專利名稱：防霉磁盤及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)使用的防霉磁盤及其制備方法。
微型計(jì)算機(jī)已在教學(xué)、科研、生產(chǎn)和管理等方面獲得廣泛應(yīng)用，磁盤是計(jì)算機(jī)必不可少的部件。如果磁盤不具防霉功能，發(fā)霉后便不能使用，里面儲(chǔ)存的信息會(huì)因此而受到破壞，造成物質(zhì)上和資料上的重大損失。我國每年使用磁盤數(shù)以億計(jì)，由于磁盤發(fā)霉而造成的損失無法估量。當(dāng)前國內(nèi)生產(chǎn)的磁盤絕大部分沒有防霉功能，國外雖有人在磁盤中加入防霉劑，聲稱有防霉作用，但效果很差，且沒有防水、防污、耐磨的功能。
本發(fā)明的目的是提出一種防霉磁盤及其制備方法，使磁盤具有防霉作用。同時(shí)兼?zhèn)浞浪?、防污、耐磨的功能?br> 本發(fā)明通過以下措施達(dá)到。在普通的磁盤表面上復(fù)蓋一層類金剛石碳膜，膜層厚度為10～200nm。
類金剛石碳膜的制備方法是這樣的把普通磁盤置于真空系統(tǒng)內(nèi)，采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，用電容耦合平行平板結(jié)構(gòu)，在丁烷氣氛中進(jìn)行，氣體流量為10～20sccm，表觀功率密度0.5～10w/cm2利用本發(fā)明方法制備類金剛石碳膜，可在室溫下進(jìn)行，襯底不必加熱因而避免高溫制備箔膜所帶來的影響。
按中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)、電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程、試驗(yàn)J的長霉試驗(yàn)方法進(jìn)行磁盤防霉試驗(yàn)，結(jié)果表明，沒有鍍膜的萬勝盤、DATACE盤等，試驗(yàn)后發(fā)霉程度為3級(jí)，鍍了類金剛石碳膜后(厚度為80～120nm)，發(fā)霉程度降至0～1級(jí)，可見有十分明顯的防霉效果。另外通過各種試驗(yàn)表明，防霉磁盤的防水能力、防污能力和耐磨性能大大提高。普通磁盤經(jīng)2.5×105次讀寫后便開始出錯(cuò)，而防霉磁盤經(jīng)1.4×106次寫讀后仍完好無缺。事實(shí)上，類金剛石碳膜是一種公認(rèn)的良好固體潤滑劑，不僅不會(huì)磨損磁頭，而且對磁頭有保護(hù)作用。
本發(fā)明的具體實(shí)施例采用電源頻率為13.6MHZ;
電極直徑14cm，電極間距4cm;
真空室壓強(qiáng)50pa。
其它各項(xiàng)參數(shù)如表一所示。
表一表觀功率密度氣體流量生長速度w/cm2sccm nm/min0.715300.7215310.915341.2715404.0012717.001095膜厚與沉積時(shí)間成線性關(guān)系。
權(quán)利要求
1.一種防霉磁盤，其特征是在普通磁盤表面復(fù)蓋有一層類金剛石碳膜，膜層厚度為10～200nm。
2.一種如權(quán)利要求1所述防霉磁盤的制備方法，其特征是把普通磁盤置于真空系統(tǒng)內(nèi)，采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，用電容耦合平行平板結(jié)構(gòu)，在丁烷氣氛中進(jìn)行，氣體流量為10～20sccm，功率密度0.5～10w/cm2。
3.一種如權(quán)利要求2所述防霉磁盤的制備方法，其特征是氣體流量為15sccm，功率密度為0.7w/cm2。
全文摘要
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)使用的防霉磁盤及其制備方法。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的磁盤缺少防霉功能，一旦發(fā)霉，磁盤中儲(chǔ)存的信息會(huì)受到破壞。本發(fā)明采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在普通磁盤上生長一層類金剛石碳膜，不但具有很好的防霉作用，對磁盤的防水、防污及耐磨損性也大大提高。采用本發(fā)明方法簡單，效果顯著，成本低廉，經(jīng)久耐用。
文檔編號(hào)G11B5/72GK1075227SQ9211413
公開日1993年8月11日 申請日期1992年12月2日 優(yōu)先權(quán)日1992年12月2日
發(fā)明者陳樹光, 陳弟虎, 郭揚(yáng)銘, 徐運(yùn)海, 朱小兵 申請人:中山大學(xué)