專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片加工帶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及至少具有形成在基膜上的粘合層的晶片加工帶。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件例如IC等的組裝工藝包括步驟構(gòu)圖之后，將半導(dǎo)體晶片等切割和分離(切片(dicing))成各個(gè)芯片；將芯片安裝在基板等上；以及用樹(shù)脂等密封它們。
在切片步驟中，半導(dǎo)體晶片預(yù)先被粘著且因此被固定到晶片加工帶上，然后它被切片成芯片的形狀。在隨后的安裝步驟中，具有包含在可與基膜分離的可去除粘合或粘附層(removable adhesive or adhesion layer)中的可去除粘合或粘附劑的切片了的芯片被從基膜(base film)上剝離(被拾取)，然后通過(guò)用于粘合和固定的所述可去除粘合或粘附劑被固定到例如基板上，所述粘合或粘附劑已經(jīng)粘附在所述芯片上。
作為用于上述目的的晶片加工帶，可使用具有層疊在基膜上的一可去除粘合層和一粘合層的帶；具有還用作可去除粘合層的粘合層(即可去除粘合或粘附劑層)的帶，該層層疊在基膜上，等等。可用于上述目的的可去除粘合層包括常規(guī)壓敏粘合型、以及當(dāng)它通過(guò)輻照例如紫外(UV)線(xiàn)、電子射線(xiàn)等而被硬化或固化時(shí)具有減小的粘合或粘附強(qiáng)度的帶。這兩種類(lèi)型都需要具有足夠的粘合或粘附強(qiáng)度，使得晶片在切片時(shí)不從帶剝離，且它們還需要具有剝離能力從而在拾取時(shí)容易被剝離。
此外，在安裝步驟中，在芯片之間或者芯片與基板之間需要足夠的粘合力。已經(jīng)提出了多種晶片加工帶。
能用在上述步驟中的晶片加工帶一般具有粘合劑、基膜、以及分離物(separator)；且，粘合層(或者可去除粘合或粘附層)與可去除粘合層(或者在以上可去除粘合或粘附層的情況下為基膜)之間的粘合強(qiáng)度(粘合力)通常設(shè)計(jì)為極低，以在上述拾取步驟中減少拾取錯(cuò)誤；且，上述層的剝離力(peeling force)被設(shè)計(jì)為非常低，足以使它們?nèi)菀椎乇粍冸x。此外，在切片期間，晶片加工帶應(yīng)當(dāng)通過(guò)被粘附到環(huán)形框架(ring frame)上來(lái)使用；且，帶應(yīng)與粘合劑(或者可去除粘合或粘附劑)一起從環(huán)形框架剝離，使得使用后沒(méi)有粘合劑留在其上。然而，粘合劑層(或者可去除粘合或粘附劑層)易于被弱的力從可去除粘附劑層(或者基膜)分離或剝離，留下粘附到環(huán)形框架的粘合劑(或者可去除粘合或粘附劑)，即粘合劑殘留。
結(jié)果，在能用于這樣的應(yīng)用的晶片加工帶中，與環(huán)形框架接觸的部分需要特殊處理，例如粘合劑(或者可去除粘合或粘附劑)的改變或者基膜的表面改性條件(surface-modification condition)的改變，以及/或者特殊帶結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致技術(shù)復(fù)雜和相應(yīng)增加的制造成本。
為了改變用于環(huán)形框架的部分中的粘合劑(或者可去除粘合或粘附劑)，需要在從其它部分沖壓出用于環(huán)形框架的部分后，將帶精確地疊置在特定位置。
供選地，提出通過(guò)改變用于環(huán)形框架的部分中的粘合層(或者可去除粘合或粘附層)與可去除粘合層(或者基膜)之間的剝離力來(lái)消除粘合劑殘留。剝離力是指將各個(gè)層剝離開(kāi)所需的力?？刂苹さ谋砻婺艿姆椒òㄍㄟ^(guò)高能輻照例如電暈處理來(lái)對(duì)表面進(jìn)行改性、以及在膜表面上提供底膠處理(primer treatment)。盡管電暈處理通常應(yīng)用于各種膜而與基膜的種類(lèi)無(wú)關(guān)，但是被處理部分的邊界不明確，因此難以清楚地區(qū)分僅通過(guò)電暈處理加工了的未處理部分和處理部分。
另一方面，在底膠處理中，需要根據(jù)將使用的基膜的材料選擇合適的底膠材料，且在使用聚烯烴系膜時(shí)，通常難以將基膜與底膠之間的粘合強(qiáng)度保持在高水平，經(jīng)常在晶片加工帶從環(huán)形框架取下時(shí)導(dǎo)致底膠層與基膜之間的剝離，并相應(yīng)地導(dǎo)致環(huán)形框架上粘合劑殘留的出現(xiàn)。
為了控制可去除粘合層的剝離力，需要例如改變將被使用的可去除粘合劑的額外步驟，使得工藝非常復(fù)雜。
本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)將因結(jié)合附圖的以下描述而更充分地顯現(xiàn)。


圖1是從晶片粘附側(cè)觀察的示例1的晶片加工帶的平面圖；圖2是示例1的晶片加工帶的橫截面圖，其粘附在晶片和環(huán)形框架上；
圖3是示例3的晶片加工帶的橫截面圖，其粘附在晶片和環(huán)形框架上；圖4是示例4的晶片加工帶的橫截面圖，其粘附在晶片和環(huán)形框架上；圖5是平面圖，示出以一圖案設(shè)置有粘合層的PET膜帶，其中與環(huán)形框架將粘附的部分相應(yīng)的部分被以八邊形形狀反復(fù)沖除。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供以下措施(1)一種晶片加工帶，例如用于晶片切片和芯片接合，其具有至少在基膜的一面上形成的粘合層和可去除粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件制造中的接合工藝，包括粘附晶片；切片晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框(lead frame)或半導(dǎo)體芯片上，且所述晶片加工帶包括晶片粘附的其表面上的具有可去除粘合層的區(qū)域和不具有可去除粘合層的區(qū)域，其中在拾取期間在不具有所述可去除粘合層的區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間在具有所述可去除粘合層的區(qū)域中所述粘合層保留在基膜側(cè)；(2)一種晶片加工帶，例如用于晶片切片和芯片接合，其具有至少在基膜的一面上形成的粘合層和可去除粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件制造中的接合工藝，包括粘附晶片；切片晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上，且所述晶片加工帶包括B＞A的區(qū)域；以及A＞B的區(qū)域，其中所述基膜(或設(shè)置在所述基膜上的層)與所述粘合層之間的剝離力指定為A，被接合的目標(biāo)(target)與所述粘合層之間的剝離力以及被接合的目標(biāo)與所述可去除粘合層之間的剝離力指定為B，其中在拾取期間在B＞A的區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)上，在剝離所述帶期間在A＞B的區(qū)域中所述可去除粘合層未轉(zhuǎn)移到被接合的目標(biāo)上；(3)如項(xiàng)(2)所述的晶片加工帶，其中所述A＞B的區(qū)域形成在除粘附所述晶片的部分之外的部分中；(4)如項(xiàng)(2)或(3)所述的晶片加工帶，其中所述A＞B的區(qū)域被染色；(5)如項(xiàng)(1)或(2)所述的晶片加工帶，具有至少在所述基膜的一面上形成的所述粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件制造中的接合工藝，包括粘附晶片；切片晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或者半導(dǎo)體芯片上，其中所述晶片加工帶在除粘附所述晶片的部分之外的部分中具有層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層，且其中在拾取期間在不具有所述可去除粘合層的區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到所述芯片側(cè)上，在剝離所述帶期間所述層疊的可去除粘合層保留在所述基膜側(cè)；(6)如項(xiàng)(5)所述的晶片加工帶，其中所述粘合層層疊在形成在所述基膜上的可去除粘合層上，其中在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中，所述晶片加工帶具有層疊在所述粘合層上的另一可去除粘合層，且其中在不具有層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層的區(qū)域中在拾取期間所述粘合層轉(zhuǎn)移到所述芯片側(cè)上，在剝離所述帶期間層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層保留在基膜側(cè)；以及(7)如項(xiàng)(1)或(2)所述的晶片加工帶，具有至少在所述基膜的一面上順序形成的所述可去除粘合層和所述粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件制造中的接合工藝，包括粘附晶片；切片晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或者半導(dǎo)體芯片上，其中所述晶片加工帶具有層疊在粘附所述晶片的部分上的所述粘合層，且其中在拾取期間所述層疊的粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)上，在剝離所述帶期間所述可去除粘合層保留在基膜側(cè)。
此外，提供所述晶片加工帶的方法和所述晶片加工帶的優(yōu)選示例包括(8)一種制造晶片加工帶的方法，包括步驟提供在基膜上具有粘合層的帶(a)；提供用作分離物膜的帶(b)，其具有形成在其給定區(qū)域中的可去除粘合層；以及將帶(a)的粘合層側(cè)與帶(b)的可去除粘合層側(cè)直接粘附，從而制造復(fù)合晶片加工帶；(9)如項(xiàng)(8)所述的制造晶片加工帶的方法，其中所述帶(a)設(shè)置有順序形成在基膜上的可去除粘合層和所述粘合層；(10)一種晶片加工帶，其通過(guò)如項(xiàng)(9)的方法制造，其中在剝離所述分離物期間所述可去除粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到所述粘合層側(cè)；(11)一種制造晶片加工帶的方法，包括步驟提供在基膜上具有可去除粘合層的帶(c)；提供用作分離物膜的帶(d)，其具有形成在其給定區(qū)域中的粘合層；以及將帶(c)的所述可去除粘合層側(cè)與帶(d)的所述粘合層側(cè)直接粘附，從而制造復(fù)合晶片加工帶；(12)一種晶片加工帶，其通過(guò)根據(jù)項(xiàng)(11)的方法制造，其中在剝離所述分離物期間所述粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到可去除粘合層側(cè)；以及(13)如項(xiàng)(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(10)或(12)所述的晶片加工帶，其中所述粘合層是可去除粘合或粘附層，其也具有可去除粘附功能。
這里，術(shù)語(yǔ)“粘合層”或“可去除粘合或粘附層”是指這樣的層，當(dāng)半導(dǎo)體晶片等被安裝并被切片，然后芯片被拾取時(shí)，其能夠自可去除粘合層剝離且保持粘附在芯片上，當(dāng)所述芯片被安裝且被固定在基板或引線(xiàn)框上時(shí)，其能用作粘合劑。
此外，術(shù)語(yǔ)“可去除粘合層”是指這樣的層，與粘合層的相比，其與被接合的目標(biāo)具有更小的剝離力，且其能用于臨時(shí)粘附。此外，術(shù)語(yǔ)“可去除粘合或粘附劑”是指這樣的粘合劑，其通常具有足以也用于臨時(shí)粘附的粘合性，并且尤其通過(guò)激勵(lì)(stimulation)例如加熱等，其獲得對(duì)被接合的目標(biāo)的強(qiáng)的粘合強(qiáng)度，且因此能起到半永久性粘合劑的作用。
此外，術(shù)語(yǔ)“剝離力”是指將粘合的表面剝離開(kāi)所需的力，可根據(jù)JISz0237中規(guī)定的方法確定。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
在為了解決傳統(tǒng)技術(shù)中的上述問(wèn)題而深入研究之后，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在上面描述的晶片加工帶中，通過(guò)考慮可去除粘合層的存在或不存在、以及被接合的目標(biāo)、粘合層(或者可去除粘合或粘附層)和基膜之間的各剝離力，可以防止切片之后帶去除步驟中粘合劑轉(zhuǎn)移到環(huán)形框架上；結(jié)果，本發(fā)明人成功開(kāi)發(fā)了一種晶片加工帶而沒(méi)有使帶結(jié)構(gòu)更復(fù)雜化。
本發(fā)明的晶片加工帶具有形成在基膜的表面上的粘合層(或者可去除粘合或粘附層)和可去除粘合層，且通常具有作為層疊的外層的分離物。
本領(lǐng)域公知的分離物中的任何一種可用作該分離物，公知的分離物包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)基膜、聚乙烯基膜、以及其它剝離處理膜(peel-apart treated film)。
用在本發(fā)明的晶片加工帶中的粘合劑不特別限制，可以是通常用在切片和芯片接合帶中的粘合劑的任何一種。粘合劑的優(yōu)選示例包括丙烯酸粘合劑、環(huán)氧樹(shù)脂/酚醛樹(shù)脂/丙烯酸樹(shù)脂的混合粘合劑等。粘合劑層的厚度可以任意確定，但優(yōu)選約5至100μm。
當(dāng)使用可去除粘合或粘附劑時(shí)，該可去除粘合或粘附劑也不特別限制，可以是在切片和芯片接合帶中通常使用的可去除粘合或粘附劑中的任何一種。可去除粘合或粘附劑的優(yōu)選示例包括丙烯酸可去除粘合或粘附劑、環(huán)氧樹(shù)脂/丙烯酸樹(shù)脂的混合可去除粘合或粘附劑等。如果可去除粘合或粘附劑是可輻照(尤其是UV)固化的，則它是有利的，因?yàn)榍衅陂g的碎屑(chipping)更小。
可去除粘合層或可去除粘合或粘附劑層可形成在基膜的兩側(cè)，每層的厚度可以任意確定，但是優(yōu)選約5至50μm。
能用在本發(fā)明的晶片加工帶中的基膜可以是具有透輻射能力的任何材料的膜。該膜材料的示例包括α-石蠟的均聚物或共聚物，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙稀共聚物、聚丁烯(polybuten)、乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸酯共聚物、或者離子交聯(lián)聚合物(ionomer)；工程塑料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、或者聚(甲基丙烯酸甲酯)；或者熱塑性彈性體，例如聚亞氨酯、苯乙烯/乙烯/丁烯(buten)或五亞乙基六胺系共聚物。
供選地，基膜可由選自上述化合物組的兩種或更多種材料的混合物形成；且基膜可由選自上述化合物組的任何材料的單層、雙層或更多層形成。
被使用的基膜的厚度不特別限制，可以任意地確定，但是優(yōu)選為50至200μm。
在用于本發(fā)明的晶片加工帶的可去除粘合層中使用的有機(jī)化合物不特別限制，可以從用作可去除粘合劑的任何樹(shù)脂中選擇，例如氯化聚丙烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚亞氨酯樹(shù)脂、以及環(huán)氧樹(shù)脂。
可去除粘合劑優(yōu)選通過(guò)將丙烯酸可去除粘合劑、可輻照聚合化合物(radiation-polymerizable compound)、光聚合引發(fā)劑(initiator)、固化劑等以給定的量混合到用于可去除粘合層的樹(shù)脂來(lái)制備?？扇コ澈蠈拥暮穸炔惶貏e限制，可以任意確定，但優(yōu)選為5至30μm。
可輻照聚合化合物可混合在可去除粘合或粘附層中或者在可去除粘合層中，或者在這兩種層中。此外，作為上述可輻照聚合化合物，可使用例如均在分子中具有至少兩個(gè)可光聚合碳-碳雙鍵的低分子質(zhì)量化合物中的任意種，其通過(guò)光的照射能具有三維網(wǎng)絡(luò)。更具體地，可使用例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、季戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythritol tetraacrylate)、二季戊四醇一羥基五丙烯酸酯(dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、1，4-丁二醇二丙烯酸酯(1，4-butyleneglycol diacrylate)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(1，6-hexanediolediacrylate)、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylenegrycol diacrylate)、以及丙烯酸低聚酯(origoester acrylate)。
與以上丙烯酸酯系化合物一樣，尿烷丙烯酸酯系低聚物也能使用。尿烷丙烯酸酯系低聚物能通過(guò)使端異氰酸酯尿烷預(yù)聚物(terminal isocyanateurethaneprepolymer)與具有羥基的甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯(例如2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、2-羥丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯)反應(yīng)來(lái)獲得，所述端異氰酸酯尿烷預(yù)聚物能通過(guò)多羥基化合物(polyol compound)，例如聚酯型或聚醚型，與聚異氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯(1，3-xylilenediisocyanate)、1，4-二甲苯二異氰酸酯(1，4-xylilenediisocyanate)、二苯甲烷-4，4-二異氰酸酯)的反應(yīng)來(lái)獲得。
可去除粘合層可含有選自以上樹(shù)脂的兩種或更多種樹(shù)脂。
此外，當(dāng)使用光聚合引發(fā)劑時(shí)，可使用例如異丙基二苯乙醇酮乙醚、異丁基二苯乙醇酮乙醚、苯甲酮、米希勒酮(Michler′s ketone)、氯噻噸酮(chlorothioxanthone)、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苯甲基二甲基縮酮(benzyl dimethyl ketal)、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。被混合的光聚合引發(fā)劑的量?jī)?yōu)選為0.01至5質(zhì)量份，對(duì)100質(zhì)量份的丙烯酸系共聚物。
在一個(gè)示例中，根據(jù)本發(fā)明的在基膜表面上具有粘合層和可去除粘合層的晶片加工帶不具有在膜的粘附晶片的整個(gè)表面上的可去除粘合層，替代地，在基膜表面或者設(shè)置在基膜上的底膠層上具有粘合層，還僅在除了粘附作為被接合的目標(biāo)之一的晶片的部分之外的部分中具有可去除粘合層。因此，在粘附晶片的表面上存在具有可去除粘合層的區(qū)域和不具有可去除粘合層的區(qū)域。使基膜(或者設(shè)置在基膜上的層)與粘合層之間的剝離力A小于晶片與粘合層之間的剝離力B。另外，可去除粘合劑與粘合劑相比具有更小的粘合強(qiáng)度，且切片環(huán)形框架與可去除粘合層之間的剝離力B小于基膜與粘合層之間的剝離力A。這樣，提供了形成在同一晶片加工帶上的B＞A的區(qū)域和A＞B的區(qū)域。
當(dāng)晶片加工帶被使用時(shí)，晶片被緊緊地接合到帶上，允許晶片的平穩(wěn)切片，當(dāng)所得的切片了的芯片被拾取時(shí)，剝離發(fā)生在基膜與粘合層之間，將粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，因?yàn)榛づc粘合層之間的剝離力A小于晶片與粘合層之間的剝離力B。在隨后的帶剝離期間，因?yàn)榍衅h(huán)形框架與可去除粘合層之間的剝離力B小于基膜與粘合層之間的剝離力A，所以剝離發(fā)生在切片環(huán)形框架與可去除粘合層之間，留下可去除粘合層以及粘合層在基膜側(cè)，阻止了可去除粘合劑轉(zhuǎn)移到作為被接合的目標(biāo)之一的切片環(huán)形框架上。
因?yàn)橐陨螦＞B的區(qū)域形成在除了粘附晶片的部分之外的部分中，相對(duì)于環(huán)形框架定位的晶片位于框架中的中心圓中，于是A＞B的區(qū)域，即具有可去除粘合層的區(qū)域，位于與晶片對(duì)應(yīng)的帶的中心部分處的中心圓以外的區(qū)域中。
此外，A＞B的區(qū)域可以被染色，以使晶片加工帶的A＞B的區(qū)域，即具有可去除粘合劑的區(qū)域，更可機(jī)械地識(shí)別。添加到可去除粘合劑成分中用于染色的染料不特別限制，但優(yōu)選為透射UV光的染料。如上的染色使得能夠更容易地辨別A＞B的區(qū)域，使得使用時(shí)定位本發(fā)明的晶片加工帶更容易。
在本發(fā)明的晶片加工帶的另一示例中，可去除粘合或粘附層不在晶片加工帶的粘附晶片的整個(gè)表面上形成，且可去除粘合層形成在基膜表面上，粘合層層疊在粘附晶片的部分中。
當(dāng)晶片加工帶被使用時(shí)，晶片緊緊地接合到帶上，允許晶片的平穩(wěn)切片。因?yàn)榭扇コ澈蠈优c粘合層之間的剝離力小于晶片與粘合層之間的剝離力，所以拾取期間剝離發(fā)生在可去除粘合層與粘合層之間，將粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)上。在隨后剝離帶期間，因?yàn)榍衅h(huán)形框架與可去除粘合層之間的剝離力小于基膜與可去除粘合層之間的剝離力，所以剝離發(fā)生在切片環(huán)形框架與可去除粘合層之間，阻止了可去除粘合劑轉(zhuǎn)移到切片環(huán)形框架上。
在本發(fā)明的晶片加工帶的再一示例中，可去除粘合層(2)和另外的粘合層層疊在基膜表面上，可去除粘合層(1)僅形成在與粘合晶片的部分不同的部分中。因此，因?yàn)橄鄬?duì)于環(huán)形框架定位的晶片位于框架中的中心圓中，所以可去除粘合層形成在與晶片對(duì)應(yīng)的帶的中心部分處的中心圓以外的部分中，具有可去除粘合層的區(qū)域和不具有可去除粘合層的區(qū)域形成在安裝晶片的表面上。
此外，可去除粘合層可被染色，以使層疊在晶片加工帶(粘合或粘附帶)上的可去除粘合劑上的部分和未層疊在其上的部分更可機(jī)械地識(shí)別。添加到可去除粘合劑成分中用于染色的染料不特別限制，但優(yōu)選為透射UV光的染料。如上的染色使得能夠更容易地辨別具有可去除粘合層的區(qū)域和不具有可去除粘合層的區(qū)域，進(jìn)一步使得使用時(shí)定位本發(fā)明的粘合或粘附帶更容易。
本發(fā)明還涉及制造晶片加工帶的方法。
具有形成在選自上述材料的帶形基膜上的粘合層的帶(a)通過(guò)包括涂覆、噴射等的公知方法中的任意一種制備。類(lèi)似地，制備具有用作分離物的帶形膜的給定區(qū)域中形成的可去除粘合層的帶(b)。上述給定區(qū)域優(yōu)選為以一間隔定位的每個(gè)具有所需直徑的圓以外的區(qū)域，所述圓優(yōu)選以相同間隔定位，其每一個(gè)具有帶形膜的橫向方向上的中心處的圓心。這樣制備的帶(a)的粘合層側(cè)和帶(b)的可去除粘合層側(cè)彼此直接接合，從而給出復(fù)合晶片加工帶。
當(dāng)上述分離物被剝離時(shí)，可去除粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到粘合層側(cè)。
在另一制造方法中，具有形成在帶形基膜上的可去除粘合層的帶(c)以與上述制造工藝類(lèi)似的方式被制備。另外地，具有用作分離物的帶形膜的特定區(qū)域中形成的粘合層的帶(d)被類(lèi)似地制備。上述特定區(qū)域優(yōu)選為以給定間隔定位的每個(gè)具有所需直徑的圓以外的區(qū)域，所述圓優(yōu)選以相同間隔定位，其每一個(gè)具有在橫向方向上的帶形膜的中心處的圓心。這樣制備的帶(c)的可去除粘合層側(cè)與帶(d)的粘合層側(cè)彼此直接接合，從而給出復(fù)合晶片加工帶。
當(dāng)上述分離物被剝離時(shí)，粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到可去除粘合層側(cè)。
在以上描述中，具有形成在基膜的一個(gè)面上的粘合層和可去除粘合層的晶片加工帶被描述了，但是本發(fā)明還包括雙面晶片加工帶，其具有形成在基膜的兩個(gè)面上的粘合層和可去除粘合層的類(lèi)似組合。
本發(fā)明的晶片加工帶具有足夠高的粘合強(qiáng)度，在切片期間其阻止了粘合層從晶片剝離以及可去除粘合層從環(huán)形框架剝離；在拾取期間，其允許可去除粘合或粘附層與切片了的芯片的背表面(backing surface)的緊密粘附，如果需要的話(huà)通過(guò)輻照固化，從而它使得芯片能夠更容易地從基膜分離；在帶去除期間，它允許從環(huán)形框架剝離帶而沒(méi)有粘合劑殘留。此外，當(dāng)可去除粘合或粘附劑用作粘合劑時(shí)，切片之后拾取期間在可去除粘合或粘附層與芯片的背表面如果需要的話(huà)通過(guò)輻照固化被緊密接合之后，芯片可被拾取。
本發(fā)明的晶片加工帶優(yōu)選用于切片和芯片接合，因?yàn)樗哂性谇衅陂g不導(dǎo)致剝離晶片的足夠高的粘合強(qiáng)度，它能用作切片帶，且在切片了的芯片被安裝在基板等上時(shí)它可用作粘合劑，由于基膜的輕易去除而在帶被剝離之后不導(dǎo)致環(huán)形框架上的粘合劑殘留。此外，由于其簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，該晶片加工帶能在其簡(jiǎn)單和低成本的制造中被提供，而不引起阻滯。
當(dāng)可去除粘合層被染色時(shí)，在晶片加工帶的適當(dāng)位置上定位晶片變得更容易。
示例將基于下面給出的示例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些示例。
在下面的示例中，根據(jù)JIS Z0237中規(guī)定的方法，測(cè)量剝離力的值。術(shù)語(yǔ)“份”意味著質(zhì)量份。
示例1128g n-丙烯酸丁酯、307g 2-乙基己基丙烯酸酯、67g甲基丙烯酸甲酯、1.5g甲基丙烯酸、以及作為聚合引發(fā)劑的過(guò)氧苯甲酰的混合溶液以適當(dāng)調(diào)整的添加速度逐滴地添加到400g甲苯溶劑中，接著是通過(guò)適當(dāng)調(diào)整反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間的這些物質(zhì)的反應(yīng)，從而產(chǎn)生具有給定官能團(tuán)的聚合物化合物(1)的溶液。
然后，向如此獲得的溶液逐滴添加具有可輻照固化的碳-碳雙鍵和給定官能團(tuán)的化合物(2)，其是由甲基丙烯酸和乙二醇單獨(dú)合成的2.5g 2-羥乙基甲基丙烯酸酯，以及作為聚合抑制劑的氫醌，接著是這些物質(zhì)的反應(yīng)，從而給出具有可輻照固化的碳-碳雙鍵的化合物(A)的溶液。然后，向如此獲得的化合物(A)溶液中的100質(zhì)量份的化合物(A)，添加1質(zhì)量份的Coronate L(商品名，由Nippon Polyurethane Industry制造)的聚異氰酸酯(B)，且向其添加0.5質(zhì)量份的IRGACURE 184(商品名，由Nippon Ciba Geigy制造)作為光聚合引發(fā)劑、以及150質(zhì)量份的乙酸乙酯作為溶劑，接著混合所得溶液，從而制備可輻照固化的可去除粘合劑(1)。
如圖1所示，在具有210mm直徑的中心圓以外的部分中，具有50μm厚度和300mm寬度的PET系分離物膜的中間部分利用凹版涂覆器(gravurecoater)被涂覆以如此獲得的可去除粘合劑。這樣涂覆的膜在熱空氣干燥爐中被干燥，從而在干燥后形成具有厚度為10μm的可去除粘合層2的PET膜帶(b)。在實(shí)際制造工藝中，具有連續(xù)且重復(fù)設(shè)置的這樣的圓的圖案化膜可被制造。此處，每幅圖中相同的附圖標(biāo)記具有同樣的含義以表示相同的部件。
然后，厚度為100μm的表面未改性的聚烯烴系基膜3被涂覆以通過(guò)混合下列成分得到的可去除粘合或粘附劑(1)。這樣涂覆的膜在加熱條件下被干燥，從而形成提供具有25μm厚度的可去除粘合或粘附劑層1的帶(a)。丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸縮水甘油酯的共聚物(固相含量35質(zhì)量％)100質(zhì)量份(按固相的質(zhì)量)雙酚系縮水甘油基型環(huán)氧樹(shù)脂(數(shù)均分子量500)600質(zhì)量份可光聚合環(huán)氧丙烯酸酯系低聚物(具有兩個(gè)雙鍵的化合物)100質(zhì)量份光聚合引發(fā)劑(2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)5質(zhì)量份這樣制備的可去除粘合或粘附層帶(a)和PET膜帶(b)被層疊，從而形成晶片加工帶，如圖1所示。
基體(base)上可去除粘合層和與上述基體不同的另一基體上可去除粘合或粘附層的形成使得在特定區(qū)域上形成層的可去除粘合劑的涂覆更容易，其還允許可去除粘合或粘附劑層與可去除粘合劑層的分開(kāi)的干燥，從而導(dǎo)致更容易控制產(chǎn)品的質(zhì)量。
通過(guò)使用該晶片加工帶，作為被接合的一個(gè)目標(biāo)的直徑為8英寸(20.32cm)的硅半導(dǎo)體晶片4被安裝在用于切片的不銹鋼環(huán)形框架5上，其是被接合的另一目標(biāo)，如圖2所示。此時(shí)，分離物膜被剝離，硅半導(dǎo)體晶片4被粘附到可去除粘合或粘附層1的一部分上，用于切片的環(huán)形框架5粘附到形成可去除粘合層2的部分。
然后，在利用80-W/cm高壓水銀燈，從基膜3側(cè)以40mW/cm2紫外光照射12秒后，硅晶片被切片成5mm見(jiàn)方的芯片；芯片被拾取芯片接合器(bonder)拾取；然后所使用的晶片加工帶被從環(huán)形框架5剝離。已證實(shí)，用裸眼觀察，沒(méi)有粘合劑(粘合劑殘留)保留在環(huán)形框架5上。
盡管可去除粘合層2具有將晶片加工帶粘附到環(huán)形框架5所需的粘合強(qiáng)度，但是可去除粘合層與可去除粘合或粘附層1相比具有更弱的粘性，因此可以用一剝離力(0.12N/25mm)將可去除粘合層從環(huán)形框架5剝離，該剝離力比可去除粘合或粘附層1與基膜3之間的剝離力(0.30N/25mm)弱。此外，硅半導(dǎo)體晶片4的芯片和可去除粘合或粘附層1被粘合得如此緊使得不可能將它們剝離開(kāi)。因此，該晶片加工帶是在除粘附晶片的部分之外的部分上，即在粘附環(huán)形框架的部分上，具有可去除粘合層的晶片加工帶。當(dāng)基膜與可去除粘合或粘附層之間的剝離力被指定為A，且被接合的目標(biāo)與可去除粘合或粘附層之間以及被接合的目標(biāo)與可去除粘合層之間的剝離力被指定為B時(shí)，在粘合晶片的部分中B大于A，在粘合環(huán)形框架的部分中A大于B。因此，可以的是，在拾取期間，可去除粘合或粘附層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在帶剝離期間環(huán)形框架不具有粘合劑殘留。
示例2通過(guò)利用與示例1類(lèi)似的材料和制備方法以與示例1相同的方式制備晶片加工帶，除了可去除粘合層由一材料制備，所述材料中示例1的可去除粘合劑成分被添加以0.5質(zhì)量份的染色劑(Kayaset Blue N(商品名)，由NipponKayaku制造)。
通過(guò)使用該晶片加工帶，直徑8英寸(20.32cm)的硅晶片以與示例1中相同的方式安裝在不銹鋼環(huán)形框架上。安裝期間，晶片加工帶中具有可去除粘合層的部分被染色，允許安裝工藝容易且有把握地實(shí)施。然后，硅晶片被切片之后，芯片被拾??；所使用的晶片加工帶從環(huán)形框架剝離。已證實(shí)，用裸眼觀察在環(huán)形框架上沒(méi)有粘合劑殘留。此時(shí)，可去除粘合層與環(huán)形框架之間的剝離力為0.12N/25mm，可去除粘合或粘附層與基膜之間的剝離力為0.30N/25mm，硅半導(dǎo)體晶片的芯片和可去除粘合或粘附層被如此強(qiáng)地粘附使得不可能將它們剝離開(kāi)。
示例3利用與示例1的那些類(lèi)似的基膜、粘合劑、可去除粘合或粘附劑、以及分離物膜制備示例3的晶片加工帶。但是，示例1中的晶片加工帶具有順序的基膜、可去除粘合或粘附層、可去除粘合層、以及分離物膜的結(jié)構(gòu)，而示例3中的晶片加工帶具有基膜、可去除粘合層、可去除粘合或粘附層、以及分離物膜的按此順序的結(jié)構(gòu)。
即，通過(guò)制備借助混合與示例1的那些類(lèi)似的可去除粘合成分獲得的復(fù)合物，將該復(fù)合物施加到100μm厚的電暈處理過(guò)的聚烯烴系基膜上，以及在加熱的情況下干燥被涂覆的膜，獲得具有5μm厚的可去除粘合層的可去除粘合層帶(c)。
然后，在直徑210mm的圓內(nèi)，具有50μm厚度和300mm寬度的PET系分離物膜的中間部分利用凹版涂覆器涂覆以通過(guò)混合與示例1中的那些類(lèi)似的可去除粘合或粘附劑成分獲得的復(fù)合物。這樣涂覆的膜在熱空氣干燥爐中被干燥，從而在干燥之后形成具有厚度為10μm的可去除粘合或粘附層的PET膜帶(d)。
這樣制備的可去除粘合層帶(c)與PET膜帶(d)層疊，從而形成晶片加工帶。
通過(guò)利用該晶片加工帶，直徑8英寸(20.32cm)的硅半導(dǎo)體晶片4被以與示例1中相同的方式安裝在用于切片的不銹鋼環(huán)形框架5上，如圖3所示。然后，切片且拾取芯片之后，所使用的晶片加工帶以與示例1中相同的方式從環(huán)形框架剝離。已證實(shí)，用裸眼觀察，在環(huán)形框架上沒(méi)有粘合劑殘留。此時(shí)，可去除粘合層2與環(huán)形框架5之間的剝離力為0.12N/25mm，可去除粘合或粘附層1與可去除粘合層2之間的剝離力為0.21N/25mm，硅半導(dǎo)體晶片4的芯片與可去除粘合或粘附層1被如此強(qiáng)地粘附以致不可能將它們剝離開(kāi)。
示例4以與示例1中相同的方式，具有50μm厚度和300mm寬度的PET系分離物膜的中間部分利用凹版涂覆器在直徑210mm的中心圓以外的部分中被涂覆以可去除粘合劑(1)，如圖1所示。這樣涂覆的膜在熱空氣干燥爐中干燥，從而在干燥之后形成具有10μm厚的可去除粘合層6的PET膜帶(b)。在實(shí)際制造工藝中，可以制備具有連續(xù)且重復(fù)設(shè)置的這樣的圓的圖案化膜。
然后，具有100μm的厚度的表面未改性的聚烯烴系基膜3被涂覆以通過(guò)混合下列成分而獲得的復(fù)合物。這樣涂覆的膜在加熱的情況下被干燥，從而形成設(shè)置有厚度為10μm的可去除粘合劑層7的帶(e)。
具有可輻照聚合的官能團(tuán)的丙烯酸酯共聚物(固相含量35質(zhì)量％)100質(zhì)量份(按固相的質(zhì)量)可光聚合環(huán)氧丙烯酸酯系低聚物(具有兩個(gè)雙鍵的化合物)100質(zhì)量份光聚合引發(fā)劑(2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)5質(zhì)量份然后，帶(e)被涂以按與示例1中相同的方式獲得的可去除粘合或粘附劑(1)。這樣涂覆的膜在加熱情況下被干燥，從而形成設(shè)置有25μm厚的可去除粘合或粘附劑層1的帶(f)。這樣制備的帶(f)和PET膜帶(b)被層疊，從而形成晶片加工帶。通過(guò)使用該晶片加工帶，直徑8英寸(20.32cm)的硅半導(dǎo)體晶片4被安裝在用于切片的不銹鋼環(huán)形框架5上，如圖4所示。此時(shí)，可去除粘合層6與環(huán)形框架5之間的剝離力為0.12N/25mm，可去除粘合或粘附層1與可去除粘合層7之間的剝離力為0.14N/25mm，硅半導(dǎo)體晶片4的芯片與可去除粘合或粘附層1被粘附得如此強(qiáng)以致不可能將它們剝離開(kāi)。
可去除粘合層在基體上以及可去除粘合或粘附層在與上述基體不同的另一基體上的形成使在特定區(qū)域上形成層的可去除粘合劑的涂覆更容易，其還允許可去除粘合或粘附劑層與可去除粘合劑層的分開(kāi)干燥，從而導(dǎo)致更容易控制產(chǎn)品的質(zhì)量。
示例5通過(guò)制備借助混合與示例1的類(lèi)似的可去除粘合劑成分獲得的復(fù)合物，將該復(fù)合物施加到厚100μm的電暈處理過(guò)的聚烯烴系基膜3上，以及在加熱的情況下干燥所涂覆的膜，獲得具有厚度為5μm的可去除粘合層2的可去除粘合層帶(c)。
然后，如下所述，粘合層1形成在分離物膜上。
向50質(zhì)量份的甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂(環(huán)氧當(dāng)量197，分子量1200，軟化點(diǎn)70℃)、作為硅烷偶聯(lián)劑的1.5質(zhì)量份的γ-巰基丙基三甲氧基硅烷(γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)和3質(zhì)量份的γ-脲基丙基三乙氧基甲硅烷(γ-ureidopropyltriethoxysilane)、以及30質(zhì)量份的平均顆粒直徑為16nm的硅石(silica)填料的環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合物添加環(huán)己酮，所得混合物被攪拌和混合，且進(jìn)一步在球磨機(jī)(bead mill)中揉混90分鐘。
向所得混合物添加100質(zhì)量份的丙烯酸樹(shù)脂(質(zhì)量平均分子量800000，玻璃轉(zhuǎn)變溫度-17℃)、5份作為六官能丙烯酸酯單體的二季戊四醇六丙烯酸酯、0.5份作為固化劑的己撐二異氰酸酯的加合物、以及2.5份Curezole 2PZ(2-苯基咪唑，商品名，由Shikoku Corp.制造)，該混合物被攪拌和混合，接著在真空下脫氣，從而形成粘合劑。
預(yù)先被脫模處理(release process)的25μm厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜3被涂敷以如此獲得的粘合劑。這樣涂覆的膜在加熱情況下在110℃干燥1分鐘，從而形成具有粘合層1的PET膜帶(g)，該粘合層1是以直徑210mm的圓形和B級(jí)狀態(tài)(B stage state)下40μm膜厚形成的涂層。
這樣制備的可去除粘合層帶(c)和PET膜帶(g)被層疊，從而形成用于晶片加工的帶。
通過(guò)使用該晶片加工帶，直徑8英寸(20.32cm)的硅半導(dǎo)體晶片4以與示例1中相同的方式安裝在用于切片的不銹鋼環(huán)形框架5上，如圖3所示。然后，切片且拾取芯片之后，所使用的晶片加工帶以與示例1中相同的方式從環(huán)形框架剝離。已證實(shí)，用裸眼觀察在環(huán)形框架上沒(méi)有粘合劑殘留。此時(shí)，可去除粘合層2與環(huán)形框架5之間的剝離力為0.12N/25mm，粘合層1與可去除粘合層2之間的剝離力為0.13N/25mm，硅半導(dǎo)體晶片4的芯片和粘合層1被牢固粘附以致不可能將它們剝離開(kāi)。
此示例5利用了示例3的結(jié)構(gòu)，除了代替示例3中使用的可去除粘合或粘附劑而使用該粘合劑。
此處，形成粘合層的粘合劑不特別限制，可以是在切片和芯片接合帶中通常使用的膜形粘合劑中的任一種。粘合劑的優(yōu)選示例包括丙烯酸粘合劑、環(huán)氧/苯酚/丙烯酸樹(shù)脂的混合粘合劑等。粘合層的厚度可以任意設(shè)置，但是優(yōu)選約5至100μm。
在此示例中，相對(duì)于圓的晶片形狀(直徑20.32cm)，晶片粘附到其表面上的粘合層的形狀以直徑21cm的圓的形狀形成。但是，粘合層形狀不限于此，只要在粘附晶片的部分上有粘合層且在粘附環(huán)形框架的部分上有可去除粘合層，因此粘合層可以為例如多邊形。此外，代替所制備的具有粘合層的PET膜帶(g)，例如通過(guò)在PET膜帶上均勻地形成粘合層且重復(fù)地沖除該粘合層，可制造和使用在與粘合環(huán)形框架的部分對(duì)應(yīng)的部分中沒(méi)有粘合層的PET膜帶(g′)。例如，如圖5所示，以一圖案設(shè)置有粘合層的PET膜帶可被使用，該圖案中與粘附環(huán)形框架的部分對(duì)應(yīng)的部分被以八邊形形狀重復(fù)沖除。
比較例1以與示例1中相同的方式制備晶片加工帶，除了代替如示例1所描述的其上涂覆有可去除粘合劑的PET膜帶(b)，使用與示例1中的類(lèi)似但不具有可去除粘合層的PET膜(50μm厚，300mm寬)外。
以與示例1中相同的方式，這樣獲得的晶片加工帶被使用，使用之后其自環(huán)形框架的剝離性能被檢測(cè)和評(píng)估，表明從基膜剝離的可去除粘合或粘附劑仍粘附在環(huán)形框架上。此時(shí)，可去除粘合或粘附劑層和環(huán)形框架被牢固粘合，以致不可能將它們剝離開(kāi)?？扇コ澈匣蛘掣綄优c基膜之間的剝離力為0.30N/25mm。硅半導(dǎo)體晶片的芯片和可去除粘合或粘附層被牢固粘合以致不可能將它們剝離開(kāi)。
工業(yè)適用性本發(fā)明的晶片加工帶能更適宜地應(yīng)用于半導(dǎo)體器件例如硅晶片的制造中的粘合晶片等，切片晶片、以及將所得的切片晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上的粘合工藝中。
已經(jīng)相關(guān)于當(dāng)前實(shí)施例描述了我們的發(fā)明，我們的意圖是本發(fā)明不受限于說(shuō)明的任何細(xì)節(jié)，除非以其它方式特別說(shuō)明，更確切地，本發(fā)明可在所附權(quán)利要求定義的其思想和范圍內(nèi)寬泛地構(gòu)建。
權(quán)利要求
1.一種晶片加工帶，具有至少在基膜的一個(gè)面上形成的粘合層和可去除粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件的制造中的接合工藝中，包括粘附晶片；切片該晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上，且所述晶片加工帶包括在粘附所述晶片的其表面上具有所述可去除粘合層的區(qū)域和不具有所述可去除粘合層的區(qū)域，其中，在拾取期間在不具有所述可去除粘合層的所述區(qū)域中該粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間在具有所述可去除粘合層的所述區(qū)域中所述粘合層保留在基膜側(cè)。
2.一種晶片加工帶，具有至少在基膜的一個(gè)面上形成的粘合層和可去除粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件的制造中的接合工藝中，包括粘合晶片；切片該晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上，且所述晶片加工帶包括B＞A的區(qū)域；以及A＞B的區(qū)域，其中所述基膜(或設(shè)置在所述基膜上的層)與所述粘合層之間的剝離力被指定為A，被接合的目標(biāo)與所述粘合層之間的剝離力以及被接合的目標(biāo)與所述可去除粘合層之間的剝離力被指定為B，其中在拾取期間在B＞A的所述區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間在A＞B的所述區(qū)域中所述可去除粘合層不轉(zhuǎn)移到所述被接合的目標(biāo)上。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片加工帶，其中所述A＞B的區(qū)域形成在除了粘附該晶片的部分之外的部分中。
4.如權(quán)利要求2或3所述的晶片加工帶，其中所述A＞B的區(qū)域被染色。
5.如權(quán)利要求1或2所述的晶片加工帶，具有至少在所述基膜的一個(gè)面上形成的所述粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件的制造中的接合工藝中，包括粘合晶片；切片該晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上，其中所述晶片加工帶在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中具有層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層，且其中，在拾取期間在不具有所述可去除粘合層的所述區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間所述層疊的可去除粘合層保留在基膜側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片加工帶，其中所述粘合層層疊在形成在所述基膜上的可去除粘合層上，其中所述晶片加工帶在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中具有層疊在所述粘合層上的另一可去除粘合層，且其中在拾取期間在不具有層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層的所述區(qū)域中所述粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間層疊在所述粘合層上的所述可去除粘合層保留在基膜側(cè)。
7.如權(quán)利要求1或2所述的晶片加工帶，具有至少在所述基膜的一個(gè)面上順序形成的所述可去除粘合層和所述粘合層，所述晶片加工帶可用于半導(dǎo)體器件的制造中的接合工藝中，包括粘附晶片；切片該晶片；以及將切片了的晶片安裝到引線(xiàn)框或半導(dǎo)體芯片上，其中所述晶片加工帶具有層疊在粘附所述晶片的部分上的所述粘合層，且其中在拾取期間所述層疊的粘合層轉(zhuǎn)移到芯片側(cè)，在剝離所述帶期間所述可去除粘合層保留在基膜側(cè)。
8.一種制造晶片加工帶的方法，包括步驟提供在基膜上具有粘合層的帶(a)；提供具有形成在其給定區(qū)域中的可去除粘合層的用作分離物膜的帶(b)；以及將所述帶(a)的粘合層側(cè)與所述帶(b)的可去除粘合層側(cè)直接粘附，從而制造復(fù)合晶片加工帶。
9.如權(quán)利要求8所述的制造晶片加工帶的方法，其中所述帶(a)設(shè)置有順序形成在所述基膜上的可去除粘合層和所述粘合層。
10.一種晶片加工帶，其通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求9的方法制造，其中在剝離所述分離物期間所述可去除粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到粘合層側(cè)。
11.一種制造晶片加工帶的方法，包括步驟提供在基膜上具有可去除粘合層的帶(c)；提供具有形成在其給定區(qū)域中的粘合層的用作分離物膜的帶(d)；以及將所述帶(c)的可去除粘合層側(cè)與所述帶(d)的粘合層側(cè)直接粘附，從而制造復(fù)合晶片加工帶。
12.一種晶片加工帶，其通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求11的方法制造，其中在剝離所述分離物期間所述粘合層轉(zhuǎn)移且粘附到可去除粘合層側(cè)。
13.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、10或12所述的晶片加工帶，其中所述粘合層是可去除粘合或粘附層，其還具有可去除粘合功能。
全文摘要
一種晶片加工帶，其中接合層(1)和粘性粘合層(2)設(shè)置在基體材料膜(3)表面上。該晶片加工帶具有滿(mǎn)足B＞A的區(qū)域和滿(mǎn)足A＞B的區(qū)域，其中A是基體材料膜(3)與接合層(1)之間的分離力，B是被附著的體(4)與接合層(1)之間以及被附著的體(5)與粘性粘合層(2)之間的分離力。在拾取中，在滿(mǎn)足B＞A的區(qū)域中接合層(1)移到芯片側(cè)，在帶的分離中，在滿(mǎn)足A＞B的區(qū)域中粘性粘合層(2)不移到體(5)上。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1864248SQ20048002864
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2004年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月15日
發(fā)明者喜多賢二, 盛島泰正, 石渡伸一 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社