專利名稱：覆晶封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種覆晶封裝基板，且特別涉及一種可降低平面電感的覆晶封裝基板。
背景技術(shù)：
覆晶接合技術(shù)(Flip Chip Interconnect Technology，F(xiàn)C?；蚍Q倒裝片接合技術(shù))主要利用面數(shù)組(Area Array)的排列方式，將芯片(die)的多個焊墊(die pad)配置于芯片的主動表面(active surface)上，并在各個焊墊上形成凸塊(bump)，接著在將芯片翻覆(flip)之后，利用芯片上的凸塊對應(yīng)連接至承載器(carrier)的接點，使得芯片可經(jīng)由承載器而電性連接至外界的電子裝置。由于覆晶接合技術(shù)可適用于高腳數(shù)(High Pin Count)的芯片封裝，并具有可縮小封裝面積及縮短信號傳輸路徑等優(yōu)點，使得覆晶接合技術(shù)已被廣泛地應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域。常見應(yīng)用覆晶接合技術(shù)的芯片封裝型態(tài)有覆晶球格數(shù)組型(Flip Chip Ball Grid Array，F(xiàn)CBGA)、覆晶針格數(shù)組型(Flip Chip Pin Grid Array，F(xiàn)CPGA)及基板上有芯片型(Chip On Board，COB)等。
請參考圖1，其為公知的一種覆晶球格數(shù)組型封裝結(jié)構(gòu)的剖示圖。芯片10的主動表面12配置有多個焊墊14，用以作為芯片10的信號輸出入的媒介，而焊墊14上更分別配置有一凸塊20，用以分別連接覆晶封裝基板30的頂面上的凸塊墊(bump pad)33a。此外，覆晶封裝基板30主要由多層圖案化的導(dǎo)線層32及多層絕緣層34所相互交錯疊合而成，并可利用多個導(dǎo)電插塞36分別貫穿絕緣層34，用以電性連接二層或二層以上的導(dǎo)線層32，其中導(dǎo)電插塞36包括鍍通插塞(Plating Through Hole，PTH)36a及導(dǎo)通插塞(via)36b。另外，覆晶封裝基板30的頂面的凸塊墊33a由這些導(dǎo)線層32的最頂層者(即導(dǎo)線層32a)所構(gòu)成，并利用一圖案化的焊罩層(Solder Mask)38a來保護導(dǎo)線層32a，同時暴露出導(dǎo)線層32a的凸塊墊33a。
請同樣參考圖1，覆晶封裝基板30的底面更配置有多個接合墊33b，其由導(dǎo)線層32的最底層者(即導(dǎo)線層32b)所形成，并同樣利用一圖案化的焊罩層38b來保護導(dǎo)線層32b，同時暴露出導(dǎo)線層32b的接合墊33b，而接合墊33b上更可配置焊球(Ball)40等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。因此，芯片10的焊墊14可分別經(jīng)由凸塊20，而電性及機械性連接至覆晶封裝基板30的對應(yīng)的凸塊墊33a，再經(jīng)由各層導(dǎo)線層32及各個導(dǎo)電插塞36，而向下繞線至覆晶封裝基板30的底面的接合墊33b，最后利用接合墊33b上的焊球40等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而電性及機械性連接至下一層級(next level)的電子裝置，例如一印刷電路板(PCB)。
請同樣參考圖1，由于芯片10的焊墊14以面數(shù)組的方式，分布于芯片10的主動表面12上，所以覆晶封裝基板30的凸塊墊33a亦將對應(yīng)以面數(shù)組的方式，配置于覆晶封裝基板30的頂面。此外，為了對應(yīng)芯片10的不同功能的焊墊14，凸塊墊33a包括有信號凸塊墊、電源凸塊墊、接地凸塊墊、核心電源/接地凸塊墊。
請同時參考圖1、圖2A，其中圖2A為公知的一種覆晶封裝基板的凸塊墊布局方式的示意圖。公知的一種凸塊墊33a的布局方式依照凸塊墊33a的功能不同，將具有核心電源/接地功能的凸塊墊33a配置于中央，而形成一核心電源/接地凸塊墊區(qū)域110，并依序?qū)⒕哂行盘?、電源及接地功能的凸塊墊33a分別組成一第一信號凸塊墊環(huán)120、一電源凸塊墊環(huán)130、一接地凸塊墊環(huán)140及一第二信號凸塊墊環(huán)150，并呈同心環(huán)狀排列分布于核心電源/接地凸塊墊區(qū)域110的外圍。此外，電源凸塊墊環(huán)130由多個電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c及130d，其頭尾依序相互鄰接，而這些電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c及130d則分別為四個單一電源群組。
請同時參考圖1、圖2B，其中圖2B為公知的一種覆晶封裝基板的接合墊布局方式的示意圖。為了對應(yīng)圖2A的凸塊墊布局方式，公知技術(shù)對應(yīng)提出一種應(yīng)用于覆晶封裝基板的接合墊布局方式，用以縮短繞線路徑及降低平面電感。因此，依照接合墊33b的功能不同，將具有核心電源/接地功能的接合墊33b規(guī)劃配置于覆晶封裝基板30的底面中央，而形成一核心電源/接地接合墊區(qū)域112，并依序?qū)⒕哂行盘?、電源及接地功能的接合墊33b分別組成一第一信號接合墊環(huán)122、一電源接合墊環(huán)132、一接地接合墊環(huán)142及一第二信號接合墊環(huán)152，并呈同心環(huán)狀排列分布于核心電源/接地接合墊區(qū)域112的外圍。此外，電源接合墊環(huán)132由多個電源接合墊區(qū)段132a、132b、132c及132d，其頭尾依序相互鄰接，而這些電源接合墊區(qū)段132a、132b、132c及132d則分別為四個單一電源群組。
請參考圖1、圖3，其中圖3為公知的同一電源群組外側(cè)的凸塊與焊球的示意圖。由于同一電源群組的凸塊101經(jīng)由圖1的覆晶封裝基板30的導(dǎo)線層32及導(dǎo)電插塞36，而向下繞線至對應(yīng)的焊球102，因此，在同一電源群組的兩端(如圈選區(qū)域)將具有高平面電感(Plane Inductance)的特性，如此將會影響芯片10于覆晶封裝之后的電氣效能。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提出一種覆晶封裝基板，可以降低于同一電源群組的接近兩端處產(chǎn)生較高平面電感值的現(xiàn)象，并可有效抑制同步切換噪聲(Synchronous Switching Noise，SSN)，進而提升芯片于覆晶封裝之后的整體電氣效能。
基于本實用新型的上述目的，本實用新型提出一種覆晶封裝基板，此覆晶封裝基板具有多層圖案化導(dǎo)線層，其依序相互重疊、至少一絕緣層，其配置介于二相鄰的導(dǎo)線層之間，用以電性隔離導(dǎo)線層，并與導(dǎo)線層相互交錯疊合、以及多個導(dǎo)電插塞，其分別貫穿絕緣層，用以電性連接這些導(dǎo)線層。最頂層的導(dǎo)線層具有至少一電源凸塊墊區(qū)段，其具有多個電源凸塊墊，而這最底層的導(dǎo)線層則具有多個接合墊，其中電源凸塊墊區(qū)段可與相鄰的接地凸塊墊區(qū)段相互置換，或設(shè)計將電源凸塊墊區(qū)段的兩端朝向鄰近的接地凸塊墊區(qū)段的方向延伸，使得電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊可經(jīng)由導(dǎo)線層及導(dǎo)電插塞而分別電性連接至接合墊之一。
為讓本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為公知的一種覆晶球格數(shù)組型封裝結(jié)構(gòu)的剖示圖；圖2A為公知的一種覆晶封裝基板的凸塊墊布局方式的示意圖；圖2B為公知的一種覆晶封裝基板的接合墊布局方式的示意圖；圖3為公知的同一電源群組外側(cè)的凸塊與焊球的示意圖；圖4為本實用新型的同一電源群組外側(cè)的凸塊與焊球的示意圖；圖5A為本實用新型的較佳實施例的一種覆晶封裝基板，其凸塊墊布局方式的示意圖；圖5B為本實用新型的較佳實施例的一種覆晶封裝基板，其接合墊布局方式的示意圖；以及圖6為公知與本實用新型的覆晶封裝基板，其平面電感曲線的比較圖。
圖標說明10芯片 12主動表面14焊墊 20凸塊30覆晶封裝基板 32、32a、32b導(dǎo)線層33a凸塊墊33b焊球墊34絕緣層 36導(dǎo)電插塞36a鍍通插塞 36b導(dǎo)通插塞38a、38b焊罩層 40焊球110核心電源/接地凸塊墊區(qū)域120第一信號凸塊墊環(huán)130電源凸塊墊環(huán)130a～130d電源凸塊墊區(qū)段140接地凸塊墊環(huán)150第二信號凸塊墊環(huán)112核心電源/接地接合墊區(qū)域122第一信號接合墊環(huán)132電源接合墊環(huán)132a～132d電源接合墊區(qū)段142接地接合墊環(huán)152第二信號接合墊環(huán)210核心電源/接地凸塊墊區(qū)域220第一信號凸塊墊環(huán)230電源凸塊墊環(huán)230a～230d電源凸塊墊區(qū)段240接地凸塊墊環(huán)240a～240b接地凸塊墊區(qū)段
250第二信號凸塊墊環(huán)212核心電源/接地接合墊區(qū)域232電源接合墊環(huán)232a～232d電源接合墊區(qū)段242接地接合墊環(huán)242a～242b接地接合墊區(qū)段252信號接合墊環(huán)301、302平面電感曲線具體實施方式
請參考圖2A，公知的電源凸塊墊環(huán)130由多個電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c及130d，其頭尾依序相互鄰接而成，而這些電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c及130d分別為四個單一電源群組。然而，為了預(yù)防單一電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c或130d的兩端產(chǎn)生較高的平面電感值，請參考圖4，其為本實用新型的同一電源群組外側(cè)的凸塊與焊球的示意圖。本實用新型利用同一電源群組的兩端的凸塊201，如凸塊201a及凸塊201b，分別向下連接至對應(yīng)的焊球202a及焊球202b，如此將可有效降低同一電源群組的兩端產(chǎn)生較高的平面電感值。以圖2A的電源凸塊墊區(qū)段130d為例，同一電源凸塊墊區(qū)段130d的兩端的電源凸塊墊33a分別經(jīng)過圖1的導(dǎo)線層32及導(dǎo)通插塞36，而向下繞線至接合墊33b，并電性連接接合墊33b，如此將可降低電源凸塊墊區(qū)段130d的兩端的平面電感值，并有效抑制同步切換噪聲，進而提升芯片10的整體的電氣效能。
請參考圖1、2A、5A，其中圖5A為本實用新型的較佳實施例的一種覆晶封裝基板，其凸塊墊布局方式的示意圖。如圖5A所示，第一信號凸塊墊環(huán)220、電源凸塊墊環(huán)230、接地凸塊墊環(huán)240及第二信號凸塊墊環(huán)250以核心電源/接地凸塊墊區(qū)域210為中心，而呈同心環(huán)狀排列分布。值得注意的是，由于電源凸塊墊環(huán)230的正下方通常配設(shè)有多個接合墊33b，使得電源凸塊墊環(huán)230的(電源)凸塊墊33a將可經(jīng)由最短的路徑，而向下繞線連接至(電源)接合墊33b，再經(jīng)由接合墊33b上的焊球40等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而連接至外界的電子裝置。
請同樣參考圖1、2A、5A，受限于接合墊33b的最小間距及焊球40的球徑尺寸的因素，位于電源凸塊墊環(huán)230正下方的接合墊33b的位置將很難完全對應(yīng)到圖2A的所有電源凸塊墊區(qū)段130a、130b、130c及130d其兩端的凸塊墊33a的位置。因此，當電源凸塊墊區(qū)段230d的兩端的(電源)凸塊墊33a其正下方并無對應(yīng)到任何(電源)接合墊33b時，可使得電源凸塊墊區(qū)段230d的部分(電源)凸塊墊33a與接地凸塊墊環(huán)240的部分(接地)凸塊墊33a相互置換，如圖式的雙箭頭方向所示，因而使置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d成為接地凸塊墊環(huán)240的部分凸塊墊區(qū)段，但在功能上仍是作為原來的電源群組。此外，置換后的(接地)凸塊墊33a則另外組成接地凸塊墊區(qū)段240b，而成為電源凸塊墊環(huán)230的部分凸塊墊區(qū)段，但在功能上仍是作為(接地)凸塊墊33a。此外，接地凸塊墊環(huán)240的其余未相互置換的(接地)凸塊墊33a則另外組成一接地凸塊墊區(qū)段240a，其與電源凸塊墊區(qū)段230d之間頭尾依序相互鄰接。
請再參考圖1、5A，電源凸塊墊區(qū)段230d，除了與相鄰?fù)鈬慕拥赝箟K墊環(huán)240的部分凸塊墊區(qū)段相互置換以外，亦可與相鄰內(nèi)圍的第一信號凸塊墊環(huán)220的部分凸塊墊區(qū)段相互置換。然而，當接地凸塊墊環(huán)240與第一信號凸塊墊環(huán)220相互置換時，電源凸塊墊區(qū)段230d亦可與相鄰內(nèi)圍的接地凸塊墊環(huán)240的部分凸塊墊區(qū)段相互置換，或與相鄰?fù)鈬牡谝恍盘柾箟K墊環(huán)220的部分凸塊墊區(qū)段相互置換，值得注意的是，這樣的情況并未繪示于圖5A中，但仍屬于本實用新型的較佳實施例。
請再參考圖1、5A，本實用新型可將電源凸塊墊區(qū)段230d與相鄰?fù)鈬?或相鄰內(nèi)圍)的接地凸塊墊環(huán)240((第一)信號凸塊墊環(huán)220)的部分凸塊墊區(qū)段相互置換，使得電源凸塊墊區(qū)段230d的兩端的(電源)凸塊墊33a將更為接近其所對應(yīng)的(電源)接合墊33b，除了可縮短上述的(電源)凸塊墊33a與其所對應(yīng)的(電源)接合墊33b之間的繞線距離以外，更可降低凸塊墊33a繞線至接合墊33b所產(chǎn)生的平面電感值，故可有效抑制同步切換噪聲，進而提升芯片于封裝之后的電氣效能。
請同時參考圖1、5A，更可增加電源凸塊墊區(qū)段230d的凸塊墊33a的數(shù)量，例如分別將電源凸塊墊區(qū)段230d的一端(或兩端)，沿著接地凸塊墊環(huán)240的環(huán)繞方向向外延伸，因而增加電源凸塊墊區(qū)段230d的長度，進而增加其凸塊墊33a的分布區(qū)域及數(shù)量，使得置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d的兩端分別與電源凸塊墊區(qū)段230a的一端及電源凸塊墊區(qū)段230c的一端相互內(nèi)外并排，意即在電源凸塊墊區(qū)段230d與電源凸塊墊區(qū)段230a、230c的交界處上，電源凸塊墊區(qū)段230d的一端的凸塊墊33a可以并排于電源凸塊墊區(qū)段230a的一端的凸塊墊33a鄰側(cè)，而電源凸塊墊區(qū)段230d的另一端的凸塊墊33a亦可并排于電源凸塊墊區(qū)段230c的一端的凸塊墊33a鄰側(cè)。因此，電源凸塊墊區(qū)段230d的兩端的凸塊墊33a將可更分別接近其對應(yīng)的接合墊33b，藉以縮短上述的凸塊墊33a與對應(yīng)其的接合墊33b之間的路徑，進而提升芯片10于覆晶封裝之后的電氣效能。
請同時參考圖1、5A，值得注意的是，置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d的一端的(電源)凸塊墊33a泛指以置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d的一末端為圓心，且以圖1的相鄰二接合墊33b的最短間距為半徑所圍成圓形區(qū)域內(nèi)的這些(電源)凸塊墊33a之一。此外，置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d的另一端的(電源)凸塊墊33a泛指以置換后的電源凸塊墊區(qū)段230d的另一末端為圓心，且以圖1的相鄰二接合墊33b的最短間距為半徑所圍成圓形區(qū)域內(nèi)的這些(電源)凸塊墊33a之一。
在本實用新型的較佳實施例中，除了利用內(nèi)外相互置換的方式，使得同一電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊更能接近其所對應(yīng)的接合墊的外，本實用新型的較佳實施例更提供另一種覆晶封裝基板的凸塊墊的布局方式。
請同時參考圖1、5A，以電源凸塊墊環(huán)230的電源凸塊墊區(qū)段230b為例，為使得電源凸塊墊區(qū)段230b的兩端的(電源)凸塊墊33a更接近其所對應(yīng)的(電源)接合墊33b，在凸塊墊33a的布局設(shè)計上，可使得電源凸塊墊區(qū)段230b的一端(或兩端)朝向相鄰的接地凸塊墊區(qū)段240a的方向延伸，如單箭頭方向所示。因此，電源凸塊墊區(qū)段230b的兩端的(電源)凸塊墊33a將可更接近其所對應(yīng)的(電源)接合墊33b。
請再參考圖5A，電源凸塊墊區(qū)段230d的一端(或兩端)除了可向外延伸至相鄰?fù)鈬慕拥赝箟K墊環(huán)240的接地凸塊墊區(qū)段240a以外，電源凸塊墊區(qū)段230d的一端(或兩端)亦可向內(nèi)延伸至相鄰內(nèi)圍的第一信號凸塊墊環(huán)220。同樣地，當接地凸塊墊環(huán)240與第一信號凸塊墊環(huán)220相互置換時，電源凸塊墊區(qū)段230d的一端(或二端)亦可向內(nèi)延伸至相鄰內(nèi)圍的接地凸塊墊環(huán)240，或是向外延伸至相鄰?fù)鈬牡谝恍盘柾箟K墊環(huán)220，值得注意的是，這樣的情況并未繪示于圖5A中，但仍屬于本實用新型的較佳實施例。
為了縮短凸塊墊繞線至對應(yīng)的接合墊的距離，并同時降低平面電感的產(chǎn)生，本實用新型所揭露的覆晶封裝基板其凸塊墊的兩種布局方式，其亦可應(yīng)用在同一覆晶封裝基板的接合墊的布局方式。
請參考圖5B，其為本實用新型的較佳實施例的一種覆晶封裝基板，其接合墊布局方式的示意圖。為了對應(yīng)圖5A的凸塊墊的布局方式，本實用新型對應(yīng)提出一種應(yīng)用于覆晶封裝基板的接合墊的布局方式。同樣地，依照接合墊33b的功能不同，可將具有核心電源/接地功能的接合墊33b配置于覆晶封裝基板30的底面中央，而形成一核心電源/接地接合墊區(qū)域212，并依序?qū)⒕哂行盘?、電源及接地功能的接合墊33b分別組成一電源接合墊環(huán)232、一接地接合墊環(huán)242及一信號接合墊環(huán)252，三者均呈同心環(huán)狀排列分布于核心電源/接地接合墊區(qū)域212的外圍。
請參考圖1、5A、5B，值得注意的是，圖5A的第一信號凸塊墊環(huán)220與第二信號凸塊墊環(huán)250的凸塊墊33a均可繞線至圖5B的信號接合墊環(huán)252的接合墊33b，再經(jīng)由焊球40等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而與外界相互電性連接。
請同樣參考圖1、5A、5B，由于圖5A的電源凸塊墊區(qū)段230d的(電源)凸塊墊33a與接地凸塊墊區(qū)段240的部分(電源)凸塊墊33a已相互置換，所以第5圖的電源接合墊區(qū)段232d的(電源)接合墊33b亦可與接地接合墊區(qū)段242的部分(接地)接合墊33b相互置換，使得電源接合墊區(qū)段232d成為接地接合墊環(huán)242的部分接合墊區(qū)段，但在功能上仍是作為原來的電源群組，而置換后的(接地)接合墊33b則另外組成接地接合墊區(qū)段240b，而成為電源接合墊環(huán)230的部分接合墊區(qū)段，但在功能上仍是作為(接地)接合墊33b。此外，接地接合墊環(huán)240的其余未互換位置的(接地)接合墊33b則另外組成一接地接合墊區(qū)段240a，其與電源接合墊區(qū)段230d之間頭尾依序相互鄰接。
請再參考圖1、5B，電源接合墊區(qū)段232d，除了與相鄰?fù)鈬慕拥亟雍蠅|環(huán)242的部分接合墊區(qū)段相互置換以外，當接地接合墊環(huán)242與信號接合墊環(huán)252相互置換時，電源接合墊區(qū)段232d亦可與相鄰?fù)鈬男盘柾箟K墊環(huán)252的部分接合墊區(qū)段相互置換，值得注意的是，這樣的情況并未繪示于圖5B中，但仍屬于本實用新型的較佳實施例。
請同時參考圖1、5B，更可增加電源接合墊區(qū)段232d的接合墊33b的數(shù)量，例如分別將電源接合墊區(qū)段232d的一端(或兩端)，沿著接地接合墊環(huán)242的環(huán)繞方向向外延伸，因而增加電源接合墊區(qū)段232d的長度，進而增加其接合墊33b的分布區(qū)域及數(shù)量，使得置換后的電源接合墊區(qū)段232d的兩端分別與電源接合墊區(qū)段232a的一端及電源接合墊區(qū)段232c的一端相互內(nèi)外并排，意即在電源接合墊區(qū)段232d與電源接合墊區(qū)段232a、232c的交界處上，電源接合墊區(qū)段232d的一端的接合墊33b可以并排于電源接合墊區(qū)段232a的一端的接合墊33b鄰側(cè)，或是電源接合墊區(qū)段232d的另一端的接合墊33b已可并排于電源接合墊區(qū)段232c的一端的接合墊33b鄰側(cè)，因而增加同一電源群組(例如電源接合墊區(qū)段232d)的導(dǎo)通面積，進而有效提升芯片10于覆晶封裝之后的電氣效能。
請同時參考圖5A、5B，為了對應(yīng)圖5A的電源凸塊墊區(qū)段230b的一端(或二端)向外(或向內(nèi))延伸的凸塊墊布局方式，在同一覆晶封裝基板30的接合墊33b的布局設(shè)計上，如圖5B所示，可使得電源接合墊區(qū)段232b的一端(或兩端)亦朝向相鄰的接地凸塊墊區(qū)段242a的方向延伸，如單箭頭方向所示。
請再參考圖5B，電源接合墊區(qū)段232d的一端(或兩端)除了可向外延伸至相鄰?fù)鈬慕拥亟雍蠅|環(huán)242的接地接合墊區(qū)段242a以外，當電源接合墊環(huán)232與接地接合墊環(huán)242相互置換時，電源接合墊區(qū)段232d的一端(或二端)亦可向內(nèi)延伸至相鄰內(nèi)圍的接地接合墊環(huán)242，或是向外延伸至相鄰?fù)鈬男盘柦雍蠅|環(huán)252，值得注意的是，這樣的情況并未繪示于圖5B中，但仍屬于本實用新型的較佳實施例。
請參考圖6，其為公知與本實用新型的覆晶封裝基板，其平面電感曲線的比較圖。公知的覆晶封裝基板的平面電感曲線301的接近兩端的平面電感值急速竄升，并產(chǎn)生較多的同步切換噪聲。然而，本實用新型的覆晶封裝基板的平面電感曲線302的接近兩端的平面電感值僅僅緩慢上升。因此，與公知的覆晶封裝基板相較的下，本實用新型的覆晶封裝基板可大幅降低同一電源群組的兩端的平面電感值，同時可有效抑制同步切換噪聲的產(chǎn)生。
本實用新型的覆晶封裝基板的目的在于使同一電源群組的兩端的電源凸塊墊能直接向下繞線至其所對應(yīng)的電源接合墊，因而縮短電源凸塊墊與其所對應(yīng)的電源接合墊之間的繞線路徑，進而可有效降低同一電源群組的兩端的平面電感值。
因此，本實用新型的第一種凸塊墊布局方式將覆晶封裝基板的同一電源凸塊墊區(qū)段與其相鄰并排的接地(或信號)凸塊墊環(huán)的部分凸塊墊區(qū)段相互置換，使得電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊將更為接近其所對應(yīng)的電源接合墊，故可縮短電源凸塊墊與其所對應(yīng)的電源接合墊之間的繞線路徑，進而降低電源凸塊墊與對應(yīng)的電源接合墊之間的平面電感值。值得注意的是，本實用新型的第一種凸塊墊的布局方式亦可應(yīng)用于同一覆晶封裝基板的接合墊的布局方式。
此外，本實用新型的第二種凸塊墊布局方式將覆晶封裝基板的同一電源凸塊墊區(qū)段的一端(或兩端)朝向相鄰的接地(或信號)凸塊墊環(huán)的部分凸塊墊區(qū)段的方向延伸，同樣可使電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊將更為接近其所對應(yīng)的電源接合墊，故可縮短電源凸塊墊與其所對應(yīng)的電源接合墊之間的繞線路徑，進而降低電源凸塊墊與對應(yīng)的電源接合墊之間的平面電感值。值得注意的是，本實用新型的第二種凸塊墊的布局方式亦可應(yīng)用于同一覆晶封裝基板的接合墊的布局方式。
綜上所述，本實用新型的覆晶封裝基板的目的在于將同一電源群組的兩端的凸塊墊分別向下繞線至其所對應(yīng)的接合墊，用以解決同一電源凸塊墊群組的兩端產(chǎn)生較高平面電感值的問題，并有效抑制同步切換噪聲的產(chǎn)生，因而提升芯片于覆晶封裝之后的電氣效能。于是，本實用新型將同一電源凸塊墊區(qū)段的電源凸塊墊，與相鄰的接地(或信號)凸塊墊環(huán)的部分凸塊墊區(qū)段相互置換，使得同一電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊將更為接近其所對應(yīng)的電源接合墊?；蚴牵緦嵱眯滦涂蓪⑼浑娫赐箟K墊區(qū)段的一端(或兩端)朝向相鄰的接地(或信號)凸塊墊環(huán)的部分凸塊墊區(qū)段的方向延伸，使得同一電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊將更為接近其所對應(yīng)的電源接合墊。因此，本實用新型的覆晶封裝基板可縮短電源凸塊墊及其所對應(yīng)的電源接合墊之間的繞線路徑，同時降低同一電源凸塊墊區(qū)段的兩端的平面電感，進而提升芯片于覆晶封裝之后的電氣效能。
雖然本實用新型已以一較佳實施例公開，然其并非用以限定本實用新型，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍以權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求1.一種覆晶封裝基板，其特征在于，至少包括多個圖案化的導(dǎo)線層，依序相互重疊；至少一絕緣層，配置介于二相鄰的這些導(dǎo)線層之間，電性隔離這些導(dǎo)線層，并與這些導(dǎo)線層相互交錯疊合；以及多個導(dǎo)電插塞，分別貫穿該絕緣層，電性連接至少二導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)線層的最頂層者具有一第一凸塊墊環(huán)及一第二凸塊墊環(huán)，而該第一凸塊墊環(huán)及該第二凸塊墊環(huán)呈同心環(huán)狀排列，且彼此內(nèi)外相鄰，其中該第一凸塊墊環(huán)具有多個電源凸塊墊區(qū)段，其頭尾依序相互鄰接，而這些電源凸塊墊區(qū)段分別具有多個電源凸塊墊，其中該第二凸塊墊環(huán)具有多個非電源凸塊墊區(qū)段，其頭尾依序相互鄰接，而這些非電源凸塊墊區(qū)段分別具有多個非電源凸塊墊，其中至少一電源凸塊墊區(qū)段與相鄰的該非電源凸塊墊區(qū)段相互置換，且在置換后的該電源凸塊墊區(qū)段與其余的這些電源凸塊墊區(qū)段的交界處上，置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的至少一電源凸塊墊并排于其余的這些電源凸塊墊區(qū)段的至少一電源凸塊墊的鄰側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該非電源凸塊墊選自接地凸塊墊及信號凸塊墊其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝基板，其特征在于，這些導(dǎo)電層的最底層具有多個接合墊，且置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的一端的這些電源凸塊墊之一經(jīng)由這些導(dǎo)電層及這些導(dǎo)電插塞，而電性連接至這些接合墊之一，并且置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的另一端的這些電源凸塊墊之一經(jīng)由這些導(dǎo)電層及這些導(dǎo)電插塞，而電性連接至另一接合墊。
4.如權(quán)利要求3所述的覆晶封裝基板，其特征在于，這些導(dǎo)電層的最底層者具有一第一接合墊環(huán)及一第二接合墊環(huán)，而該第一接合墊環(huán)及該第二接合墊環(huán)呈同心環(huán)狀排列，且彼此內(nèi)外相鄰，而該第一接合墊環(huán)具有多個電源接合墊區(qū)段，其分別具有多個電源接合墊，且該第二接合墊環(huán)具有多個非電源接合墊區(qū)段，其分別具有多個非電源接合墊，其中至少一這些電源接合墊區(qū)段與相鄰的該非電源接合墊區(qū)段相互置換，且在置換后的該電源接合墊區(qū)段與其余的這些電源接合墊的交界處上，置換后的該電源接合墊區(qū)段的至少一這些電源接合墊并排于其余的這些電源凸塊墊區(qū)段的至少一電源凸塊墊的鄰側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該非電源接合墊選自接地接合墊及信號接合墊其中之一。
6.如權(quán)利要求4所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該電源接合墊區(qū)段的兩端的這些電源接合墊經(jīng)由這些導(dǎo)線層及這些導(dǎo)電插塞，而分別電性連接至置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的兩端的這些電源凸塊墊。
7.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝基板，其特征在于，置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的一端的這些電源凸塊墊指以置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的一末端為圓心，且以相鄰二接合墊的最短間距為半徑所圍成圓形區(qū)域內(nèi)的這些電源凸塊墊，并且置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的另一端的這些電源凸塊墊指以置換后的該電源凸塊墊區(qū)段的另一末端為圓心，且以相鄰二接合墊的最短間距為半徑所圍成圓形區(qū)域內(nèi)的這些電源凸塊墊。
8.一種覆晶封裝基板，其特征在于，至少包括多個圖案化的導(dǎo)線層，依序相互重疊；至少一絕緣層，配置介于二相鄰的這些導(dǎo)線層之間，電性隔離這些導(dǎo)線層，并與這些導(dǎo)線層相互交錯疊合；以及多個導(dǎo)電插塞，分別貫穿該絕緣層，電性連接至少二導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)線層的最頂層者具有一第一凸塊墊環(huán)及一第二凸塊墊環(huán)，而該第一凸塊墊環(huán)及該第二凸塊墊環(huán)呈同心環(huán)狀排列，且彼此內(nèi)外相鄰，其中該第一凸塊墊環(huán)具有多個電源凸塊墊區(qū)段，其頭尾依序相互鄰接，而這些電源凸塊墊區(qū)段分別具有多個電源凸塊墊，其中該第二凸塊墊環(huán)具有至少一非電源凸塊墊區(qū)段，且該非電源凸塊墊區(qū)段具有多個非電源凸塊墊，其中至少一電源凸塊墊區(qū)段的至少一端朝向相鄰的該非電源凸塊墊區(qū)段的方向延伸。
9.如權(quán)利要求8所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該非電源凸塊墊選自接地凸塊墊及信號凸塊墊其中之一。
10.如權(quán)利要求8所述的覆晶封裝基板，其特征在于，這些導(dǎo)電層的最底層具有多個接合墊，且延伸后的該電源凸塊墊區(qū)段的一端的這些電源凸塊墊之一經(jīng)由這些導(dǎo)電層及這些導(dǎo)電插塞，而電性連接至這些接合墊之一，并且延伸后的該電源凸塊墊區(qū)段的另一端的這些電源凸塊墊之一經(jīng)由這些導(dǎo)電層及這些導(dǎo)電插塞，而電性連接至另一接合墊。
11.如權(quán)利要求8所述的覆晶封裝基板，其特征在于，這些導(dǎo)電層的最底層具有一第一接合墊環(huán)及一第二接合墊環(huán)，而該第一接合墊環(huán)及該第二接合墊環(huán)呈同心環(huán)狀排列，且彼此內(nèi)外相鄰，而該第一接合墊環(huán)具有多個電源接合墊區(qū)段，其分別具有多個電源接合墊，且該第二接合墊環(huán)具有至少一非電源接合墊區(qū)段，其具有多個非電源接合墊，其中至少一這些電源接合墊區(qū)段的至少一端朝向相鄰的該非電源接合墊區(qū)段的方向延伸。
12.如權(quán)利要求11所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該非電源接合墊選自接地接合墊及信號接合墊其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述的覆晶封裝基板，其特征在于，該電源接合墊區(qū)段的兩端的這些電源接合墊經(jīng)由這些導(dǎo)線層及這些導(dǎo)電插塞，而分別電性連接至延伸后的該電源凸塊墊區(qū)段的兩端的這些電源凸塊墊。
專利摘要本實用新型涉及一種覆晶封裝基板，具有多層圖案化導(dǎo)線層，其依序相互重疊、至少一絕緣層，其配置介于相鄰二導(dǎo)線層之間，用以電性隔離導(dǎo)線層，并與導(dǎo)線層相互交錯疊合、及多個導(dǎo)電插塞，其分別貫穿絕緣層，用以電性連接這些導(dǎo)線層。最頂層的導(dǎo)線層具有一電源凸塊墊區(qū)段，其具有多個電源凸塊墊，而這最底層的導(dǎo)線層則具有多個接合墊，其中電源凸塊墊區(qū)段可與相鄰的接地凸塊墊區(qū)段相互置換，或設(shè)計將電源凸塊墊區(qū)段的兩端朝向鄰近的接地凸塊墊區(qū)段的方向延伸，使電源凸塊墊區(qū)段的兩端的電源凸塊墊可經(jīng)由導(dǎo)線層及導(dǎo)電插塞而分別電性連接至接合墊之一。
文檔編號H01L23/12GK2550900SQ0224099
公開日2003年5月14日 申請日期2002年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月4日
發(fā)明者許志行, 徐鑫洲 申請人:威盛電子股份有限公司