專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片尺寸封裝和制備晶片級(jí)的芯片尺寸封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片尺寸封裝和制備晶片級(jí)的芯片尺寸封裝的方法。
電子設(shè)備的小型化是電子工業(yè)的主要趨勢(shì)之一，已引起制備小封裝的許多技術(shù)的發(fā)展，特別是與半導(dǎo)體集成電路芯片幾乎同等大小的封裝。聯(lián)合電子設(shè)備工程協(xié)會(huì)(JEDEC)已提出名稱(chēng)為“芯片尺寸封裝(CSP)”的一種小封裝。JEDEC對(duì)CSP的定義是其封裝具有的外形為封裝所含的半導(dǎo)體芯片外形的1.2倍或更小。
許多公司和學(xué)會(huì)已研制他們自己的CSP制造技術(shù)，有些已使他們自己的技術(shù)或產(chǎn)品商業(yè)化。然而，大多數(shù)新研制的CSP與在半導(dǎo)體工業(yè)中成熟的塑料封裝相比，在產(chǎn)品可靠性、工藝可靠性和制造成本方面存在許多缺陷。因此，為廣泛和成功商業(yè)化CSP，要尋找具有更好工藝和產(chǎn)品可靠性以及較低制造成本的新的CSP。
按本發(fā)明，以晶片級(jí)制備芯片尺寸封裝(CSP)。CSP包括用于在半導(dǎo)體芯片上再分布芯片焊盤(pán)的導(dǎo)電層；一個(gè)或兩個(gè)絕緣層和作為CSP端子并通過(guò)導(dǎo)電層與各自芯片焊盤(pán)互連的焊料球。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層直接形成在半導(dǎo)體晶片表面或鈍化層上，而在另一實(shí)施例中，在半導(dǎo)體晶片表面上形成絕緣層之后，導(dǎo)電層形成在絕緣層上。在這兩個(gè)實(shí)施例中，另一絕緣層形成在導(dǎo)電層上，附加的金屬層形成在芯片焊盤(pán)與導(dǎo)電層之間以及焊料球與導(dǎo)電層之間，用于改善界面完整性。
此外，為改善CSP的可靠性，提供加強(qiáng)層、邊緣層保護(hù)層和芯片保護(hù)層。形成在絕緣層上的加強(qiáng)層吸收當(dāng)CSP安裝在線路板上并被長(zhǎng)期使用時(shí)作用于焊料球的應(yīng)力，并且延長(zhǎng)焊料球的壽命。邊緣保護(hù)層在半導(dǎo)體晶片上沿著半導(dǎo)體晶片上的劃片線形成，而芯片保護(hù)層形成在半導(dǎo)體晶片的背面。邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層防止外部力損壞CSP。在半導(dǎo)體晶片上形成CSP的所有元件之后，鋸切半導(dǎo)體晶片以產(chǎn)生單個(gè)CSP。
按本發(fā)明的CSP制造方法采用了現(xiàn)有的技術(shù)，因此不需要開(kāi)發(fā)新技術(shù)或設(shè)備。而且，本發(fā)明的晶片級(jí)CSP制造比將半導(dǎo)體晶片鋸切成集成電路芯片之后一次對(duì)一個(gè)芯片制造CSP的芯片級(jí)CSP制造有更高生產(chǎn)率。


圖1是包括半導(dǎo)體集成電路芯片和形成在其上的劃片線的半導(dǎo)體晶片的頂部示意圖。
圖2是圖1的半導(dǎo)體晶片的部分截面圖。
圖3表示在半導(dǎo)體晶片表面形成金屬層之后的圖2的結(jié)構(gòu)。
圖4表示在金屬層上形成圖形化光刻膠層之后的圖3的結(jié)構(gòu)。
圖5表示利用圖形化光刻膠層作為掩模，蝕刻金屬層以產(chǎn)生圖形化導(dǎo)電層之后的圖4的結(jié)構(gòu)。
圖6表示清除圖形化光刻膠層之后的圖5的結(jié)構(gòu)。
圖7表示在包括圖形化導(dǎo)電層的半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成絕緣層之后的圖6的結(jié)構(gòu)。
圖8表示為使圖形化導(dǎo)電層露出，金屬凸起與圖形化導(dǎo)電層互連，在形成開(kāi)口之后的圖7的結(jié)構(gòu)。
圖9表示在半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成阻擋層之后的圖8的結(jié)構(gòu)。
圖10表示為使絕緣層的開(kāi)口和圍繞開(kāi)口的部分絕緣層露出，在形成另一光刻膠層之后的圖9的結(jié)構(gòu)。
圖11表示在未被光刻膠層覆蓋的區(qū)域上形成中間凸起之后的圖10的結(jié)構(gòu)。
圖12表示清除光刻膠層之后的圖11的結(jié)構(gòu)。
圖13表示清除阻擋層之后的圖12的結(jié)構(gòu)。
圖14表示在絕緣層上形成加強(qiáng)層之后的圖13的結(jié)構(gòu)和根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CSP的示意橫截面圖。
圖15是按本發(fā)明的CSP的示意底視圖。
圖16表示在除芯片焊盤(pán)之外的半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成下絕緣層之后的結(jié)構(gòu)。
圖17表示在半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成粘合層之后的圖16的結(jié)構(gòu)。
圖18表示在粘合層上形成圖形化光刻膠層之后的圖17的結(jié)構(gòu)。
圖19表示在粘合層上形成圖形化導(dǎo)電層之后的圖18的結(jié)構(gòu)，此處沒(méi)有圖形化光刻膠層。
圖20表示清除圖形化光刻膠層和圖形化光刻膠層下的粘合層之后的圖19的結(jié)構(gòu)。
圖21表示在除將形成焊料球的地方以外的半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成上絕緣層之后的圖20的結(jié)構(gòu)。
圖22表示加強(qiáng)層形成在上絕緣層上之后的圖21的結(jié)構(gòu)和按本發(fā)明另一實(shí)施例的CSP的示意橫截面圖。
圖23表示按本發(fā)明的包括邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層的部分半導(dǎo)體晶片。
圖24是由圖23的半導(dǎo)體晶片鋸切的CSP的橫截面圖。
圖25是在沒(méi)有邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層時(shí)會(huì)發(fā)生損壞的CSP的橫截面圖。
不同圖中的相同參考標(biāo)號(hào)表示類(lèi)似或同一元件。
本發(fā)明提供包括多個(gè)特征的CSP，它可改善封裝的可靠性和CSP的晶片級(jí)制造方法。
圖2-14說(shuō)明了按本發(fā)明實(shí)施例的CSP和制造CSP的方法。特別是，圖14表示CSP的部分橫截面圖。
如圖1所示，圖14的CSP制造由具有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片50和在半導(dǎo)體芯片50之間的劃片線52的半導(dǎo)體晶片40開(kāi)始。圖2是表示芯片焊盤(pán)12和半導(dǎo)體芯片50的鈍化層14的半導(dǎo)體晶片40的部分截面圖。芯片焊盤(pán)12是連接半導(dǎo)體芯片50的外圍電路(未示出)的多個(gè)芯片焊盤(pán)中的一個(gè)，并提供外部電連接的入口。由于制造圖1的半導(dǎo)體晶片40為公知技術(shù)，這里不再詳細(xì)解釋其制備。
參考圖3，金屬層16在包括芯片焊盤(pán)12和鈍化層14的半導(dǎo)體晶片的整個(gè)表面上形成，從而在金屬層16與芯片焊盤(pán)12之間形成電連接。金屬層16的厚度大于構(gòu)成鈍化層14下面的芯片電路圖形的金屬層(未示出)厚度，優(yōu)選1-5μm。金屬層16可由多種材料構(gòu)成，包括銅、鋁、鎳、銅合金、鋁合金和鎳合金，但不限定于此。
在半導(dǎo)體晶片40表面上形成金屬層16之后，進(jìn)行金屬層16的構(gòu)圖以形成圖形化導(dǎo)電層17，如圖4-6所示。首先，如圖4所示，在金屬層16上形成圖形化光刻膠層18。圖形化光刻膠層18只覆蓋將構(gòu)成圖形化導(dǎo)電層17的區(qū)域。然后，蝕刻金屬層16(圖5)并清除圖形化光刻膠層18(圖6)得到圖形化導(dǎo)電層17，其圖形相應(yīng)于按芯片焊盤(pán)12再分布方案。
形成圖形化導(dǎo)電層17的另一方法是在芯片焊盤(pán)12和鈍化層14上直接絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電膠(未示出)，并固化導(dǎo)電膠以產(chǎn)生圖形化導(dǎo)電層17。導(dǎo)電膠的具體例可以是金屬顆粒與粘合樹(shù)脂的混合物。
圖7表示圖形化導(dǎo)電層17形成之后的在半導(dǎo)體晶片40的整個(gè)表面上形成的絕緣層24。絕緣層24變成圖14的CSP的一部分，因此，它應(yīng)具有希望的性能，例如，低吸濕率、低介電常數(shù)和低熱膨脹系數(shù)?？紤]到這些性能，BCB(苯并環(huán)丁烯)適合絕緣層24。象BCB一樣，如聚酰亞胺與環(huán)氧的其他聚合物和如四氮化三硅、二氧化硅以及四氮化三硅與二氧化硅混合的無(wú)機(jī)材料也可用于絕緣層24。傳統(tǒng)的旋涂法可形成聚合物絕緣層，而傳統(tǒng)的化學(xué)氣相淀積法可形成無(wú)機(jī)絕緣層。在兩種情況下，絕緣層厚度優(yōu)選2-50μm。
參考圖8，部分清除絕緣層24以形成對(duì)著凸起焊盤(pán)22的開(kāi)口，凸起焊盤(pán)22是經(jīng)該開(kāi)口露出的部分圖形化導(dǎo)電層17。凸起焊盤(pán)22稱(chēng)為再分布芯片焊盤(pán)12，而凸起焊盤(pán)22的位置取決于包括凸起焊盤(pán)22的CSP表面安裝的線路板的設(shè)計(jì)。
開(kāi)口形成之后，形成金屬阻擋層26，覆蓋絕緣層24和凸起焊盤(pán)22，如圖9所示。阻擋層26不僅防止圖14的圖形化導(dǎo)電層17與凸起32之間的擴(kuò)散，還提高了圖形化導(dǎo)電層17與凸起之間的粘合力。而且，阻擋層26為凸起焊盤(pán)22上的凸起32提供電鍍金屬中的電供給介質(zhì)。阻擋層26通常包括兩個(gè)或三個(gè)子層，例如，包括鈦/銅、鈦/鈦-銅/銅、鉻/鉻-銅/銅、鈦-鎢/銅、鋁/鎳/銅或鋁/鎳-釩/銅的結(jié)構(gòu)。在形成鈦/鈦-銅/銅或鉻/鉻-銅/銅的結(jié)構(gòu)中，濺射設(shè)備同時(shí)采用兩個(gè)靶以便該結(jié)構(gòu)由中間層、鈦-銅層或鉻-銅層形成。在形成圖3的金屬層16之前，與阻擋層26結(jié)構(gòu)相同的粘合層(未示出)形成在芯片焊盤(pán)12與金屬層16之間。阻擋層26與粘合層的厚度為1μm或更小，優(yōu)選0.8-1.0μm。
如圖10所示，阻擋層26上形成另一光刻膠層28，使絕緣層24中的開(kāi)口和圍繞開(kāi)口的區(qū)域露出。然后，凸起32的金屬，優(yōu)選焊料合金中的金屬被鍍覆，以在未被光刻膠層28覆蓋的區(qū)域上形成中間凸起30，如圖11所示。替代鍍覆法，焊料膏的絲網(wǎng)印刷、預(yù)制焊料球的置換或在絕緣層中的開(kāi)口處濺射液體焊料劑的金屬?lài)姙R法也可產(chǎn)生中間凸起30。形成中間焊料球30之前，在凸起焊盤(pán)22的阻擋層26上形成幾微米到數(shù)十微米厚的銅層(未示出)，以防止回流處理過(guò)程中由中間焊料球30與阻擋層26之間擴(kuò)散而引起的可靠性問(wèn)題，回流處理熔化中間焊料球30，再成型焊料球32。
形成中間焊料球30之后，通過(guò)蝕刻清除光刻膠層28和阻擋層26，而只有中間焊料球30下面的阻擋金屬部分27被保留，如圖12所示。然后，傳統(tǒng)的回流方法再成型中間焊料球30成焊料球32，如圖13所描述。在該實(shí)施例中，焊料球32的高度在350μm到500μm之間。
此外，如圖14所示，絕緣層24上形成加強(qiáng)層34，以支撐焊料球32并吸收當(dāng)CSP安裝在線路板(未示出)上并長(zhǎng)期使用時(shí)作用于焊料球32的應(yīng)力。由此應(yīng)力引起的斷裂是形成覆蓋層34的現(xiàn)有CSP的常見(jiàn)問(wèn)題，具有低粘度的液體聚合物可被分配并固化。低粘度的液體聚合物使得表面張力將聚合物向上凸起31的側(cè)面并形成凸起32的凹型支撐。優(yōu)選固化后高抗彎強(qiáng)度的聚合物，這是由于抗彎強(qiáng)度越高，加強(qiáng)層34越能從焊料球32吸收更多應(yīng)力。加強(qiáng)層34不應(yīng)覆蓋焊料球32的頂部。優(yōu)選地，加強(qiáng)層34在比焊料球32的頂部低焊料球高度的1/4的點(diǎn)處與焊料球32相交。
最后，沿劃片線52鋸切經(jīng)過(guò)圖2-14所示步驟的半導(dǎo)體晶片40，產(chǎn)生圖15示意的各個(gè)CSP。
在實(shí)際應(yīng)用中為對(duì)CSP提供更多個(gè)保護(hù)，使CSP免受外來(lái)沖擊和作用于CSP的熱-機(jī)械應(yīng)力，本發(fā)明另一實(shí)施例包括兩個(gè)絕緣層和附加保護(hù)層。該實(shí)施例參考圖16-24來(lái)描述。
參考圖16，在包括芯片焊盤(pán)12和鈍化層14的半導(dǎo)體晶片40上形成下絕緣層60。在半導(dǎo)體晶片40的整個(gè)表面上形成絕緣層之后，蝕刻芯片焊盤(pán)12上的絕緣層，產(chǎn)生為下一步互連接的開(kāi)口。傳統(tǒng)的蝕刻方法可清除芯片焊盤(pán)12上的絕緣層。下絕緣層60變成圖22的CSP的一部分，其應(yīng)具有理想的性能，如低吸濕率、低介電常數(shù)和低熱膨脹系數(shù)。如BCB、聚酰亞胺與環(huán)氧的聚合物和如四氮化三硅、二氧化硅以及四氮化三硅與二氧化硅混合的無(wú)機(jī)材料可用于下絕緣層60。在它們當(dāng)中優(yōu)選BCB用于下絕緣層60。形成下絕緣層60的工藝與如上所述形成絕緣層24的工藝一樣。下絕緣層60的厚度優(yōu)選2-50μm。
形成下絕緣層之后，形成粘合層62，它覆蓋下絕緣層60和芯片焊盤(pán)12，如圖17所示。粘合層62能增強(qiáng)圖19的圖形化導(dǎo)電層66與芯片焊盤(pán)12之間的粘合力。粘合層62通常包括兩個(gè)或三個(gè)子層，如鈦/銅、鈦/鈦-銅/銅、鉻/鉻-銅/銅、鈦-鎢/銅、或鋁/鎳/銅。粘合層62的厚度約為0.5μm。
參考圖18-20，解釋圖形化導(dǎo)電層66的形成。首先，在其上包括粘合層62的下絕緣層60上形成圖形化光刻膠層64，使圖形化光刻膠層64不存在于將形成圖形化導(dǎo)電層66的地方。然后，在粘合層62上利用沉積法形成圖形化導(dǎo)電層66，經(jīng)圖形化光刻膠層64使粘合層62暴光。剝離法清除圖形化光刻膠層64而蝕刻法使粘合層62暴露。圖形化導(dǎo)電層66由多種材料組成，包括銅、鋁、鎳、銅合金、鋁合金和鎳合金，但不限定于此。另一方面，能以與參考圖3-6所示的類(lèi)似方法完成圖形化導(dǎo)電層66的形成。
如圖21所示，形成圖形化導(dǎo)電層66之后，形成上絕緣層68，將形成凸起74的部分圖形化導(dǎo)電層66暴露。之后，形成阻擋層72、凸起74和加強(qiáng)層76，產(chǎn)生圖22所示的CSP。由上絕緣層68形成到加強(qiáng)層76形成的制造步驟與參考圖7-14所描述的步驟一致。上絕緣層68、阻擋層72、凸起74和加強(qiáng)層76的特征也與如上所述的一致。
實(shí)施例還包括更多的保護(hù)層邊緣保護(hù)層80與芯片保護(hù)層82。圖23表示沿劃片線52形成在半導(dǎo)體晶片40上的邊緣保護(hù)層80和形成在半導(dǎo)體晶片40背面上的芯片保護(hù)層82。鋸切圖23的半導(dǎo)體晶片40得到圖24的CSP100。在不存在邊緣保護(hù)層80和芯片保護(hù)層82的情況下，晶片鋸切和CSP100的隨后處理會(huì)使CSP存在缺陷，如圖25所示的邊緣修整。
邊緣保護(hù)層80可在使用掩模通過(guò)絲網(wǎng)印刷或刻印如環(huán)氧樹(shù)脂的聚合物并固化聚合物形成凸起74之前形成。邊緣保護(hù)層80最好比劃片線52寬，從而邊緣保護(hù)層80一部分沿周邊保留在CSP上，如圖24所示。邊緣保護(hù)層80的高度小于凸起74的高度。邊緣保護(hù)層80的高度優(yōu)選小于凸起74的高度的1/10。
芯片保護(hù)層82可在通過(guò)旋涂如聚酰亞胺和環(huán)氧的聚合物于半導(dǎo)體晶片的背面上完成半導(dǎo)體晶片的制備之后形成。優(yōu)選芯片保護(hù)層的厚度為2-50μm。
按本發(fā)明制備的CSP與以前工藝的其它CSP相比具有許多優(yōu)點(diǎn)。其優(yōu)點(diǎn)包括提高的焊料球可靠性、由邊緣保護(hù)層與芯片保護(hù)層對(duì)CSP的保護(hù)以及改善的可制造性。加強(qiáng)層吸收當(dāng)CSP安裝在線路板上并被長(zhǎng)期使用時(shí)作用于焊料球的應(yīng)力，并延長(zhǎng)焊料球及CSP的壽命。邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層防止了外來(lái)力對(duì)CSP的損壞。按本發(fā)明的CSP制造方法應(yīng)用了現(xiàn)有技術(shù)，因此不需要研制新技術(shù)或設(shè)備。而且，，本發(fā)明的晶片級(jí)CSP制造方法與在鋸切半導(dǎo)體集成電路芯片之后產(chǎn)生CSP的芯片級(jí)CSP制造相比有更高生產(chǎn)率。
盡管本發(fā)明已參考特定實(shí)施例進(jìn)行描述，但該描述是本發(fā)明應(yīng)用的例子但并不限定于此。所公開(kāi)的實(shí)施例特征的各種應(yīng)用與結(jié)合均在附屬權(quán)利要求所確定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括具有多個(gè)芯片焊盤(pán)和鈍化層的半導(dǎo)體集成電路芯片與相應(yīng)芯片焊盤(pán)電連接的多個(gè)凸起的外端子；將芯片焊盤(pán)與相應(yīng)外端子相連的圖形化導(dǎo)電層；以及覆蓋并填充外端子之間的空間的加強(qiáng)層，該加強(qiáng)層為外端子提供圍繞支撐。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，還包括形成在圖形化導(dǎo)電層上的上絕緣層，上絕緣層具有多個(gè)開(kāi)口，經(jīng)開(kāi)口該外端子與圖形化導(dǎo)電層相連。
3.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體封裝，其特征在于上絕緣層包含從苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺和環(huán)氧樹(shù)脂組成的組中選擇的聚合物材料。
4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，還包括形成在圖形化導(dǎo)電層與半導(dǎo)體芯片的鈍化層之間的下絕緣層，下絕緣層具有多個(gè)開(kāi)口，芯片焊盤(pán)經(jīng)開(kāi)口與圖形化導(dǎo)電層相連。
5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，還包括形成在半導(dǎo)體芯片背面上的芯片保護(hù)層。
6.權(quán)利要求5的半導(dǎo)體封裝，其特征在于芯片保護(hù)層包含聚合物。
7.權(quán)利要求5的半導(dǎo)體封裝，其特征在于芯片保護(hù)層的厚度為2-50μm。
8.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，還包括在半導(dǎo)體封裝頂表面上沿周邊形成的邊緣保護(hù)層。
9.權(quán)利要求8的半導(dǎo)體封裝，其特征在于邊緣保護(hù)層由聚合物組成。
10.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，其特征在于加強(qiáng)層位于與外端子尖端相連的表面之下。
11.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體封裝，其特征在于從表面到加強(qiáng)層與外端子相交處的垂直距離約為100μm。
12.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括提供具有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片和多個(gè)劃片線的半導(dǎo)體晶片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片在其上具有多個(gè)芯片焊盤(pán)與鈍化層在鈍化層上形成圖形化導(dǎo)電層；在圖形化導(dǎo)電層上形成絕緣層；形成多個(gè)半導(dǎo)體封裝的外端子；以及鋸切晶片以分離半導(dǎo)體集成電路芯片，其中圖形化導(dǎo)電層將每個(gè)芯片焊盤(pán)與相應(yīng)的外端子相連，絕緣層包括多個(gè)開(kāi)口，外端子經(jīng)此開(kāi)口與圖形化導(dǎo)電層相連。
13.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于形成外端子的步驟包括在絕緣層的開(kāi)口處設(shè)置焊料球，以使每個(gè)焊料球位于相關(guān)的開(kāi)口上；以及加熱焊料球使之重新成型，并將焊料球附著于圖形化導(dǎo)電層。
14.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于形成外端子的步驟包括利用具有多個(gè)掩模開(kāi)口的掩模來(lái)絲網(wǎng)印刷焊料膏，每個(gè)掩模開(kāi)口對(duì)應(yīng)每個(gè)凸起開(kāi)口；以及加熱焊料膏以形成附著于凸起焊盤(pán)的焊料球。
15.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，還包括在絕緣層上形成加強(qiáng)層，其中外端子經(jīng)加強(qiáng)層露出。
16.權(quán)利要求15的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于加強(qiáng)層由聚合物組成。
17.權(quán)利要求16的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于形成加強(qiáng)層包括分配液體聚合物給加強(qiáng)層并固化該聚合物。
18.權(quán)利要求15的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于加強(qiáng)層位于與外端子尖端相連的表面之下。
19.權(quán)利要求18的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于從表面到加強(qiáng)層與外端子相交處的垂直距離約為100μm。
20.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于形成圖形化導(dǎo)電層包括絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電膠并固化該膠。
21.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于形成圖形化導(dǎo)電層包括鍍覆金屬層并蝕刻該金屬層。
22.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于絕緣層包含從苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺和環(huán)氧樹(shù)脂組成的組中選擇的聚合物材料。
23.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，還包括在半導(dǎo)體晶片背側(cè)上形成芯片保護(hù)層。
24.權(quán)利要求23的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于芯片保護(hù)層由旋涂法形成。
25.權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體封裝的方法，還包括沿在半導(dǎo)體晶片的上表面上的劃片線形成芯片邊緣保護(hù)層。
26.權(quán)利要求25的方法，其特征在于形成芯片邊緣保護(hù)層包括在晶片的劃片線上分配液體材料。
27.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括提供具有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片和多個(gè)劃片線的半導(dǎo)體晶片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片具有在其上的多個(gè)芯片焊盤(pán)和鈍化層；在半導(dǎo)體芯片的鈍化層上形成下絕緣層，下絕緣層具有在芯片焊盤(pán)上方的開(kāi)口；形成經(jīng)下絕緣層中的開(kāi)口與芯片焊盤(pán)相連的圖形化導(dǎo)電層；在圖形化導(dǎo)電層上形成上絕緣層，上絕緣層具有開(kāi)口，該開(kāi)口使圖形化導(dǎo)電層的一部分露出；在上絕緣層的開(kāi)口處形成半導(dǎo)體封裝的多個(gè)外端子，該外端子與圖形化導(dǎo)電層相連，其中圖形化導(dǎo)電層將每個(gè)芯片焊盤(pán)與相應(yīng)的外端子相連；在上絕緣層上形成加強(qiáng)層；以及鋸切晶片以分離半導(dǎo)體集成電路芯片。
28.權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于上絕緣層包含從苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺和環(huán)氧樹(shù)脂組成的組中選擇的聚合物材料。
29.權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于下絕緣層包含從苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺和環(huán)氧樹(shù)脂組成的組中選擇的聚合物材料。
30.權(quán)利要求27的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于下絕緣層由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明,芯片尺寸封裝CSP以晶片級(jí)制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盤(pán)的導(dǎo)電層、一個(gè)或兩個(gè)絕緣層以及通過(guò)導(dǎo)電層與相應(yīng)芯片焊盤(pán)相連并為CSP的端子的多個(gè)凸起。此外,為改善CSP的可靠性,提供了加強(qiáng)層、邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層。加強(qiáng)層吸收當(dāng)CSP安裝在線路板上并被長(zhǎng)期使用時(shí)作用于凸起的應(yīng)力,并延長(zhǎng)凸起及CSP的壽命。邊緣保護(hù)層和芯片保護(hù)層防止外力損壞CSP。在半導(dǎo)體晶片上形成所有構(gòu)成CSP的元件之后,鋸切半導(dǎo)體晶片,得到單個(gè)CSP。
文檔編號(hào)H01L23/31GK1246731SQ9910025
公開(kāi)日2000年3月8日 申請(qǐng)日期1999年1月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月28日
發(fā)明者金南錫, 張東鉉, 姜思尹, 權(quán)興奎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社