閃存存儲器裝置及閃存存儲器的抹除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種閃存存儲器裝置，且特別是有關(guān)于一種閃存存儲器裝置的存儲單元的抹除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子科技的演進，電子裝置成為人們生活中必要的工具。而為了提供長效且大量的數(shù)據(jù)儲存的功能，非易失性存儲器成為重要的數(shù)據(jù)儲存媒介。并且，在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中，閃存存儲器是為較為受歡迎的非易失性存儲器中的一個。
[0003]請參照圖1，圖1繪示現(xiàn)有技術(shù)中，閃存存儲器的存儲單元數(shù)量與臨界電壓的關(guān)系圖。其中，曲線Cl表示閃存存儲器的存儲單元在處于被程序化狀態(tài)下，臨界電壓的電壓值與對應(yīng)的存儲單元數(shù)量的關(guān)系曲線。而曲線C2則表示閃存存儲器的存儲單元在處于被抹除狀態(tài)下，臨界電壓的電壓值與對應(yīng)的存儲單元數(shù)量的關(guān)系曲線。其中，現(xiàn)有技術(shù)多利用固定的一個抹除信號以提供足夠大的電流來對同一井區(qū)中的多個存儲單元進行一次性抹除的動作。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)的抹除方式下，因為每個存儲單元在進行抹除的過程中，其臨界電壓的改變速度上的不同，而造成曲線C2所分布的電壓區(qū)域AV過廣的現(xiàn)象。這是由于為了使所有的存儲單元都完成抹除的動作，而必須較長時間等待臨界電壓的改變速度較慢的存儲單元所造成的現(xiàn)象。在此現(xiàn)象中，臨界電壓的改變速度較快的存儲單元常會發(fā)生過抹除(over erase)的現(xiàn)象，而甚至產(chǎn)生位元線漏電的情況。并且，現(xiàn)有的抹除方式常需要伴隨后程序化(post-program)的動作來縮減其電壓區(qū)域Δ V,增加動作上的復雜度,并增加存儲單元的使用率，降低存儲單元的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種閃存存儲器及其存儲單元的抹除方法，有效降低存儲單元發(fā)生過抹除(over erase)現(xiàn)象的可能性。
[0006]本發(fā)明的閃存存儲器的抹除方法中，閃存存儲器具有配置在至少一井區(qū)中的多數(shù)個存儲單元，而抹除方法的步驟包括:首先，針對閃存存儲器中的至少一井區(qū)中的存儲單元依據(jù)第一電氣信號執(zhí)行抹除動作，并且，針對至少一井區(qū)進行分區(qū)，并獲得多數(shù)個子井區(qū)，再分別針對子井區(qū)中的存儲單元以依據(jù)第二電氣信號來執(zhí)行抹除動作，其中，第一電氣信號供應(yīng)的電流絕對值小于第二電氣信號供應(yīng)的電流絕對值。
[0007]本發(fā)明的閃存存儲器裝置包括至少一井區(qū)以及存儲器控制器。井區(qū)包括多數(shù)個存儲單元，存儲器控制器耦接至少一井區(qū)的存儲單元。存儲器控制器執(zhí)行抹除動作時，先針對閃存存儲器中的至少一井區(qū)中的存儲單元依據(jù)第一電氣信號執(zhí)行抹除動作，且針對至少一井區(qū)進行分區(qū)以獲得多數(shù)個子井區(qū)，再分別針對子井區(qū)中的存儲單元以依據(jù)第二電氣信號來執(zhí)行抹除動作。其中，第一電氣信號供應(yīng)的電流絕對值小于第二電氣信號供應(yīng)的電流絕對值。
[0008]基于上述，本發(fā)明通過兩階段式的抹除動作來進行閃存記憶裝置中的存儲單元的抹除動作。其中，第一階段利用電流絕對值較小的第一電氣信號來針對相同井區(qū)中的所有的存儲單元進行一次性的抹除動作，并在第二階段中，利用電流絕對值較大的第二電氣信號來針對井區(qū)中的多個子井區(qū)的存儲單元進行分區(qū)性的抹除動作。如此一來，正常的存儲單元與低電導的存儲單元對于抹除動作所產(chǎn)生的變化的均勻度可以得到控制，不致發(fā)生因為需要針對與低電導的存儲單元進行長時間的抹除動作而造成過抹除現(xiàn)象的發(fā)生。
[0009]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1繪示現(xiàn)有技術(shù)中，閃存存儲器的存儲單元數(shù)量與臨界電壓的關(guān)系圖。
[0011]圖2繪示本發(fā)明一實施例的閃存存儲器的抹除方法的流程圖。
[0012]圖3繪示本發(fā)明一實施例的閃存存儲器裝置的示意圖。
[0013]圖4繪示本發(fā)明實施例的針對井區(qū)進行分區(qū)的實施方式的示意圖。
[0014]圖5繪示本案實施例閃存存儲器進行抹除時的存儲單元臨界電壓變化曲線圖。
[0015]其中，附圖標記說明如下:
[0016]C1、C2、CV1、CV2、CV3:曲線
[0017]AV:電壓區(qū)域
[0018]S210?S230:抹除方法的步驟
[0019]300:閃存存儲器裝置
[0020]310:存儲器控制器
[0021]320:閃存存儲器
[0022]321 ?32N:井區(qū)
[0023]MCll?MCPM:存儲單元
[0024]BLUBLP:位元線
[0025]WL1、WLA1、WLA2、WL3、WLM:字線
[0026]SAl ?SA3:子井區(qū)
[0027]EVl:第一電氣信號
[0028]EV2:第二電氣信號
【具體實施方式】
[0029]請參照圖2，圖2繪示本發(fā)明一實施例的閃存存儲器的抹除方法的流程圖。其中，閃存存儲器中具有一個或多個井區(qū)(well)，且每一個井區(qū)中都包括有多數(shù)個存儲單元。當進行存儲單元的抹除動作時，在步驟S210中，可針對閃存存儲器中的至少一井區(qū)中的所有的存儲單元依據(jù)第一電氣信號，并利用其具有的相對低的電壓執(zhí)行抹除動作，其中第一電氣信號的電壓例如介于+6.0V?+8.8V間。這個預(yù)先的抹除動作所提供的第一電氣信號是可以使同一井區(qū)中的所有存儲單元的臨界電壓產(chǎn)生慢速的移動。值得注意的是，在步驟S210中所進行的抹除動作中，具有不同臨界電壓移動速度的存儲單元在第一電氣信號的影響下，所產(chǎn)生的臨界電壓的變化的差異不會很大。
[0030]另外，在步驟S220中，則針對要進行抹除的井區(qū)中的存儲單元進行分區(qū)的動作，并將進行抹除的井區(qū)中的存儲單元分成多數(shù)個子井區(qū)。接著，在步驟S230中，則分別針對步驟S220中所獲得的多個子井區(qū)的存儲單元，通過轉(zhuǎn)換成正常電壓的第二電氣信號來分別對各子井區(qū)的存儲單元進行抹除動作，其中，第二電氣信號的電壓例如介于+8.8V?9.8V間。其中，第二電氣信號可以提供的電流絕對值大于第一電氣信號可以提供的電流絕對值。并且，在第二電氣信號的影響下，存儲單元的臨界電壓的移動速度將大于步驟S210中，存儲單元因第一電氣信號的影響所產(chǎn)生的臨界電壓的移動速度。
[0031]在此請?zhí)貏e注意，在步驟S230中，針對多個子井區(qū)分別進行抹除動作，其中的優(yōu)點在于，單一個子井區(qū)中，臨界電壓移動速度較慢的存儲單元數(shù)目相較于整個井區(qū)中的臨界電壓移動速度較慢的存儲單元為少，換句話說，當針對單一個子井區(qū)中的存儲單元進行抹除動作時，可以不用等待過多的臨界電壓移動速度較慢的存儲單元，而產(chǎn)生抹除時間過長的問題。換句話說，針對單一個子井區(qū)中的存儲單元進行抹除動作，可以有效降低存儲單元發(fā)生過抹除現(xiàn)象的可能。
[0032]附帶一提的，第一電氣信號可以是第一抹除電壓的電壓信號或是第一抹除電流的電流信號，第二電氣信號則可以是第二抹除電壓的電壓信號或是第二抹除電流的電流信號。重點在于，第一電氣信號所提供的電流絕對值小于第二電氣信號所提供的電流絕對值。
[0033]請參照圖3，圖3繪示本發(fā)明一實施例的閃存存儲器裝置300的示意圖。閃存存儲器裝置300包括存儲器控制器310以及閃存存儲器320。閃存存儲器320包括一個或多個井區(qū)321?32N，且各井區(qū)321?32N中具有多數(shù)個存儲單元。
[0034]當閃存存儲器320中的存儲單元要進行抹除動作時，存儲器控制器310可以依據(jù)圖2的步驟來針對閃存存儲器320中的各個井區(qū)321?32N的存儲單元進行抹除動作。比較值得注意的是，關(guān)于步驟S220中針對井區(qū)進行分區(qū)的動作，請同時參照圖3及圖4，其中圖4繪示本發(fā)明實施例的針對井區(qū)進行分區(qū)的實施方式的示意圖