磁盤裝置用整流部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磁盤裝置用整流部件，作為磁盤用整流部件的擾流器(40)具備與磁盤(10)相對配置的平板狀的板部(41)和支撐該板部(41)的支撐部(42)，并且包含樹脂制的主體部(401)和覆蓋主體部(401)的表面整個面的金屬鍍層(402)。
【專利說明】
磁盤裝置用整流部件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種磁盤裝置用整流部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 使多個在圓板上形成有磁記錄層的磁盤旋轉(zhuǎn)，通過磁頭進行磁盤的磁記錄層的信 息的寫入和來自磁記錄層的信息的讀取的磁盤裝置中，磁盤的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣流導致磁盤 的振動(顫振現(xiàn)象)成為問題。因此，可以使用用于整頓磁盤上的氣流的整流部件。作為整流 部件，一直以來使用金屬制的整流部件，但是考慮到成本高并且擔憂金屬污染的發(fā)生等，研 究了樹脂制的整流部件（例如，參照日本特開2008-90874號公報）。樹脂制的整流部件從成 本低并且能夠高精度的加工，并且沒有金屬污染發(fā)生方面出發(fā)，比金屬制的整流部件更優(yōu) 越。
[0003] 然而，具備樹脂制的整流部件的磁盤裝置有可能產(chǎn)生以下的問題。即，由于樹脂制 的整流部件帶有正電，因此，磁盤裝置內(nèi)帶有正電荷的塵埃(顆粒)容易附著于帶有負的感 應電荷的磁盤。如果顆粒附著于磁盤，則產(chǎn)生損傷磁盤或磁頭的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明鑒于上述情況，其目的在于提供一種能夠抑制顆粒對磁盤的附著的磁盤裝 置用整流部件。
[0005] 為了達成上述目的，本發(fā)明的一個方式所涉及的磁盤裝置用整流部件，其特征在 于，是具備與磁盤相對配置的平板狀的板部和支撐該板部的支撐部的磁盤裝置用整流部 件，包含樹脂制的主體部和覆蓋所述主體部的表面整個面的金屬鍍層。
[0006] 上述磁盤裝置用整流部件，樹脂制的主體部的表面整個面被金屬鍍層覆蓋。因此， 可以減小整流部件的表面電阻，因此，可以防止板部所相對的磁盤帶有負的感應電荷。因 此，可以抑制顆粒附著于磁盤上。
[0007]在此，在將截面圖像中的所述主體部的表面的長度記為A，并且將該截面圖像中的 所述主體部的表面的端部彼此連結(jié)而成的直線的長度記為L時，可以是A/L為1.35~7.10的 方式。
[0008] 通過將A/L設為上述的范圍，從而磁盤裝置用整流部件的表面電阻變小，此外，主 體部與金屬鍍層的緊貼性變得良好。因此，可以防止安裝于磁盤裝置時金屬鍍層的剝離等 的發(fā)生。
[0009] 另外，可以是金屬鍍層的厚度為0.4μηι~10.2μηι的方式。
[0010] 通過將金屬鍍層的厚度設為上述的范圍，從而可以穩(wěn)定地減小磁盤裝置用整流部 件的表面電阻，因此，可以提高顆粒對磁盤的附著的抑制效果。
[0011]在此，可以是所述金屬鍍層的硬度為300HV~800HV的方式。
[0012]通過金屬鍍層的硬度為上述的范圍，從而與主體部的緊貼性提高，作為磁盤裝置 用整流部件的耐久性提高。
[0013] 可以為所述主體部包含填料，并且所述填料露出于所述主體部與所述金屬鍍層的 界面的方式。
[0014] 通過主體部包含填料，從而強度提高。另外，通過填料露出于主體部的表面與金屬 鍍層的界面，從而金屬鍍層容易進入主體部的表面的凹凸的間隙，主體部與金屬鍍層的緊 貼性提尚。
[0015] 可以為所述金屬鍍層通過非電解鍍敷法形成的方式。
[0016] 通過非電解鍍敷法形成金屬鍍層，從而不管主體部的形狀，可以容易地在表面整 體形成金屬鍍層。另外，由于也可以容易地進行金屬鍍層的厚度的控制，因此，可以得到能 夠防止顆粒附著于磁盤上的精度更高的整流部件。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠抑制顆粒附著于磁盤的磁盤裝置用整流部件。
【附圖說明】
[0018] 圖1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的磁盤裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0019] 圖2是說明擾流器的結(jié)構(gòu)的概略立體圖。
[0020] 圖3是說明對于磁盤裝置安裝擾流器時的配置的概略截面圖。
[0021 ]圖4是將主體部與金屬鍍層的界面放大的截面圖像。
[0022] 圖5(A)是表示長度A的計算方法的圖，圖5(B)是表示長度L的計算方法的圖。
[0023] 圖6是本發(fā)明的變形例所涉及的磁盤裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0024] 圖7是說明磁盤阻尼器的結(jié)構(gòu)的概略立體圖。
【具體實施方式】
[0025] 以下，參照附圖來詳細地說明用于實施本發(fā)明的方式。另外，在附圖的說明中，對 于同一要素賦予同一符號，省略重復的說明。
[0026] 圖1是具備本發(fā)明的一個實施方式所涉及的磁盤裝置用整流部件的磁盤裝置1的 概略結(jié)構(gòu)圖。磁盤裝置I (HDD)具有作為記錄部分的多個磁盤10、使磁盤10旋轉(zhuǎn)的主軸電動 機20、具備與形成于磁盤10的主面的磁記錄層相對的磁頭32的磁頭臂組件(HSA)30、和通過 多個磁盤10的旋轉(zhuǎn)而整流氣體的磁盤裝置用整流部件即擾流器（spo i I er) 40 (磁盤?擾流 器）。這些構(gòu)成要素被收納于框體50,以用蓋52(參照圖3)覆蓋框體50的上部的狀態(tài)使用。 [0027]多個磁盤10以相互分開的狀態(tài)固定于主軸電動機20的圓柱部。在本實施方式中， 對于設置有3個磁盤的情況進行說明，但其數(shù)量可以適當變更。
[0028]主軸電動機20具有作為驅(qū)動源的電動機、和安裝有多個磁盤10的主軸，通過驅(qū)動 源的驅(qū)動主軸旋轉(zhuǎn)，由此使多個磁盤10旋轉(zhuǎn)。
[0029] HSA30的磁頭32相對于形成于磁盤10的主面的磁記錄層的表面，能夠通過臂34而 平行地移動。相對于旋轉(zhuǎn)的磁盤10的磁記錄層，磁頭32成為相對地浮上的狀態(tài)，由此進行信 息的記錄，并且進行來自磁記錄層的信息的讀取。另外，擾流器40是相對于框體50安裝，其 一部分插入多個磁盤10之間，并且具有整流由于磁盤10的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣流的功能的整流 部件。在磁盤10逆時針（圖1的X方向）地旋轉(zhuǎn)的情況下，擾流器40設置于成為磁頭32的上游 側(cè)的位置。
[0030] 圖2是說明擾流器40的結(jié)構(gòu)的概略立體圖。另外，圖3是說明相對于磁盤裝置1安裝 擾流器40時的配置的概略截面圖。如圖2、3所示，擾流器40包含多個板部41a~41d和支撐板 部41a~41d的支撐部42而構(gòu)成。
[0031]板部41a~41d分別為平板狀的部件，以相互平行并且分開的狀態(tài)安裝于支撐部 42。對于支撐部42,在下方的端部設置有螺釘固定用的貫通孔43。
[0032]上述的擾流器40其特征在于，包含樹脂制的主體部401和覆蓋主體部401的整個面 的金屬鍍層402。即，擾流器40的表面全部通過金屬鍍層402而形成。在貫通孔43形成于擾流 器40的情況下，"整個面"也包含貫通孔43的內(nèi)壁。對于擾流器40的主體部401和金屬鍍層 402后面進行說明。
[0033]在上述的擾流器40中，裝配磁盤裝置1時，磁盤IOa~IOc分別插入鄰接的板部41a ~41d之間。具體來說，在將磁盤IOa~IOc安裝于主軸電動機20之后，將擾流器40配置于框 體50上，將螺釘插入貫通孔43，由此進行預緊固。其后，以螺釘為軸使擾流器40旋轉(zhuǎn)至板部 41a~41d與磁盤IOa~IOc重疊的位置之后，將螺釘固定。本實施方式的磁盤裝置1中，如圖3 所示，磁盤IOa插入到板部41a與41b之間。同樣地，磁盤IOb插入到板部41b與41c之間，磁盤 IOc插入到板部41c與41d之間。由此，板部41a~41d的至少一個主面分別與磁盤IOa~IOc的 任一個主面相對地配置。
[0034]接著，對擾流器40的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行說明。擾流器40其特征在于，包含樹脂制的主體 部401和覆蓋主體部401的整個面的金屬鍍層402。即，擾流器40的表面全部由金屬鍍層402 形成。另外，在貫通孔43形成于擾流器40的情況下，"整個面"也包含貫通孔43的內(nèi)壁。
[0035]本實施方式所涉及的擾流器40與現(xiàn)有的樹脂制的擾流器相比，表面電阻較小。擾 流器40的表面電阻小可以防止擾流器40表面帶有正電荷。由此，可以防止磁盤10帶有負的 感應電荷。其結(jié)果，可以防止磁盤裝置1內(nèi)帶有正電荷的塵埃(顆粒)附著于磁盤10。以下，對 實現(xiàn)表面電阻小的擾流器40的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及擾流器40的制造方法進行說明。
[0036]對于擾流器40的主體部401，從可以高精度尺寸的加工，并且低成本的觀點成分， 可以使用樹脂。本實施方式的"樹脂制"是指相對于主體部401的總重量，樹脂的比例為10重 量％以上。另外，在主體部401為"樹脂制"的情況下，主體部401中樹脂相對于總體積的比例 為30體積％以上。作為形成主體部401的樹脂，例如可以列舉作為具有耐熱性和高彈性模量 的樹脂的聚酰亞胺樹脂或聚碳酸酯樹脂等熱增塑性樹脂、以及在這些樹脂中配合有強化纖 維等的填料的材料等。特別是由于聚酰亞胺樹脂或聚碳酸酯樹脂能夠進行注射成型加工， 并且是高彈性模量的樹脂，因此，優(yōu)選用作主體部401。通過注射成型加工形成主體部401， 由此可以實現(xiàn)高精度尺寸的成型。
[0037]存在為了強化主體部401而配合填料的情況。作為填料，可以優(yōu)選使用例如碳纖 維、玻璃纖維等。通過將填料配合于主體部401中，可以適當?shù)靥岣咧黧w部401的強度。在主 體部401含有填料的情況下，其含量可以基于填料的種類和構(gòu)成主體部401的樹脂等來適當 設定。
[0038]作為金屬鍍層402，可以采用鍍鎳層、鍍銅層等。金屬鍍層402的厚度優(yōu)選為0.4μπι ~10.2μπι。在金屬鍍層402的厚度為0.4μπι以上的情況下，可以減小擾流器40的表面電阻。另 外，在金屬鍍層402的厚度為10.2μπι以下的情況下，與主體部的緊貼性提高。另外，金屬鍍層 402的厚度可以通過熒光X射線分析裝置等進行測定。
[0039]另外，金屬鍍層402優(yōu)選硬度為300HV~800HV。通過硬度在上述的范圍，從而與主 體部401的緊貼性提高，作為擾流器40的耐久性也提高。另外，在此的硬度是維氏硬度。另 外，在金屬鍍層402為鎳-磷層或鎳-硼層的情況下，如果為上述的硬度范圍，則與主體部401 的緊貼性提高效果變得特別大。從緊貼性提高和耐久性提高的觀點出發(fā)，硬度更優(yōu)選為 400HV~800HV。
[0040]圖4是將主體部401與金屬鍍層402的界面放大的截面圖像。在圖4中，作為主體部 401采用相對于聚酰亞胺樹脂401a混合有碳纖維401b的材料。如圖4所示，在主體部401含有 作為填料的碳纖維401b的情況下，優(yōu)選碳纖維401b的一部分露出于與金屬鍍層402的界面。 在作為填料的碳纖維401b的一部分露出于與金屬鍍層402的界面的情況下，如圖4所示，金 屬鍍層402以進入主體部401的聚酰亞胺樹脂401a與碳纖維401b的間隙的狀態(tài)形成。因此， 主體部401與金屬鍍層402的緊貼性提高。
[0041]另外，在將截面圖像中的所述主體部401的表面的長度記為A，并且將該截面圖像 中的主體部401的表面的端部彼此連結(jié)而成的直線的長度記為L時，優(yōu)選A/L為1.35~7.10 的范圍。上述A/L可以通過以下的方法算出。即，通過研磨形成了截面之后，使用掃描型電子 顯微鏡(SEM)等取得二次電子圖像。其后，如果對于二次電子圖像使用圖像分析軟件(例如， 產(chǎn)品名:Mac-View，M0UNTECH公司制造)探索主體部401的表面，則可以得到具有圖5(A)那樣 的凹凸的線。這是主體部401的表面的長度A，將該線的長度記為A。接著，如果以直線連結(jié)截 面圖像中主體部401的表面的端部彼此，則可以得到如圖5(B)所示的直線。將該直線的長度 記為L。由此，可以算出A/L。在A/L在1.35~7.10的范圍的時候，擾流器40的表面電阻變小， 并且主體部401與金屬鍍層402的緊貼性變得良好。
[0042] 上述的擾流器40可以通過以下的方法進行制造。即，具有形成主體部401的工序、 通過噴砂處理在主體部401的表面形成凹凸的工序、和在主體部401的表面形成金屬鍍層的 工序。
[0043]形成主體部401的工序只要是公知的樹脂成型的方法就沒有特別地限定，可以使 用例如注射成型。
[0044]作為在主體部401的表面形成凹凸的工序中所用的噴砂處理，優(yōu)選使用干式噴砂 處理。噴砂處理是用于提高主體部401與金屬鍍層402的緊貼性的處理。通過噴砂處理，將表 面加工成主體部401的表面的上述A/L為1.35~7.10的范圍。在干式噴砂法的情況下，通過 調(diào)節(jié)研磨粉的粒徑，可以使A/L在所希望的范圍。在主體部401包含填料的情況下，通過進行 噴砂處理，從而使填料露出于主體部401的表面。由此，與金屬鍍層402的緊貼性進一步提 高。另外，在填料由例如纖維狀的細長物質(zhì)構(gòu)成，并且從主體部401的表面較大地突出的情 況下，通過噴砂處理也可以除去較大地突出的部分的一部分。
[0045]在形成金屬鍍層的工序中，其方法沒有特別地限定，可以使用電解鍍敷法、非電解 鍍敷法等公知的方法。另外，在通過非電解鍍敷法形成金屬鍍層的情況下，不管主體部的形 成都可以在表面整體容易地形成金屬鍍層，并且也可以容易地進行厚度的控制等。以下對 使用了非電解鍍敷法的金屬鍍層的形成方法的一個例子進行說明。
[0046]首先，作為前處理進行鍍敷對象表面的脫脂處理。脫脂液可以使用堿脫脂液或酸 性脫脂液。優(yōu)選地，為了除去附著于主體部401的表面的油脂成分，堿脫脂液是有效的。另 外，脫脂處理后用純水進行清洗。
[0047]接著，為了調(diào)整為催化劑容易附著于主體部401表面的表面而進行堿性水溶液處 理。其后，根據(jù)需要，為了除去主體部401表面的水分而進行預浸漬處理。
[0048]接著，使成為形成非電解鍍敷膜時的催化劑核的催化劑附著于主體部401的表面。 作為催化劑，可以使用銅、銅-鎳合金、鉑、銀、鈀等的貴金屬等公知的材料，通過將主體部 401表面浸漬于含有鈀等的貴金屬膠體的催化劑液中進行處理，可以使催化劑附著于表面。 另外，為了通過鈀催化劑提高鍍層析出性，也可以進一步進行緊貼促進處理。其后，進行水 洗。
[0049] 接著，對附著有催化劑的主體部401表面實施非電解鍍敷，形成由非電解鍍膜構(gòu)成 的金屬鍍層402。作為非電解鍍敷沒有特別地限定，可以使用非電解鍍銅、非電解鍍鎳、非電 解鍍鈀、非電解鍍銀、非電解鍍金、非電解鍍鉑等。另外，也可以使用這些貴金屬的合金鍍。 另外，從經(jīng)濟性的觀點以及操作性提高的觀點出發(fā)，這些鍍敷中，優(yōu)選為非電解鍍鎳(Ni-P 鍍、Ni-B鍍等)或者非電解鍍銅。在進行非電解鍍鎳(Ni-P鍍)的情況下，作為鍍敷液可以使 用例如含有硫酸Ni或次磷酸Na的鍍敷液。也可以將這些鍍敷組合形成多層的鍍膜。根據(jù)鍍 敷的種類而不同，非電解鍍膜可以通過通常使用調(diào)整為40~90°C的鍍敷液對主體部401處 理20~60分鐘來形成。
[0050] 如上所述，本實施方式所涉及的磁盤裝置1中，作為磁盤裝置用整流部件的擾流器 40具備樹脂制的主體部401和覆蓋主體部401的整個面的金屬鍍層402,由此擾流器40的表 面電阻變小，并且可以防止擾流器40表面帶有正電荷。因此，通過使用本實施方式所涉及的 擾流器40,可以防止與擾流器40相對配置的磁盤10帶有負的感應電荷。其結(jié)果，可以防止磁 盤裝置1內(nèi)帶有正電荷的塵埃(顆粒)附著于磁盤10上。
[0051] 特別是本實施方式所涉及的擾流器40其特征在于，整個面由金屬鍍層402覆蓋。因 此，由于主體部401沒有露出于外部，因此，主體部401所用的材料的選擇范圍變寬。對于現(xiàn) 有的樹脂制的擾流器的顆粒附著的顆粒，例如，通過相對于樹脂材料配合導電性的填料等 也可以抑制擾流器帶電。然而，在混合有樹脂材料和填料的區(qū)域露出于外部(裝置內(nèi)部）的 情況下，擔憂由于填料等而導致的污染的發(fā)生。相對于此，主體部401的整體被金屬鍍層402 覆蓋的擾流器40即使在樹脂材料中混合有填料的情況下，由于填料沒有露出于外部，因此， 不用擔憂污染等。
[0052]因此，本實施方式所涉及的擾流器40與金屬制的擾流器同樣地可以防止顆粒附著 于磁盤10上，并且與樹脂制的擾流器同樣地避免金屬污染的發(fā)生，并且可以實現(xiàn)低成本化。
[0053]另外，在將擾流器40的截面圖像中的所述主體部401的表面的長度記為A，并且將 該截面圖像中的主體部401的表面的端部彼此連結(jié)而成的直線的長度記為L時，通過A/L為 1.35~7.10的范圍，從而主體部401與金屬鍍層402的緊貼性提高。
[0054]在使用樹脂材料作為擾流器40等磁盤裝置用整流部件的情況下，由于在高溫環(huán)境 下使用，因此，要求耐熱性。另外，根據(jù)其機能，優(yōu)選使用具有高彈性模量的樹脂材料。然而， 這樣的樹脂材料通常是難鍍敷性，從而存在即是形成了金屬鍍層緊貼性也低的課題。因此， 在由于磁盤10旋轉(zhuǎn)而金屬鍍層脫落的情況下，有金屬污染或顆粒產(chǎn)生的可能性。相對于此， 本實施方式所涉及的擾流器40中，通過將A/L設定為上述的范圍，從而樹脂制的主體部401 與金屬鍍層402的緊貼性大幅度地提高。因此，可以抑制金屬污染或顆粒的產(chǎn)生。
[0055]另外，通過將金屬鍍層402的厚度設定為0·4μπι~10.2μπι，可以減小擾流器40的表 面電阻，并且主體部401與金屬鍍層402的緊貼性提高。此時，在金屬鍍層402的硬度為300HV ~800HV的情況下，可以進一步提高上述的效果。
[0056]另外，通過在主體部401中除了樹脂以外還含有填料，從而主體部401的強度提高。 此時，主體部401中填料露出于主體部401的表面、即與金屬鍍層402的界面，由此金屬鍍層 402容易進入主體部401的表面的凹凸的間隙，通過錨效應主體部401與金屬鍍層402的緊貼 性提尚°
[0057]另外，對于本實施方式所涉及的擾流器40,主體部401的表面整個面被金屬鍍層 402覆蓋，這樣的擾流器可以優(yōu)選通過非電解鍍敷法進行制造。在主體部401的表面形成金 屬鍍層402的方法不限定于非電解鍍敷法，例如，在如貫通孔43內(nèi)的細部也形成金屬鍍層 402的情況下，最優(yōu)選使用非電解鍍敷法，可以更簡便地制作金屬鍍層402。另外，由于通過 非電解鍍敷法也可以容易地控制金屬鍍層402的厚度，因此，可以以更高的精度制造能夠防 止顆粒附著于磁盤上的擾流器40。
[0058]接著，對本實施方式所涉及的磁盤裝置用整流部件的其它例子即磁盤阻尼器進行 說明。圖6是變形例所涉及的磁盤裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖7是說明磁盤阻尼器的結(jié)構(gòu)的概略 立體圖。
[0059] 變形例所涉及的磁盤裝置2與磁盤裝置1相比，在以下的方面不同。即，作為磁盤裝 置用整流部件，具備磁盤阻尼器60來替代擾流器40。磁盤阻尼器60包含插入于磁盤10之間 的板部61和支撐板部61的多個支撐部62a~62c而構(gòu)成。
[0060] 板部61為平板狀的部件，形成具有沿著磁盤10的形狀的寬度的圓弧狀。板部61抑 制由于磁盤10的旋轉(zhuǎn)而造成的氣流。另外，支撐部62a~62c與板部61的外周側(cè)分開設置，相 比各個板部61厚度(高度)更大。支撐部62a~62c上分別設置有貫通孔63。另外，磁盤裝置2 的框體50的形狀與磁盤裝置1不同，形成有用于安裝磁盤阻尼器60的空間。
[0061] 在安裝磁盤阻尼器時，以磁盤阻尼器60插入到多個磁盤10之間的方式準備多個磁 盤阻尼器，以多個磁盤阻尼器60相互重疊的方式將磁盤10和磁盤阻尼器60交替安裝于框體 50上。其后，通過分別將多個磁盤阻尼器60的設置于同一支撐部62a~62c上的貫通孔63螺 釘固定，從而磁盤阻尼器60相對于框體50固定。由此，磁盤阻尼器60分別插入到多個磁盤10 之間。再有，磁盤阻尼器60的板部61的至少一個主面與多個磁盤10的任一主面相對配置。 [0062] 在上述的磁盤阻尼器60中，也與擾流器40同樣地通過制成樹脂制的主體部的表面 整個面被金屬鍍層覆蓋的結(jié)構(gòu)，可以減小磁盤阻尼器60的表面電阻，可以解決現(xiàn)有的樹脂 制的磁盤阻尼器的顆粒的附著的課題。另外，通過磁盤阻尼器60的主體部的整體被金屬鍍 層覆蓋，從而即使在樹脂材料中混合有填料的情況下，填料也不露出于外部，因此，可以不 用擔憂污染等。另外，與樹脂的區(qū)域一部分露出的情況相比，由于金屬鍍層自身的緊貼性也 變高，因此，也可以抑制由于金屬鍍層的剝離等導致的金屬污染的發(fā)生。
[0063]以上對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但是本發(fā)明不限定于上述的實施方式，在 不脫離其要點的范圍內(nèi)可以進行各種變更。
[0064]例如，作為上述實施方式中說明的磁盤裝置用整流部件的擾流器40和磁盤阻尼器 60的形狀為一個例子。因此，其形狀可以適當改變。例如，擾流器40中的板部41的數(shù)量可以 根據(jù)磁盤裝置1中所用的磁盤10的片數(shù)來適當變更。即，只要為用于控制來自磁盤10的旋轉(zhuǎn) 的氣流的整流部件，并且具有板部和支撐部的整流部件，其形狀不特別地限定。
[0065] 實施例1
[0066]以下，基于實施例和比較例來進一步具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限定于以 下的實施例。
[0067]〈樣品的準備〉
[0068](實施例1)
[0069](主體部的準備）
[0070] 通過將混合有聚酰亞胺樹脂和碳纖維的混合物注射成型，得到作為磁盤阻尼器的 主體部的樹脂成型物。此時，將碳纖維相對于樹脂成型物的總重量的比例設定為30重量％。
[0071] (金屬鍍層的形成）
[0072] 作為脫脂處理，將主體部浸漬于脫脂液中5分鐘之后，用純水進行清洗。接著，將主 體部浸漬于堿性水溶液中5分鐘，然后，用純水進行清洗。其后，作為使催化劑附著于主體部 表面的處理，將主體部浸漬于含有Pd離子的水溶液中5分鐘，然后，用純水進行清洗。
[0073] 接著，將主體部浸漬于非電解鍍敷Ni-P液中60分鐘，然后，用純水進行清洗。其結(jié) 果，主體部的表面整個面被由Ni-P構(gòu)成的金屬鍍層覆蓋。將覆蓋有金屬鍍層的主體部在130 °C下干燥10分鐘，由此得到實施例1所涉及的磁盤阻尼器的樣品。
[0074](實施例2)
[0075]除了對于樹脂成型物進行噴砂處理(干式噴砂）以外，通過與實施例1同樣的方法 制作實施例2所涉及的磁盤阻尼器的樣品。
[0076](實施例3~5)
[0077]與實施例1相比，除了調(diào)節(jié)噴砂處理中使用的研磨粉的粒徑以外，通過與實施例2 同樣的方法制作實施例3~5所涉及的磁盤阻尼器的樣品。通過調(diào)節(jié)研磨粉的粒徑，可以得 到A/L相互不同的樣品。
[0078] (實施例6~9)
[0079] 除了調(diào)節(jié)鍍敷時間以外，通過與實施例2同樣的方法制作實施例5~8所涉及的磁 盤阻尼器的樣品。即，將噴砂處理中使用的研磨粉的粒徑設定成與實施例2相同。通過調(diào)節(jié) 了鍍敷時間，得到了金屬鍍層的厚度相互不同的樣品。
[0080] (比較例1)
[0081] 將通過注射成型而得到的樹脂成型物制成比較例1所涉及的磁盤阻尼器的樣品。 對于比較例1的樣品，不進行噴砂處理。
[0082] 〈樣品的觀察和評價〉
[0083] (A/L)
[0084] 對于得到的樣品，通過研磨形成截面之后，通過場發(fā)射型掃描電子顯微鏡（FE-SEM)(型號:JSM-6700F，日本電子株式會社制造）以視野倍率5000倍拍攝截面的二次電子圖 像。對于樣品截面的二次電子圖像，通過圖像分析軟件(產(chǎn)品名:Mac-Vi ew，M0UNTECH公司制 造），探索樣品的主體部的表面，測量樣品的主體部表面的長度A。同樣地，通過圖像分析軟 件(產(chǎn)品名:Mac-Vi ew，M0UNTECH公司制造)測量圖像中主體部表面的兩端連結(jié)而成的直線 的長度L。基于這些結(jié)果，算出A/L。
[0085](金屬鍍層厚度）
[0086]金屬鍍層的厚度可以通過熒光X射線分析裝置等進行測定。
[0087](表面電阻測定）
[0088] 測定樣品的金屬鍍層的表面電阻。測定使用電阻率計利用四探針法進行測定。對 于測定結(jié)果，基于以下的3個等級評價表面電阻。
[0089] 等級 A:小于1.0 X 10-1
[0090] 等級B: 1 ·0X 10-1以上且小于1 ·0X IO2
[0091] 等級C: 1.0X IO2以上
[0092] (橫切試驗）
[0093] 對于樣品的金屬鍍層的緊貼性，基于橫切試驗進行評價。具體來說，按照JIS K5600-5-6通過以下的順序進行試驗，并且進行評價。
[0094] (1)首先，以相對于樣品表面成為垂直的方式放上刀切割6次。
[0095] (2)變化90°方向垂直地切割6次。
[0096] (3)將寬度為25mm、長度為75mm的長的膠帶粘貼于金屬鍍層的切割后的部分，以透 過可以看到金屬鍍層的方式用手指摩擦膠帶。
[0097] (4)粘貼后5分鐘以內(nèi)以接近60°的角度在0.5~1.0秒內(nèi)進行膠帶的剝離。
[0098] (5)通過目視對于膠帶剝離后的金屬鍍層的表面狀態(tài)確認金屬鍍層的剝離狀態(tài)。
[0099] 基于以上的橫切試驗，評價樣品的金屬鍍層相對于主體部的緊貼性。緊貼性基于 以下5個等級進行評價。評價為等級1~3的金屬鍍層可以判斷為緊貼性優(yōu)異。等級4或等級5 的金屬鍍層由于緊貼性差，因此，可以判斷不能承擔作為整流部件的使用。
[0100]等級1:切割的交叉點中有保護膜的小的剝離。剝離率為5%以下。
[0101] 等級2:保護膜沿著切開的邊緣和/或在交叉點剝離。剝離率大于5%且為15%以 下。
[0102] 等級3:保護膜沿著切開的邊緣發(fā)生了部分或全面地大剝離，和/或方格的各個部 分發(fā)生部分或全面地剝離。剝離率大于15 %且為35 %以下。
[0103] 等級4:保護膜沿著切開的邊緣發(fā)生部分或全面地大剝離，和/或多個方格部分或 全面地剝離。剝離率大于35 %且為65 %以下。
[0104]等級5:剝離率大于等級4。
[0105] 另外，"剝離率"是"剝離"的面積相對于全部方格的面積的比例。"剝離"的面積是 格子內(nèi)的保護膜發(fā)生了剝離的部分的面積的合計。
[0106] 將上述測定結(jié)果和評價結(jié)果示于表1和表2中。
[0107]根據(jù)表1的結(jié)果，與比較例1相比，全面地形成了金屬鍍層的實施例1~5可以確認 表面電阻降低。另外，A/L在1.35~7.01的范圍的實施例2~4中可以確認表面電阻特別低， 并且緊貼性良好。
[0108]另外，根據(jù)表2的結(jié)果可以確認，金屬鍍層的膜厚為0.48μηι~10.1 ΙμL?的范圍的實 施例7、2、8中可以確認表面電阻低，并且緊貼性良好。
[0109][表 1]
【主權(quán)項】
1. 一種磁盤裝置用整流部件，其中， 是具備與磁盤相對配置的平板狀的板部和支撐該板部的支撐部的磁盤裝置用整流部 件， 包含樹脂制的主體部和覆蓋所述主體部的表面整個面的金屬鍍層。2. 如權(quán)利要求1所述的磁盤裝置用整流部件，其中， 在將截面圖像中的所述主體部的表面的長度記為A，并且將該截面圖像中的所述主體 部的表面的端部彼此連結(jié)而成的直線的長度記為L時，A/L為1.35~7.10。3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁盤裝置用整流部件，其中， 所述金屬鍍層的厚度為〇 · 4μηι~10 · 2μηι。4. 如權(quán)利要求3所述的磁盤裝置用整流部件，其中， 所述金屬鍍層的硬度為300HV~800HV。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項所述的磁盤裝置用整流部件，其中， 所述主體部包含填料， 所述填料露出于所述主體部與所述金屬鍍層的界面。6. 如權(quán)利要求1~5中任一項所述的磁盤裝置用整流部件，其中， 所述金屬鍍層通過非電解鍍敷法形成。
【文檔編號】G11B33/14GK106057223SQ201610206445
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月5日 公開號201610206445.4, CN 106057223 A, CN 106057223A, CN 201610206445, CN-A-106057223, CN106057223 A, CN106057223A, CN201610206445, CN201610206445.4
【發(fā)明人】谷口晉, 阿部壽之
【申請人】Tdk株式會社