專利名稱：高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，特別涉及一種應(yīng)用在承載連接晶片而構(gòu)成可對外導(dǎo)電的導(dǎo)線架引腳組成結(jié)構(gòu)改良，使引腳可高密度交錯并簡易排列。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今電子產(chǎn)品設(shè)計發(fā)展趨勢，是以多功能、高容量(高記憶量)、高傳輸率及精巧化為主流，甚少單一產(chǎn)品僅具有單一功能的，相對的即要求內(nèi)部功能性電晶體更為精小，而且電晶體必須有更為細密且多量的引腳與電路板連接，以高速而大量的輸出或記錄符合上述目的之資訊。請參閱圖8、圖9所示，因承載晶元30的導(dǎo)線架10的引腳20必須具有多量且高密度結(jié)構(gòu)，容易因焊錫擴散而發(fā)生二引腳20相接觸的瑕疵，因此坊間制造導(dǎo)線架10的接腳20結(jié)構(gòu)時，常是沖壓引腳20底部具有一凸塊201，以該凸塊201底端作為與電路板焊接的導(dǎo)接面202，且特別將相鄰另一引腳20的凸塊201設(shè)為錯開于不同位置，藉此形成交錯狀排列以防止焊錫相互沾染。
但是，習(xí)見的導(dǎo)線架10各引腳20的凸塊201結(jié)構(gòu)是采用模具沖壓制造成型，在被要求各凸塊201必須構(gòu)成交錯狀排列的情形下，不僅模具制造困難(尤其是沖壓如針狀的引腳20)、導(dǎo)線架10成本無法降低，而且容易發(fā)生沖壓時的瑕疵情形，不僅導(dǎo)致質(zhì)量管理成本增加，而且影響組成后電晶體的良品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要解決上述導(dǎo)線架的引腳因焊錫擴散而發(fā)生二引腳相接觸的問題，而提供一種可克服上述缺點的高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明具有供晶片載置以對外電性連通的導(dǎo)線架，其特征在于，該導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)塊狀并呈數(shù)排列置的引腳，該塊狀引腳具有下端面作為與外界電性連通的導(dǎo)接面，該引腳的導(dǎo)接面設(shè)有至少一阻絕體遮蔽導(dǎo)接面一部分，各引腳的阻絕體呈間隔交錯位置排列狀設(shè)置，使各阻絕體相鄰的外露狀導(dǎo)接面也形成間隔交錯排列狀態(tài)；藉此組成引腳具有交錯外露狀排列的導(dǎo)接面結(jié)構(gòu)，可防止二引腳間因焊錫擴散導(dǎo)致的接觸問題發(fā)生，因本發(fā)明使用阻絕體結(jié)構(gòu)及排列狀態(tài)的實施，不僅比習(xí)知引腳沖壓交錯排列的凸塊實施制造方式更為方便、簡易，而且可避免采用直接沖壓交錯排列凸塊的困難技術(shù)，相對的即可使模具成本、沖壓制造成本降低，容易精密的實施組成交錯排列導(dǎo)接面，并易于進行質(zhì)量管理控制，因此，可提高晶體良品率及穩(wěn)定性。
所述的引腳可形成為矩形形狀；所述的引腳底端形成至少一凹階面，于該凹階面相鄰處形成一凸塊及凸塊底面的一導(dǎo)接面；所述的引腳的底端內(nèi)邊及靠近中間處分別形成有一凹階面，以形成二個間隔分離的凸塊及凸塊底面的一導(dǎo)接面；所述的引腳其中一凸塊的導(dǎo)接面設(shè)有遮蔽的阻絕體；所述的阻絕體可以用絕緣膜貼覆或點膠凝固或以封膠體構(gòu)成；該阻絕體可以在晶片載置于導(dǎo)線架之前或之后實施構(gòu)成。


圖1為本發(fā)明矩形塊狀引腳實施阻絕體的剖視示意圖。
圖2為本發(fā)明矩形塊狀引腳實施阻絕體以形成外露導(dǎo)接面交錯排列的底視示意圖。
圖3為本發(fā)明引腳設(shè)有凸塊及阻絕體的剖視示意圖。
圖4為本發(fā)明引腳設(shè)有凸塊及阻絕體的另一剖視示意圖。
圖5為本發(fā)明引腳設(shè)有二凸塊及阻絕體的剖視示意圖。
圖6為本發(fā)明以封膠體構(gòu)成阻絕體的示意圖。
圖7為本發(fā)明阻絕體實施于四排引腳的示意圖。
圖8為習(xí)知引腳呈交錯排列的剖視示意圖。
圖9為習(xí)知引腳呈交錯排列的底視示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，本發(fā)明是針對提供晶片3載置而可以對外電性連通的導(dǎo)線架1之引腳11組成結(jié)構(gòu)的改良，其具有導(dǎo)線架1，該導(dǎo)線架1依晶片3或外界電性設(shè)備(如電路板的排列狀接點位置及數(shù)目)需求，構(gòu)成有復(fù)數(shù)個矩形塊狀并且呈數(shù)排列置的金屬材質(zhì)引腳11結(jié)構(gòu)，使塊狀引腳11具有上端至少一晶片3的載置面111，及下端面作為與外界電性連通的導(dǎo)接面112，其排列數(shù)目及排列狀態(tài)如圖2、圖7所示，可為二排或四排或其它數(shù)目，并可呈平行或放射或其它規(guī)則或不規(guī)則形狀排列；而且各引腳11排列構(gòu)成導(dǎo)線架1的方式，可采用金屬材料制成，而直接承載晶片3利用封膠體4封裝并裁切后，構(gòu)成引腳11獨立固定而可對外電性連接的導(dǎo)線架1；或以金屬材料制成引腳11后，先施以封膠固定并且裁切(即未載置晶片3前先封膠固定引腳11)，以構(gòu)成獨立一物品可供載置晶片3的導(dǎo)線架1。
本發(fā)明是于導(dǎo)線架1載置晶片3封裝前或載置晶片3封裝后，特別選定各引腳11下端的導(dǎo)接面112處設(shè)有至少一絕緣材質(zhì)構(gòu)成的阻絕體2，如圖2所示，藉阻絕體2遮蔽引腳11的導(dǎo)接面112一部分(該阻絕體2形狀為各式構(gòu)形)，而且各引腳11的阻絕體2呈間隔交錯位置排列狀設(shè)置，如圖2所示，以使各阻絕體2相鄰的外露狀導(dǎo)接面112也形成間隔交錯排列狀態(tài)，藉此即組成本發(fā)明之高密度引腳11具有交錯外露狀排列的導(dǎo)接面112結(jié)構(gòu)，以使引腳11高密度設(shè)置并防止焊錫互相沾染。
如上所述，該引腳11底面設(shè)置阻絕體2以形成交錯外露狀排列的導(dǎo)接面112，其中，引腳11結(jié)構(gòu)并不以矩形塊狀為限，如圖3、圖4所示，可為塊狀引腳11內(nèi)及外端或內(nèi)端形成一凹階面113a、113b，以該凹階面113a、113b供晶片3延伸的金屬導(dǎo)線5連接，且恰于凹階面113a、113b相鄰處形成一凸塊114a、114b及其底面的一導(dǎo)接面112，藉此并于導(dǎo)接面112設(shè)有構(gòu)成交錯排列的阻絕體2，以形成交錯外露狀排列的導(dǎo)接面112；或如圖5所示，該塊狀引腳11可于內(nèi)端及靠近中間處分別形成一凹階面113c，以形成二個間隔開的凸塊114c及其底面的導(dǎo)接面112，藉此分別選定其中一凸塊114的導(dǎo)接面112設(shè)有遮蔽而構(gòu)成交錯排列的阻絕體2，使另一凸塊114的導(dǎo)接面112外露呈交錯排列狀，也可達成上述防止引腳11間焊錫互相沾染的功能；因此，本發(fā)明之引腳11結(jié)構(gòu)不必拘于特定，凡是采用以引腳11底端作為對外導(dǎo)接點的任何結(jié)構(gòu)形狀，均可依上述特征據(jù)以實施阻絕體2遮蔽的一部分。
另外，本發(fā)明于導(dǎo)線架1的藉此引腳11導(dǎo)接面112構(gòu)成與至少一阻絕體2的方式，是可于導(dǎo)線架1載置晶片3前或載置晶片3并封裝后采用一種絕緣膜黏貼構(gòu)成，或以點膠凝固方式構(gòu)成阻絕體2，或如圖6所示，利用針對晶片3或?qū)Ь€架1構(gòu)成封裝的封膠體4，使封膠體4延伸于引腳11的導(dǎo)接面112，藉此構(gòu)成阻絕體2遮蔽導(dǎo)接面112一部分的結(jié)構(gòu)，并形成其余導(dǎo)接面112外露呈交錯排列狀態(tài)；因此，凡是足以成形或黏貼固定于引腳11的底面導(dǎo)接面112而絕緣遮蔽一部分的實施例，均被本發(fā)明所述阻絕體2結(jié)構(gòu)及交錯排置特征所含蓋及可實施的狀態(tài)。
利用本發(fā)明之絕緣質(zhì)阻絕體2遮蔽導(dǎo)線架1引腳11的導(dǎo)接面112一部分結(jié)構(gòu)，是使其余導(dǎo)接面112外露呈交錯排列狀，以預(yù)防組裝時的焊錫等導(dǎo)電物質(zhì)相互沾染，故可令導(dǎo)線架1設(shè)有更密集且多數(shù)的引腳11，以供晶片3連接使用，以達成符合現(xiàn)今電子產(chǎn)品多功能、高容量(高記憶量)、高傳輸率及精巧化的需求。尤其因本發(fā)明的絕緣質(zhì)阻絕體2結(jié)構(gòu)及排列狀態(tài)的實施，不僅比習(xí)知引腳20沖壓交錯排列的凸塊201實施制造方式更為方便、簡易，而且可避免采用直接沖壓交錯排列凸塊201的困難技術(shù)，相對的即可使模具成本、沖壓制造成本降低，容易精密的實施組成交錯排列導(dǎo)接面112，并易于進行質(zhì)量管理控制，因此，可提高晶體良品率及穩(wěn)定性。另外，也可將導(dǎo)接面112面積設(shè)計略大，再依電路板接點尺寸及位置隨時控制阻絕體2所遮蔽的大小范圍，故可使外露而交錯排列狀的導(dǎo)接面112更具規(guī)格彈性變化效益，藉此，可充分的與電路板等外界設(shè)備配合使用。
權(quán)利要求
1.一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其是具有供晶片載置以對外電性連通的導(dǎo)線架，其特征在于該導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)塊狀并呈數(shù)排列置的引腳，該塊狀引腳具有下端面作為與外界電性連通的導(dǎo)接面，該引腳的導(dǎo)接面設(shè)有至少一阻絕體遮蔽導(dǎo)接面一部分，各引腳的阻絕體呈間隔交錯位置排列狀設(shè)置，使各阻絕體相鄰的外露狀導(dǎo)接面也形成間隔交錯排列狀態(tài)；藉此組成引腳具有交錯外露狀排列的導(dǎo)接面結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引腳可形成為矩形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引腳底端形成至少一凹階面，于該凹階面相鄰處形成一凸塊及凸塊底面的一導(dǎo)接面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引腳的底端內(nèi)邊及靠近中間處分別形成有一凹階面，以形成二個間隔分離的凸塊及凸塊底面的一導(dǎo)接面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引腳其中一凸塊的導(dǎo)接面設(shè)有遮蔽的阻絕體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的阻絕體可以用絕緣膜貼覆或點膠凝固或以封膠體構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的阻絕體可以在晶片載置于導(dǎo)線架之前或之后實施構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高密度引腳的組成結(jié)構(gòu)，其是針對習(xí)見導(dǎo)線架交錯狀引腳的改良，其導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)排列的塊狀引腳，于引腳底端形成有至少一導(dǎo)接面，特別選定各引腳的導(dǎo)接面設(shè)有至少一阻絕體，各引腳的阻絕體呈間隔交錯設(shè)置，使各阻絕體所相鄰的外露狀導(dǎo)接面形成間隔交錯排列狀，藉此達成引腳可高密度排列并簡易實施制造，而可克服習(xí)知導(dǎo)線架的引腳因焊錫擴散而發(fā)生二引腳相接觸的問題。
文檔編號H01L23/48GK1697173SQ20041004420
公開日2005年11月16日 申請日期2004年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
發(fā)明者連世雄 申請人:宏連國際科技股份有限公司