專利名稱：光致抗蝕劑處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制作工藝，更具體地涉及半導(dǎo)體制作工藝中光致抗蝕劑的處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路制作工藝中，光致抗蝕劑的使用非常廣泛，用以界定蝕刻位置等用途。
舉例而言，在DRAM內(nèi)存裝置的制作工藝中，其中有兩個(gè)金屬層互連的制作工藝部分，如圖1所示，附圖標(biāo)記10表示第一金屬層，11表示介電層，12表示第二金屬層，13表示形成于界電層11中的溝道，用于填入金屬以使第一金屬層10以及第二金屬層12互連。
接下來(lái)，利用光致抗蝕劑界定第二金屬層12中欲蝕刻的部分以及欲保留的部分，以便使第二金屬層12形成所需圖樣。如果光致抗蝕劑太厚會(huì)影響后續(xù)蝕刻處理程序中的分辨率，因此使得所蝕刻出來(lái)的圖樣(如金屬線路)劣化，也會(huì)造成留下的光致抗蝕劑的縱深比太高而產(chǎn)生問(wèn)題。因此，為了不使用厚度太厚的光致抗蝕劑，一般先形成一層硬掩模(hard mask)14，然后再使用一層較薄的光致抗蝕劑15。
由于硬掩模的使用，可無(wú)需使用太厚的光致抗蝕劑，從而避免分辨率不佳的問(wèn)題。然而，硬掩模在蝕刻處理完之后，有難以移除的缺點(diǎn)。
因此，需要有解決上述問(wèn)題的方法，本發(fā)明即滿足此項(xiàng)需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的為提供一種光致抗蝕劑處理方法，其可使光致抗蝕劑緊密化，從而使厚度降低同時(shí)維持相當(dāng)?shù)目刮g刻能力。
根據(jù)本發(fā)明之一方面，該光致抗蝕劑處理方法是在光致抗蝕劑形成圖樣之后或之前，對(duì)光致抗蝕劑施以等離子處理，以使光致抗蝕劑緊密化。
根據(jù)本發(fā)明之另一方面，該光致抗蝕劑處理方法中，是利用氬氣等離子處理光致抗蝕劑。


下列圖式中，并非依照實(shí)際尺寸比例繪制，僅為顯示各部分相關(guān)的關(guān)系，此外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)DRAM內(nèi)存裝置的制作工藝中有兩個(gè)金屬層互連的制作工藝部分欲形成圖樣的步驟；以及圖2示出根據(jù)本發(fā)明的DRAM內(nèi)存裝置的制作工藝中有兩個(gè)金屬層互連的制作工藝部分欲形成圖樣的步驟。
附圖標(biāo)記說(shuō)明10第一金屬層11介電層12第二金屬層13溝道14硬掩模15光致抗蝕劑25光致抗蝕劑具體實(shí)施方式
本發(fā)明提出一種方法，可使得在例如于金屬層制作圖樣時(shí)，可不需使用硬掩模，亦可降低光致抗蝕劑的厚度。
以前述之DRAM內(nèi)存裝置的制作工藝中兩個(gè)金屬層互連的制作工藝部分為例，參照?qǐng)D2，附圖標(biāo)記10表示第一金屬層，11表示介電層，12表示第二金屬層，13表示形成于界電層11中的溝道，該溝道填入金屬以使第一金屬層10以及第二金屬層12互相連接。
在第二金屬層12制作圖樣時(shí)，先使用較厚的光致抗蝕劑，通過(guò)掩模以便在該光致抗蝕劑界定出圖樣，進(jìn)行曝光、顯影成像，移除光致抗蝕劑不需要的部分，留下必要的部分形成圖樣，然后將留下的光致抗蝕劑25以等離子處理，于本實(shí)施例中，較佳的是使用氬氣(Ar)等離子，使光致抗蝕劑緊密化，因而光致抗蝕劑25的厚度會(huì)變小，但抗蝕刻的能力則不變。舉例而言，如果原先厚度為1.4微米的光致抗蝕劑，經(jīng)過(guò)Ar等離子處理之后，其厚度變成1.2微米，然而其抗蝕刻的能力與一般經(jīng)等離子處理的1.4微米厚的光致抗蝕劑相當(dāng)。
上述實(shí)施例是在光致抗蝕劑形成圖樣之后、對(duì)光致抗蝕劑施行Ar等離子處理。然而，亦可在光致抗蝕劑施加之后即先以Ar等離子處理光致抗蝕劑，再將處理后的光致抗蝕劑形成圖樣。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)等離子處理光致抗蝕劑，可使光致抗蝕劑維持既有的抗蝕刻能力，同時(shí)可以降低光致抗蝕劑的厚度，因此可以免除使用硬掩模的需要。
本發(fā)明已就實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，然而上述實(shí)施例僅為例示性說(shuō)明本發(fā)明之原理以及功效，并非用于限制本發(fā)明。熟知此項(xiàng)技藝者可知，不悖離本發(fā)明之精神與范疇的各種修正、變更均可實(shí)行。本發(fā)明之保護(hù)范圍系如所附之申請(qǐng)專利范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種光致抗蝕劑處理方法，包含如下步驟在一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上涂覆一層光致抗蝕劑；對(duì)該光致抗蝕劑界定預(yù)定的圖樣；移除該光致抗蝕劑不需要的部分，留下必要的部分以形成圖樣；以及對(duì)于留下之光致抗蝕劑施行緊密化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑方法，其中該緊密化處理包含等離子處理以使光致抗蝕劑緊密化。
3.如權(quán)利要求2所述的光致抗蝕劑方法，其中該等離子處理是利用氬氣離子。
4.一種光致抗蝕劑處理方法，包含如下步驟在一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上涂覆一層光致抗蝕劑；對(duì)該光致抗蝕劑施行緊密化處理；以及將該光致抗蝕劑形成圖樣。
5.如權(quán)利要求4所述的光致抗蝕劑方法，其中該緊密化處理包含等離子處理以使光致抗蝕劑緊密化。
6.如權(quán)利要求5所述的光致抗蝕劑方法，其中該等離子處理是利用氬氣離子。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑處理方法。本發(fā)明的方法在光致抗蝕劑形成圖樣之后或之前，對(duì)光致抗蝕劑施以氬氣等離子處理，以使光致抗蝕劑緊密化。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1614516SQ200310114869
公開(kāi)日2005年5月11日 申請(qǐng)日期2003年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月7日
發(fā)明者李秀春, 黃則堯, 陳逸男, 王志達(dá) 申請(qǐng)人:南亞科技股份有限公司