專利名稱：利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，特別是涉及一種利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造以及具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有習(xí)知的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造包括有卷帶封裝構(gòu)造(Tape CarrierPackage，TCP)或薄膜覆晶封裝構(gòu)造(Chip On Film，COF)，其是先在驅(qū)動(dòng)芯片的焊墊形成金凸塊，再熱壓合至卷帶(Tape)或薄膜(Film)，而在封裝過程中，因金凸塊的硬度值的變化太大，制程參數(shù)必須控制在較小的范圍內(nèi)，即制程窗(process window)較小，現(xiàn)有習(xí)知金凸塊的硬度值在維氏硬度(Hv)35至65之間，即變動(dòng)范圍為維氏硬度30，可容許的內(nèi)引腳接合(Inner Lead Bond，ILB)參數(shù)變化較小。
一種現(xiàn)有習(xí)知的凸塊構(gòu)造，是如中國臺(tái)灣專利公告第488052號(hào)“無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的制程”所揭示，其是在一設(shè)有若干焊墊的基板上形成一內(nèi)層金屬凸塊，該內(nèi)層金屬凸塊的材質(zhì)是為鎳，其高度是在15μm以上，一材質(zhì)為金的外圍金屬層是完全包覆住該內(nèi)層金屬凸塊外圍，使得該雙層以上金屬凸塊的總厚度在18μm以上，當(dāng)一芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊形成該些凸塊之后，必須再經(jīng)過晶圓測試的步驟，在晶圓測試過程中，必須將探針插入該些焊墊上的雙層以上金屬凸塊，由于該外圍金屬層(金)的高度是為該內(nèi)層金屬凸塊(鎳)的五分之一以下，即金層的厚度較薄，探針會(huì)因容易刺穿金層而抵觸到硬度較硬的鎳層，使得探針容易磨耗，嚴(yán)重時(shí)，甚至?xí)蚪饘拥暮穸忍?，使得整個(gè)凸塊的材質(zhì)太硬而使探針無法插入凸塊，無法作晶圓測試，此外，由于凸塊與內(nèi)引腳熱壓合是利用金與內(nèi)引腳上所鍍的錫產(chǎn)生共晶(eutectic)接合，若該雙層以上金屬凸塊的金層的厚度太薄，會(huì)使得共晶不良而影響內(nèi)引腳接合的強(qiáng)度。
由此可見，上述現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種新型的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片，所要解決的技術(shù)問題是使得該驅(qū)動(dòng)芯片與該電路薄膜熱壓合時(shí)，防止該些連接端過份潰陷于該些多層凸塊內(nèi)，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片，所要解決的技術(shù)問題是使該些多層凸塊的硬度值的變動(dòng)范圍縮小，而能在熱壓合該驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)具有較大的制程窗(processwindow)，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其包括一電路薄膜，其包括有一電絕緣軟膜本體及一導(dǎo)電線路層，該導(dǎo)電線路層是形成于該電絕緣軟膜本體并具有復(fù)數(shù)個(gè)連接端；一驅(qū)動(dòng)芯片，其具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面是形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；及復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊，其是設(shè)在該驅(qū)動(dòng)芯片的該主動(dòng)面上，以供熱壓合該些連接端，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層是設(shè)在該些焊墊上，該些接合金屬層是形成在該些基礎(chǔ)金屬層上且其硬度是小于該些基礎(chǔ)金屬層，當(dāng)該電路薄膜的該些連接端共晶接合于該些接合金屬層時(shí)，該些基礎(chǔ)金屬層是可防止該些連接端過份潰陷于該些多層凸塊內(nèi)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層是包含鎳，且該些接合金屬層是包含金。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的硬度是不小于該電路薄膜的該些連接端的硬度。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的厚度是不大于該些接合金屬層的二倍厚度。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的維氏硬度(Hv)是介于280～350，而該些接合金屬層的維氏硬度(Hv)是介于45～75。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的該些焊墊上是形成有一凸塊下金屬層。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其另包括一封膠體，其是包覆該些多層凸塊。
前述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其中所述的電路薄膜是為卷帶承載封裝(TCP)的卷帶(Tape)，該電路薄膜具有一開口，該些連接端是懸空形成于該開口內(nèi)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片，其具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面是形成有一焊墊，該焊墊是形成有一多層凸塊，該多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該基礎(chǔ)金屬層是接合于該些焊墊，而該接合金屬層是形成在該基礎(chǔ)金屬層上，該基礎(chǔ)金屬層的硬度是大于該接合金屬層，且該基礎(chǔ)金屬層的厚度是不大于該接合金屬層的二倍厚度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片，其中所述的焊墊與該基礎(chǔ)金屬層之間是形成有一凸塊下金屬層。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其包括一電路薄膜，該電路薄膜包括有一電絕緣軟膜本體及一導(dǎo)電線路層，該導(dǎo)電線路層是形成于該電絕緣軟膜本體，并具有復(fù)數(shù)個(gè)連接端，以電性導(dǎo)接一驅(qū)動(dòng)芯片，該驅(qū)動(dòng)芯片具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面是朝向該導(dǎo)電線路層的該些連接端，該主動(dòng)面是形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，該些焊墊是對(duì)應(yīng)該些連接端，且該些連接端與該些焊墊之間是形成有復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層的硬度是大于該些接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層的維氏硬度(Hv)是介于280～350，該些接合金屬層的維氏硬度是介于45～75，利用多層次金屬硬度的不同(往凸塊底部漸硬)，來達(dá)到維持凸塊的大體外形(即基礎(chǔ)層)與共晶接合(接合層)的功效。而該些基礎(chǔ)金屬層是接合于該些焊墊，該些接合金屬層是共晶接合于該些連接端，以使該驅(qū)動(dòng)芯片的該些焊墊與該電路薄膜的該些連接端電性連接。
借由上述技術(shù)方案，本新型驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造以及具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明是利用復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊形成在一驅(qū)動(dòng)芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊上，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層是接合于該驅(qū)動(dòng)芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，當(dāng)該驅(qū)動(dòng)芯片與該電路薄膜熱壓合時(shí)，該些接合金屬層是共晶接合于一電路薄膜的復(fù)數(shù)個(gè)連接端，由于該些基礎(chǔ)金屬層的硬度是大于該些接合金屬層，可以防止該些連接端過份潰陷于該些多層凸塊內(nèi)，且不會(huì)因共晶不良而影響內(nèi)引腳接合的強(qiáng)度。
本發(fā)明利用復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊形成在一驅(qū)動(dòng)芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊上，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，且該些基礎(chǔ)金屬層的硬度是大于該些接合金屬層，以使該些多層凸塊的接合金屬層均能確實(shí)接合連接端且不會(huì)過份潰陷，而能在一電路薄膜與該驅(qū)動(dòng)芯片熱壓合時(shí)具有較大的制程窗(process window)。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是本發(fā)明的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造的部分放大截面示意圖。
100驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造110電路薄膜111電絕緣軟膜本體112導(dǎo)電線路層 113開口114連接端 120驅(qū)動(dòng)芯片121主動(dòng)面 122保護(hù)層123焊墊124凸塊下金屬層130多層凸塊131基礎(chǔ)金屬層132接合金屬層 140封膠體具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，是本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造100，其包括一電路薄膜110，該電路薄膜100是可為卷帶承載封裝(TCP)的卷帶(Tape)或薄膜覆晶封裝(COF)的薄膜(Film)，在本實(shí)施例中是以卷帶例舉，該電路薄膜110，包括有一電絕緣軟膜本體111及一導(dǎo)電線路層112，且該電絕緣軟膜本體111具有一開口113，該電絕緣軟膜本體111的材質(zhì)是為聚亞酰胺(polyimide，PI)或聚酯(polyester，PET)，該導(dǎo)電線路層112的材質(zhì)是可為銅等金屬，并形成于該電絕緣軟膜本體111，該導(dǎo)電線路層112具有復(fù)數(shù)個(gè)連接端114，較佳的，該些連接端114是電鍍有一錫層(圖中未示)，該些連接端114是形成于開口113，以電性導(dǎo)接一驅(qū)動(dòng)芯片120；該驅(qū)動(dòng)芯片120，具有一主動(dòng)面121，該主動(dòng)面121是朝向該導(dǎo)電線路層112的該些連接端114，該主動(dòng)面121是形成有一保護(hù)層122及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊123，該些焊墊123上是形成有一凸塊下金屬層124，且該些焊墊123是對(duì)應(yīng)該些連接端114；復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊130是形成在該些焊墊123的凸塊下金屬層124而設(shè)于該些連接端114與該些焊墊123之間，該些多層凸塊的高度是介于15至30μm，每一多層凸塊130包括一基礎(chǔ)金屬層131及一接合金屬層132，該些基礎(chǔ)金屬層131是接合于該些焊墊123的凸塊下金屬層124，而該些接合金屬層132是共晶接合于該些連接端114，以使該驅(qū)動(dòng)芯片120的該些焊墊123與該電路薄膜110的該些連接端114電性連接，在本實(shí)施例中，該些基礎(chǔ)金屬層131的硬度是大于該些接合金屬層132，該些基礎(chǔ)金屬層131的維氏硬度(Hv)是介于280～350，例如鎳等較硬材質(zhì)，而該些接合金屬層132的維氏硬度是介于45～75，例如金等較軟材質(zhì)，使得該些多層凸塊130的維氏硬度是介于80至100之間，且該些基礎(chǔ)金屬層131的厚度是不大于該些接合金屬層132的二倍厚度為佳，即該些基礎(chǔ)金屬層131的厚度是不超過該些多層凸塊130的高度的三分之二，較佳的，該驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造100另包括一封膠體140，該封膠體140是設(shè)于該開口113，以包覆該些多層凸塊130與該些連接端114。
由于接合于該些焊墊123的該些基礎(chǔ)金屬層131的硬度是大于接合于該些連接端114的該些接合金屬層132，當(dāng)該驅(qū)動(dòng)芯片120與該電路薄膜110熱壓合時(shí)，可防止該些連接端114過份潰陷于該些多層凸塊130內(nèi)，而能有效控制該些多層凸塊130結(jié)合后的高度。因此，在該驅(qū)動(dòng)芯片120與該電路薄膜110熱壓合時(shí)的制程參數(shù)可容許的變化范圍較大，具有較大的制程窗(process window)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其包括一電路薄膜，其包括有一電絕緣軟膜本體及一導(dǎo)電線路層，該導(dǎo)電線路層是形成于該電絕緣軟膜本體并具有復(fù)數(shù)個(gè)連接端；一驅(qū)動(dòng)芯片，其具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面是形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；以及復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊，其是設(shè)在該驅(qū)動(dòng)芯片的該主動(dòng)面上，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層是設(shè)在該些焊墊上，該些接合金屬層是形成在該些基礎(chǔ)金屬層上且其硬度是小于該些基礎(chǔ)金屬層，當(dāng)該電路薄膜的該些連接端熱壓合于該些接合金屬層時(shí)，以該些基礎(chǔ)金屬層防止該些連接端過份潰陷于該些多層凸塊內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層是包含鎳，且該些接合金屬層包含金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的硬度是不小于該電路薄膜的該些連接端的硬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的厚度是不大于該些接合金屬層的二倍厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些基礎(chǔ)金屬層的維氏硬度(Hv)是介于280～350，而該些接合金屬層的維氏硬度(Hv)是介于45～75。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些焊墊上是形成有一凸塊下金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其另包括一封膠體，其是包覆該些多層凸塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的電路薄膜是為卷帶承載封裝(TCP)的卷帶(Tape)，該電路薄膜具有一開口，該些連接端是懸空形成于該開口內(nèi)。
9.一種具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片，其具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面形成有一焊墊，該焊墊是形成有一多層凸塊，該多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該基礎(chǔ)金屬層是接合于該些焊墊，而該接合金屬層是形成在該基礎(chǔ)金屬層上，其特征在于該基礎(chǔ)金屬層的硬度是大于該接合金屬層，且該基礎(chǔ)金屬層的厚度是不大于該接合金屬層的二倍厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有多層凸塊的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于其中所述的焊墊與該基礎(chǔ)金屬層之間是形成有一凸塊下金屬層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造及驅(qū)動(dòng)芯片。該利用多層凸塊接合的驅(qū)動(dòng)芯片封裝構(gòu)造包括一電路薄膜及一驅(qū)動(dòng)芯片，該電路薄膜的一導(dǎo)電線路層具有復(fù)數(shù)個(gè)連接端，該驅(qū)動(dòng)芯片具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面是形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，復(fù)數(shù)個(gè)多層凸塊是設(shè)在該芯片的主動(dòng)面上，以供熱壓合該些連接端，每一多層凸塊包括一基礎(chǔ)金屬層及一接合金屬層，該些基礎(chǔ)金屬層是設(shè)在該些焊墊上，該些接合金屬層是形成在該些基礎(chǔ)金屬層上且其硬度是小于該些基礎(chǔ)金屬層，當(dāng)該些接合金屬層與該電路薄膜的該些連接端熱壓共晶接合時(shí)，該些基礎(chǔ)金屬層是可防止該些連接端過份潰陷于該些多層凸塊內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1925146SQ20051009381
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2005年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月30日
發(fā)明者沈更新 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司, 百慕達(dá)南茂科技股份有限公司