專利名稱：兩面膠以及使用它的ic芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及即使是厚度50μm左右的極薄的晶片也可以防止晶片的破損等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，進(jìn)而剝離容易的兩面膠以及使用它的IC芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC芯片)是將通常為棒狀的高純度的半導(dǎo)體單晶切片并作為晶片后，利用光刻在晶片的表面上形成一定的電路圖形，然后，通過研磨機(jī)對晶片背面進(jìn)行研磨，使晶片的厚度大致薄到100～600μm左右，最后通過劃片并芯片化而制造。
這里，在上述研磨時(shí)，在晶片表面上貼上粘接片材類(研磨用膠)，或防止晶片的破損或使容易進(jìn)行研磨加工，在上述劃片時(shí)，在晶片背面?zhèn)荣N上粘接片材(劃片膠)類，在將晶片粘接固定的狀態(tài)下進(jìn)行劃片，對形成的芯片從劃片膠的薄膜基材側(cè)用針往上頂并抓起，使固定在墊板上。
近年來，隨著IC芯片用途的推廣，也逐漸需求能夠在IC卡類中使用或疊層使用的厚度50μm左右的極薄的半導(dǎo)體晶片。但是，厚度50μm左右的半導(dǎo)體晶片，與以往的厚度100～600μm左右的半導(dǎo)體晶片相比，由于翹曲大、沖擊容易破裂，因此操作性差，要進(jìn)行與以往的半導(dǎo)體晶片同樣的操作，有時(shí)往往會破損。
厚度50μm左右的半導(dǎo)體晶片，在容易受到?jīng)_擊的研磨工序或劃片工序中破損的危險(xiǎn)性高，另外，由于在IC芯片的電極上制作凸度時(shí)也容易破損，因此成品率差。因此，提高由厚度50μm左右的極薄的半導(dǎo)體晶片制造IC芯片過程中的晶片的操作性，成為一個(gè)重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供即使是厚度50μm左右的極薄的晶片也可以防止晶片的破損等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，進(jìn)而剝離容易的兩面膠以及使用它的IC芯片的制造方法。
本發(fā)明的兩面膠，在至少一側(cè)面上含有通過刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑。
在本發(fā)明的兩面膠中，所述氣體發(fā)生劑，優(yōu)選不作為粒子存在，可以僅在表面部分中含有。另外，所述氣體發(fā)生劑，優(yōu)選為偶氮化合物或疊氮化合物，其中優(yōu)選以下式(I)所示的偶氮酰胺化合物。
上式(I)中，R1和R2分別表示相同或不同的低級烷基，R3表示碳數(shù)2以上的飽和烷基。
在本發(fā)明的兩面膠中，含有上述氣體發(fā)生劑的粘接劑，優(yōu)選是通過刺激彈性模量上升的粘接劑，優(yōu)選是通過刺激粘接力下降的粘接劑。
本發(fā)明的兩面膠，優(yōu)選對至少一側(cè)面實(shí)施壓花加工。
本發(fā)明的兩面膠，至少一側(cè)面可以是能夠吸水的粘接劑。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述晶片粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。
本發(fā)明的另一IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、從粘附在所述晶片上的所述兩面膠剝離上述支撐板的工序、以及從所述晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述支撐板粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。
本發(fā)明的又一IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在上述支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，使上述的兩面膠的實(shí)施了壓花加工的面與支撐板粘合。
此時(shí)，通過兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序，優(yōu)選是在上述晶片和上述支撐板的任一方上貼上所述兩面膠后，或在上述晶片與上述支撐板的粘合位置上設(shè)置上述兩面膠，在真空容器內(nèi)以減壓的狀態(tài)通過上述兩面膠使上述晶片和上述支撐板進(jìn)行粘合。另外，上述真空容器內(nèi)的減壓，優(yōu)選在上述晶片與上述支撐板分離的狀態(tài)下進(jìn)行。
本發(fā)明的又一IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，使上述兩面膠的由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板粘合，由上述能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板的粘合，是在用水將由上述能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面潤濕后并且在水完全被由上述能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面吸收前進(jìn)行。


圖1是表示在使晶片與支撐板分離的狀態(tài)下進(jìn)行減壓、在減壓狀態(tài)下進(jìn)行粘合的裝置的模式圖。
圖中1表示支撐板，2表示厚膜晶片，3表示支撐膠，4表示隔板。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的兩面膠是在至少一側(cè)面上含有通過刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑的兩面膠。本發(fā)明的兩面膠可以是在基材的兩面上形成有粘接層的支撐膠，也可以是沒有基材的非支撐膠。
作為上述基材，在使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激是通過光刺激時(shí)，優(yōu)選是光透過或光通過的基材，例如可以舉出由丙烯酸、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龍、聚氨酯、聚酰亞胺等的透明樹脂構(gòu)成的片材；具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的片材；開孔的片材等。
作為使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激，例如可以舉出基于光、熱、超聲波的刺激。其中，優(yōu)選基于光或熱的刺激。作為上述光，例如可以舉出紫外線或可見光線等。作為上述刺激，在使用基于光的刺激時(shí)，含有氣體發(fā)生劑的粘接層，優(yōu)選是光能夠透過或通過的粘接層。
作為通過上述刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑，沒有特別的限定，例如可以優(yōu)選使用偶氮化合物、疊氮化合物。
作為上述偶氮化合物，例如可以舉出2，2’-偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-乙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[1，1-二(羥甲基)-2-羥乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[2-(1-羥丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮二[2-甲基-N-(2-羥乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮二[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫化物二氫氧化物、2，2’-偶氮二[2-(3，4，5，6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二{2-[1-(2-羥乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮二(2-甲基-propioneamidine)氫氯化物、 2，2，’-偶氮二(2-氨基丙烷)二氫氯化物、2，2’-偶氮二[N-(2-羧基?；?-2-甲基-propioneamidine]、2，2’-偶氮二{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮二(2-甲基丙酰胺肟)、二甲基-2，2’-偶氮二(2-甲基丙酸酯)，二甲基-2，2’-偶氮二異丙酸酯、4，4’-偶氮二(4-氰基碳酸)，4，4’-偶氮二(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮二(2，4，4-三甲基戊烷)等。
其中，優(yōu)選2，2’-偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-乙基-2-甲基丙酰胺)等的以上述通式(I)所示的偶氮酰胺化合物。
式(I)中，R1和R2分別表示低級烷基，R3表示碳數(shù)2以上的飽和烷基。需要說明的是R1與R2可以相同也可以不同。
以上述通式(I)所示的偶氮酰胺化合物，由于熱分解溫度高，因此在IC芯片的制造中可以根據(jù)需要進(jìn)行高溫處理，向后述的丙烯酸烷基酯聚合物等的具有粘接性的聚合物中的溶解性也優(yōu)良。
上述偶氮化合物，通過基于光、熱的刺激產(chǎn)生氮?dú)狻?br> 作為上述疊氮化合物，例如可以舉出3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷、對苯二甲酰疊氮、對叔丁基苯酰疊氮等或具有通過使3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷開環(huán)聚合得到的縮水甘油疊氮聚合物等的疊氮基的聚合物等。這些疊氮化合物通過基于光、熱以及沖擊等的刺激產(chǎn)生氮?dú)狻?br> 在這些氣體發(fā)生劑中，所述疊氮化合物由于即使給予沖擊，也容易分解產(chǎn)生氮?dú)?，因此存在操作困難的問題。另外，上述疊氮化合物，一旦開始分解，則引起連鎖反應(yīng)爆發(fā)性地放出氮?dú)?，而不能對其控制，因此，也存在基于爆發(fā)性地產(chǎn)生氮?dú)舛鴮a(chǎn)生損傷的問題。從這種問題來看，上述疊氮化合物的使用量被限定，但是有時(shí)對限定的使用量得不到充分的效果。
另一方面，上述偶氮化合物，與疊氮化合物不同，由于通過沖擊不產(chǎn)生氣體，因此操作性及其容易。另外，由于也不起連鎖反應(yīng)而爆發(fā)性地產(chǎn)生氣體，因此對晶片也不損傷，若中斷光照射，則氣體的發(fā)生也可以中斷，因此也具有能夠控制結(jié)合用途的粘接性的優(yōu)點(diǎn)。因此，作為上述氣體發(fā)生劑，更優(yōu)選使用偶氮化合物。
通過含有上述氣體發(fā)生劑，一旦給予上述兩面膠刺激，則由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，通過剝離粘接面的至少一部分，粘接力下降，可以很容易地將被粘接體剝離。
上述氣體發(fā)生劑，可以在含有氣體發(fā)生劑的整個(gè)粘接層上含有，但是若使氣體發(fā)生劑在整個(gè)粘接層上含有，則整個(gè)粘接劑層變?yōu)榘l(fā)泡體，因此變得過于柔軟，有時(shí)變得不能很好地將粘接劑層剝離。因此，上述氣體發(fā)生劑優(yōu)選僅在表面部分含有。若僅在表面部分含有，則整個(gè)粘接劑層不變?yōu)榘l(fā)泡體；通過在與被粘接體的粘接面上由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，可以使粘接面積減少，并且氣體可以使被粘接體與粘接層之間的接觸面的至少一部分剝離而降低粘接力。
另外，上述表面部分依賴于粘接劑層的厚度，但是優(yōu)選為從粘接劑的表面20μm的部分。另外，這里所述的僅表面部分含有，例如可以舉出附著在粘接劑表面上的氣體發(fā)生劑與粘接劑相溶被吸收在粘接劑層中的狀態(tài)、以及氣體發(fā)生劑均勻地附著在粘接劑的表面的狀態(tài)等。
作為使僅在上述表面部分含有氣體發(fā)生劑的方法，例如可以舉出在兩面膠的最外層上以1～20μm左右的厚度涂敷含有氣體發(fā)生劑的粘接劑的方法、或在預(yù)先制作的兩面膠的至少一側(cè)面的表面上涂敷或通過噴霧而吹敷含有氣體發(fā)生劑的揮發(fā)性液體，從而使在表面均勻附著氣體發(fā)生劑的方法等。另外，在使表面附著氣體發(fā)生劑時(shí)，優(yōu)選使附著與粘接劑相溶性優(yōu)良的氣體發(fā)生劑。即，在若在粘接劑表面上使大量地附著氣體發(fā)生劑，則粘接力變低，但是若氣體發(fā)生劑與粘接劑相溶的情況下，附著的氣體發(fā)生劑被吸收在粘接劑層中的粘接力不下降，通過氣體發(fā)生劑的擴(kuò)散，可以使對與被粘接體的整個(gè)接觸面產(chǎn)生均勻的氣體。另外，含有氣體發(fā)生劑的表面部分與其以外的部分，優(yōu)選由組成不同的樹脂成分構(gòu)成，其中，更優(yōu)選極性不同的樹脂成分構(gòu)成。由此，可以防止表面部分的氣體發(fā)生劑移行至其以外的部分，使其變得難于移行。
上述氣體發(fā)生劑優(yōu)選不作為粒子存在。需要說明的是在本說明書中，氣體發(fā)生劑不作為粒子存在，是指通過電子顯微鏡觀察含有氣體發(fā)生劑的粘接劑層的剖面時(shí)不能確認(rèn)氣體發(fā)生劑。在上述粘接劑層中若氣體發(fā)生劑作為粒子存在，則作為使產(chǎn)生氣體的刺激照射光時(shí)，在粒子的界面光產(chǎn)生散射氣體發(fā)生效率或降低或本發(fā)明的兩面膠的表面平滑性變差。
要使上述氣體發(fā)生劑不作為粒子存在，則通常選擇溶解在粘接劑中的氣體發(fā)生劑，但是在選擇在粘接劑中不溶解的氣體發(fā)生劑時(shí)，例如通過使用分散機(jī)或并用分散劑而使氣體發(fā)生劑微分散在粘接劑中。
另外，氣體發(fā)生劑優(yōu)選為微小粒子。另外，這些微粒子，例如優(yōu)選使用分散機(jī)或混合裝置等根據(jù)需要使形成更細(xì)微粒子。即，更優(yōu)選使分散至通過電子顯微鏡觀察本發(fā)明的粘接性物質(zhì)時(shí)不能確認(rèn)氣體發(fā)生劑的狀態(tài)。
本發(fā)明的兩面膠，作為氣體發(fā)生劑使用疊氮或偶氮化合物等的通過光的刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑時(shí)，更優(yōu)選也含有光增感劑。上述光增感劑，由于具有擴(kuò)增向上述氣體發(fā)生劑上的光的刺激的效果，因此，可以通過更少的光的照射而使放出氣體。另外，由于能夠通過更寬波長區(qū)域的光使放出氣體，因此，即使被粘接體是聚對苯二甲酸乙二醇酯等的不透過使由疊氮化合物或偶氮化合物產(chǎn)生氣體的波長的光的物質(zhì)，也可以越過被粘接體照射光使產(chǎn)生氣體，被粘接體的選擇范圍變寬。
作為上述光增感劑，沒有特別的限定，例如優(yōu)選使用硫雜蒽酮增感劑等。另外，硫雜蒽酮增感劑也可以作為光聚合引發(fā)劑使用。
含有上述氣體發(fā)生劑的粘接劑，優(yōu)選是通過刺激彈性模量上升的粘接劑。另外，含有氣體發(fā)生劑的粘接劑，優(yōu)選通過刺激粘接力下降的粘接劑。使上述粘接劑的彈性模量上升的刺激或使上述粘接力降低的刺激，可以是與使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激相同或不同的刺激。
作為這種粘接劑，例如可以舉出將分子內(nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物和自由基聚合性的多官能低聚物或單體作為主要成分，根據(jù)需要含有光聚合引發(fā)劑的光固化型粘接劑；或?qū)⒎肿觾?nèi)具有自由基聚合性的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯系和/或甲基丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物和自由基聚合性的多官能低聚物或單體作為主要成分，含有熱聚合物引發(fā)劑的熱固化型粘接劑等。
這種光固化型粘接劑或熱固化型粘接劑等的后固化型粘接劑，通過光的照射或加熱粘接劑層整體均勻并且迅速聚合交聯(lián)而形成一體化，因此基于聚合固化的彈性模量變得急劇上升，粘接力大幅度下降。另外，在彈性模量上升的硬的固化物中，一旦使由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，則產(chǎn)生的氣體的大半被放至外部，放出的氣體使粘接劑的粘接面的至少一部分從被粘接體上剝離而使粘接力下降。
上述聚合性聚合物，例如可以通過預(yù)先合成分子內(nèi)具有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下稱為含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物)，使與分子內(nèi)具有與上述官能基反應(yīng)的官能基和自由基聚合性的不飽和鍵的化合物(以下稱為含有官能基的不飽和化合物)反應(yīng)而制備。
上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物，作為在常溫具有粘接性的聚合物，與一般的(甲基)丙烯酸系聚合物一樣，通過將烷基的碳數(shù)通常在2～18范圍內(nèi)的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯作為主單體，通過常法使它們與含有官能基的單體以及進(jìn)而根據(jù)需要與它們能夠聚合的其它的改質(zhì)用單體共聚合而制備。上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常為20萬～200萬左右。
作為上述含有官能基的單體，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸等的含有羧基的單體；丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥乙酯等的含有羥基的單體；丙烯酸甘氨酰酯、甲基丙烯酸甘氨酰酯等的含有環(huán)氧基的單體；丙烯酸異氰酸酯乙基、甲基丙烯酸異氰酸酯乙基等的含有異氰酸酯基的單體；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等的含有氨基的單體等。
作為上述可以聚合的其它改質(zhì)用的單體，例如可以舉出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等的在一般(甲基)丙烯酸系聚合物中使用的各種單體。
作為使在上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物中反應(yīng)的含有官能基的不飽和化合物，可以根據(jù)上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系衍生物聚合物的官能基使用與上述含有官能基的單體同樣的化合物。例如上述含有官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能基為羧基時(shí)，使用含有環(huán)氧基的單體或含有異氰酸酯基的單體，在同官能基為羥基時(shí)，使用含有異氰酸酯基的單體，在同官能基為環(huán)氧基時(shí)，使用含有羧基的單體或丙烯酰胺等的含有酰胺基的單體，在同官能基為氨基時(shí)，使用含有環(huán)氧基的單體。
作為上述多官能基的低聚物或單體，優(yōu)選分子量1萬以下的物質(zhì)，更優(yōu)選為了通過加熱或光照射而使粘接劑層的三維網(wǎng)狀化有效的進(jìn)行，分子量在5000以下并且分子內(nèi)的自由基聚合性的不飽和鍵的數(shù)目為2～20個(gè)的物質(zhì)。作為這種更優(yōu)選的多官能基低聚物或單體，例如可以舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或上述同樣的甲基丙烯酸酯類等。另外，可以舉出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低酯丙烯酸酯、上述同樣的甲基丙烯酸酯類等。這些多官能基低聚物或單體可以單獨(dú)使用也可以兩種以上并用。
作為上述光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出通過照射250～800nm波長的光而被活化的物質(zhì)，作為這種光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出甲氧基苯乙酮等的苯乙酮衍生物；苯偶姻丙醚、苯偶姻異丁醚等的苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等的縮酮衍生物；膦氧化物衍生物；二(η5-環(huán)戊二烯基)titanocene衍生物；苯乙酮、米希勒酮、氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等的光自由基聚合引發(fā)劑。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨(dú)使用也可以兩種以上并用。
作為上述熱聚合引發(fā)劑，可以舉出受熱分解產(chǎn)生開始聚合固化的活性自由基的物質(zhì)，例如可以舉出二異丙苯過氧化物、二叔丁基過氧化物、叔丁基過氧化苯甲酸酯、叔丁基氫過氧化物、苯甲酰過氧化物、異丙苯氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、對萜烷氫過氧化物、二叔丁基過氧化物等。其中，由于熱分解溫度高，因此優(yōu)選異丙苯氫過氧化物、對萜烷氫過氧化物、二叔丁基過氧化物等。在這些熱聚合引發(fā)劑中作為市售的沒有特別限定，但是例如優(yōu)選perbuthylD、perbuthylH、perbuthylP、permethaneH(以上均是日本油脂制)等。這些熱聚合引發(fā)劑可以單獨(dú)使用也可以兩種以上并用。
在上述的后固化型粘接劑中，除以上成分外，為了調(diào)節(jié)作為粘接劑的凝集力，可以根據(jù)所需適宜配合異氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、環(huán)氧化物等一般配合在粘接劑中的各種多官能性化合物。另外，也可以添加可塑劑、樹脂、表面活性劑、石蠟、微粒子填充劑等公知的添加劑。
本發(fā)明的兩面膠的至少一側(cè)面，優(yōu)選實(shí)施壓花加工。通過實(shí)施上述壓花加工，即使在常壓下平面性良好并且可以將本發(fā)明的兩面膠粘合在被粘接體上。另外，在本說明書中，所謂壓花加工是指使表面附上凹凸模樣。
上述壓花加工，在上述氣體發(fā)生劑僅含在一側(cè)面中時(shí)，優(yōu)選在與含有上述氣體發(fā)生劑的面相反的面上實(shí)施，在利用本發(fā)明的兩面膠粘接晶片和支撐板時(shí)，優(yōu)選僅在支撐板側(cè)面實(shí)施。
為了研磨上述晶片制作厚度50μm左右的極薄的半導(dǎo)體晶片，在研磨時(shí)，使晶片平面性良好地支撐在支撐板上是很重要的。但是，利用以往的兩面膠粘接晶片和支撐板時(shí)，若不充分留意不讓氣泡進(jìn)入而粘合，則在兩面膠與支撐板之間卷入氣泡而存在所謂的氣體滯留。一旦引起氣體滯留，則卷入氣泡部分的晶片浮起，因此晶片形狀變形，或得不到平滑的研磨面或存在變形太大而在研磨變形的地方時(shí)導(dǎo)致晶片破損的問題。
本發(fā)明的兩面膠，通過至少在一側(cè)面上實(shí)施壓花加工，若粘接實(shí)施壓花加工的面和被粘接體，則被粘接體被支撐在凸凹模樣的凸部上，由于氣泡僅存在于凹凸模樣的凹部，因此不存在因?yàn)闅馀荻共糠志∑?。?shí)施上述壓花加工的面，由于以均勻的膜厚形成，并且在支撐板與晶片之間保持一定的間隔，因此一旦以晶片安裝在支撐板上而被支撐的狀態(tài)進(jìn)行研磨時(shí)，則可以獲得平滑的研磨面。另外，如上所述，通過將被粘接體支撐在凸凹模樣的凸部，由于凹凸模樣起到墊子的作用并且分散研磨晶片時(shí)的壓力，因此可以有效地獲得更薄的晶片。
通過上述壓花加工而形成的凹凸模樣的凸部的間隔，有必要根據(jù)所需的晶片的厚度進(jìn)行選擇，例如在制作厚度25μm左右的晶片時(shí)，優(yōu)選在數(shù)百μm以下，更優(yōu)選在100μm以下。在研磨利用上述兩面膠粘接在支撐板的晶片時(shí)，由于在以晶片的凹凸模樣的凸部支撐的部分與沒有支撐的部分研磨時(shí)的施加的壓力是不同的，因此在研磨后的晶片上有時(shí)產(chǎn)生形成與兩面膠凸凹模樣對應(yīng)的模樣的研磨不均，越使晶片的厚度變薄越會產(chǎn)生問題。通過形成凸部的間隔在100μm以下的凹凸模樣，即使在晶片上形與該凹凸模樣對應(yīng)的模樣，作為研磨不均，也不至于到影響實(shí)用的程度。
作為這種凹凸模樣，例如可以舉出在本發(fā)明的兩面膠的至少一側(cè)面的整個(gè)面上形成，形成的大致所有凸部都以數(shù)百μm以下的間隔連續(xù)的無規(guī)凹凸模樣或有規(guī)則的凹凸模樣等。其中，優(yōu)選有規(guī)則的凹凸模樣，即其凸部高度一致并且凹部的深度也一致的凹凸模樣。作為這種凹凸模樣，可以舉出在整個(gè)面上例如點(diǎn)、直線、圓弧等以數(shù)百μm以下的間隔連續(xù)排列的凹凸模樣等。
作為上述壓花加工的方法沒有特殊限制，例如可以舉出通過將壓花片材、壓花板、壓花筒等按壓在粘接劑層上而將凹凸模樣復(fù)制在粘接劑層上的方法；在實(shí)施脫模處理的壓花面上涂敷粘接劑而形成粘接劑層后，將粘接劑層的沒有形成壓花的面疊層在基材或其它粘接劑層上的方法等。為了獲得凸部以100μm以下的間隔排列的凹凸模樣，例如可以舉出通過吹敷微細(xì)的砂對表面進(jìn)行研磨，從而形成微細(xì)凹凸模樣的噴砂法；在表面形成含有碳酸鈣等微細(xì)的填料層后，通過用底層不溶解但填料溶解的溶劑清洗表面的方法除去填料，從而形成微細(xì)凹凸模樣的填料法等。
本發(fā)明的兩面膠的至少一側(cè)面優(yōu)選由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成。在由這種由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面上一旦滴下適量的水而與被粘接體粘合，則可以防止在粘接面上進(jìn)入氣泡。在上述氣體發(fā)生劑僅含在一側(cè)面上時(shí)，優(yōu)選至少與含有上述氣體發(fā)生劑的面相反的面由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成。
作為上述能夠吸水的粘接劑，例如可以舉出水分散性丙烯酸粘接劑乳膠或水分散性乙酸乙烯酯粘接劑乳膠等的水分散性粘接劑乳膠；作為構(gòu)成單體含有親水性單體的丙烯酸粘接劑；淀粉糊等。對于這些粘接劑，粘接劑表面對于水容易潤濕并且也可以吸收水。其中，以作為構(gòu)成單體含有含羧基單體、含酰胺基單體、含羥基單體等的親水性單體的丙烯酸酯單體為主成分的丙烯酸粘接劑，由于對于向潤濕面的粘接顯示優(yōu)良的粘接力，粘接劑表面對于水容易潤濕并且能夠穩(wěn)定的吸收水，因此是優(yōu)選的。
作為構(gòu)成單體含有上述親水性單體的丙烯酸粘接劑，并不限于水分散性粘接劑乳膠，也可以是溶劑型粘接劑或無溶劑型粘接劑。
在作為構(gòu)成單體含有上述親水性單體的丙烯酸粘接劑中，作為主成分的丙烯酸酯單體優(yōu)選具有碳數(shù)1～14個(gè)碳原子烷基的單體。作為這種丙烯酸粘接劑，例如可以舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、庚基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十八烷基(甲基)丙烯酸酯等。
另外，在本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或甲基丙烯酸，所謂(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
作為上述含有羧基的單體，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、富馬酸、馬來酸、衣康酸、巴豆酸、2-(甲基)丙烯酰氧乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧乙基苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧丙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧丙基苯二甲酸、3-(甲基)丙烯酰氧丙酸等。
作為上述含有酰胺基的單體，可以舉出二甲基氨基甲基(甲基)丙烯酸酯、二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-脯氨酰基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內(nèi)酰胺、N-(丙氧基)-甲基丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰胺、n-烷氧基烷基不飽和羧酸酰胺等。
作為上述含有羥基的單體，可以舉出2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧乙基六氫苯二酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧乙基四氫苯二酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧丙基四氫苯二酸酯等。
在作為構(gòu)成單體含有上述親水性單體的丙烯酸粘接劑中，親水性單體，相對于主成分的丙烯酸酯單體100重量份，優(yōu)選含有1～20重量份。
由上述水分散性粘接劑乳劑得到的粘接劑的干燥被膜，由于含有乳化劑，因此具有吸水性并且粘接劑表面成為親水性。
作為上述乳化劑，優(yōu)選陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。作為上述陰離子表面活性劑，例如可以舉出聚氧乙烯烷基醚磺酸鹽、聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鹽、月桂基苯磺酸碳酸鈉、月桂基硫酸碳酸鈉等。另外，作為上述非離子表面活性劑，例如可以舉出聚氧乙烯基烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等。
上述乳化劑的含量，相對于水分散性粘接劑中含有的粘接性樹脂100重量份，優(yōu)選為0.5～2重量份。若增加上述乳化劑的含量，則吸水性或粘接劑表面的親水性提高，若在該范圍以外，有時(shí)對于潤濕面的粘接力降低。
上述能夠吸水的粘接劑，更優(yōu)選一方面能夠吸水，另一方面，即使吸水也不過度膨脹的粘接劑。若過度膨脹，有時(shí)會在粘接層的厚度中產(chǎn)生不均，在支撐晶片時(shí)有時(shí)不能保持平面性。
作為本發(fā)明的兩面膠的用途沒有特別的限定，例如在用于將厚度50μm左右的極薄的晶片加工成IC芯片時(shí)，可以防止晶片的破損并保證良好的加工性。
作為上述晶片例如可以舉出由硅、鎵銦等的半導(dǎo)體構(gòu)成的晶片。作為上述晶片的厚度沒有特別限定，但是晶片越薄越容易發(fā)揮防止破損的效果，研磨后的厚度在50μm左右、例如在20～80μm厚度的半導(dǎo)體晶片時(shí)，可以發(fā)揮優(yōu)良的防止破損的效果。
本發(fā)明的IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述晶片粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。
在本發(fā)明的IC芯片的制造方法中，首先通過兩面膠將晶片固定在支撐板上。此時(shí)的晶片是將高純度的硅單晶或稼銦單晶等切片作為半導(dǎo)體晶片、然后在半導(dǎo)體晶片上形成一定電路圖形的晶片，厚度大致為500μm～1mm。在將該晶片固定在支撐板時(shí)，使形成晶片電路的面與兩面膠粘合。
作為上述支撐板沒有特別限定，但是在使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激是基于光的刺激時(shí)，優(yōu)選為透明的，例如可以舉出玻璃板；丙烯酸、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龍、聚氨酯、聚酰亞胺等的樹脂構(gòu)成的板狀體等。
作為上述支撐板，優(yōu)選實(shí)施了防靜電處理的支撐板。上述支撐板一旦通過靜電等而帶電，則有時(shí)會吸引空氣中漂浮的微粒子而給IC芯片的制造帶來不良影響。作為在上述支撐板上實(shí)施抗靜電處理的方法，沒有特殊限定，但是在使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激是基于光的刺激時(shí)，優(yōu)選可以維持支撐板的透明性的方法。作為這種防靜電處理的方法，例如可以舉出使在支撐板上含有透明導(dǎo)電性可塑劑的方法、使含有透明的表面活性劑并且增加表面附著的水分量而防止帶電的方法等。其中，將分散有氧化錫微粒子等的透明的導(dǎo)電性微粒子的樹脂分散液涂敷在透明的支撐板的表面而在支撐板的表面形成導(dǎo)電性樹脂層的方法，由于能夠充分確保透明性，同時(shí)可以獲得防靜電的效果，因此是優(yōu)選的。若根據(jù)這種方法，與配合碳黑等的方法不同，可以獲得透明的支撐板。作為實(shí)施了這種防靜電處理的透明支撐板，例如有市售的DC板(積水化學(xué)工業(yè)社制)等。
另外，可以取代使用實(shí)施了上述防靜電處理的支撐板，而在支撐板上進(jìn)行除電處理。作為上述除電處理沒有特別的限定，例如可以舉出接地、基于離子發(fā)生器的離子吹敷等。
作為上述支撐板的厚度，優(yōu)選500μm～3mm，更優(yōu)選1～2mm。另外，上述支撐板的厚度差異優(yōu)選在1％以下。
為了借助上述兩面膠將晶片固定在支撐板上，要使本發(fā)明的兩面膠的含有氣體發(fā)生劑的面與晶片粘合。由此，50μm左右的非常薄的晶片被增強(qiáng)，在搬送或加工晶片時(shí)，不會產(chǎn)生缺欠或斷裂，兩面膠在制造IC芯片的一系列工序結(jié)束時(shí)或在中途，通過刺激可以很容易從IC芯片上剝離。
另外，在使用至少一側(cè)面實(shí)施了壓花加工的兩面膠時(shí)，由于將兩面膠的實(shí)施了壓花加工的面與支撐板粘合。由此可以不卷入氣泡地將晶片和支撐板粘合。
在使上述晶片和支撐板粘合時(shí)，優(yōu)選在真空容器內(nèi)以減壓的狀態(tài)使晶片和支撐板粘合。例如優(yōu)選在真空粘合機(jī)的真空腔內(nèi)插入厚膜晶片和支撐板，在真空環(huán)境下借助兩面膠粘合。此時(shí)，在晶片和支撐板粘接的狀態(tài)下，一旦置于真空容器內(nèi)進(jìn)行減壓，則有時(shí)由于粘接劑而阻礙空氣的除去，從而在粘接面上殘留氣泡。因此，在真空容器內(nèi)，更優(yōu)選以厚膜晶片與支撐板分離的狀態(tài)下進(jìn)行減壓，在充分除去空氣后，在減壓狀態(tài)下進(jìn)行厚膜晶片與支撐板的粘合。通過這種真空工藝進(jìn)行的粘合，不會卷入氣泡，從而不產(chǎn)生空氣滯留。
另外，上述晶片與支撐板的粘合，可以在晶片與支撐板的任一方上貼上本發(fā)明的兩面膠后進(jìn)行，也可以在晶片與支撐板的粘合位置上設(shè)置本發(fā)明的兩面膠，在真空容器內(nèi)以減壓狀態(tài)借助本發(fā)明的兩面膠對晶片與支撐板進(jìn)行粘合。
作為上述真空粘合機(jī)，只要是在真空環(huán)境下可以進(jìn)行粘合作業(yè)的粘合機(jī)，就沒有特殊限定，例如可以舉出真空層壓裝置或真空沖壓機(jī)等。另外，上述真空粘合機(jī)，優(yōu)選具有以下機(jī)構(gòu)，即，在厚膜晶片與支撐板處于分離的狀態(tài)下進(jìn)行減壓，在充分除去空氣后，在減壓的狀態(tài)下進(jìn)行厚膜晶片與支撐板的粘合的機(jī)構(gòu)。作為這種機(jī)構(gòu)，沒有特別限定，例如可以舉出通過圖1所示的隔板將支撐厚膜晶片或支撐板的一方的裝置設(shè)置在真空粘合機(jī)內(nèi)的機(jī)構(gòu)等。作為上述隔板，優(yōu)選即使減壓體積不大幅度減小，并且通過沖壓容易壓縮的隔板，例如可以舉出由獨(dú)立氣泡發(fā)泡體構(gòu)成的隔板等。上述隔板，在減壓過程中使厚膜晶片與支撐板處于分離的狀態(tài)，同時(shí)在粘合時(shí)，發(fā)揮著防止厚膜晶片與支撐板強(qiáng)烈沖突而使晶片破損的作用。在具有這種機(jī)構(gòu)的真空粘合機(jī)中，通過上述隔板支撐厚膜晶片或支撐板中一方并使兩者分離的狀態(tài)下進(jìn)行減壓，在充分除去空氣后，在減壓狀態(tài)下利用沖壓裝置邊壓縮隔板邊粘合厚膜晶片與支撐板。
另外，在使用至少一面由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的兩面膠時(shí)，使兩面膠的由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板粘合，由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板的粘合，優(yōu)選在用水潤濕由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面后并且在水被由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面完全吸收之前進(jìn)行。由此，在粘合支撐板和由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面時(shí)，由于在中間存在水層，通過水的表面張力，可以密接支撐板與兩面膠，可以防止在中間卷入氣泡(空氣滯留)。通過該方法可以不卷入氣泡地進(jìn)行晶片與支撐板的粘合。
在兩面膠的由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板的粘合時(shí)，由于通過水的表面張力和粘合的壓力，水膜擴(kuò)展到整個(gè)面而潤濕，因此，至少可以取得只要水潤濕面的中央部分就可以防止空氣的卷入的效果，但是優(yōu)選水潤濕大致整個(gè)面。由此，在與支撐板粘合時(shí)，整個(gè)粘接面被水潤濕，可以產(chǎn)生更加有效地防止空氣的卷入的效果。
另外，將支撐板貼在兩面膠的由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面上時(shí)，優(yōu)選從支撐板的一端開始依次與面粘合，由此，由于表面的水膜邊被壓退邊被粘附，因此可以更加有效地防止空氣的卷入。另外，由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面一旦吸收大量的水而變得過度膨脹，則表面變得過于柔軟，由于在粘接劑層的厚度上產(chǎn)生不均，因此在粘合時(shí)，優(yōu)選盡可能壓退表面的水膜而進(jìn)行粘合，從而使粘接面上殘存的水量減少。
一旦在表面上形成水膜，若不牢固地進(jìn)行粘附，則粘合位置的修正比較容易，可以很容易地進(jìn)行粘附位置的調(diào)整。
在本發(fā)明的IC芯片的制造方法中，隨后通過兩面膠以將晶片固定在支撐板上的狀態(tài)進(jìn)行研磨。通過利用本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上，可以防止研磨過程中的晶片的破損，另外，如上所述，由于難以產(chǎn)生空氣滯留，因此可以對晶片進(jìn)行平滑地研磨。
接著，在兩面膠上給予刺激。通過給予使由上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激，由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體在兩面膠與被粘接體的粘接面上放出，由于剝離粘接面的至少一部分，因此粘接力下降。另外，在構(gòu)成含有氣體發(fā)生劑的面的粘接劑是基于刺激彈性模量上升的粘接劑時(shí)，優(yōu)選在由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體之前，給予使粘接劑的彈性模量上升的刺激使粘接劑的彈性模量上升。由此，由氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體被促進(jìn)從粘接劑中向粘接面中的放出，從而可以進(jìn)一步降低粘接力。
另外，本發(fā)明的IC芯片的制造方法，至少包括通過本發(fā)明的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、從粘附在所述晶片上的上述兩面膠剝離上述支撐板的工序、以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述晶片粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。在使用使在與支撐板粘合的面上含有氣體發(fā)生劑的兩面膠時(shí)，若在將兩面膠從晶片上剝離之前，給予刺激，使在支撐體與兩面膠之間的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，使粘接力下降，將硬的支撐板從兩面膠上剝離，則兩面膠變成具有柔軟性的膠，由于可以邊旋轉(zhuǎn)膠邊從晶片上剝離，因此可以更容易地從晶片上剝離，因此是優(yōu)選的。
另外，在通常的工序中，在研磨工序結(jié)束后、在給予刺激使產(chǎn)生氣體并剝離晶片之前，在研磨的晶片上粘附劃片膠，之后將晶片剝離，然后進(jìn)行劃片。
另外，在本發(fā)明的IC芯片的制造方法中，根據(jù)需要，或省略通常進(jìn)行的工序或使工序的順序與通常不同，例如可以預(yù)先進(jìn)行劃片后，進(jìn)行研磨工序，將晶片制作成芯片狀。
(實(shí)施例1)<粘接劑的調(diào)制>
將下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外線進(jìn)行聚合，得到重均分子量70萬的丙烯酸共聚物。
對于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，添加2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份使反應(yīng)，另外，對于反應(yīng)后的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯20重量份、光聚合引發(fā)劑(IRGACURE 651、50％乙酸乙酯溶液)0.5重量份、聚異氰酸酯1.5重量份，調(diào)制粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯 79重量份乙基丙烯酸酯 15重量份丙烯酸 1重量份2-羥基乙基丙烯酸酯 5重量份光聚合引發(fā)劑(IRGACURE 651、 0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)月桂基硫醇 0.02重量份對于粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，調(diào)制含有氣體發(fā)生劑的粘接劑(2)。
<兩面膠的制作>
利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上涂敷粘接劑(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(2)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在兩面實(shí)施了電暈處理的厚度100μm的透明的PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)的表面上通過按壓實(shí)施了脫模處理的壓花PET(UNITIKA社制PTH-38、凸部間隔40μm)，使在粘接劑(1)層的表面上凹凸模樣。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(I)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(1)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(1)層的實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(1)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離該兩面膠的沒有實(shí)施壓花加工側(cè)的保護(hù)粘接劑(1)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，在形成粘接劑(2)層的表面上與實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(2)層粘合。由此，可以獲得表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)、一面上形成實(shí)施了壓花加工的粘接劑(1)層、另一面上形成在粘接劑(1)層的表層部分由粘接劑(2)構(gòu)成的底層的兩面膠1。
<IC芯片的制造>
(硅晶片與剝離板的粘合)剝離兩面膠1的保護(hù)粘接劑(2)層的PET薄膜，貼在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剝離保護(hù)實(shí)施了壓花加工的粘接劑(1)層的PET保護(hù)膜，貼在直徑20.4cm的玻璃板上。
(研磨工序)將被玻璃板增強(qiáng)的硅晶片安裝在研磨裝置上，研磨硅晶片直至厚度大致變?yōu)?0μm左右。從研磨裝置中取出硅晶片，在硅晶片上貼上劃片膠。
(UV照射工序)利用超高壓水銀燈從玻璃基板側(cè)照射365nm的紫外線2分鐘，要調(diào)節(jié)照度，使向玻璃板表面的照射強(qiáng)度變?yōu)?0mW/cm2。
(晶片的剝離工序)
固定硅晶片，將玻璃板拉向正上方與兩面膠一起從硅晶片上剝離。另外，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(劃片工序)接著，將被劃片膠增強(qiáng)的硅晶片安裝在劃片裝置上，從晶片側(cè)切入切刀刃將硅晶片切斷成IC芯片的大小。然后，從劃片膠剝離IC芯片，取出IC芯片。
(實(shí)施例2)<粘接劑的調(diào)制>
將下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外線進(jìn)行聚合，得到重均分子量70萬的丙烯酸共聚物。
對于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，添加2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯3.5重量份使反應(yīng)，另外，對于反應(yīng)后的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯40重量份、光聚合引發(fā)劑(IRGACURE 651)5重量份、聚異氰酸酯0.5重量份，調(diào)制粘接劑(3)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯 79重量份乙基丙烯酸酯 15重量份丙烯酸1重量份2-羥基乙基丙烯酸酯5重量份光聚合引發(fā)劑(IRGACURE 651、 0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)月桂基硫醇0.01重量份對于粘接劑(3)的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)30重量份以及2，4-二乙基硫雜蒽酮3.6重量份，調(diào)制含有氣體發(fā)生劑的粘接劑(4)。
<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度100μm的透明PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(3)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(3)層表面上按壓實(shí)施了脫模處理的壓花PET薄膜(UNITIKA社制EM38、凸部間隔600μm)，在粘接劑(3)層的表面上形成凹凸模樣。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(4)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(4)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(3)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(3)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(4)層的實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(4)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠2。
<IC芯片的制造>
剝離兩面膠2的保護(hù)粘接劑(4)層的PET薄膜，貼在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剝離保護(hù)實(shí)施了壓花加工的粘接劑(3)層的PET保護(hù)膜，貼在直徑20.4cm的玻璃板上。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例3)<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度100μm的透明PET薄膜的單面上涂敷實(shí)施例2制作的粘接劑(3)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。然后，在粘接劑(3)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的壓花PET薄膜。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例2制作的粘接劑(4)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(4)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(3)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(3)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(4)層的實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(4)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠3。
<IC芯片的制造>
利用在真空層壓裝置(Vacuum Applicator 724、Nichigo-Morton社制)的真空腔內(nèi)設(shè)置了圖1所示裝置的裝置，通過以下方式，使硅晶片與玻璃板粘合。在該真空層壓裝置的上下方向上設(shè)置具有能夠沖壓的沖壓裝置的真空腔，在上述沖壓裝置的下面固定有沖壓板，在上面的沖壓板通過氣球受壓膨脹，使固定在其上的支撐板下降。另外，作為圖1所示的裝置的隔板，使用聚烯烴樹脂的獨(dú)立發(fā)泡體構(gòu)成的隔板。
首先，剝離保護(hù)兩面膠3的粘接劑(4)層的PET薄膜，將兩面膠3貼在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上，在將其置于在真空層壓裝置的真空腔內(nèi)設(shè)置了圖1所示裝置的一定位置上后，剝離保護(hù)粘接劑(3)層的PET保護(hù)膜。然后，將直徑20.4cm的玻璃板置于圖1所示的裝置的一定位置上。在這種狀態(tài)下，在排出真空腔的空氣將腔內(nèi)設(shè)置為真空環(huán)境后，使上面的氣球膨脹而降低玻璃板，從而將硅晶片與玻璃板粘合。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例4)<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度12μm的透明PET薄膜的單面上涂敷實(shí)施例1制作的粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(1)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(1)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(1)層的PET薄膜的粘接劑(1)層的面粘合。
進(jìn)而，剝離在保護(hù)粘接劑(1)層的表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，普遍噴霧將2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)調(diào)制為5重量％的濃度的甲基乙基酮溶液，直至粘接劑(1)層的表面充分潤濕。在反復(fù)進(jìn)行3次噴霧后，在110℃進(jìn)行5分鐘的加熱。由此在粘接劑(1)層的表面上附著淡黃色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附著該析出粒子的粘接劑(1)層的表面粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜，將析出粒子壓入粘接劑層中，得到兩面膠4。另外，附著在粘接劑表面上的析出粒子停留一段時(shí)間后，溶解在粘接劑中，被粘接劑層吸收。
<IC芯片的制造>
然后，利用兩面膠4將兩面膠4的附著析出粒子的粘接劑(1)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(1)層粘附在玻璃板上，與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例5)<兩面膠的制作>
利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例1制作的粘接劑(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，通過在粘接劑(2)層表面上按壓實(shí)施了脫模處理的壓花PET薄膜(UNITIKA社制PTH-38、凸部間隔40μm)，使在粘接劑(2)層的表面上形成凹凸模樣。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在兩面實(shí)施了電暈處理的厚度100μm的透明的PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)的表面粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(I)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(1)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(1)層的實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(1)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離保護(hù)該兩面膠的粘接劑(1)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，在該兩面膠的單側(cè)的形成粘接劑(2)層的表面上與實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(2)層的沒有實(shí)施壓花加工的一側(cè)面粘合。由此，可以獲得表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)、一面上形成在粘接劑(1)層的表層部分由實(shí)施了壓花加工的粘接劑(2)構(gòu)成的底層、另一面上形成粘接劑(1)層兩面膠5。
<IC芯片的制造>
剝離保護(hù)兩面膠5的粘接劑(1)層的PET薄膜，貼在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剝離保護(hù)粘接劑(2)層的PET保護(hù)膜，貼在直徑20.4cm的玻璃板上。
(研磨工序)將被玻璃板增強(qiáng)的硅晶片安裝在研磨裝置上，研磨硅晶片直至厚度大致變?yōu)?0μm左右。從研磨裝置中取出硅晶片，在硅晶片上貼上劃片膠。
(UV照射工序)利用超高壓水銀燈從玻璃基板側(cè)照射365nm的紫外線2分鐘，要調(diào)節(jié)照度，使向玻璃板表面的照射強(qiáng)度變?yōu)?0mW/cm2。
(玻璃板的剝離工序)固定硅晶片，將玻璃板從兩面膠上剝離。另外，玻璃板通過由兩面膠產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(晶片的剝離工序)抓住兩面膠的一端以旋轉(zhuǎn)的方式剝離兩面膠。
(劃片工序)接著，將被劃片膠增強(qiáng)的硅晶片安裝在劃片裝置上，從晶片側(cè)切入切刀刃將硅晶片切斷成IC芯片的大小。然后，從劃片膠剝離IC芯片，取出IC芯片。
(實(shí)施例6)(兩面膠的制作)利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例1制作的粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。然后，在該表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。
進(jìn)而，剝離保護(hù)粘接劑(1)層的表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，普遍噴霧將2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)調(diào)制為5重量％的濃度的甲基乙基酮溶液，直至粘接劑(5)層的表面充分潤濕。在反復(fù)進(jìn)行3次噴霧后，在110℃進(jìn)行5分鐘的加熱。由此在粘接劑(1)層的表面上附著淡黃色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附著該析出粒子的粘接劑(1)層的表面粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜，將析出粒子壓入粘接劑層中，得到無支撐型的兩面膠6。另外，附著在粘接劑表面上的析出粒子停留一段時(shí)間后，溶解在粘接劑中，被粘接劑層吸收。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠6將兩面膠6的附著析出粒子的粘接劑(1)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(2)層粘附在玻璃板上，與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例7)<兩面膠的制作>
利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，通過在粘接劑(2)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。
用刮刀在兩面實(shí)施了電暈處理的厚度100μm的透明的PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)的表面粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。
然后，對于設(shè)置粘接劑(I)層的實(shí)施了電暈處理的PET薄膜，將沒有粘接劑(1)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(1)層的實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(1)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離保護(hù)粘接劑(1)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，在該兩面膠的形成粘接劑(2)層的表面上與實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(2)層粘合。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。由此，可以獲得表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)、一面上形成粘接劑(1)層、另一面上形成在粘接劑(1)層的表層部分由粘接劑(2)構(gòu)成的底層的兩面膠7。
<IC芯片的制造>
利用在真空層壓裝置(Vacuum Applicator 724、Nichigo-Morton制)的真空腔內(nèi)設(shè)置了圖1所示裝置的裝置，通過以下方式，使硅晶片與玻璃板粘合。在該真空層壓裝置的上下方向上設(shè)置具有能夠沖壓的沖壓裝置的真空腔，在上述沖壓裝置的下面固定有沖壓板，在上面的沖壓板通過氣球受壓膨脹，使固定在其上的支撐板下降。另外，作為圖1所示的裝置的隔板，使用聚烯烴樹脂的獨(dú)立發(fā)泡體構(gòu)成的隔板。
首先，剝離保護(hù)兩面膠7的粘接劑(2)層的PET薄膜，在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上粘附支撐膠，在將其置于在真空層壓裝置的真空腔內(nèi)設(shè)置了圖1所示裝置的一定位置上后，剝離實(shí)施壓花加工的保護(hù)粘接劑(1)層的PET保護(hù)膜。然后，將直徑20.4cm的玻璃板置于圖1所示的裝置的一定位置上。在這種狀態(tài)下，在排出真空腔的空氣將腔內(nèi)設(shè)置為真空環(huán)境后，使上面的氣球膨脹而降低玻璃板，從而將硅晶片與玻璃板粘合。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例8)<粘接劑的調(diào)制>
將下述化合物投入設(shè)有回流冷卻器、攪拌機(jī)、溫度計(jì)以及滴下漏斗的燒瓶中，滴下過氧化苯甲酰的二甲苯溶液(過氧化苯甲酰0.05重量份以及二甲苯3.7重量份的混合物)，在回流下反應(yīng)30分鐘的時(shí)刻滴下過氧化苯甲酰的二甲苯稀釋液(過氧化苯甲酰0.03重量份以及二甲苯3重量份的混合物)。然后，在反應(yīng)5小時(shí)后，進(jìn)一步滴加過氧化苯甲酰的二甲苯稀釋液(過氧化苯甲酰0.03重量份以及二甲苯3重量份的混合物)，熟化兩小時(shí)。相對于所得的丙烯酸粘接劑的乙酸乙酯溶液的樹脂固形分100重量份，添加聚異氰酸酯1重量份，調(diào)制粘接劑(5)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯 38重量份2-乙基己基丙烯酸酯 55重量份乙基丙烯酸酯 4重量份丙烯酰胺 3重量份乙酸乙酯 85重量份另一方面，將下述化合物溶解在乙酸乙酯中，照射紫外線進(jìn)行聚合，得到重均分子量70萬的丙烯酸共聚物。
相對于含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合季戊四醇三丙烯酸酯20重量份、苯乙酮0.5重量份、聚異氰酸酯0.3重量份，調(diào)制粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液。
丁基丙烯酸酯 79重量份乙基丙烯酸酯 15重量份丙烯酸1重量份2-羥基乙基丙烯酸酯5重量份光聚合引發(fā)劑(IRGACURE 651、 0.2重量份50％乙酸乙酯溶液)月桂基硫醇0.01重量份對于粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，調(diào)制含有氣體發(fā)生劑的粘接劑(7)。
<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度12μm的透明PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(5)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(5)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(7)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(7)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，使設(shè)置粘接劑(5)層的PET薄膜的沒有粘接劑(5)層的實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(7)層的PET薄膜的粘接劑(7)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠8。兩面膠8的粘接劑層均為透明。
<IC芯片的制造>
從切成直徑20cm的圓形的兩面膠8上剝離保護(hù)粘接劑(7)層的PET薄膜，貼在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后，剝離保護(hù)粘接劑(5)層的PET保護(hù)膜，在粘接劑(5)層的大致整個(gè)面上供給水，使形成水膜，然后，從粘接劑層一端以壓退粘附水膜的方式緩慢地粘附直徑20.4cm的玻璃板。這里以玻璃板的中心與硅晶片的中心對齊的方式邊校正位置邊進(jìn)行粘合。由于在粘接劑的表面上形成水的膜，因此若不牢固地粘附，則粘合位置的校正比較容易，同時(shí)也發(fā)現(xiàn)，在粘接劑層的表面一旦形成水膜，也可以很容易地進(jìn)行粘合位置的校正。若通過玻璃板觀察粘接面，由于邊壓退水邊進(jìn)行粘接，因此，在粘接面上不卷入氣泡，由于大半的水被壓退，因此粘接面上殘留的水停留一段時(shí)間后，被粘接劑吸收。并且粘接面從粘接后就立即牢固地粘接在一起。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例9)<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度12μm的透明PET薄膜的單面上涂敷實(shí)施例1制作的粘接劑(5)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(5)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(6)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
然后，對于設(shè)置粘接劑(5)層的PET薄膜，將沒有粘接劑(5)層并且實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的粘接劑(6)層的面粘合。由此得到兩面設(shè)置粘接劑層并且其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠P。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例8制作的粘接劑(7)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(7)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃養(yǎng)護(hù)3天。
剝離保護(hù)上述兩面膠P的粘接劑(5)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，使粘接劑(5)層與設(shè)置粘接劑(7)層的PET薄膜的粘接劑(7)層的面粘合。
由此得到粘接劑層被表面實(shí)施脫模處理的PET薄膜保護(hù)、在粘接劑(6)層的表層部分上具有由粘接劑(7)構(gòu)成的底層的兩面膠9。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠9將兩面膠9的粘接劑(7)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(5)層粘附在玻璃板上。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例10)(兩面膠的制作)剝離保護(hù)實(shí)施例9制作的兩面膠P的粘接劑(6)層的表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，普遍噴霧將2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)調(diào)制為5重量％的濃度的甲基乙基酮溶液，直至粘接劑(6)層的表面充分潤濕。在反復(fù)進(jìn)行3次噴霧后，在110℃進(jìn)行5分鐘的加熱。由此在粘接劑(6)層的表面上附著淡黃色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附著該析出粒子的粘接劑(6)層的表面粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜，將析出粒子壓入粘接劑層中，得到兩面膠10。另外，附著在粘接劑表面上的析出粒子停留一段時(shí)間后，溶解在粘接劑中，被粘接劑層吸收。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠10將兩面膠10的附著析出粒子的粘接劑(6)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(5)層粘附在玻璃板上。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(實(shí)施例11)<粘接劑的調(diào)制>
對于以實(shí)施例8制作的粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)100重量份，調(diào)制含有氣體發(fā)生劑的粘接劑(8)。
<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度12μm的透明PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(8)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(8)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例8制作的粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃靜置5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。
然后，使設(shè)置粘接劑(8)層的PET薄膜的沒有粘接劑(8)層的實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的粘接劑(6)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠11。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠11將兩面膠11的粘接劑(6)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(6)層粘附在玻璃板上，與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序。
照射紫外線1分鐘后，固定硅晶片，將玻璃板從兩面膠上剝離。另外，玻璃板，通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。然后，進(jìn)一步照射紫外線1分鐘后，以抓起剝離兩面膠一端的方式剝離兩面膠，最后進(jìn)行劃片工序。
(實(shí)施例12)<兩面膠的制作>
利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷實(shí)施例11制作的粘接劑(8)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，通過在粘接劑(8)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
另一方面，用刮刀在兩面實(shí)施了電暈處理的厚度12μm的透明的PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(6)的表面粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(6)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
然后，使設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的粘接劑(6)層的沒有實(shí)施電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的粘接劑(6)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離保護(hù)該兩面膠的單側(cè)的粘接劑(6)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，在形成粘接劑(8)層的表面上與實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(8)層粘合。
由此，可以獲得表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)、在粘接劑(6)層的表層部分具有由粘接劑(8)構(gòu)成的底層的兩面膠12。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠12將兩面膠12的粘接劑(6)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(8)層粘附在玻璃板上，除此之外，其余的與實(shí)施例1相同，將硅晶片固定在玻璃板上進(jìn)行研磨工序。
照射紫外線1分鐘后，固定硅晶片，將玻璃板從兩面膠上剝離。另外，玻璃板，通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。然后，進(jìn)一步照射紫外線1分鐘后，以抓起剝離兩面膠一端的方式剝離兩面膠，最后進(jìn)行劃片工序。
(實(shí)施例13)<兩面膠的制作>
利用刮刀在兩面實(shí)施電暈處理的厚度12μm的透明PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(6)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃靜置養(yǎng)護(hù)3天。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(6)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(6)層的表面上粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜。之后，在40℃下靜置養(yǎng)護(hù)3天。
然后，使設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的沒有粘接劑(6)層的實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(6)層的PET薄膜的粘接劑(6)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離保護(hù)該兩面膠的單側(cè)的粘接劑(6)層的表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，普遍噴霧將2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)調(diào)制為5重量％的濃度的甲基乙基酮溶液，直至粘接劑(2)層的表面充分潤濕。在反復(fù)進(jìn)行3次噴霧后，在110℃進(jìn)行5分鐘的加熱。由此在粘接劑(6)層的表面上附著淡黃色的2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)的析出粒子。
然后，在附著該析出粒子的粘接劑(6)層的表面粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜，將析出粒子壓入粘接劑層中，得到兩面膠13。
<IC芯片的制造>
利用兩面膠13將兩面膠13的粘接劑(6)層粘附在硅晶片上，將粘接劑(6)層粘附在玻璃板上，除此之外，其余的與實(shí)施例1相同，將硅晶片固定在玻璃板上進(jìn)行研磨工序。
照射紫外線1分鐘后，固定硅晶片，將玻璃板從兩面膠上剝離。另外，玻璃板，通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。然后，進(jìn)一步照射紫外線1分鐘后，以抓起剝離兩面膠一端的方式剝離兩面膠，最后進(jìn)行劃片工序。
(實(shí)施例14)<粘接劑的調(diào)制>
相對于粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液的樹脂固形成分100重量份，混合3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷100重量份，調(diào)制含有光分解性疊氮化合物的粘接劑(9)。
<兩面膠的制作>
利用刮刀在表面上實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(9)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜的厚度變?yōu)?0μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，通過在粘接劑(9)層表面上粘附實(shí)施了脫模處理的PET薄膜。
用刮刀在兩面實(shí)施了電暈處理的厚度100μm的透明的PET薄膜的單面上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃加熱5分鐘，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，邊強(qiáng)烈按壓單面實(shí)施了脫模處理的壓花PET薄膜的凹凸模樣側(cè)的面邊粘附在粘接劑(1)的表面上。由此在粘接劑(1)層的表面復(fù)制凹凸模樣。
用刮刀在表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜上涂敷粘接劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥被膜厚度大致變?yōu)?5μm，在110℃靜置5分鐘，使溶劑揮發(fā)，使涂敷溶液干燥。干燥后的粘接劑層在干燥狀態(tài)下顯示粘接性。然后，在粘接劑(1)層的表面上粘附實(shí)施脫模處理的PET薄膜。
然后，對于設(shè)置粘接劑(1)層的實(shí)施電暈處理的PET薄膜，使PET薄膜的沒有粘接劑(1)層的實(shí)施了電暈處理的面與設(shè)置粘接劑(1)層的PET薄膜的粘接劑(1)層的面粘合。由此可以獲得在兩面設(shè)置粘接劑層、其表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的兩面膠。
剝離保護(hù)該兩面膠的沒有實(shí)施壓花加工的一側(cè)的粘接劑(1)層并且表面實(shí)施了脫模處理的PET薄膜，在形成粘接劑(2)層的表面上與實(shí)施了脫模處理的PET薄膜的粘接劑(2)層粘合。由此得到表面被實(shí)施了脫模處理的PET薄膜保護(hù)的、一側(cè)面形成實(shí)施壓花加工的粘接劑(1)層、另一面形成在粘接劑(1)層的表面部分由粘接劑(9)構(gòu)成的底層的兩面膠14。
<IC芯片的制造>
剝離保護(hù)兩面膠14的粘接劑(9)層的PET薄膜，粘附在直徑20cm、厚度大致750μm的硅晶片上。然后剝離保護(hù)實(shí)施壓花加工的粘接劑(1)層的PET薄膜，粘附在直徑20cm的玻璃板上。
與實(shí)施例1相同，進(jìn)行研磨工序、UV照射工序、晶片的剝離工序以及劃片工序，得到IC芯片。另外，在晶片的剝離工序中，兩面膠通過產(chǎn)生的氣體，被往上壓并浮起，自己剝離。
(IC芯片的制造中各兩面膠的性能評價(jià))在使用實(shí)施了制作的任一兩面膠的情況下，在與支撐板的粘接中，沒有觀察到在粘接面中卷入氣泡，在粘接后可以立即獲得強(qiáng)的粘接力，可以獲得研磨面平滑的硅晶片。另外，含有氣體發(fā)生劑的粘接劑粘接力顯著降低，可以很簡單地剝離硅晶片或玻璃板。
另外，在前面的剝離玻璃板的實(shí)施例5、11、12以及13中，可以非常容易地從硅晶片上剝離兩面膠。
產(chǎn)業(yè)上的利用根據(jù)本發(fā)明可以提供即使是厚度50μm左右的極薄的晶片也可以防止晶片的破損等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，進(jìn)而剝離容易的兩面膠以及使用它的IC芯片的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種兩面膠，其特征在于，至少在一側(cè)面上含有通過刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩面膠，其特征在于，氣體發(fā)生劑不作為粒子存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的兩面膠，其特征在于，氣體發(fā)生劑是偶氮化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的兩面膠，其特征在于，偶氮化合物是式(1)所示的偶氮酰胺化合物， 前述式(I)中，R1和R2分別表示相同或不同的低級烷基，R3表示碳數(shù)2以上的飽和烷基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的兩面膠，其特征在于，氣體發(fā)生劑為疊氮化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的兩面膠，其特征在于，氣體發(fā)生劑僅在表面部分含有。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的兩面膠，其特征在于，含有氣體發(fā)生劑的粘接劑，通過刺激彈性模量上升。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的兩面膠，其特征在于，含有氣體發(fā)生劑的粘接劑，通過刺激粘接力下降。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的兩面膠，其特征在于，至少一側(cè)面實(shí)施壓花加工。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的兩面膠，其特征在于，至少一側(cè)面由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成。
11.一種IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括通過權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述晶片粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。
12.一種IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括通過權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、從粘附在所述晶片上的所述兩面膠剝離上述支撐板的工序、以及從所述晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，至少在上述兩面膠的與上述支撐板粘合的面上使含有氣體發(fā)生劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括通過權(quán)利要求9所述的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序中，使所述兩面膠的實(shí)施壓花加工的面與支撐板粘合。
14.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任一項(xiàng)所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，通過兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序，是在上述晶片和上述支撐板的任一方上貼上所述兩面膠后，或在上述晶片與上述支撐板的粘合位置上設(shè)置上述兩面膠，在真空容器內(nèi)以減壓的狀態(tài)通過上述兩面膠使上述晶片和上述支撐板進(jìn)行粘合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，在真空容器內(nèi)的減壓，是以所述晶片與所述支撐板分離的狀態(tài)而進(jìn)行的。
16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的IC芯片的制造方法，其特征在于，至少包括通過權(quán)利要求10所述的兩面膠將晶片固定在支撐板上的工序、在通過上述兩面膠將上述晶片固定在支撐板上的狀態(tài)下進(jìn)行研磨的工序、在上述兩面膠上給予刺激的工序、以及從晶片上剝離上述兩面膠的工序，在通過上述兩面膠將晶片固定在支撐板上工序中，使所述兩面膠的由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板粘合，由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面與支撐板之間的粘合，是在用水潤濕由能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面后并且在水被由所述能夠吸水的粘接劑構(gòu)成的面完全吸收之前進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的極薄的晶片也可以防止晶片的破損等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，進(jìn)而剝離容易的兩面膠以及使用它的IC芯片的制造方法。本發(fā)明是至少一面含有通過刺激產(chǎn)生氣體的氣體發(fā)生劑的兩面膠。
文檔編號H01L21/301GK1537151SQ0281515
公開日2004年10月13日 申請日期2002年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月3日
發(fā)明者畠井宗宏, 福岡正輝, 林聰史, 檀上滋, 大山康彥, 下村和弘, 長谷川剛, 井宗宏, 剛, 弘, 彥, 輝 申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會社