形成于一透明絕緣基板上的圖案化凸塊對。該重新分配基板與一晶片分離生產(chǎn)，且接著結(jié)合至該基板。各凸塊對的一部分接觸該晶片的激活表面上的一芯片墊，且另一部分與形成于該晶片中的孔其中的一相一致。傳導線形成于該孔中及于該晶片的非激活表面上。外部連接終端于該非激活表面處形成于該傳導在線。
文檔編號H01L21/60GK1779934SQ20051010599
公開日2006年5月31日 申請日期2005年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者金在俊 申請人:伊斯德科高麗股份有限公司