一種存儲(chǔ)類型的閃存中的塊操作方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)類型的閃存中的塊控制方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的NAND FLASH(即存儲(chǔ)類型的閃存)中每個(gè)block selector (即塊選擇器)控制對(duì)一個(gè)block(即塊)的控制。也就是說(shuō)，若NAND FLASH中包含1024個(gè)block，則需要在NAND FLASH中設(shè)置1024個(gè)block selector分別對(duì)各塊進(jìn)行選址控制。
[0003]現(xiàn)有的NAND FLASH中的塊操作方法如下:當(dāng)需要對(duì)某一 block進(jìn)行操作時(shí)，直接啟動(dòng)block對(duì)應(yīng)的塊選擇器，然后，通過(guò)塊選擇器選擇其對(duì)應(yīng)的唯一的塊即可。
[0004]而現(xiàn)有的NAND FLASH中的這種block selector與block--對(duì)應(yīng)的設(shè)置結(jié)構(gòu)以及操作塊的方式，block selector的設(shè)置數(shù)量需要與block的數(shù)量相同，且blockselector主要由單管面積較大的高壓MOS管設(shè)計(jì)組成，若數(shù)量較多，這就導(dǎo)致blockselector在NAND FLASH中會(huì)占用大量的面積，而如果block selector需要占用大量的面積，NAND FLASH的面積就需要足夠大。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠明了，NAND FLASH的面積大，則意味著NAND FLASH成本的增加?？梢?jiàn)，現(xiàn)有的NAND FLASH由于需要設(shè)定與block相同數(shù)量的 block selector，因此，NAND FLASH 的成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述問(wèn)題，提出了本發(fā)明以便提供一種克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的存儲(chǔ)類型的閃存中塊操作方法和裝置。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)類型的閃存中的塊操作方法，包括:啟動(dòng)與譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器，其中，所述塊選擇器可對(duì)一個(gè)奇數(shù)塊和一個(gè)偶數(shù)塊進(jìn)行選擇，且所述奇數(shù)塊與所述偶數(shù)塊為相鄰的兩個(gè)塊；確定所述塊選擇器可選擇的所述奇數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第一電壓，以及所述塊選擇器可選擇的所述偶數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第二電壓；依據(jù)所述譯碼地址對(duì)所述第一電壓以及所述第二電壓進(jìn)行配置，以將所述譯碼地址指示的塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為有效操作電壓，另一個(gè)塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為無(wú)效操作電壓；分別導(dǎo)通控制所述第一電壓傳輸?shù)腗OS管、以及控制所述第二電壓傳輸?shù)腗OS管。
[0007]優(yōu)選地，在所述啟動(dòng)與所述譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器步驟之前，所述方法還包括:通過(guò)地址輸入接口接收待操作的塊對(duì)應(yīng)的地址；通過(guò)塊譯碼器對(duì)所述地址進(jìn)行譯碼，生成譯碼地址并通過(guò)譯碼地址輸出接口輸出；確定與所述譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器。
[0008]優(yōu)選地，控制所述第一電壓傳輸?shù)腗OS管設(shè)置在第一字線驅(qū)動(dòng)中，控制所述第二電壓傳輸?shù)腗OS管設(shè)置在第二字線驅(qū)動(dòng)中；所述第一字線驅(qū)動(dòng)與偶字線電壓導(dǎo)通，所述第二字線驅(qū)動(dòng)與奇字線電壓導(dǎo)通。
[0009]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)類型的閃存中的塊包含相同個(gè)數(shù)的奇數(shù)塊與偶數(shù)塊，且所述存儲(chǔ)類型的閃存中塊的個(gè)數(shù)為塊選擇器的兩倍。
[0010]優(yōu)選地，所述地址輸入接口的個(gè)數(shù)為9個(gè)，所述譯碼地址輸出接口為4個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了存儲(chǔ)類型的閃存中的塊操作裝置，包括:啟動(dòng)模塊，用于啟動(dòng)與譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器，其中，所述塊選擇器可對(duì)一個(gè)奇數(shù)塊和一個(gè)偶數(shù)塊進(jìn)行選擇，且所述奇數(shù)塊與所述偶數(shù)塊為相鄰的兩個(gè)塊；確定模塊，用于確定所述塊選擇器可選擇的所述奇數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第一電壓，以及所述塊選擇器可選擇的所述偶數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第二電壓；電壓設(shè)置模塊，用于依據(jù)所述譯碼地址對(duì)所述第一電壓以及所述第二電壓進(jìn)行配置，以將所述譯碼地址指示的塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為有效操作電壓，另一個(gè)塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為無(wú)效操作電壓；導(dǎo)通模塊，用于分別導(dǎo)通控制所述第一電壓傳輸?shù)腗OS管、以及控制所述第二電壓傳輸?shù)腗OS管。
[0011]優(yōu)選地，所述裝置還包括:接收模塊，用于在所述啟動(dòng)模塊啟動(dòng)與所述譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器之前，通過(guò)地址輸入接口接收待操作的塊對(duì)應(yīng)的地址；譯碼模塊，用于通過(guò)塊譯碼器對(duì)所述地址進(jìn)行譯碼，生成譯碼地址并通過(guò)譯碼地址輸出接口輸出；塊選擇器確定模塊，用于確定與所述譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊選擇器。
[0012]優(yōu)選地，控制所述第一電壓傳輸?shù)腗OS管設(shè)置在第一字線驅(qū)動(dòng)中，控制所述第二電壓傳輸?shù)腗OS管設(shè)置在第二字線驅(qū)動(dòng)中；所述第一字線驅(qū)動(dòng)與偶字線電壓導(dǎo)通，所述第二字線驅(qū)動(dòng)與奇字線電壓導(dǎo)通。
[0013]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)類型的閃存中的塊包含相同個(gè)數(shù)的奇數(shù)塊與偶數(shù)塊，且所述存儲(chǔ)類型的閃存中塊的個(gè)數(shù)為塊選擇器的兩倍。
[0014]優(yōu)選地，所述地址輸入接口的個(gè)數(shù)為9個(gè)，所述譯碼地址輸出接口為4個(gè)。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲(chǔ)類型的閃存中的塊操作方法和裝置，一個(gè)塊選擇器可對(duì)一個(gè)奇數(shù)塊以及一個(gè)偶數(shù)塊進(jìn)行選擇。具體地:確定兩個(gè)塊對(duì)應(yīng)的電壓，再對(duì)兩個(gè)塊對(duì)應(yīng)的電壓進(jìn)行配置，將譯碼地址對(duì)應(yīng)的塊的電壓設(shè)置為有效操作電壓，將塊選擇器可控制的另一個(gè)塊的電壓設(shè)置為無(wú)效操作電壓，然后，分別導(dǎo)通控制這兩個(gè)塊電壓導(dǎo)通的MOS管(即場(chǎng)效應(yīng)管)。這樣，由于僅有一個(gè)塊對(duì)應(yīng)的操作電壓為有效，因此，可實(shí)現(xiàn)僅對(duì)一個(gè)塊進(jìn)行操作。通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲(chǔ)類型的閃存中的塊控制方案，由于一個(gè)block selector可對(duì)兩個(gè)block進(jìn)行選擇控制，因此，在具體設(shè)置時(shí)，相較于現(xiàn)有的設(shè)置方式，可以縮減一半數(shù)量的block selector，相應(yīng)地將減小NAND FLASH的面積。最終，降低NAND FLASH的成本。
[0017]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
【附圖說(shuō)明】
[0018]通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號(hào)表示相同的部件。在附圖中:
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的一種NAND FLASH中的block操作方法的步驟流程圖；
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的一種NAND FLASH中的block操作方法的步驟流程圖；
[0021]圖3是采用實(shí)施例二中的操作方法進(jìn)行塊操作的電路邏輯圖；
[0022]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三的一種NAND FLASH中的block操作裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反，提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開(kāi)，并且能夠?qū)⒈竟_(kāi)的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0024]實(shí)施例一
[0025]參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例一的一種NAND FLASH中的block操作方法的步驟流程圖。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例的NAND FLASH中的block操作方法包括以下步驟:
[0027]步驟S102:啟動(dòng)與譯碼地址對(duì)應(yīng)的block selector。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例中，在NAND FLASH中，將其包含的全部block分成兩組，分別為奇數(shù)組與偶數(shù)組。一個(gè)奇數(shù)塊與一個(gè)偶數(shù)塊共用一個(gè)block selector。例如:NAND FLASH中包含1024個(gè)塊，那么，block selector的個(gè)數(shù)為512個(gè)。
[0029]其中，每個(gè)block selector可對(duì)一個(gè)奇數(shù)塊和一個(gè)偶數(shù)塊進(jìn)行選擇，且奇數(shù)塊與偶數(shù)塊為相鄰的兩個(gè)塊。相應(yīng)地，一個(gè)block selector同時(shí)對(duì)應(yīng)一個(gè)奇數(shù)塊和一個(gè)偶數(shù)塊對(duì)應(yīng)的譯碼地址。
[0030]例如:block selector對(duì)應(yīng)A、B兩個(gè)塊，無(wú)論是通過(guò)A對(duì)應(yīng)的譯碼地址還是通過(guò)B對(duì)應(yīng)的譯碼地址，在選擇block selector器時(shí)，均會(huì)選中該block selector。
[0031]步驟S104:確定block selector可選擇的奇數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第一電壓，以及blockselector可選擇的偶數(shù)塊對(duì)應(yīng)的第二電壓。
[0032]每個(gè)block selector對(duì)應(yīng)兩個(gè)塊，而這兩個(gè)塊分別對(duì)應(yīng)一個(gè)電壓。
[0033]步驟S106:依據(jù)譯碼地址對(duì)第一電壓以及第二電壓進(jìn)行配置，以將譯碼地址指示的塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為有效操作電壓，另一個(gè)塊對(duì)應(yīng)的電壓配置為無(wú)效操作電壓。
[0034]例如:譯碼地址對(duì)應(yīng)的block為blockO，在啟動(dòng)block selector時(shí)，所啟動(dòng)的block selector 為 block selectorO，該 block selector 可對(duì) blockO 以及 blockl 進(jìn)行控制，因此，需要選中這兩個(gè)block對(duì)應(yīng)的電壓，并且，將blockO對(duì)應(yīng)的電壓配置為有效電壓，將blockl對(duì)應(yīng)的電壓配置為無(wú)效電壓。
[0035]步驟S108:分別導(dǎo)通控制第一電壓傳輸?shù)腗OS管、以及控制第二電壓傳輸?shù)腗OS管。
[0036]在字線驅(qū)動(dòng)中設(shè)置有MOS管，字線驅(qū)動(dòng)與字線電壓導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通MOS管即可將電壓傳輸至block中，對(duì)block進(jìn)行控制。
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