用于雙向器件制造的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】用于雙側(cè)面半導體器件制造的方法和系統(tǒng)?？梢允褂媚透邷夭僮骶湍椭袦夭僮骶圃煸诿總€表面上具有多個引線的器件。摻雜劑可以被引入在兩個側(cè)面上，之后不久，單次長時間高溫擴散步驟將所有的摻雜劑在兩個側(cè)面上擴散到大致相等的深度。所有的高溫處理在沒有附接操作晶片的情況下發(fā)生，或者在附接有高溫操作晶片的情況下發(fā)生。一旦中溫操作晶片被附接，則不會發(fā)生高溫處理步驟。高溫可以被認為是存在鋁基金屬時可能對所述器件造成損壞的那些溫度。
【專利說明】用于雙向器件制造的系統(tǒng)和方法
[0001]交叉引用
[0002]要求通過引用被并入本文的2013年12月11日遞交的61/914491的優(yōu)先權(quán)。
[0003]還要求通過引用被并入本文的2014年I月8日遞交的61/924884的優(yōu)先權(quán)。
[0004]還要求通過引用被并入本文的2014年I月21日遞交的61/929874的優(yōu)先權(quán)。
[0005]還要求通過引用被并入本文的2014年6月24日遞交的14/313960的優(yōu)先權(quán)。
[0006]還要求通過引用被并入本文的2014年I月17日遞交的61/928644的優(yōu)先權(quán)。
[0007]背景
[0008]本申請涉及半導體器件制造，并且更具體地涉及雙側(cè)面和雙向半導體器件的制造。
[0009]注意到下文討論的要點可能體現(xiàn)由已公開的發(fā)明得到的后見之明，并且不一定被承認為現(xiàn)有技術(shù)。
[0010]通過引用被并入本文的共同所有并且共同未決的申請14/313960教導了新穎的被稱為B-TRAN的雙向雙極晶體管。B-TRAN是每個表面上具有至少兩個引線(leads)的三層四端子的雙向雙極晶體管。取決于所施加的電壓的極性，B-TRAN的每個表面上的一個結(jié)充當發(fā)射極或者集電極。照慣例，因為大部分常規(guī)的制造沒有被設計為允許每個晶片表面上具有多個電極，因此雙側(cè)面器件(如B-TRAN和雙向IGBT)的制造是復雜并且昂貴的。
[0011]大多數(shù)集成電路使得所述集成電路的所有單個部件都被制造在芯片的前表面上，盡管可以對芯片的后表面作出電接觸。具有三個或更多個端子的大多數(shù)分立器件被類似地配置，其中頂部表面具有兩個或更多個單獨的引線，而整個后表面是另一個電引線。然而，將器件的一個側(cè)面限制為只有單個電引線必然妨礙在兩個表面上都具有兩個或更多個引線的任何器件的制造。
[0012]用于雙向器件制造的系統(tǒng)和方法
[0013]除了其他創(chuàng)新之外，本申請教導用于制造雙側(cè)面半導體器件的方法，其中多個引線可以被形成在器件的每個表面上。
[0014]除了其他創(chuàng)新之外，本申請還教導用于制造雙側(cè)面半導體器件的系統(tǒng)，其中多個引線可以被形成在器件的每個表面上。
[0015]除了其他創(chuàng)新之外，本申請還教導用于操作用以制造雙側(cè)面半導體器件的系統(tǒng)的方法，其中多個引線可以被形成在器件的每個表面上。
[0016]在各種公開的實施例中，通過使用至少兩個操作晶片的制造順序?qū)嵤┥鲜鰟?chuàng)新，包括單次長時間摻雜劑擴散步驟，該步驟可以被使用來在器件的兩個側(cè)面上注入摻雜劑。耐高溫和耐中溫的操作晶片有利于制造。
【附圖說明】
[0017]公開的發(fā)明將參考所附的附圖被描述，所述附圖示出重要的示例性實施例并且所述附圖通過引用被合并在本文的說明書中，其中:
[0018]圖1圖示示出根據(jù)本發(fā)明的處理流程的一個示例性實施例。
[0019]圖2A示出根據(jù)本發(fā)明制造的B-TRAN的一個示例性實施例。
[0020]圖2B示出根據(jù)本發(fā)明制造的雙向P溝道IGBT的一個示例性實施例。
[0021]圖3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H、31、3 J和31(示出根據(jù)本發(fā)明的制造工藝的一個示例性實施例。
[0022]圖4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H、41、4J、4K和4L示出根據(jù)本發(fā)明的制造工藝的另一個示例性實施例。
[0023]圖5A、5B、5C和示出根據(jù)本發(fā)明的部分制造工藝的另一個示例性實施例。
[0024]示例性實施例的詳細說明
[0025]本申請的許多創(chuàng)新性教導將具體參考目前優(yōu)選的實施例(通過舉例而非限制的方式)被說明。本申請描述若干發(fā)明，并且下文陳述中沒有應該被認為是一般地限制權(quán)利要求書的內(nèi)容。
[0026]本申請公開雙側(cè)面器件制造的新方法。
[0027]本發(fā)明的創(chuàng)新性技術(shù)教導，尤其是用于雙側(cè)面半導體器件的創(chuàng)新性制造方法，并且特別有利地是垂直對稱的雙側(cè)面半導體器件的創(chuàng)新性制造方法。
[0028]在大部分目前優(yōu)選的示例性實施例(如圖1的示例性實施例)中，大部分高溫處理步驟首先在一個側(cè)面上執(zhí)行，直至但不包括摻雜劑擴散步驟。用于第一側(cè)面的所有摻雜劑優(yōu)選地在高溫處理步驟的最后一個步驟中被引入，以最小化由于之后的高溫步驟的摻雜劑的不想要的過度擴散或者擴散不足。保護性止蝕層被沉積在第一側(cè)面上，以在之后的處理期間保護第一側(cè)面免遭無意的或者不想要的改變。
[0029]高溫操作晶片隨后被附接到止蝕層，這幫助之后移除高溫操作晶片。高溫操作晶片、止蝕層，以及結(jié)合這兩者的方法都被選擇為基本上不受在之后的摻雜劑注入步驟中使用的高溫的影響。
[0030]在一些目前優(yōu)選的示例性實施例中，器件晶片隨后可以可選地從第二側(cè)面例如通過磨制和拋光變薄，以在第二側(cè)面上的處理開始之前獲得最終期望的器件厚度。
[0031]高溫處理步驟隨后優(yōu)選地在第二側(cè)面上執(zhí)行，其中摻雜劑引入再次優(yōu)選地在這些步驟中的最后一個步驟中。在所有摻雜劑都已被引入之后，單個相對長時間的摻雜劑注入步驟可以同時地使所有摻雜劑在兩個側(cè)面上都擴散到期望的深度，有利地在兩個側(cè)面之間在期望的位置提供基本上對稱的摻雜劑擴散。
[0032]中溫處理步驟隨后可以在外露的第二側(cè)面上執(zhí)行，在所述中溫處理步驟之后，中溫操作晶片可以被附接到第二側(cè)面。高溫操作晶片被移除，并且中溫處理步驟可以在現(xiàn)在外露的第一側(cè)面上執(zhí)行。中溫操作晶片隨后可以被移除。常規(guī)的晶片處理基本上在這時結(jié)束。低溫處理可以繼續(xù)進行，包括電鍍晶片的一個或者兩個側(cè)面，切割以及測試所得到的芯片。
[0033]在一些目前優(yōu)選的示例性實施例中，高溫超過在給定的實施例中使用的一種金屬或者多種金屬的合金化溫度。
[0034]當使用鋁基金屬系統(tǒng)時，常規(guī)的硅晶片可以經(jīng)受而不遭受不可逆的損壞的最大溫度在大約450_500°C的范圍內(nèi)。高過該溫度范圍，鋁開始與硅相互作用，造成泄露、短路和其他熟知的故障。金屬沉積由此優(yōu)選地標志中溫處理的開始，其中中溫可以被定義為低于可能損壞晶片的那些溫度的溫度。
[0035]在大部分目前優(yōu)選的示例性實施例中，中溫還指用于在給定的實施例中使用的一種金屬或者多種金屬的合金化溫度的大致范圍內(nèi)的溫度。
[0036]在大部分目前優(yōu)選的示例性實施例中，低溫是約低于焊料的熔融溫度的那些溫度。
[0037]圖3A-3L的示例性處理流程示出本發(fā)明的一個示例性實施例，所述實施例可以被使用來制造如圖2A那樣的B-TRAN。
[0038]在一個示例性實施例中，在圖3A中制造開始于P型半導體晶片301的側(cè)面321的高溫處理。該高溫處理可以，例如，包括操作，如熱氧化、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、高溫退火，以及在摻雜劑引入之前發(fā)生的其他處理。任何終止結(jié)構(gòu)最優(yōu)選地在這個處理階段被形成。η型摻雜劑303和P型摻雜劑305最優(yōu)選地在這些高溫步驟的最后一個步驟中被引入到晶片301中。側(cè)面321的這個高溫處理階段就在高溫摻雜劑擴散步驟將常規(guī)地執(zhí)行之前停止。側(cè)面321被二氧化硅層335覆蓋。
[0039]在該示例性實施例中，η型摻雜劑303最后擴散以形成N+區(qū)，取決于電流方向，所述N+區(qū)充當用于B-TRAN的發(fā)射極區(qū)或者集電極區(qū)。在側(cè)面321的其他區(qū)中的P型摻雜劑305形成將變成P+基極接觸區(qū)的區(qū)域。
[0040]在圖3Β中，保護層307隨后被沉積在側(cè)面321上。在之后對晶片301的相對側(cè)面323的處理期間，保護層307幫助最小化對側(cè)面321的不想要的改變。
[0041 ]在一個示例性實施例中，保護層307可以是單層的，例如，CVD二氧化硅層。
[0042]在另一個示例性實施例中，保護層307可以是，例如，保護層的夾心結(jié)構(gòu)，例如，被一 CVD氮化硅層隔開的兩個CVD 二氧化硅層。
[0043]高溫操作晶片309在高溫下被附接到側(cè)面321上的保護層307，如圖3C中看到的那樣。高溫操作晶片309被選擇為基本上不受在高溫制造中使用在晶片301上的溫度的影響，并且尤其不受在之后的摻雜劑注入步驟中使用的溫度的影響。(例如，硅和石英的熱膨脹系數(shù)的不一致在約400°C或更高的結(jié)合溫度下可能使硅晶片翹曲。石英因此作為高溫操作晶片一般是不可接受的，但是可以在一些示例性實施例中被用作中溫操作晶片。)也可以選擇將高溫操作晶片309結(jié)合到保護層307的方法以耐受這些高溫。
[0044]在一個目前優(yōu)選的示例性實施例中，硅高溫操作晶片可以通過在中溫(例如，400°C)下將極平的晶片表面放置在一起來形成弱結(jié)合而被直接結(jié)合到二氧化硅保護層。晶片隨后可以被放置在熔爐中，例如，在例如1100°C下達兩個小時，以致使硅操作晶片直接結(jié)合到二氧化硅保護層。
[0045]除了防止側(cè)面321上不想要的改變以外，保護層307還提供止蝕點以避免當操作晶片309之后被移除時損壞晶片(例如由于過度變薄)。
[0046]在圖3A—3K的示例性實施例中，晶片301的初始厚度大于最終產(chǎn)品所期望的厚度。晶片301因此之后從側(cè)面323變薄到用于集成電路或者分立器件的最終厚度，如圖3D中的那樣。在一個示例性實施例中，該變薄可以通過磨制、研磨和拋光的組合來執(zhí)行，以便形成器件質(zhì)量的表面。
[0047]之后在側(cè)面323上執(zhí)行高溫處理，直至完成η型摻雜劑303和P型摻雜劑305的引入，如圖3Ε中的那樣。這優(yōu)選地在側(cè)面323上反映之前在側(cè)面321上執(zhí)行的高溫處理。相對長時間的高溫擴散步驟隨后使摻雜劑303和305在晶片的兩個側(cè)面上都擴散到期望的結(jié)深度。該摻雜劑擴散導致N+發(fā)射極/集電極區(qū)311和P+基極接觸區(qū)313，如圖3F中看到的那樣。
[0048]在一個示例性實施例中，期望的結(jié)深度為例如3_5μπι深，并且擴散步驟可以在例如1050-1100°C的溫度下執(zhí)行達例如3-10小時。
[0049]隨后在側(cè)面323上執(zhí)行中溫處理，如圖3G中看到的那樣。這可以包括，例如，掩膜金屬沉積和蝕刻，以分別在側(cè)面323上的N+區(qū)311和P+區(qū)313之上形成金屬接觸盤315和317。金屬接觸盤315和317透過氧化層355與相應的區(qū)域311和313接觸。中溫處理還可以包括，例如，接觸盤315和317的鈍化。如上文討論的，典型地，一旦存在金屬盤315和317，則不發(fā)生高溫處理。
[0050]在圖3H中，在完成側(cè)面323的中溫處理之后，中溫操作晶片319被附接到側(cè)面323。在一個示例性實施例中，中溫操作晶片319包括粘合劑層以利于結(jié)合到器件晶片。在一個這樣的示例性實施例中，該粘合劑層的一些部分可以部分或者全部地填充在兩個晶片之間的間隙中，如通過粘合劑部分337例示的。高溫操作晶片309隨后從側(cè)面321被移除，優(yōu)選地隨后移除大部分或者全部的保護層307，如圖31中的那樣。
[0051 ] 在圖3J中，之后在側(cè)面321上執(zhí)行中溫處理，再次分別在側(cè)面321上的N+區(qū)311和P+區(qū)313之上形成金屬接觸盤315和317。在圖3K中，中溫操作晶片319被移除，由此完成晶片301的常規(guī)晶片處理。
[0052]類似的示例性處理流程可以被使用在另一個示例性實施例中，以利于形成如圖2B中看到的那樣的雙向IGBT。在圖4A中，晶片301的側(cè)面321的初始高溫處理包括形成溝槽柵425，以及，例如，形成任何終止結(jié)構(gòu)以及執(zhí)行任何其他合適的步驟。在圖4B中，靠近側(cè)面321的高溫處理端，η型摻雜劑403和P型摻雜劑405被引入。
[0053]在圖4C中，保護層307被形成在側(cè)面321上，其在氧化層335之上。在圖4D中，高溫操作晶片309隨后被附接到保護層307。在一個示例性實施例中，晶片301的初始厚度大于最終器件所期望的厚度，因此在圖4Ε中，晶片301從側(cè)面323變薄。在圖4F中，在側(cè)面323上執(zhí)行高溫處理，包括形成溝槽柵425和氧化層335，以及引入η型摻雜劑403和P型摻雜劑405。在相對長時間的高溫擴散步驟之后，在兩個側(cè)面321和323上的摻雜劑403和405都擴散以形成P+源極區(qū)427、Ν+主體接觸區(qū)429和N型主體區(qū)431。
[0054]側(cè)面323上的中溫處理繼續(xù)進行，包括在圖4Η中形成源極接觸金屬433和接觸盤，以及與溝槽柵425接觸(未示出)。在基本上完成側(cè)面323的中溫處理之后，中溫操作晶片319在圖41中被附接到側(cè)面323以使得處理側(cè)面321變得可能。在一個示例性實施例中，中溫操作晶片319使用中溫粘合劑被附接到側(cè)面323，所述中溫粘合劑的一部分可以作為粘合劑337在間隙中被看到。高溫操作晶片309連同(在該示例性實施例中)保護層307—起從側(cè)面321被移除，釋放側(cè)面321，如圖4J中看到的那樣。
[0055]在圖4Κ中，側(cè)面321的中溫處理繼續(xù)進行，包括在側(cè)面321上形成源極接觸金屬433和接觸盤，以及與溝槽柵425接觸(未示出)。在圖4L中，隨著中溫操作晶片319(以及任何多余的粘合劑337)的移除，晶片301的常規(guī)的晶片處理結(jié)束。
[0056]在一些示例性實施例中，初始器件晶片太薄以至于所述初始器件晶片不能夠承受常規(guī)的處理步驟。在如圖5A-5D的示例性實施例中，使用總共三個操作晶片而非兩個:兩個操作晶片在高溫下被結(jié)合，而一個操作晶片在中溫下被結(jié)合。在圖5Α中，在第一側(cè)面321上的處理開始之前，薄的器件晶片301的側(cè)面323被附接到高溫操作晶片509。
[0057]在存在操作晶片509的情況下，圖5B、5C和5D分別類似于圖3A、3B和3C的處理步驟。一旦晶片301被附接到高溫操作晶片309，操作晶片509可以被移除，并且制造可以如在圖3D一 3K的示例性實施例中看到的那樣繼續(xù)進行。
[0058]優(yōu)點
[0059]在各種實施例中公開的創(chuàng)新提供至少以下優(yōu)點中的一個或更多個。然而，并非所有的這些優(yōu)點都能從所公開的創(chuàng)新中的每一個中得到，并且該優(yōu)點列表不限制各個所要求的發(fā)明。
[0060]?簡化雙側(cè)面器件的制造；
[0061 ] ?使摻雜劑在兩個側(cè)面上都擴散到可接受地類似的深度；
[0062]?允許多個有源區(qū)和多個電極在器件的兩個側(cè)面上的有效制造；
[0063]?允許通過常規(guī)的制造方法和系統(tǒng)加工極薄的器件晶片，因為在變薄之后，晶片總是通過常規(guī)的晶片制造的剩余部分被附接到操作晶片；
[0064]?允許垂直對稱的器件的制造，而不損壞器件。
[0065]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:用于雙側(cè)面半導體器件制造的方法和系統(tǒng)。可以使用耐高溫操作晶片和耐中溫操作晶片制造每個表面具有多個引線的器件。摻雜劑可以被引入在兩個側(cè)面上，之后不久，單次長時間高溫擴散步驟將所有的摻雜劑在兩個側(cè)面上擴散到大致相等的深度。所有的高溫處理在沒有附接操作晶片的情況下發(fā)生，或者在附接有高溫操作晶片的情況下發(fā)生。一旦中溫操作晶片被附接，則不會發(fā)生高溫處理步驟。高溫可以被認為是存在鋁基金屬時可能對所述器件造成損壞的那些溫度。
[0066]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:將第一導電型摻雜劑引入到半導體塊的第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第一面上的第二區(qū)中；將高溫操作晶片附接到所述第一面;將第一導電型摻雜劑引入到所述半導體塊的平行于所述第一面的第二面上的第三區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第四區(qū)中；執(zhí)行高溫擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑和所第二導電型摻雜劑在所述半導體塊中擴散到期望的深度;在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟;將中溫操作晶片附接到所述第二面;移除所述高溫操作晶片；以及在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟。
[0067]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:在半導體晶片的第一面上執(zhí)行高溫制造步驟;將第一導電型摻雜劑引入到所述第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第一面上的第二區(qū)中；將高溫操作晶片結(jié)合到所述第一面;在所述半導體晶片的平行于所述第一面的第二面上執(zhí)行高溫制造步驟；將第一導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第三區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第四區(qū)中；在超過約600 V的溫度下執(zhí)行擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑和所述第二導電型摻雜劑在所述半導體晶片中擴散到期望的深度;在低于約450°C的溫度下在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟;將中溫操作晶片結(jié)合到所述第二面;從所述第一面移除所述高溫操作晶片；在低于約450°C的溫度下在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟;從所述第二面移除所述中溫操作晶片；以及在低于約240°C的溫度下在所述半導體晶片上執(zhí)行低溫處理步驟;其中至少一些所述高溫制造步驟是在超過約600°C的溫度下執(zhí)行的。
[0068]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:在半導體晶片的第一面上執(zhí)行高溫制造步驟;將第一導電型摻雜劑引入到半導體晶片的第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第一面上的第二區(qū)中；在所述第一面上形成保護層;將高溫操作晶片結(jié)合到所述第一面上的所述保護層;使所述半導體從所述半導體晶片的平行于所述第一面的第二面晶片變薄到期望的厚度;在所述第二面上執(zhí)行高溫制造步驟;將第一導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第三區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第四區(qū)中；執(zhí)行擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑和所述第二導電型摻雜劑在所述半導體晶片中擴散到期望的深度;在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟;在所述第二面上形成有圖案的金屬;將中溫操作晶片結(jié)合到所述第二面，在所述有圖案的金屬之上;從所述第一面移除所述高溫操作晶片;從所述第一面移除所述保護層;在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟;在所述第一面上形成附加的有圖案的金屬;從所述第二面移除所述中溫操作晶片；以及在低于約240°C的溫度下在所述半導體晶片上執(zhí)行低溫處理步驟;其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響;其中所述擴散步驟以及至少一些所述高溫制造步驟是在超過約600°C的溫度下執(zhí)行的；其中所述中溫制造步驟是在低于約450°C的溫度下執(zhí)行的。
[0069]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以兩個相應的圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；并且隨后b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面;c)以兩個相應的圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和活化;e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上;f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。
[0070]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；并且隨后b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面;c)以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和活化;e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將具有與所述第一操作晶片不同的構(gòu)成的第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上;f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。
[0071]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以一圖案并且非全部地將P型和η型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面;c)以一圖案并且非全部地將P型和η型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和活化;e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上;f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。
[0072]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)在將形成電流運送連接的位置，以及在兩個面上不會形成電流運送連接的位置，以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面;c)在將形成電流運送連接的位置，以及在兩個面上不會形成電流運送連接的位置，以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和活化;e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上;f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。
[0073]根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以兩個相應的圖案將P型和η型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面;c)以兩個相應的圖案將P型和η型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和活化;e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造;并且進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。根據(jù)一些但不一定所有的實施例，提供:一種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法包括:在所述晶片的所述兩個面上都形成溝槽柵；以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的所述兩個面中；將第一操作晶片附接到所述晶片的第一所述面;加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑擴散和活化;在所述晶片的第二所述面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上；移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造;其中每個所述面上的一個所述帶圖案的金屬接觸相應的面上的所述溝槽柵。
[0074]修正和改變
[0075]如將被本領(lǐng)域技術(shù)人員認識到的，本申請中描述的創(chuàng)新性理念可以在很大范圍的應用上被修正和改變，并且因此專利保護主題的范圍不被所給出的具體的示例性教導中的任何一個限制。意在包含所有這樣的落在所附的權(quán)利要求書的精神和寬范圍之內(nèi)的替換、修正和變化。
[0076]在一些目前優(yōu)選的實施例中，p型摻雜劑優(yōu)選地為硼，并且η型摻雜劑優(yōu)選地為砷和/或磷。在一些實施例中，硼被使用來提供晶片的大部分P型摻雜質(zhì)。在其他實施例中，這可以不同。
[0077]在一些實施例中，摻雜劑可以通過例如掩膜注入被引入。在其他實施例中，這可以不同。
[0078]在一些目前優(yōu)選的實施例中，高溫操作晶片可以是藍寶石、硅、二氧化硅、氮化鎵或者碳化硅。在其他實施例中，這可以不同。
[0079]在一些示例性實施例中，中溫操作晶片可以是藍寶石、硅、碳化硅、石英、氮化鎵、難熔金屬或者玻璃。在其他實施例中，該材料可以不同。
[0080]在一些示例性實施例中，合適的難熔金屬可以包括鎢、鉬、鈦、鉭及其合金。在其他實施例中，可以使用其他難熔金屬。
[0081]在一些示例性實施例中，保護層可以是，例如，由化學氣相沉積(CVD)形成的二氧化硅層、氮化硅層、多晶硅層或者非晶硅層。在其他示例性實施例中，保護層可以是，例如，由CVD形成的一組三層的這些材料，例如CVD 二氧化硅、CVD氮化硅和CVD 二氧化硅。在其他實施例中，該層可以不同。
[0082]在CVD被使用來形成保護層的一些實施例中，保護層的頂部表面優(yōu)選地為在被結(jié)合到高溫操作晶片之前例如通過化學一機械拋光(CMP)被平面化。
[0083]在高溫操作晶片為硅并且保護層的外露表面為二氧化硅的一些示例性實施例中，操作晶片可以在高溫下直接結(jié)合到保護層。在其他實施例中，可以酌情使用其他結(jié)合方法。
[0084]在大部分目前優(yōu)選的示例性實施例中，覆蓋在兩個表面上的絕緣層優(yōu)選地為二氧化硅。然而，在其他實施例中，這可以不同。
[0085]在一些實施例中，初始絕緣層可以在第一側(cè)面被省略，并且當高溫操作晶片被移除時，來自保護層的至少一些氧化物可以被留在晶片的第一側(cè)面上，而不是被完全移除。該氧化層可以提供被蝕穿以與器件接觸的氧化層。在一些這樣的實施例中，可以在第二側(cè)面的高溫摻雜劑注入和中溫處理開始之間，在第二側(cè)面上形成類似的氧化層(所述氧化層可以是，例如，二氧化硅層和BPSG)。在一個這樣的示例性實施例中，這樣的S12層可以為例如
0.Ιμπι厚，并且這樣的BPSG層可以為例如0.6μπι厚。
[0086]在一些目前優(yōu)選的示例性實施例中，例如AICu (I % )的金屬導體被使用于接觸金屬。在其他實施例中，例如AlCuSi的金屬導體被使用于接觸金屬。在再其它實施例中，該導體可以不同。
[0087]在一些實施例中，前表面至后表面晶片對齊可以通過一開始以雙側(cè)面拋光的初始晶片并且通過在高溫結(jié)合步驟之后使用對齊算法在被結(jié)合的晶片疊層的兩個外露表面上都放置對齊標志來獲得。在其他實施例中，前表面至后表面對齊可以通過使用紅外對齊來獲得，所述紅外對齊允許一個晶片表面上的特征在對齊期間透過晶片被“看到”。在再其他實施例中，對齊可以通過機械手段來獲得，如當在第二表面上存在掩膜時對齊到晶片的第一表面。這些技術(shù)中的每一種具有優(yōu)點和缺點，以及相關(guān)聯(lián)的設備成本。在再其他實施例中，對齊可以以不同方式來獲得。
[0088]在大部分目前優(yōu)選的實施例中，根據(jù)本發(fā)明制造的器件是垂直對稱的雙向器件。然而，在其他實施例中，可以根據(jù)本創(chuàng)新性方法來制造非對稱的器件，例如可以是單向器件。在再其他實施例中，該器件取向可以不同。
[0089]在一些垂直對稱的實施例中，同一組掩膜可以被使用在晶片的兩個側(cè)面上，以進一步簡化制造和處理。垂直對稱的器件可以通過將掩膜組設計為圍繞器件在或者“X”軸或者Y’軸上的中心線是對稱的來獲得。
[0090]在一些實施例中，在完成第一側(cè)面的中溫處理之后但在中溫操作晶片從第二側(cè)面被移除之前，膠帶(tape)可以被施加到晶片的一個側(cè)面。在其他實施例中，在中溫操作晶片被移除之前，晶片可以被安裝在襯底上。在再其他實施例中，這可以不同。
[0091]在膠帶在第一側(cè)面的中溫處理之后被施加到第一側(cè)面的一些實施例中，該膠帶可以是在晶片鋸切期間晶片粘附至的膠帶。
[0092]在一些實施例中，晶片的一個或者兩個側(cè)面可以在中溫操作晶片被移除之后被電鍍。在其他實施例中，晶片的第一側(cè)面可以在完成第一側(cè)面的中溫處理之后但在中溫操作晶片從第二側(cè)面被移除之前被電鍍。
[0093]在一些實施例中，高溫可以是那些超過約4500C的溫度。在其他實施例中，高溫可以是那些超過約600°C的溫度。在再其他實施例中，該溫度范圍可以不同。
[0094]在一些預期的實施例中，如果器件晶片被直接結(jié)合到具有相同構(gòu)成的操作晶片，則具有相同的晶體結(jié)構(gòu)但是更低的熔點的另一個半導體薄層可以被布置在兩個表面之間，以利于更穩(wěn)健的結(jié)合。例如，在初始硅器件晶片被直接結(jié)合到硅操作晶片的一些三個操作晶片的實施例中，就是這樣。中間半導體的熔點確定針對中溫結(jié)合或者高溫結(jié)合的適用性。在一些實施例中，鍺可以利于在中溫下的穩(wěn)健的結(jié)合，并且要預期到某些硅/鍺合金可以利于高溫娃一娃結(jié)合。
[0095]在大部分目前優(yōu)選的實施例中，器件晶片可以具有例如400μπι的初始厚度，并且在兩個側(cè)面上被拋光。在其他實施例中，這可以不同。
[0096]在晶片在處理期間變薄的大部分目前優(yōu)選實施例中，變薄操作可以將晶片的厚度減小到例如小于80μπι。
[0097]在大部分目前優(yōu)選的實施例中，磨制、研磨、拋光、蝕刻、CMP或其任意組合可以被使用于例如使器件晶片變薄、移除操作晶片以及移除止蝕層的步驟，如本文教導的那些。在一些預期的實施例中，激光解除結(jié)合可以被使用來移除合適的透明的操作晶片。在再預期的實施例中，操作晶片可以是合適的多孔襯底，所述多孔襯底可以用粘合劑結(jié)合并且使用溶劑系統(tǒng)解除結(jié)合。然而，將被理解的是，其他處理可以被使用于這樣的目的，并且被認為落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0098]幫助示出變化和實施的附加的綜合背景，以及可以與下文要求的發(fā)明協(xié)同實施的一些特征，可以在以下的美國專利申請中找到。所有這些申請與本申請具有至少一些共同的所有權(quán)、相互依存以及發(fā)明權(quán)，并且所有這些申請，以及直接或者間接合并在所述申請中的任何材料，通過引用被并入本文:US 8406265、US 8400800、US8395910、US 8391033、US8345452、US 8300426、US8295069、US7778045、US7599196、US 2012-0279567A1、US 2012-0268975A1、US 2012-0274138A1、US 2013-0038129A1、US 2012-0051100A1:PCT/US14/16740、PCT/US14/26822、PCT/US14/35954、PCT/US14/35960;14/182243、14/182236、14/182245、14/182246、14/183403、14/182249、14/182250、14/182251、14/182256、14/182268、14/183259、14/182265、14/183415、14/182280、14/183422、14/182252、14/183245、14/183274、14/183289、14/183309、14/183335、14/183371、14/182270、14/182277、14/207039、14/209885、14/260120、14/265300、14/265312、14/265315、14/313960、14/479857、14/514878、14/514988、14/515348; 2013 年 12月 11 日遞交的美國臨時 61/914491、61/914538;2014年I月8日遞交的61/924884; 2014年I月9日遞交的61/925311; 2014年I月16日遞交的61/928133; 2014年I 月 17 日遞交的61/928644; 2014年I 月 21 日遞交的61/929731和61/929874; 2014年I 月27 日遞交的61/931785; 2014年I 月28 日遞交的61/932422; 2014年I 月30日遞交的61/933442; 2014年6月3日遞交的62/007004; 2014年6月5日遞交的62/008275;2014年6月20日遞交的62/015096 ； 2014年9月18日遞交的62/052358 ； 2014年9月24日遞交的62/054621; 2014年9月25 日遞交的62/055167; 2014年10月6 日遞交的62/060312; 2014年 10月13日遞交的62/063090; 2014年10月16日遞交的62/064616; 2014年10月20日遞交的62/065916; 2014年10月31日遞交的62/073809;以及上文所有申請中的任一個的所有優(yōu)先權(quán)申請，所述申請中的每一個通過引用被并入本文。
[0099]本申請中的說明書中沒有內(nèi)容應該被解讀為暗示任何具體的元素、步驟或者功能是必須要被包括在所要求的范圍中的必要元素:專利主題的范圍僅被所附的權(quán)利要求書限定。而且，這些權(quán)利要求中沒有內(nèi)容意在援引35USC 112節(jié)第六段，除非確切使用的單詞“用于……的裝置”后跟隨一分詞。
[0100]所遞交的權(quán)利要求意為盡可能廣泛的，并且沒有主題是要故意撤回(relinquished)、捐獻(dedicated)或者放棄(abandoned)的。
【主權(quán)項】
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:將第一導電型摻雜劑引入到半導體塊的第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引 入到所述第一面上的第二區(qū)中；將高溫操作晶片附接到所述第一面；將第一導電型摻雜劑引入到所述半導體塊的平行于所述第一面的第二面上的第三區(qū) 中；將第二導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第四區(qū)中；執(zhí)行高溫擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑和所述第二導電型摻 雜劑在所述半導體塊中擴散到期望的深度；在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟；將中溫操作晶片附接到所述第二面；移除所述高溫操作晶片；以及 在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全部地 被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片具有與所述高溫操作晶片不同的 構(gòu)成。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述擴散步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將摻雜劑引入到所述第一面上的所述第一和第 二區(qū)中的步驟分別使用與所述將摻雜劑引入到所述第二面上的第三和第四區(qū)中的步驟相 同的圖案。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體塊之間的連接基本 上不受在所述相應的附接步驟之后使用的溫度的影響。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫制造步驟是在低于約450°C的溫度下執(zhí)行 的。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述擴散步驟使用超過約600°C的溫度。9.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在將所述摻雜劑引入到每個所述面之前在相 應的面上形成溝槽柵。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導體塊是由硅制成的。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導電型是N型。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫制造步驟在所述第一面上以及在所述第二 面兩者上是以基本上相同的方式執(zhí)行的。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高溫操作晶片是硅。14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高溫操作晶片是二氧化硅。15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高溫操作晶片是碳化硅。16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高溫操作晶片是藍寶石。17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述高溫操作晶片是氮化鎵。18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是石英。19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是玻璃。20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是硅。21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是二氧化硅。22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是碳化硅。23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是藍寶石。24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是氮化鎵。25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中溫操作晶片是難熔金屬。26.—種制造半導體器件的方法，所述方法包括:在半導體晶片的第一面上執(zhí)行高溫制造步驟；將第一導電型摻雜劑引入到所述第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所 述第一面上的第二區(qū)中；將高溫操作晶片結(jié)合到所述第一面；在所述半導體晶片的平行于所述第一面的第二面上執(zhí)行高溫制造步驟；將第一導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第三區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所 述第二面上的第四區(qū)中；在超過約600°C的溫度下執(zhí)行擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑 和所述第二導電型摻雜劑在所述半導體晶片中擴散到期望的深度；在低于約450°C的溫度下在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟；將中溫操作晶片結(jié)合到所述第二面；從所述第一面移除所述高溫操作晶片；在低于約450°C的溫度下在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟；從所述第二面移除所述中溫操作晶片；以及 在低于約240°C的溫度下在所述半導體晶片上執(zhí)行低溫處理步驟；其中至少一些所述高溫制造步驟是在超過約600°C的溫度下執(zhí)行的。27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全部 地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。28.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片具有與所述高溫操作晶片不同 的構(gòu)成。29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述擴散步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。30.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述將摻雜劑引入到所述第一面上的所述第一和 第二區(qū)中的步驟分別使用與所述將摻雜劑引入到所述第二面上的第三和第四區(qū)中的步驟 相同的圖案。31.如權(quán)利要求26所述的方法，進一步包括在將所述摻雜劑引入到每個所述面之前在 相應的面上形成溝槽柵。32.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一導電型是N型。33.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫制造步驟在所述第一面上以及在所述第 二面兩者上是以基本上相同的方式執(zhí)行的。34.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述擴散步驟是在超過約1000°C的溫度下執(zhí)行的。35.如權(quán)利要求26所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響。36.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高溫操作晶片是硅。37.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高溫操作晶片是二氧化硅。38.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高溫操作晶片是碳化硅。39.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高溫操作晶片是藍寶石。40.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高溫操作晶片是氮化鎵。41.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是石英。42.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是玻璃。43.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是硅。44.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是二氧化硅。45.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是碳化硅。46.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是藍寶石。47.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是氮化鎵。48.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述中溫操作晶片是難熔金屬。49.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:在半導體晶片的第一面上執(zhí)行高溫制造步驟；將第一導電型摻雜劑引入到半導體晶片的第一面上的第一區(qū)中；將第二導電型摻雜劑 引入到所述第一面上的第二區(qū)中；在所述第一面上形成保護層；將高溫操作晶片結(jié)合到所述第一面上的所述保護層；從所述半導體晶片的平行于所述第一面的第二面開始使所述半導體晶片變薄到期望 的厚度；在所述第二面上執(zhí)行高溫制造步驟；將第一導電型摻雜劑引入到所述第二面上的第三區(qū)中；將第二導電型摻雜劑引入到所 述第二面上的第四區(qū)中；執(zhí)行擴散步驟;憑借所述擴散步驟使所述第一導電型摻雜劑和所述第二導電型摻雜劑 在所述半導體晶片中擴散到期望的深度；在所述第二面上執(zhí)行中溫制造步驟，在所述第二面上形成帶圖案的金屬；在所述帶圖案的金屬之上將中溫操作晶片結(jié)合到所述第二面；從所述第一面移除所述高溫操作晶片；從所述第一面移除所述保護層；在所述第一面上執(zhí)行中溫制造步驟，在所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬；從所述第二面移除所述中溫操作晶片；以及 在低于約240°C的溫度下在所述半導體晶片上執(zhí)行低溫處理步驟；其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合基本上不受在相應的結(jié)合步驟 之后使用的溫度的影響；其中所述擴散步驟以及至少一些所述高溫制造步驟是在超過約600°C的溫度下執(zhí)行 的；其中所述中溫制造步驟是在低于約450°C的溫度下執(zhí)行的。50.如權(quán)利要求49所述的方法，進一步包括使用化學-機械拋光法來使所述保護層變得 平坦。51.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫制造步驟包括熱氧化、化學氣相沉積、高 溫退火中以及形成一個或更多個溝槽柵中的至少一者。52.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫制造步驟包括執(zhí)行接觸掩膜步驟、鈍化層 沉積、盤蝕刻，以及金屬沉積和掩膜中的至少一者。53.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述低溫處理步驟包括電鍍所述面中的至少一個 以及將所述半導體晶片切割成芯片。54.如權(quán)利要求49所述的方法，進一步包括在所述移除所述中溫操作晶片的步驟之前 電鍍所述第一面。55.如權(quán)利要求49所述的方法，進一步包括在所述移除所述中溫操作晶片的步驟之前 對所述第一面施加膠帶。56.如權(quán)利要求49所述的方法，進一步包括在所述移除所述中溫操作晶片的步驟之前 將所述半導體晶片安裝在襯底上。57.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述擴散步驟是在超過約1100°C的溫度下執(zhí)行的。58.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述擴散步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟都 更高的持續(xù)溫度。59.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫制造步驟在所述第一面上以及在所述第 二面兩者上是以基本上相同的方式執(zhí)行的。60.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使用 與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。61.如權(quán)利要求49所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全部 地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。62.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。63.如權(quán)利要求49所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電和 接觸元件也被形成。64.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。65.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片具有與所述高溫操作晶片不同 的構(gòu)成。66.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述擴散步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。67.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述將摻雜劑引入到所述第一面上的所述第一和 第二區(qū)中的步驟分別使用與所述將摻雜劑引入到所述第二面上的第三和第四區(qū)中的步驟 相同的圖案。68.如權(quán)利要求49所述的方法，進一步包括在將所述摻雜劑引入到每個所述面之前在 相應的面上形成溝槽柵。69.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述第一導電型是N型。70.如權(quán)利要求49所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合 基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響。71.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫操作晶片是硅。72.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫操作晶片是二氧化硅。73.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫操作晶片是碳化硅。74.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫操作晶片是藍寶石。75.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述高溫操作晶片是氮化鎵。76.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是石英。77.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是玻璃。78.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是硅。79.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是二氧化硅。80.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是碳化硅。81.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是藍寶石。82.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是氮化鎵。83.如權(quán)利要求49所述的方法，其中所述中溫操作晶片是難熔金屬。84.—種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個 面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以兩個相應的圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；并且隨后b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)以兩個相應的圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和 活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所 述帶圖案的金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的 金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。85.如權(quán)利要求84所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全部 地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。86.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。87.如權(quán)利要求84所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電和 接觸元件也被形成。88.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。89.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片具有與所述第一操作晶片不同 的構(gòu)成。90.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。91.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟都 更高的持續(xù)溫度。92.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩者 上使用相同的圖案。93.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使用 與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。94.如權(quán)利要求84所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接到 所述晶片的初始步驟。95.如權(quán)利要求84所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小于 所述晶片寬度的20%，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。96.如權(quán)利要求84所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小于 80微米，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。97.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述步驟c)是在所述步驟b)之后執(zhí)行的。98.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一導電型是N型。99.如權(quán)利要求84所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合 基本上不受在相應的加熱步驟之后使用的溫度的影響。100.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。101.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。102.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。103.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。104.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。105.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。106.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。107.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。108.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。109.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。110.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。111.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。112.如權(quán)利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。113.—種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個 面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法以除指定以外的任何順序包括:a)以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；并且隨后b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和 活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將具有與所述第一操作晶 片不同的構(gòu)成的第二操作晶片附接在所述帶圖案的金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的 金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。114.如權(quán)利要求113所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全 部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。115.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。116.如權(quán)利要求113所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電 和接觸元件也被形成。117.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。118.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。119.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟 都更高的持續(xù)溫度。120.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩 者上使用相同的圖案。121.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使 用與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。122.如權(quán)利要求113所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接 到所述晶片的初始步驟。123.如權(quán)利要求113所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于所述晶片寬度的20%，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。124.如權(quán)利要求113所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于80微米，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。125.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述步驟c)是在所述步驟b)之后執(zhí)行的。126.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一導電型是N型。127.如權(quán)利要求113所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié) 合基本上不受在相應的加熱步驟之后使用的溫度的影響。128.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。129.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。130.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。131.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。132.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。133.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。134.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。135.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。136.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。137.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。138.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。139.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。140.如權(quán)利要求113所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。141.一種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶 片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以 外的任何順序包括:a)以一圖案并且非全部地將p型和n型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；C)以一圖案并且非全部地將P型和n型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和 活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所 述帶圖案的金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的 金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。142.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。143.如權(quán)利要求141所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電 和接觸元件也被形成。144.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。145.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片具有與所述第一操作晶片不 同的構(gòu)成。146.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。147.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟 都更高的持續(xù)溫度。148.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩 者上使用相同的圖案。149.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使 用與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。150.如權(quán)利要求141所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接 到所述晶片的初始步驟。151.如權(quán)利要求141所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于所述晶片寬度的20%，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。152.如權(quán)利要求141所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于80微米，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。153.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述步驟c)是在所述步驟b)之后執(zhí)行的。154.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。155.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。156.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。157.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。158.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。159.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。160.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。161.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。162.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。163.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。164.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。165.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。166.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。167.—種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶 片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以 外的任何順序包括:a)在將形成電流運送連接的位置，以及在兩個面上不會形成電流運送連接的位置，以 一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)在將形成電流運送連接的位置，以及在兩個面上不會形成電流運送連接的位置，以 一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和 活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所 述帶圖案的金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的 金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造。168.如權(quán)利要求167所述的方法，其中p型和n型摻雜劑兩者都以相應的圖案并且非全 部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面兩者上。169.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。170.如權(quán)利要求167所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電 和接觸元件也被形成。171.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。172.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片具有與所述第一操作晶片不 同的構(gòu)成。173.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。174.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟 都更高的持續(xù)溫度。175.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩 者上使用相同的圖案。176.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使 用與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。177.如權(quán)利要求167所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接 到所述晶片的初始步驟。178.如權(quán)利要求167所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于所述晶片寬度的20%，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。179.如權(quán)利要求167所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于80微米，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。180.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述步驟c)是在所述步驟b)之后執(zhí)行的。181.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一導電型是N型。182.如權(quán)利要求167所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié) 合基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響。183.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。184.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。185.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。186.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。187.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。188.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。189.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。190.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。191.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。192.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。193.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。194.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。195.如權(quán)利要求167所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。196.—種制造雙側(cè)面功率半導體器件的方法，所述雙側(cè)面功率半導體器件在半導體晶 片的兩個面上都具有帶圖案的電流運送連接以及控制端子連接兩者，所述方法以除指定以 外的任何順序包括:a)以兩個相應的圖案將p型和n型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第一面中；b)將第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)以兩個相應的圖案將p型和n型摻雜劑兩者引入到所述晶片的第二面中；d)加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑在所述晶片的所述第一和第二面兩者中擴散和 活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所 述帶圖案的敷金屬之上；f)移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的 金屬;并且隨后g)移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造；并且進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。197.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。198.如權(quán)利要求196所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電 和接觸元件也被形成。199.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。200.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片具有與所述第一操作晶片不 同的構(gòu)成。201.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。202.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟 都更高的持續(xù)溫度。203.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩 者上使用相同的圖案。204.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使 用與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。205.如權(quán)利要求196所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前將初始操作晶片附接 到所述晶片的初始步驟。206.如權(quán)利要求196所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于所述晶片寬度的20%，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。207.如權(quán)利要求196所述的方法，進一步包括在所述步驟b)之前使所述晶片變薄至小 于80微米，并且將初始操作晶片附接到所述晶片的初始步驟。208.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述步驟c)是在所述步驟b)之后執(zhí)行的。209.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一導電型是N型。210.如權(quán)利要求196所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié) 合基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響。211.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。212.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。213.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。214.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。215.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。216.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。217.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。218.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。219.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。220.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。221.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。222.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。223.如權(quán)利要求196所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。224.—種制造雙側(cè)面半導體器件的方法，所述雙側(cè)面半導體器件在半導體晶片的兩個 面上都具有帶圖案的電流運送接觸區(qū)域，所述方法包括:在所述晶片的所述兩個面上都形成溝槽柵，以一圖案將摻雜劑引入到所述晶片的所述 兩個面中，將第一操作晶片附接到所述晶片的第一所述面；加熱所述晶片，以由此使所述摻雜劑擴散和活化；在所述晶片的第二所述面上形成帶圖案的金屬，并且隨后將第二操作晶片附接在所述 帶圖案的金屬之上；移除所述第一操作晶片，并且隨后在所述晶片的所述第一面上形成附加的帶圖案的金屬;并且隨后 移除所述第二操作晶片，并且完成雙側(cè)面半導體器件的制造； 其中每個所述面上的一個所述帶圖案的金屬接觸相應的面上的所述溝槽柵。225.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述半導體晶片是硅晶片。226.如權(quán)利要求224所述的方法，其中當每個所述帶圖案的金屬被形成時，附加的介電和接觸元件也被形成。227.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述帶圖案的金屬包括鋁。228.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片具有與所述第一操作晶片不同的構(gòu)成。229.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述加熱步驟使用比其后任何步驟都更高的持續(xù)溫度。230.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述加熱步驟使用比金屬出現(xiàn)之后的任何步驟都更高的持續(xù)溫度。231.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述引入摻雜劑的步驟在所述第一和第二面兩者上使用相同的圖案。232.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金屬的步驟使用與所述在所述第二面上形成帶圖案的金屬的步驟大致相同的圖案。233.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一導電型是N型。234.如權(quán)利要求224所述的方法，其中每個所述操作晶片和所述半導體晶片之間的結(jié)合基本上不受在相應的結(jié)合步驟之后使用的溫度的影響。235.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。236.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。237.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。238.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一操作晶片是藍寶石。239.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化鎵。240.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。241.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。242.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。243.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。244.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。245.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是藍寶石。246.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化鎵。247.如權(quán)利要求224所述的方法，其中所述第二操作晶片是難熔金屬。248.一種由權(quán)利要求1、26、49、84、113、141、167、196或者224所述的方法形成的半導體器件。
【文檔編號】H01L29/739GK106062958SQ201480065680
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2014年12月10日
【發(fā)明人】理查德·A·布蘭查德, 威廉·C·亞歷山大
【申請人】理想能量有限公司