專利名稱：彎曲波導環(huán)形激光器的制作方法
背景技術：
本發(fā)明一般涉及一種具有彎曲波導腔體的環(huán)形激光器，具體地說涉及一種環(huán)形激光器，它具有至少耦合到兩個筆直部段的一個彎曲部段，而這兩個筆直部段與一個部分透射的小面相連，并涉及用于制作這樣一種激光器的改良工藝。
由于目前在單塊集成技術方面的各種進步，已經可以制作復雜幾何形狀的激光器，包括具有各種腔體結構的環(huán)形激光器。這樣一種環(huán)形激光器的例子可在于1989年7月25日提交的第4,851,368號，于1990年5月8日提交的第4,924,476號和于1992年7月21日提交的第5,132,983號的美國專利中找到，它們所揭示的內容通過引用結合在此。這些專利揭示了行波半導體激光器，具體地說，利用相關于諸小面上直的支柱的環(huán)形激光器，某些小面具有全部內反射，且至少一個小面能發(fā)射在環(huán)形激光器中產生的激光。這些專利還揭示了一種在基底上由脊峰形成激光器的方法，尤其是用于這目的的化學輔助離子束腐蝕。
常規(guī)的pn結激光器利用諸如砷化鎵的半導體材料形成具有平行、半反射端面，即小面的法卜利—波洛共振腔，而使腔體上另外組的諸小面打毛以抑制除在端面之間傳輸的模式之外的任何模式的光能量。半導體的n型和p型層間的結形成了激光器的有源區(qū)，這樣用上和下表面上的金屬化層跨接在晶片上的偏壓，例如，起著在半導體材料之內激發(fā)能態(tài)間的躍遷而導致沿該器件的長度傳播光的作用。
環(huán)形腔體具有法卜利—波洛腔體所不能提供的好處；例如，它提供具有光譜純度較高的激光發(fā)射作用。環(huán)形腔體激光器的發(fā)展擴大了對集成半導體激光器的遠景應用，并增添了較大的可制造性和降低成本的吸引力。這樣一種環(huán)形腔體激光器不僅依靠部分透射(PT)的小面產生在激光器內、選擇的位置上發(fā)射的行波，而且還依靠全內反射(TIR)小面。不過，已經發(fā)現在這樣一種器件中，TTR小面的使用產生大的光學腔體，從而，需要新的技術來制作能減小或消除對TIR小面依賴的環(huán)形激光器。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明，通過提供一個由至少一個彎曲波導分段和至少一個部分透射(PT)小面構成的腔體而獲得了在環(huán)形激光腔體的長度上的減少。較佳的是，彎曲部段與至少兩個直的波導部段對應的第一端部連接，其中所述兩個直的波導部段被連接于它們的第二端部上形成PT小面。該彎曲波導分段起著從一個筆的支架部段到另一支架部段以低的損耗來導引激光的光波導作用，而在環(huán)形激光器的形式中，部分或全部消除的TIR小面的需求。
在它最簡單的形式中，本發(fā)明的環(huán)形腔體把一彎曲波導與兩個直的波導和單一的PT小面組合起來，當從頂視圖上看時，形成淚滴形狀的腔體。該小面用作激光的發(fā)射表面，而該彎曲形狀則減小了腔體的總長度，而仍保留著作為環(huán)形腔體特征的較高的光譜純度。
本發(fā)明的彎曲環(huán)形腔體可采用熟知的工藝當作脊峰激光器來制作，也可通過另一種方法，即采用空氣或其它氣體作為在激光腔體外的介質的改良狹寬度工藝來制作。由這種工藝生產用于單一橫模工作的腔體寬度小于1微米，較佳的是約0.2微米。
附圖簡述從下面它的結合附圖的較佳實施例的詳細描述會使領域中的技術人員明白本發(fā)明上述的以及另外的目的，特性和優(yōu)點，其中

圖1是現有技術三角環(huán)形激光器的頂透視示意圖；圖2是根據本發(fā)明結合彎曲波導淚滴形環(huán)形激光器的頂透視示意圖；圖3是根據本發(fā)明結合兩個彎曲波導分段和兩個PT小面的環(huán)形激光腔體的頂視示意圖；圖4是本發(fā)明結合三個彎曲波導部段和三個PT小面的彎曲環(huán)形激光器的第三實施例的頂視示意圖；圖5是本發(fā)明結合四個彎曲波導部段和四個PT小面的環(huán)形激光腔體第四實施例的頂視示意圖；圖6是示出具有單個變曲波導分段，三個PT小面和兩個TIR小面的環(huán)形激光腔體的本發(fā)明第五實施例的頂視示意圖；圖7a-7f示出用于制作狹寬度激光器的改良工藝過程；圖8示出淚滴形環(huán)形激光器的計算機輔助設計；圖9示出用于帶有兩個彎曲波導分段和兩個PT小面的環(huán)形激光器的計算機輔助設計；以及圖10示出淚滴形環(huán)形激光器的脊峰型式的頂透視圖。
較佳實施方式圖1示出上述專利4,924,476中描述的、具有相互連接的三個相鄰長條形腔體分段12，14和16以形成封閉三角腔體的環(huán)形激光器10。如圖所示，激光器10較佳的是作為單塊結構形成在基底20上，且可采用如在‘476專利中描述的常規(guī)單塊集成技術制作。當在頂部和底部表面22和24上的電極間施加偏壓，即通過激光器件施加了電流，就在激光器10的體內產生發(fā)射激光的作用，在三個分段12，14和16中引起光學行波。在這三角形激光器中，環(huán)形腔體是封閉的，使光學波繞著這環(huán)形傳播，包括如在26，28和30所指示的那個小面的三個腔體頂點，它們至少是部分地內反射以在激光器之內產生行進的光波。
小面的表面在光學上是平滑的，而支架則相對于彼此成角度，使得兩個小面在大于臨界角的情況下接受光因而是全部內反射，而第三個小面在預先選擇好的小于臨界角的情況下接受光，使得相應的光激光比例是內部反射的而一部分入射光則被透射。把三個小面的角度關系選擇到能產生為獲得激光發(fā)射的所需閥值電流，并因此產生所需的激光輸出。在示于圖1的實施例中，小面28和30是全部內反射(TIR)的，而小面2b則是部分透射(PT)的，以使光出射。
如上述‘476專利中討論的，在激光器10腔體內傳播的，并照射到一小面上的光將透射出相當大部分的以垂直于該小面的角度入射的光能量。但是，以偏離垂直的角度照射到該表面上的光，它的大部分能量被反射而將提供較低數量的出射光。在某個根據上面表面對面一側的材料折射率的過渡角度上，入射光將沿著小面表面?zhèn)鞑ィ@個角就是臨界角。在大于臨界角的角度射到該表面上的光被全部內反射。從垂直到臨界角度來改變光的入射角，將使出射光量從最大值變到零，從而為激光器10提供能控制從小面26出射光量的設計參數。由于內部反射的光量，部分地決定了為產生發(fā)射激光作用所需的閥值電流，所以該入射角可提供用于調用并減小為獲得受激光射所需電流的可控制參數。
也如在前述的’476專利中描述的，圖1的激光器是用一種合適的腐蝕工藝來制作的，這工藝能決定器件的形狀，能提供打毛的壁表面來防止在激光器體內的橫向振蕩，且在激光器腔體的三個支架面產生垂直的，平滑的面來保證正常的激光器運作。如在’476專利中指出的，該環(huán)形激光器可以是具有狹的有源區(qū)的狹條即脊射，并通過在IEEE of Quantum Electronics，Vol 28，pages 1227-1231(在下文中稱為脊射工藝)中描述的工藝步驟來制作的，它所揭示的內容通過引用結合在此。脊射式激光器是用于提供在激光器腔體內傳播光的橫向導引技術的一個例子，不過，其它的激光波導結構可用于提供光的橫向制約。例如，隱埋的肋形波導，選擇區(qū)域外延的使用，使雜質無序的使用，以及腐蝕與再生長諸技術能產生橫向制約。
圖2示出一種改良的波導結構，這種結構消除了在圖1現有技術中采用的兩個小面。根據本發(fā)明，激光器40采用彎曲波導部段來代替成角度的小面以引導圍繞激光器體內的行波。本發(fā)明的環(huán)形激光器440包括第一和第二長條形腔體分段，即部段42和44，它們彼此在接合處46連接，并在它們襯面的一端與彎曲腔體分段，即部段48互相連接。把這些腔體分段相互連接起來以致形成淚滴形激光腔體40，用彎曲波導部段48以低的損耗沿彎曲路徑導引光，消除了對TIR小面的依賴面形成一環(huán)形激光器。激光器40是作為單一結構形成于基底50上，而可利用作為第5,132,983號美國專利的狹寬度工藝所描述工藝，即用上面指出的脊峰工藝來制作。舉例來說，當通過激光器的頂表上合適的電極58和通過基底50連接到激光器底表面的電極60，把偏壓電源52跨接在激光器頂、底兩表面54和56上來施加通過激光器件的電流，這樣，就在激光器40的體內產生發(fā)射激光的作用而在諸分段42，44t 48之內產生并傳播光學行波。
淚滴形環(huán)形激光器40具有制作在區(qū)域46中的單一小面62，該區(qū)域位于鄰接的腔體分段42和44的交會處。小面62的表面是光學平滑的，而波導臂42和44的角度要選擇得使在波導中傳播的光以能讓光發(fā)射出來的所選角度射到這表面上。與現有技術的三角形激光器相比，圍淚滴形腔體的光路具有減小了的尺寸，它為由偏壓產生的光學行波提供較短的路徑。
為減小環(huán)形激光器的路徑長度而采用的彎曲波導并不限于圖2的淚滴形，因為彎曲波導可在各種其它環(huán)形光學波導中優(yōu)點。因此，象圖3示出的環(huán)形激光器70，它包括有相互連接形成環(huán)形激光腔體的兩個彎曲腔體分段72和74以及四個直的腔體分段76，78，80和82。如圖所示，直的，即長條形腔體分段76和78的第一端部在接合區(qū)域處84連接在一起并分別在它們的第二即自由端86和88分別與彎同分段72和74的對應端相連接。相似地，直的分段80和82在接合區(qū)域處90于第一端部處連接起來，并分別在它們的自由端92和94分別與彎曲部段72和74的對應端相連接。
在區(qū)域84處，小面96形成于諸分段76和78的接合處，相似地，在區(qū)域90處，小面98形成于直的分段80和82的接合處。較佳的是兩個小面都是PT小面，可使環(huán)形激光器70在每個小面發(fā)射出到在腔體中傳播的已選定部分的激光。較佳的是激光器70，以關于圖2所描述的方式，作為單塊結構形成在基底100上，以上面所描述的方式，用偏壓102跨接在激光器的上、下兩表面之間。
雖然激光器70是作為具有相當小的角度104示出的，但要理解在直的分段76，78，80，82之間的角度是可以變化的，隨著也改變諸分段72和74的曲率，并具有能使在環(huán)形激光波導形狀變化的、較大的或較小的曲率。這種變化能對在激光腔體中行波的入射角的控制，從而能對發(fā)射光控制。相似地，雖然在圖3所示的實施例中，分段76和78的長度彼此是相等的且等于分段80和82的長度，但是，要理解，這些分段的相對長度也是可改變的。
本發(fā)明彎曲波導環(huán)形激光器第三實施例用頂視圖中的120示于圖4。本實施例是一種環(huán)形激光器，它具有相互連接起來形成環(huán)形激光腔體120的三個彎曲腔體部分122，124和126，以及六個直的腔體分段128，130，132，134，136和138。直的分段128和130在接合區(qū)域140的第一端部處彼此連接，直的分段132和134在接合區(qū)域中142的第一端部處彼此相互連接，而直的分段136和138在接合區(qū)域中144的第一端部處彼此連接。直的分段128和138的第二端部通過彎曲分段122相互連接，直的分段130和132的第二端部通過彎曲分段124相互連接，以及直的分段134和136的第二端部通過彎曲分段126相互連接來完成環(huán)形結構。
較佳的是激光器120作為單塊結構或是采用狹寬度工藝，或是采用脊峰工藝形成在基底上，它的第一小面150形成在區(qū)域140中腔體分段128和130的會合處，第二小面152形成在區(qū)域142中分段132和134的會合處，以及第三小面形成在區(qū)域144中直的分段136和138的會合處。較佳的是，這三個小面是PT小面以提供根據在激光腔體中入射到該三個小面的行進光學波的角度的光發(fā)射。要知道用合適的偏壓(未示出)跨接在激光腔體以產生在光學腔體內的行進光學波。
本發(fā)明第四實施例示于圖5，其中激光器160包括所有的都相互連接起來以形成連續(xù)的環(huán)型激光腔體的四個彎曲分段162，164，166和168，以及八個直的腔體分段170，172，174，176，178，180，182和184。直的分段在170和172接合區(qū)域190處它們的第一端部處連接，分段174和176在區(qū)域192中它們的第一端部處連接，直的分段178和180在接合區(qū)域194中它們的第一端部處連接，以及直的分段182和184在接合區(qū)域196中它們的第一端部處連接在一起。直的分段170的第二端部通過彎曲分段162連接到直的分段184的第二端部，直的分段172的第二端部通過彎曲分段164連接到直的分段174，直的分段176和178的第二端部通過彎曲分段166相互連接，以及直的分段180和182的第二端部通過彎曲分段168相互連接來形成連續(xù)的激光波導。較佳的是，激光器160作為單塊結構形成在基底200上，而在區(qū)域190，192，194和196處分別制作小面210，212，214和216，用于在環(huán)形激光器160的腔體中產生的所選定的光量發(fā)射提供PT小面。
本發(fā)明第五實施例示于圖6的頂視圖中的220。環(huán)形激光器220包括一個彎曲腔體分段222，和六個直的腔體分段224，226，228，230，232和234。直的分段224和226在接合區(qū)域240中它們的第一端部處相互連接；直的分段226和228在接合區(qū)域242中對應的端部相互連接；直的分段230和232在接合區(qū)域244中對應的端部相互連接；直的分段232和234在接合區(qū)域246中對應的端部相互連接；以及直的分段234和224在接合區(qū)域248中對應的端部相互連接。彎曲分段222與直的分段228和230的自由端相互連接以完成環(huán)形激光器220。較佳的是，激光器220作為單塊結構形成在基底250上，并包括在區(qū)域240處的第一小面252，在區(qū)域242處的第二小面254；在區(qū)域244處的第三小區(qū)256；在區(qū)域246處的第四小面258；以及在區(qū)域248處的第五小面260。較佳的是，小面260，254和256是PT小面，而252和258較佳的是TIR小面。如前面所討論的，跨接在激光腔體220的偏壓以如上描述的方式在激光器內，產生引起傳播光能的電流。
如上所述的，一種用于制作本發(fā)明環(huán)形激光器的工藝是“狹寬度”工藝，它采用如在第5,132,983號美國專利描述并圖示的單一金屬版印刷步驟。通過這個工藝制作的激光器支承單橫模。如在’983專利中描述的，制作過程的例子從晶片結構開始，它包括帶有n型下覆蓋層的摻n型雜質的InP基底，有源區(qū)，p型上覆蓋層，和高摻雜p型接觸層。從該晶片制作激光器件，在晶片上采用諸如PECVD技術沉積諸如厚度約500nm的二氧化硅材料。然后完成金屬印刷求和RIE，在二氧化硅薄層上做出圖形而形成掩膜，如第4,851,368號美國專利所描述的。較佳的是，采用化學輔助離子束腐蝕把掩膜圖形轉移到晶片形成激光腔體的長度，寬度和諸小面。沉積諸如二氧化硅(例如，spin-on玻璃)的光學透明并絕緣的材料以便把已限定的激光腔體完全地埋沒，而在晶片的背側上沉積n型接觸層。此后，不僅把剩留下來的掩膜材料，而且還有把該自旋玻璃層腐蝕掉以顯露出激光器結構的頂部，并在頂表面上沉積p型接觸層，p型接觸層和n型接觸層提供激光器的連接電。
較佳的是，本發(fā)明的狹寬度激光器用一種在激光腔體外能取消對介質絕緣材料的需要的改良工藝，而這工藝圖示于圖7a-7f，現在作出對它們的說明。能采用空氣或其它氣體作為在激光腔體外的介質而完成狹寬度脊峰激光器的圖示工藝步驟上面描述的工藝步驟，直至形成諸如腔體300和302的激光腔體的長度，寬度和諸小面的腐蝕步驟的完成。如圖所示，激光腔體形成于基底304上，它具有n型摻雜的InP層306，在它的上面形成下覆蓋層308。在薄層308的頂部形成有源層310，而在有源層的頂部則形成上覆蓋層312。如圖7a所示，在各腔體的頂部剩留著掩膜層314。
在本發(fā)明的工藝中，二氧化硅的，或另一種氮化硅的、厚約10nm的薄的相一致的介質絕緣層316，例如通過PECVD沉積在激光腔體上。這薄層覆蓋著腔體的頂部，側壁和諸小面。所以，在基底304的背側(或在如圖7b中看到的下表面)沉積n型接觸層318。
然后，在薄層316的頂部上，把光致抗蝕劑320涂敷到晶片的前側(在圖7c中看到晶片的前側(在圖7c中看到的頂部表面)，它有足夠的厚度把晶片和它的激光腔體完全覆蓋起來，并形成平面頂表面322。象在市場上能買到的Shipley 51800系列的光致抗蝕劑，其未曝光光的光致抗蝕劑吸收率高于已曝過光的光致抗蝕劑的吸收率，而這個性質被用來把光致抗蝕劑層320充分曝光到略在腔體的頂部324和326的深度之下，如虛線328所示，而把光致抗蝕劑的余下深度仍保持不被曝光。
如圖7d所示，把光致抗蝕劑顯影除去由虛線328所示深度以上的曝地光的光致抗蝕劑，在應有的位置上留下光致抗蝕劑的較下面的未曝過光的部分。然后，采用緩沖的HF(氫氟酸)把在剩留下來的光致抗蝕材料320上面延伸的薄的PECVD層316和剩留下來的掩膜材料314腐蝕掉，如圖7e所示。此后，把剩留下來的光致抗蝕劑全部曝光，如在320’所示的，但不顯影，并在晶片的頂表面上沉積覆蓋曝光光的光致抗蝕劑320’和腔體300和302的頂表面332和334的p型接觸層330。
如圖7f所示，然后把晶片放在光致抗蝕劑的顯影液中從薄層330的下面除去已曝過光的光致抗蝕劑320’，圍繞著激光腔體300和302留下由空氣填充著的空隙336。在這顯影階段中，二氧化硅或氮化硅薄層316保護了腔體的側壁和小面使其免受顯影液的侵害，p型接觸層330在相鄰的腔體頂部之間形成金屬橋，在空隙336中的空氣介質，如果想要，可由另一種所要的氣體來代替。對于以InP為基的，用于單橫模工作的、發(fā)射1550nm的器件，象腔體300或302那樣的腔體寬度小于1.0微米，較佳的是約0.2微米。
用上面描述的狹寬度工藝的本發(fā)明彎曲腔體工作起來特別地好。圖8和9示出不僅為限定彎曲腔體激光器的小面，而且還有腔體長度和寬度所需的用于單一光刻掩膜層的計算機輔助設計，圖8中在340示出淚滴形環(huán)形激光掩膜，而圖9中在350示出用于具有兩個彎曲波導腔體分段和兩個PT小面環(huán)形激光器的掩膜。圖10是以關于圖2所描述的方式的淚滴形脊峰激光器360’的透視圖。
雖然本發(fā)明包括的激光器是通過施加偏壓而結果在激光腔體中引起電流來泵激的，但是諸如光泵激的其它方案也能用來產生所要的光學行波。不過，注入電流是較佳選擇的方案。在上面描述的各個器件的諸小面，較佳的是光學平滑的；而且，激光器較佳的是橫向約束型的。
雖然本發(fā)明已經用較佳實施例作了說明，但是，要知道在不背離于下面權利要求書中設定的真實的實質和范圍的情況下，可以作出變化和修改。
權利要求
1.一種環(huán)型行波激光腔體，其特征在于，包括至少第一和第二腔體分段，各分段都具有第一端部和第二端部，所述第一和第二腔體的所述第一端部在一小面處連接起來；至少一個彎曲腔體分段，它把所述第一和第二腔體分段的所述第二端部相互連接起來。
2.如權利要求1所述的激光腔體，其特征在于，所述第一和第二腔體是長條形的。
3.如權利要求1所述的激光腔體，其特征在于，所述第一和第二腔體是成角度的，這個角度使得在所述腔體中傳播的光學波以小于該小面的臨界角入射到所述小面上。
4.如權利要求1所述的激光腔體，其特征在于，還包括為引起在所述腔體中傳播激光的方法。
5.如權利要求4所述的激光腔體，其特征在于，所述第一和第二腔體是長條形的，且相對于彼此成角度，這個角度使得在所述腔體中傳播的光學波以一小于該小面臨界角的角度入射到所述小面。
6.如權利要求1所述的激光腔體，其特征在于，包括至少四個腔體分段，每分段具有第一和第二端部，第一和第二腔體分段的第一端部在第一小面處連接，而第三和第四腔體分段的第一端部則在第二小面處連接；以及至少兩個彎曲腔體分段，第一彎曲腔體分段與第一和第三腔體分段的第二端部相互連接，而第二彎曲分段與第二和第四腔體分段的第二端部相互連接。
7.一種環(huán)型行波激光腔體，其特征在于，包括多個直的腔體分段；至少一個彎曲腔體分段，所述直的和彎曲腔體分段相互連接以形成封閉的環(huán)；以及至少一個在相鄰的相互連接分段接合處的部分透射的小面。
8.如權利要求7所述的腔體，其特征在于，所述腔體分段是半導體。
9.如權利要求8所述的腔體，其特征在于，還包括通過所述腔體分段傳播光的方法。
10.如權利要求9所述的腔體，其特征在于，把所述諸腔體分段相互連接以引導以一小于該小面臨界角的角度入射到所述小面、在所述腔體中傳播的光。
11.如權利要求10所述的腔體，其特征在于，還包括多個彎曲腔體分段。
12.如權利要求11所述的腔體，其特征在于，還包括至少一個在相鄰的相互連接分段接合處的全部內反射小面。
13.如權利要求7所述的腔體，其特征在于，所述直的和所述彎曲分段是狹寬度腔體，以及其中所述腔體分段被空氣所包圍。
14.如權利要求7所述的腔體，其特征在于，所述直的和所述彎曲腔體分段包括一個狹寬度脊峰激光器。
15.如權利要求14所述的腔體，其特征在于，還包括覆蓋所述激光器的薄介質絕緣層，所述激光器被一氣體包圍。
16.如權利要求15所述的腔體，其特征在于，所述激光器具有頂表面，以及在所述頂表面上還包括第一接觸層。
17.如權利要求16所述的腔體，其特征在于，所述激光器被支撐在基底上，且在所述基底上還包括第二接觸層。
18.一種用于制作彎曲波導行波激光器的工藝，其特征在于，包括在具有一有源區(qū)以及上和下覆蓋區(qū)的晶片頂表面上沉積介質絕緣層；把該介質絕緣層做好圖形以形成限定彎曲波導的掩膜；把該掩膜轉移到該晶片以形成具有包括頂表面，側壁和至少一個小面的彎曲波導的激光腔體；在所述激光腔體頂表面，側壁和小面上面沉積薄的，相一致的介質絕緣層；在晶片的底表面上沉積接觸層；在所述薄的、相一致的介質絕緣層上面的晶片所述頂表面上沉積其厚度足以完全覆蓋該晶片和激光腔體，并形成平面頂表面的光致抗蝕劑；把該光致抗蝕劑曝光到在所述腔體頂表面之下的深度；除去該已曝光光的光致抗蝕劑；從所述腔體頂表面除去該薄層的、相一致的介質絕緣層；在所述腔體頂表面上沉積p型接觸層；以及除去以前未除去的光致抗蝕劑，以留下圍繞所述腔體周圍填滿著氣體的空隙。
19.一種基底，其特征在于，包括在所述基底上的至少兩個集成的腔體，所述腔體具有側面和至少一個相等高度的小面，并有相等高度的頂部；與至少一個腔體頂部接觸的金屬層；以及在所述腔體間的氣體介質。
20.如權利要求19所述的基底，其特征在于，所述腔體是用于光的波導。
21.如權利要求20所述的基底，其特征在于，所述腔體被構成來支持光的橫向約束。
22.如權利要求21所述的基底，其特征在于，所述腔體的所述小面是為發(fā)射光而設定位置的。
23.如權利要求22所述的基底，其特征在于，所述光是激光。
24.如權利要求19所述的基底，其特征在于，所述小面是所述腔體共有的，而所述集成腔體被彎曲來形成具有單一小面的連續(xù)的、彎曲波導。
25.如權利要求24所述的基底，其特征在于，所述金屬層形成一個電極，用它來接觸偏壓以在所述波導中傳播激光，所述激光被所述小面射出。
26.如權利要求19所述的基底，其特征在于，該至少兩個集成腔體是由非彎曲腔體分段的端部對端部相互連接的多個彎曲腔體分段構成以形成一封閉的環(huán)型波導。
27.如權利要求26所述的基底，其特征在于，在所述波導上還包括多個小面。
28.一種光發(fā)射器件，其特征在于，包括至少一個具有頂部的腔體分段，并具有側面和至少一個同等高度的小面；在所述頂部上形成并與之電接觸的金屬層；鄰接于所述腔體側面且至少在所述部分金屬層下面的氣體介質。
29.如權利要求28所述的光發(fā)射器件，其特征在于，所述至少一個腔體分段包括第一和第二彼此隔開的腔體分段，而形成金屬層覆蓋在所述腔體分段間的空間以形成含有所述氣體介質的空隙。
全文摘要
一種包括行波腔體的環(huán)型激光器，該腔體包括至少第一和第二直的腔體分段和至少一個彎曲腔體分段。對應的直的腔體分段的兩個第一端部在第一發(fā)射光的小面處相互連接，而直的分段的第二端部與彎曲波導相互連接?？砂杨~外的彎曲和直的分段連接起來以提供各種環(huán)形結構。
文檔編號H01S5/10GK1537349SQ02815123
公開日2004年10月13日 申請日期2002年6月25日 優(yōu)先權日2001年8月1日
發(fā)明者A·貝赫法, A 貝赫法 申請人:賓奧普迪克斯股份有限公司